CN210380791U - 一种小尺寸石英晶片 - Google Patents
一种小尺寸石英晶片 Download PDFInfo
- Publication number
- CN210380791U CN210380791U CN201921425107.5U CN201921425107U CN210380791U CN 210380791 U CN210380791 U CN 210380791U CN 201921425107 U CN201921425107 U CN 201921425107U CN 210380791 U CN210380791 U CN 210380791U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- small
- wafer
- inclined plane
- wafer substrate
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
一种小尺寸石英晶片，包括晶片基板和电极，所述晶片基板的上表面镀有所述的电极，其特征在于：所述晶片基板的四边上分别设置有斜面A、斜面B、端面E和端面F，所述端面E和端面F分别由两个小斜面呈夹角α组合而成，所述斜面A和斜面B的尾部均镀有电极。本实用新型采用四边斜面结构代替传统的四边弧面结构，这样做可以使晶片尺寸更小、晶片形状更规则，外形尺寸可控，外形尺寸一致性更好，从而使得谐振器的参数一致性更好，频率更稳定，同时也提高了产品的合格率。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种小尺寸石英晶片。
背景技术
石英晶体频控器件作为通讯领域的核心电子元件，特别是高基频、小尺寸石英晶体谐振器更是现在5G通讯产品所需的重要基础性电子元器件。半导体工艺具有微纳米级加工能力，大大提升石英晶片制造精度、一致性、稳定性，产品物理和电子性能优越，满足通讯市场、物联网、智能家电等领域的飞速发展需要。
传统的石英晶体谐振器晶片的设计和加工中，为了得到较好的性能和较低的电阻，通常采用的对石英晶片进行滚筒修边的方法，使得晶片边缘呈弧面状，这种方法一致性受到滚边筒尺寸大小、滚边速度、滚边磨削砂颗粒大小、车间环境温湿度等诸多因素的影响，加工的晶片参数一致性很难控制，产品合格率不高。
发明内容
本实用新型的目的是克服现有技术的缺陷和不足，提供一种结构简单、参数一致性好、加工简单的小尺寸石英晶片。
为实现以上目的，本实用新型的技术解决方案是：一种小尺寸石英晶片，包括晶片基板和电极，所述晶片基板的上表面镀有所述的电极，其特征在于：所述晶片基板的四边上分别设置有斜面A、斜面B、端面E和端面F，所述端面E和端面F分别由两个小斜面呈夹角α组合而成，所述斜面A和斜面B的尾部均镀有电极。
所述斜面A位于晶片基板的上侧背面，所述斜面B位于晶片基板的下侧正面，所述端面E和端面F分别位于晶片基板的左右两侧。
所述斜面A和斜面B的宽度在5μm～60μm之间。
所述端面E和端面F的宽度在10μm～50μm之间，所述夹角α在20°～70°之间。
所述电极由镀铬膜层和镀金膜层组成，膜厚在1000Å到10000Å之间。
本实用新型采用四边斜面结构代替传统的四边弧面结构，这样做可以使晶片尺寸更小、晶片形状更规则，外形尺寸可控，外形尺寸一致性更好，从而使得谐振器的参数一致性更好，频率更稳定，同时也提高了产品的合格率。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
图2是图1的A-A向剖视图。
图3是图1的B-B向剖视图。
图中：晶片基板1，电极2，斜面A 3，斜面B 4，端面E 5，端面F 6。
具体实施方式
以下结合附图说明和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。
参见图1-图3，一种小尺寸石英晶片，包括晶片基板1和电极2，所述晶片基板1的上表面镀有所述的电极2，所述电极2由镀铬膜层和镀金膜层组成，膜厚在1000Å到10000Å之间，所述晶片基板1的四边上分别设置有斜面A 3、斜面B 4、端面E 5和端面F 6，所述斜面A3位于晶片基板1的上侧背面，所述斜面B 4位于晶片基板1的下侧正面，所述端面E 5和端面F 6分别位于晶片基板1的左右两侧，斜面A 3和斜面B 4的宽度在5μm～60μm之间，端面E 5和端面F 6的宽度在10μm～50μm之间，所述端面E 5和端面F 6分别由两个小斜面呈夹角α组合而成，所述夹角α在20°～70°之间，所述斜面A 3和斜面B 4的尾部均镀有电极2。
本实用新型的制作过程为：按照工艺要求将一定尺寸的石英wafer抛光到规定的频率，然后经过清洗，溅射镀膜，半导体工艺的胶涂覆以后，用设计的半导体工艺的mask，在专用的曝光机上进行曝光，曝光完成后，进行显影、金属刻蚀的工序后，最后使用特定配方的腐蚀药液进行石英刻蚀，从而形成斜面A、斜面B、端面E和端面F，再去除半导体工艺的胶和表面金属层，然后进行磁控溅射，得到需要的电极膜厚，得到最终合格的小尺寸石英晶片。
Claims (5)
1.一种小尺寸石英晶片，包括晶片基板（1）和电极（2），所述晶片基板（1）的上表面镀有所述的电极（2），其特征在于：所述晶片基板（1）的四边上分别设置有斜面A（3）、斜面B（4）、端面E（5）和端面F（6），所述端面E（5）和端面F（6）分别由两个小斜面呈夹角α组合而成，所述斜面A（3）和斜面B（4）的尾部均镀有电极（2）。
