CN210378972U - 热处理装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及热处理装置。提供能将基板保持件稳定地保持在保温台且能抑制热量从保温台的上方向保温台的下方散失的技术。热处理装置具备处理容器,其包括沿铅垂方向延伸的圆筒状的反应管;基板保持件,其在反应管的内部沿铅垂方向隔开间隔地保持多个基板;加热器,其从反应管的径向外侧对反应管的内部加热;盖体,其对处理容器的下端部的开口部进行开闭;及保温台,其配置在基板保持件与盖体之间,保温台具有沿铅垂方向延伸的碳化硅制的圆筒部;配置于圆筒部的径向内侧的第一隔热部;及配置于圆筒部的径向外侧的第二隔热部,第一隔热部包括沿铅垂方向隔开间隔排列的多个圆盘状翅片,第二隔热部包括沿铅垂方向隔开间隔排列的多个环形盘状翅片。
Description
技术领域
本公开涉及热处理装置。
背景技术
专利文献1所记载的立式热处理装置具备:处理容器;在处理容器的内部保持基板的基板保持件;对处理容器的下端部的开口部进行开闭的盖体;以及配置于基板保持件与盖体之间的保温台。保温台在基板保持件的下方具有沿上下方向排列的多个碳化硅制隔热板。另外,保温台在多个碳化硅制隔热板的下方具有沿上下方向排列的多个石英制隔热板。
专利文献1:日本特开2006-32386号公报
实用新型内容
本公开的一个实施方式提供能够将基板保持件稳定地保持在保温台、且能够抑制热量从保温台的上方向保温台的下方散失的技术。
本公开的一个实施方式所涉及的热处理装置具备:
处理容器,其包括沿铅垂方向延伸的圆筒状的反应管;
基板保持件,其在所述反应管的内部,沿铅垂方向隔开间隔地保持多个基板;
加热器,其从所述反应管的径向外侧对所述反应管的内部进行加热;
盖体,其对所述处理容器的下端部的开口部进行开闭;以及
保温台,其配置在所述基板保持件与所述盖体之间,
所述保温台具有:沿铅垂方向延伸的碳化硅制的圆筒部;配置于所述圆筒部的径向内侧的第一隔热部;以及配置于所述圆筒部的径向外侧的第二隔热部,
所述第一隔热部包括沿铅垂方向隔开间隔地排列的多个圆盘状翅片,
所述第二隔热部包括沿铅垂方向隔开间隔地排列的多个环形盘状翅片。
根据本公开的一个实施方式,能够将基板保持件稳定地保持在保温台,并且抑制热量从保温台的上方向保温台的下方散失。
附图说明
图1是表示一实施方式所涉及的热处理装置的图。
图2是表示一实施方式所涉及的保温台的图。
图3是从下方观察一实施方式所涉及的圆盘状翅片的图。
图4是从上方观察一实施方式所涉及的圆盘状翅片的图。
图5是一实施方式所涉及的圆盘状翅片组装完成时的剖视图,是沿着图4的V-V线的剖视图。
图6是从下方观察一实施方式所涉及的环形盘状翅片的图。
图7是从上方观察一实施方式所涉及的环形盘状翅片图。
图8是一实施方式所涉及的环形盘状翅片组装完成时的剖视图,是沿着图7的VIII-VIII线的剖视图。
图9是从上方观察一实施方式所涉及的翻倒防止部以及旋转防止部的图。
图10是表示解除了图9所示的翻倒防止部以及旋转防止部的功能的状态的一个例子的图。
具体实施方式
以下,参照附图对本公开的实施方式进行说明。此外,有时在各附图中对同一或者对应的构成标记同一或者对应的符号,省略说明。
(热处理装置)
图1是表示一实施方式所涉及的热处理装置的图。热处理装置1对基板W进行热处理。基板W例如是半导体基板,更详细地例如是硅晶圆。基板W的热处理包括:例如在基板W形成膜的成膜处理、或者将掺杂的掺杂剂扩散于基板W的热扩散处理。形成于基板W的膜例如是氧化硅膜、氮化硅膜、或者硅膜。硅膜也可以是含有掺杂剂的半导体膜。此外,形成于基板W的膜并不限定于含有硅(Si)的膜,例如也可以是含有锗(Ge)的膜。
热处理装置1是对多个基板W一起地进行热处理的批处理式的立式热处理装置。热处理装置1具备处理容器10、盖体30、保温台31、以及基板保持件32。基板保持件32也被称为晶舟。另外,热处理装置1具备连结件33、升降机40、加热器50、以及加热器隔热部51。
处理容器10具有沿铅垂方向延伸的圆筒状的反应管11。反应管11具有沿铅垂方向延伸的圆筒部12、和将圆筒部12的上端部的开口部闭塞的顶部13。顶部13被形成为向上凸起的曲面状。另外,反应管11具有形成于圆筒部12的下端部的凸缘部15。凸缘部15从圆筒部12向径向外侧水平地伸出。反应管11例如由碳化硅(SiC)形成。
此外,反应管11在本实施方式中是单层管,但是也可以是双层管,也可以具有内管和外管。内管和外管被同轴地配置。外管与本实施方式的反应管11同样地构成。内管被配置在外管的内部,被形成为沿铅垂方向延伸的圆筒状。内管的上端部与外管的上端部不同,未被闭塞,而是被敞开。
处理容器10具有歧管20。歧管20例如由石英(SiO2)或者碳化硅形成。歧管20具有沿铅垂方向延伸的圆筒部21、形成于圆筒部21的铅垂方向中央部的供气口22、以及形成于圆筒部21的铅垂方向中央部的排气口23。
供气口22将处理气体供给至处理容器10的内部。在处理容器10的内部配置有从供气口22延伸的气体供给管16。气体供给管16具有在反应管11的内部铅垂地配置的铅垂管17。铅垂管17例如由碳化硅形成。铅垂管17在铅垂方向空开间隔地具有多个进气口18。多个进气口18将从供气口22供给的处理气体水平地排出。供气口22经由在中途设置有流量控制器的配管而与处理气体的供给源连接。此外,铅垂管17的进气口18也可以不形成在铅垂管17的侧面而仅形成在铅垂管17的上端。该情况下,进气口18将处理气体沿铅垂方向朝上地排出。该情况下,铅垂管17的上端被配置在与多个环形盘状翅片81B之中的、最靠下的环形盘状翅片81B相同的高度。
排气口23对处理容器10的内部进行排气。排气口23经由在中途设置有压力控制器的配管而与真空泵连接。
歧管20在圆筒部21的上端部具有上凸缘部25。上凸缘部25从圆筒部21向径向外侧水平地伸出。在上凸缘部25安装有反应管11的凸缘部15。另外,歧管20在圆筒部21的下端部具有下凸缘部27。下凸缘部27从圆筒部21向径向外侧水平地伸出。盖体30与下凸缘部27接触或分离。
盖体30在处理容器10的下方升降,从而对处理容器10的下端部的开口部进行开闭。盖体30例如具有石英制的圆盘部30a、以及不锈钢制的圆盘部30b。石英制的圆盘部30a被安装在不锈钢制的圆盘部30b之上,并与歧管20的下凸缘部27接触或分离。盖体30经由保温台31从下方支承基板保持件32。
基板保持件32在反应管11的内部沿铅垂方向空开间隔地保持多个基板W。基板保持件32将沿铅垂方向空开间隔地排列的多个基板W的每一个水平地保持。为了使基板W以反应管11的中心线为中心旋转,基板保持件32也可以与保温台31一起相对于盖体30自由旋转。
升降机40使盖体30升降。升降机40例如具有沿铅垂方向延伸的升降引导件41、和沿着升降引导件41升降的升降臂42。升降臂42在顶端部支承盖体30。升降机40通过使盖体30上升,从而将基板保持件32搬入到处理容器10的内部,并且由盖体30将处理容器10的下端部的开口部密闭。另外,升降机40通过使盖体30下降,从而使处理容器10的下端部的开口部敞开,并且将基板保持件32搬出到处理容器10的外部。
加热器50从反应管11的径向外侧对反应管11的内部进行加热。基板W的加热温度并不被特别地限定,例如为1200℃以上且1400℃以下。加热器50含有沿着圆筒状的加热器隔热部51的内壁面形成为螺旋状的电热线。加热器50沿铅垂方向被划分成多个区域,由供电端子52对每个区域供给电力。供电端子52沿铅垂方向空开间隔地配置多个。