2.根据权利要求1所述的一种小尺寸石英晶片，其特征在于：所述斜面A（3）位于晶片基板（1）的上侧背面，所述斜面B（4）位于晶片基板（1）的下侧正面，所述端面E（5）和端面F（6）分别位于晶片基板（1）的左右两侧。
3.根据权利要求1所述的一种小尺寸石英晶片，其特征在于：所述斜面A（3）和斜面B（4）的宽度在5μm～60μm之间。
4.根据权利要求1所述的一种小尺寸石英晶片，其特征在于：所述端面E（5）和端面F（6）的宽度在10μm～50μm之间，所述夹角α在20°～70°之间。
5.根据权利要求1所述的一种小尺寸石英晶片，其特征在于：所述电极（2）由镀铬膜层和镀金膜层组成，膜厚在1000Å到10000Å之间。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201921425107.5U CN210380791U (zh) | 2019-08-30 | 2019-08-30 | 一种小尺寸石英晶片 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201921425107.5U CN210380791U (zh) | 2019-08-30 | 2019-08-30 | 一种小尺寸石英晶片 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN210380791U true CN210380791U (zh) | 2020-04-21 |
Family
ID=70253254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201921425107.5U Active CN210380791U (zh) | 2019-08-30 | 2019-08-30 | 一种小尺寸石英晶片 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN210380791U (zh) |
-
2019
- 2019-08-30 CN CN201921425107.5U patent/CN210380791U/zh active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105186091B (zh) | 一种太赫兹波段超小金属波导的制作方法 | |
| CN101593588A (zh) | 片式薄膜电阻器的制造方法 | |
| CN103716985A (zh) | 一种玻璃基线路板及其制造方法 | |
| CN210380791U (zh) | 一种小尺寸石英晶片 | |
| CN203206185U (zh) | 一种小型石英晶体谐振器排片后洗治具 | |
| JP2007329879A (ja) | 音叉型屈曲水晶振動片とその製造方法 | |
| CN102540297B (zh) | 微米级抗反射金属光栅的制备方法 | |
| CN210380790U (zh) | 一种高基频石英晶片 | |
| CN107318228B (zh) | 一种印制电路板的制造方法及其制造装置 | |
| CN105666848B (zh) | 一种压印电极微栅薄膜的模具辊制作方法 | |
| CN109082274A (zh) | 蚀刻液及利用该蚀刻液制得无指纹残留的手机后盖的方法 | |
| CN113562686A (zh) | 一种3d-mems探针的制造方法 | |
| CN210380789U (zh) | 一种改进晶片边缘形貌设计的晶片基板 | |
| CN109930182A (zh) | 一种湿制程制作镍合金精密零部件的方法 | |
| CN107331714A (zh) | 一种ibc电池工艺制备方法 | |
| CN102394164B (zh) | 一种小型片式电阻的制造方法 | |
| CN107871705B (zh) | 一种高精度超薄THz薄膜电路制作方法 | |
| CN110708880A (zh) | 一种在石英玻璃上制备复杂电路图案的方法 | |
| CN208079028U (zh) | 一种新型石英晶片 | |
| CN109015441B (zh) | 基于准liga工艺的超薄型金刚石砂轮片的制造方法 | |
| TWI722889B (zh) | 耐烘烤滾輪的製造方法 | |
| CN210327522U (zh) | 一种平顶型石英晶振片 | |
| CN115639183B (zh) | 一种提高溶致液晶制备sers基底生长一致性的方法 | |
| CN204031088U (zh) | 一种稳定性好的石英晶体谐振器 | |
| CN113271082A (zh) | 一种具有高斯型电极结构的压电石英晶片及其制造工艺 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 441300 Zengdou Economic Development Zone, Hubei, Suizhou Patentee after: Taijing Technology Co., Ltd Address before: 441300 Zengdou Economic Development Zone, Hubei, Suizhou Patentee before: HUBEI TKD ELECTRONIC TECHNOLOGY Co.,Ltd. |