(热处理装置的动作)
热处理装置1将基板W搬入到处理容器10的内部。具体而言,首先,未图示的搬送装置在处理容器10的外部,将多个基板W载置于基板保持件32。基板保持件32将多个基板W沿铅垂方向空开间隔水平地保持。接着,升降机40通过使盖体30上升,从而将基板W与基板保持件32一起搬入到处理容器10的内部,并且用盖体30将处理容器10的下端部的开口部密闭。
接着,热处理装置1一边以处理容器10的内部的气压成为设定值的方式对处理容器10的内部进行排气,一边向处理容器10的内部供给处理气体。加热器50对在处理容器10的内部容纳的基板W进行加热。热处理装置1在基板W的热处理之后,停止处理容器10的内部的排气,使处理容器10的内部的气压恢复到常压。
接着,热处理装置1将基板W搬出到处理容器10的外部。具体而言,首先,升降机40通过使盖体30下降,从而使处理容器10的下端部的开口敞开,并且将基板W与基板保持件32一起搬出到处理容器10的外部。然后,搬送装置将基板W从基板保持件32卸下。
(保温台)
图2是表示一实施方式所涉及的保温台的图。如图2所示,保温台31被设置在基板保持件32与盖体30之间。保温台31通过抑制热量从保温台31的上方向保温台31的下方散失,由此保持基板保持件32的温度。以下,参照图2对保温台31的构造进行说明,首先参照图1以及图2来对基板保持件32的构造进行说明。
基板保持件32是所谓的梯形舟,如图1所示,具有上板61、下板62、以及多个支柱63。上板61和下板62分别被水平地配置,并形成为圆盘状。多个支柱63分别从上板61的外周部铅垂地延伸到下板62的外周部,并将上板61和下板62连结。多个支柱63分别具有供基板W的外周部***的***槽。***槽沿铅垂方向空开间隔地以等间距形成。基板保持件32例如由碳化硅形成。碳化硅与石英相比耐热性优异,即使在1200℃以上的温度也能够稳定地保持基板W。碳化硅能够在1500℃以下的温度下使用。
保温台31如图2所示具有沿铅垂方向延伸的碳化硅制的圆筒部70。圆筒部70和基板保持件32的下板62通过连结件33连结。由于圆筒部70以及连结件33与基板保持件32的下板62同样地,被加热到1200℃以上,所以由碳化硅形成。
在基板保持件32的下板62形成有环状的突起65。突起65的外径比圆筒部70的内径略小。通过圆筒部70包围突起65,由此进行定心。定心是指沿铅垂方向观察时圆筒部70的中心与被保持在基板保持件32的基板W的中心一致。
此外,在本实施方式中,圆筒部70包围突起65,但是也可以突起65包围圆筒部70。该情况下,环状的突起65的内径比圆筒部70的外径略大。通过突起65包围圆筒部70,由此进行定心。
然而,碳化硅与石英相比耐热性优异,与石英不同,无法以燃烧器的热量局部熔融。因此,不能够将碳化硅制的部件彼此焊接。因此,不能够用碳化硅形成复杂的形状并且一体化的物品。
由于圆筒部70是比较简单的形状,所以能够用碳化硅形成为一体化的物品,并能够稳定地支承基板保持件32。另外,由于圆筒部70是圆筒状,所以能够支承基板保持件32的周向整体,能够稳定地支承基板保持件32。
圆筒部70在铅垂方向中央部具有通气孔部71。由于气体能够经由通气孔部71自由地在圆筒部70的内部与圆筒部70的外部之间流通,所以能够防止在圆筒部70的内部与圆筒部70的外部产生气压差。
通气孔部71在圆筒部70的周向形成多个(例如2个)。多个通气孔部71以圆筒部70的径向中心线为中心地旋转对称地配置。能够提高圆筒部70的刚性的平衡,能够抑制圆筒部70的倾斜。
保温台31如图2所示具有配置于圆筒部70的径向内侧的第一隔热部75。第一隔热部75包括沿铅垂方向空开间隔地排列的多个圆盘状翅片76。在多个圆盘状翅片76彼此之间形成处理气体的层,处理气体的层作为隔热层来发挥功能。其结果,在圆筒部70的径向内侧,能够抑制从保温台31的上方向保温台31的下方的热传导,更能够抑制热量的流出。
第一隔热部75包括遮挡热射线的碳化硅制的圆盘状翅片76A。热射线是指红外线。碳化硅制的圆盘状翅片76A通过反射或者吸收红外线,从而抑制红外线的透过。在圆筒部70的径向内侧,能够抑制从保温台31的上方向保温台31的下方的热辐射。在1200℃以上的高温下,对热量的移动而言,由于与热传导相比热辐射起支配作用,所以更能够抑制热量的流出。
碳化硅制的圆盘状翅片76A被配置在加热器50的加热区域A。加热器50的加热区域A是指如图1所示,反应管11的内部之中的、比加热器50的下端部靠上方并且比加热器50的上端部靠下方的区域。由于加热器50的加热区域A被加热到1200℃以上,所以配置碳化硅制的圆盘状翅片76A。碳化硅制的圆盘状翅片76A即使被加热至1200℃以上,也不会产生热形变。碳化硅制的圆盘状翅片76A能够在1500℃以下的温度下使用。
碳化硅制的圆盘状翅片76A的个数并没有特别地限定,例如3个以上且4个以下,优选为4个。若碳化硅制的圆盘状翅片76A的个数为3个以上,则能够将下述的石英制的圆盘状翅片76B的温度抑制为不足1150℃,能够抑制石英制的圆盘状翅片76B的热形变。另外,若碳化硅制的圆盘状翅片76A的个数为4个以下,则能够抑制制造成本的增加。
此外,碳化硅制的圆盘状翅片76A的个数越多,越能够降低石英制的圆盘状翅片76B的温度。只不过,只要石英制的圆盘状翅片76B的温度不足1150℃,就能够抑制石英制的圆盘状翅片76B的热形变。因此,从制造成本的角度出发,碳化硅制的圆盘状翅片76A的个数可以为4个以下。
另外,第一隔热部75包括配置于碳化硅制的圆盘状翅片76A的下方的石英制的圆盘状翅片76B。石英与碳化硅相比,在具有较高的红外线透过率和较低的融点方面逊色,另一方面,在具有具有较低的热传导率方面优异。因为石英制的圆盘状翅片76B被配置在碳化硅制的圆盘状翅片76A的下方,所以被配置在红外线的强度较弱且温度较低的区域。因此,石英比碳化硅具有较高的红外线透过率和较低的融点这一点不成为问题。由于石英与碳化硅相比具有较低的热传导率,所以能够抑制从保温台31的上方向保温台31的下方的热传导,更能够抑制热量的流出。
石英制的圆盘状翅片76B被配置在比加热器50的加热区域A靠下方的区域。比加热器50的加热区域A靠下方的区域是比加热器50的加热区域A温度低的区域,所以能够抑制石英制的圆盘状翅片76B的热形变。
图3是从下方观察一实施方式所涉及的圆盘状翅片的图。图4是从上方观察一实施方式所涉及的圆盘状翅片的图。图5是一实施方式所涉及的圆盘状翅片的组装完成时的剖视图,是沿着图4的V-V线的剖视图。图3~图5所示的圆盘状翅片76是碳化硅制的圆盘状翅片76A。此外,石英制的圆盘状翅片76B也具有与碳化硅制的圆盘状翅片76A同样的构造。
凸部77在圆盘状翅片76的下表面与圆盘状翅片76一体地形成。凸部77沿圆盘状翅片76的周向等间隔地设置多个(例如3个)。另一方面,在圆盘状翅片76的上表面形成有凹部78。凹部78沿圆盘状翅片76的周向等间隔地形成多个(例如3个)。在一个圆盘状翅片76形成同相等数量的凸部77和凹部78。
如图5所示,在上侧的圆盘状翅片76的下表面形成的凸部77与在下侧的圆盘状翅片76的上表面形成的凹部78嵌合。通过将多个凸部77与多个凹部78嵌合,从而能够在沿铅垂方向观察时使上侧的圆盘状翅片76的中心与下侧的圆盘状翅片76的中心一致。另外,通过将多个凸部77与多个凹部78嵌合,从而能够防止在沿铅垂方向观察时上侧的圆盘状翅片76与下侧的圆盘状翅片76相对旋转。
此外,在本实施方式中在圆盘状翅片76的下表面形成有凸部77,在圆盘状翅片76的上表面形成有凹部78,但是凸部77与凹部78的配置也可以相反。具体而言,也可以在圆盘状翅片76的上表面形成有凸部77,在圆盘状翅片76的下表面形成有凹部78。该情况下,在上侧的圆盘状翅片76的下表面形成的凹部78与在下侧的圆盘状翅片76的上表面形成的凸部77嵌合。
在第一隔热部75的上部,由于铅垂方向的温度梯度较陡,为了容许热膨胀差所引起的偏离,圆盘状翅片76彼此未一体化形成。为了容许热膨胀差所引起的偏离,凹部78的直径被形成为大于凸部77的直径。
另一方面,在第一隔热部75的下部,由于铅垂方向的温度梯度较缓和,所以圆盘状翅片76彼此也可以通过焊接而一体化形成。通过一体化,能够提高处理性能。
被焊接的部件是石英制的圆盘状翅片76B。在该圆盘状翅片76B也可以形成贯通孔,而代替凸部77以及凹部78。贯通孔将圆盘状翅片76B沿铅垂方向贯通。焊条插通到贯通孔。通过将焊条和多个圆盘状翅片76B焊接,能够使多个圆盘状翅片76B一体化。
保温台31如图2所示具有配置于圆筒部70的径向外侧的第二隔热部80。第二隔热部80包括沿铅垂方向空开间隔地排列的多个环形盘状翅片81。在多个环形盘状翅片81彼此之间形成处理气体的层,处理气体的层作为隔热层发挥功能。其结果,在圆筒部70的径向外侧,能够抑制从保温台31的上方向保温台31的下方的热传导,更能够抑制热量的流出。
第二隔热部80包括遮挡热射线的碳化硅制的环形盘状翅片81A。热射线是指红外线。碳化硅制的环形盘状翅片81A通过反射或者吸收红外线,从而抑制红外线的透过。在圆筒部70的径向外侧,能够抑制从保温台31的上方向保温台31的下方的热辐射。在1200℃以上的高温,对热量的移动而言,与热传导相比热辐射起支配作用,能够抑制热量的流出。
碳化硅制的环形盘状翅片81A被配置在加热器50的加热区域A。由于加热器50的加热区域A被加热至1200℃以上,所以配置碳化硅制的环形盘状翅片81A。碳化硅制的环形盘状翅片81A即使被加热至1200℃以上,也不会产生热形变。碳化硅制的环形盘状翅片81A能够在1500℃以下的温度使用。
碳化硅制的环形盘状翅片81A的个数并不特别地限定,例如为3个以上且4个以下,优选为4个。若碳化硅制的环形盘状翅片81A的个数在3个以上,则能够将下述的石英制的环形盘状翅片81B的温度抑制到小于1150℃,能够抑制石英制的环形盘状翅片81B的热形变。另外,若碳化硅制的环形盘状翅片81A的个数为4个以下,则能够抑制制造成本的增加。
此外,碳化硅制的环形盘状翅片81A的个数越多,则越能够降低石英制的环形盘状翅片81B的温度。只不过,只要石英制的环形盘状翅片81B的温度小于1150℃,就能够抑制石英制的环形盘状翅片81B的热形变。因此,从制造成本的角度出发,碳化硅制的环形盘状翅片81A的个数也可以为4个以下。
另外,第二隔热部80包括配置于碳化硅制的环形盘状翅片81A的下方的石英制的环形盘状翅片81B。石英与碳化硅相比,在具有较高的红外线透过率和较低的融点方面逊色,另一方面,在具有较低的热传导率个方面优异。由于石英制的环形盘状翅片81B被配置在碳化硅制的环形盘状翅片81B的下方,所以被配置在红外线的强度较弱、温度较低的区域。因此,石英与碳化硅相比具有较高的红外线透过率和较低的融点这一点不会成为问题。由于石英与碳化硅相比具有较低的热传导率,所以能够抑制从保温台31的上方向保温台31的下方的热传导,更能够抑制热量的流出。
石英制的环形盘状翅片81B被配置在比加热器50的加热区域A靠下方的区域。由于比加热器50的加热区域A靠下方的区域是比加热器50的加热区域A稳定更低的区域,所以能够抑制石英制的环形盘状翅片81B的热形变。
图6是从下方观察一实施方式所涉及的环形盘状翅片的图。图7是从上方观察一实施方式所涉及的环形盘状翅片的图。图8是一实施方式所涉及的环形盘状翅片的组装完成时的剖视图,是沿着图7的VIII-VIII线的剖视图。图6~图8所示的环形盘状翅片81是碳化硅制的环形盘状翅片81A。此外,石英制的环形盘状翅片81B也具有与碳化硅制的环形盘状翅片81A同样的构造。
在环形盘状翅片81的外周部形成有切口部82。一个切口部82防止环形盘状翅片81与铅垂管17的干涉。另外,另一个切口部82防止环形盘状翅片81与铅垂管17以外的部件(例如热电偶)的干涉。此外,切口部82的数量可以是1个,也可以是3个以上。
环形部83与环形盘状翅片81一体地形成在环形盘状翅片81的下表面。环形部83从环形盘状翅片81的下表面向下方突出。凸部84与环形部83一体地形成在环形部83的下表面。凸部84沿环形部83的周向等间隔地设置多个(例如3个)。另一方面,凹部85形成在环形盘状翅片81的上表面。凹部85沿环形盘状翅片81的周向等间隔地形成多个(例如3个)。在一个环形盘状翅片81形成同等数量的凸部84与凹部85。
如图8所示,在上侧的环形部83的下表面形成的凸部84与在下侧的环形盘状翅片81的上表面形成的凹部85嵌合。通过将多个凸部84与多个凹部85嵌合,从而能够在沿铅垂方向观察时使上侧的环形盘状翅片81的中心与下侧的环形盘状翅片81的中心一致。另外,通过将多个凸部84与多个凹部85嵌合,从而能够防止在沿铅垂方向观察时上侧的环形盘状翅片81与下侧的环形盘状翅片81相对旋转。
此外,在本实施方式中在环形盘状翅片81的下表面形成环形部83,在环形部83的下表面形成凸部84,在环形盘状翅片81的上表面形成凹部85,但是凸部84与凹部85的配置也可以相反。具体而言,也可以在环形盘状翅片81的上表面形成环形部83,在环形部83的上表面形成凸部84,在环形盘状翅片81的下表面形成凹部85。该情况下,在上侧的环形盘状翅片81的下表面形成的凹部85与在下侧的环形部83的上表面形成的凸部84嵌合。环形部83从环形盘状翅片81的上表面向上方突出。
在第二隔热部80的上部,由于铅垂方向的温度梯度较陡,所以为了容许热膨胀差所引起的偏离,环形盘状翅片81彼此没有一体化形成。为了容许热膨胀差所引起的偏离,凹部85的直径被形成为大于凸部84的直径。
另一方面,在第二隔热部80的下部,由于铅垂方向的温度梯度较缓和,所以环形盘状翅片81彼此也可以通过焊接而一体化形成。通过一体化,能够提高处理性能。
被焊接的部件是石英制的环形盘状翅片81B。在该环形盘状翅片81B也可以形成贯通孔,而代替凸部84以及凹部85。贯通孔将环形盘状翅片81B沿铅垂方向贯通。焊条***通在贯通孔。通过将焊条与多个环形盘状翅片81B焊接,从而能够使多个环形盘状翅片81B一体化形成。
保温台31在圆筒部70与盖体30之间具有第三隔热部86。第三隔热部86包括沿铅垂方向空开间隔地排列的多个石英制的圆盘状翅片87。在多个圆盘状翅片87彼此之间形成处理气体的层,处理气体的层作为隔热层发挥功能。其结果,在圆筒部70与盖体30之间,能够抑制从保温台31的上方向保温台31的下方的热传导,更能够抑制热量的流出。
第三隔热部86由石英形成,圆筒部70由碳化硅形成。石英的热传导率比碳化硅的热传导率低。在热传导率较高的碳化硅制的圆筒部70和盖体30之间配置热传导率较低的石英制的第三隔热部86。因此,能够抑制从圆筒部70向盖体30的热传导,能够抑制盖体30的高温化。
石英与碳化硅相比,在具有较高的红外线透过率和较低的融点方面逊色,另一方面,在具有较低的热传导率方面优异。由于石英制的第三隔热部86被配置在碳化硅制的圆筒部70的下方,所以被配置在红外线的强度较弱、温度较低的区域。因此,石英与碳化硅相比具有较高的红外线透过率和较低的融点这一点不会成为问题。
在石英制的圆盘状翅片87形成有贯通孔。贯通孔将圆盘状翅片87沿铅垂方向贯通。焊条88***通在贯通孔。焊条88与圆盘状翅片87同样地由石英形成。通过将焊条88与多个圆盘状翅片87焊接,从而能够使多个圆盘状翅片87一体化。焊条88的个数可以是多个,与多个焊条88对应地可以在各圆盘状翅片87形成有多个贯通孔。焊条88的下端部也可以被载置于盖体30,也可以与石英制的圆盘部30a通过焊接而一体化形成。
此外,在第三隔热部86的圆盘状翅片87也可以代替贯通孔而形成凸部和凹部。凸部和凹部中的任意1个被形成在圆盘状翅片87的上表面,凸部和凹部的剩下1个被形成在圆盘状翅片87的下表面。一个圆盘状翅片87的凸部与另一个圆盘状翅片87的凹部嵌合。该情况下,通过将凸部和凹部焊接,能够将多个圆盘状翅片87一体化形成。
第三隔热部86的圆盘状翅片87的外径与第二隔热部80的环形盘状翅片81的外径为同等程度。因此,在圆盘状翅片87的外周部与环形盘状翅片81的外周部同样地形成有切口部89。切口部89的数量并不特别限定。
图9是从上方观察一实施方式所涉及的翻倒防止部以及旋转防止部的图。图10是表示解除了图9所示的翻倒防止部以及旋转防止部的功能的状态的一个例子的图。
如图9所示,保温台31具有防止圆筒部70相对于第三隔热部86翻倒的翻倒防止部90。能够防止因地震等而导致圆筒部70翻倒的情况。翻倒防止部90例如具有第一圆弧板91、第二圆弧板92、以及隔离件93。
第一圆弧板91如图2所示从圆筒部70的下端部向径向外侧突出。由于第一圆弧板91与圆筒部70一体地形成,所以由碳化硅形成。沿圆筒部70的周向空开间隔地形成多个(例如4个)第一圆弧板91。第一圆弧板91的数量并不限定为4个,为2个以上即可。第一圆弧板91的下表面与圆筒部70的下表面共面,被载置于第三隔热部86的上表面。
第二圆弧板92如图2所示从上方按压第一圆弧板91。第二圆弧板92经由隔离件93相对于第三隔热部86固定。第二圆弧板92与隔离件93被形成为一体,与第三隔热部86同样地由石英形成。沿第三隔热部86的周向空开间隔地形成多个(例如4个)第二圆弧板92。第二圆弧板92的数量并不限定为4个,为2个以上即可。
第二圆弧板92的上表面在内周部具有圆弧状的槽部94。在槽部94嵌合有第二隔热部80的环形部83或者凸部84。其结果,当沿铅垂方向观察时,能够使第二隔热部80的环形盘状翅片81的中心与第三隔热部86的圆盘状翅片87的中心一致。
隔离件93在第二圆弧板92与第三隔热部86之间形成间隙。该间隙的大小比第一圆弧板91的厚度大。隔离件93在第一圆弧板91的径向外侧被配置成圆弧状。隔离件93的数量与第二圆弧板92的数量相同。
如图10所示那样将圆筒部70载置于第三隔热部86之后,通过使圆筒部70旋转,从而能够如图9所示那样用第二圆弧板92从上方按压第一圆弧板91。由此,能够防止圆筒部70相对于第三隔热部86翻倒。
如图9所示,保温台31具有防止圆筒部70相对于第三隔热部86旋转的旋转防止部95。能够定位圆筒部70的周向位置。旋转防止部95例如具有第一切口96、第二切口97、以及定位销98。
第一切口96被形成在第一圆弧板91的外周部。另一方面,第二切口97被形成在第二圆弧板92的内周部。如图9所示那样当沿铅垂方向观察时第一圆弧板91与第二圆弧板92重叠时,第一切口96与第二切口97形成圆形状的孔。通过定位销98被***该孔,从而能够防止圆筒部70相对于第三隔热部86旋转。
以上,对本公开所涉及的热处理装置的实施方式进行了说明,但是本公开并不限定于上述实施方式等。在实用新型申请的权利要求范围所记载的范畴内,能够进行各种变更、修正、置换、添加、删除、以及组合。对于上述这些也当然属于本公开的技术范围。
基板W并不限定于硅晶圆等半导体基板,也可以是玻璃基板等。
附图标记说明
1…热处理装置;10…处理容器;11…反应管;30…盖体;31…保温台;32…基板保持件;50…加热器;70…圆筒部;75…第一隔热部;76…圆盘状翅片;80…第二隔热部;81…环形盘状翅片;86…第三隔热部;90…翻倒防止部;95…旋转防止部。
Claims (11)
1.一种热处理装置,其中,
具备:
处理容器,其包括沿铅垂方向延伸的圆筒状的反应管;
基板保持件,其在所述反应管的内部,沿铅垂方向隔开间隔地保持多个基板;
加热器,其从所述反应管的径向外侧对所述反应管的内部进行加热;
盖体,其对所述处理容器的下端部的开口部进行开闭;以及
保温台,其配置在所述基板保持件与所述盖体之间,
所述保温台具有:沿铅垂方向延伸的碳化硅制的圆筒部;配置于所述圆筒部的径向内侧的第一隔热部;以及配置于所述圆筒部的径向外侧的第二隔热部,
所述第一隔热部包括沿铅垂方向隔开间隔地排列的多个圆盘状翅片,
所述第二隔热部包括沿铅垂方向隔开间隔地排列的多个环形盘状翅片。
2.根据权利要求1所述的热处理装置,其中,
所述第一隔热部包括:碳化硅制的圆盘状翅片;和石英制的圆盘状翅片,其配置于所述碳化硅制的圆盘状翅片的下方。
3.根据权利要求1所述的热处理装置,其中,
所述第二隔热部包括:碳化硅制的环形盘状翅片;和石英制的环形盘状翅片,其配置于所述碳化硅制的环形盘状翅片的下方。
4.根据权利要求2所述的热处理装置,其中,
所述第二隔热部包括:碳化硅制的环形盘状翅片;和石英制的环形盘状翅片,其配置于所述碳化硅制的环形盘状翅片的下方。
5.根据权利要求1所述的热处理装置,其中,
所述保温台在所述圆筒部与所述盖体之间具有第三隔热部,
所述第三隔热部包括沿铅垂方向隔开间隔地排列的多个石英制的圆盘状翅片。
6.根据权利要求2所述的热处理装置,其中,
所述保温台在所述圆筒部与所述盖体之间具有第三隔热部,
所述第三隔热部包括沿铅垂方向隔开间隔地排列的多个石英制的圆盘状翅片。
7.根据权利要求3所述的热处理装置,其中,
所述保温台在所述圆筒部与所述盖体之间具有第三隔热部,
所述第三隔热部包括沿铅垂方向隔开间隔地排列的多个石英制的圆盘状翅片。
8.根据权利要求4所述的热处理装置,其中,
所述保温台在所述圆筒部与所述盖体之间具有第三隔热部,
所述第三隔热部包括沿铅垂方向隔开间隔地排列的多个石英制的圆盘状翅片。
9.根据权利要求5~8中任一项所述的热处理装置,其中,
所述保温台具有翻倒防止部,该翻倒防止部防止所述圆筒部相对于所述第三隔热部翻倒。
10.根据权利要求5~8中任一项所述的热处理装置,其中,
所述保温台具有旋转防止部,该旋转防止部防止所述圆筒部相对于所述第三隔热部旋转。
11.根据权利要求9所述的热处理装置,其中,
所述保温台具有旋转防止部,该旋转防止部防止所述圆筒部相对于所述第三隔热部旋转。
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- 2019-05-30 CN CN201920804593.5U patent/CN210378972U/zh active Active
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