CN210136890U - 单晶、多晶共享型导线架及其发光装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种单晶、多晶共享型导线架及其发光装置，包含有：一单体，设有一凹槽；多个导电区域，装设于该单体内部，并在该凹槽内呈现有矩阵排列的多个导电区域；藉由该单体凹槽，据以提供至少一个发光二极管择一封装成发光二极管一组或两组或多组等独立电路，据以提供各类型的LED发光装置。

Description

单晶、多晶共享型导线架及其发光装置

技术领域

本实用新型涉及一种发光二极管的技术领域，尤指一种单晶、多晶共享型导线架及其发光装置。

背景技术

发光二极管(Light-emitting diode，简称LED)，近年来有越来越多被运用在照明用途。使用发光二极管的发光装置具有效率高、寿命长、不易破损、反应速度快、可靠性高等优点。

虽然，使用发光二极管的照明装置，其制造成本远高于传统照明灯具，但其节能效果是传统照明灯具所不及，在这能源环保意识抬头的现代，发光二极管相当切中现代的需求。

又，一般发光装置所使用的发光二极管，可区分为单晶、多晶等，常见的情况是单晶发光装置则使用适用单晶的导线架，如中国台湾发明专利TW-I511339号「发光二极管封装件及其导线架」；多晶发光装置则使用适用多晶的导线架，如中国台湾发明专利TW-I478404号「发光二极管封装件及其导线架」。

因此，制造商于投产单晶、多晶等发光装置时，必须同时备足单晶、多晶的导线架，如此便增加库存风险，进而提高了LED发光装置的制造成本。再者，前述导线架无法热电分离，使发光二极管整体电路产生电压飘移，进而影像照明效果。

实用新型内容

缘此，鉴于现有的发光二极管所使用导线架存在的问题点，本案发明人于是提出一种单晶、多晶共享型导线架及其发光装置，故本实用新型的主要目的在于：提供单晶、多晶共享型导线架，即一式导电架可生产多样式LED灯；本实用新型的次要目的在于：提供可热电分离的导线架。

本实用新型为达上述目的，运用如下技术手段：

关于本实用新型一种单晶、多晶共享型导线架，包含有：一单体，设有一凹槽；多个导电区域，装设于该单体内部，并在该凹槽内呈现有矩阵排列的多个导电区域；藉由该单体凹槽，据以提供至少一个发光二极管择一封装成发光二极管的一组或两组或多组等独立电路。

所述发光二极管导线架，其中该多个导电区域设为3*3排列。

所述发光二极管导线架，其中该多个导电区域更包含有第一列、第二列、第三列，且其各列皆分别由一个长导电区域及一个短导电区域所组成，又该第三列的长导电区域、短导电区域的排列方式，与该第一列、第二列不同。

所述发光二极管导线架，其中各导电区域、短导电区域的宽度加总大于或等于该单体的宽度(W)，以及各列的导电区域、短导电区域的长度加总大于或等于该单体的长度(L)。

关于本实用新型一种发光装置，使用前述单晶、多晶共享型导线架，其包含有：一导线架，在一单体所设一凹槽内呈现有矩阵排列的多个导电区域，且从该单体两侧项外延伸有复多条接线；及至少一发光二极管，在一单体所设一凹槽内呈现矩阵排列的多个导电区域，且从该单体两侧项外延伸有多条接线，且各接线对应并接设于该多个导电区域，且从该单体延伸至单体的外部；藉由将单颗或数颗发光二极管封装于该导线架的凹槽内，据以形成各类型的发光装置。

所述发光装置，其中该发光二极管使用单一个，并在该多个导电区域形成一组独立电路。

所述发光装置，其中该发光二极管使用多个，并在该多个导电区域形成多组独立电路，以达到电压串接堆栈的效果。

所述该发光二极管使用多个，并在该多个导电区域形成一组或两ˋ组或数组独立电路，可以搭配出多种运用的发光装置。

所述发光装置，其中该多个发光二极管设为不同颜色。

本实用新型运用上述技术手段，可以达成如下功效：

1、本实用新型所使用的导线架设有矩阵排列的多个导电区域，可视需求，配合单晶、多晶等不同颜色发光二极管，以组合一组或两组或多组等发光二极管的照明电路，故本实用新型导线架适用性广，一式导电架可生产多样式LED灯，提供以较少备料、设备来应附各类型LED照明装置的投产，以避免物料呆滞，并降低LED照明装置的制造成本。

2、本实用新型导线架设有矩阵排列的多个导电区域，换言之，将单一散热切割成多份散热，在本实用新型发光装置持续点亮的工作状态下，如此可以避免热集中而导致散热速度变慢，并降低LED灯发光装置的温度，以增加产品的稳定性及寿命、并提升光效能，来达到节能减碳的效果。

3、同时，本实用新型发光装置让电流进入方向导电位置不会与晶粒重复，让LED点亮所产生热能，不会影响到电流流经过晶粒的分布，进而让整体电压不会产生飘移。

附图说明

图1为本实用新型单晶、多晶共享型导线架的立体外观图。

图2为本实用新型单晶、多晶共享型导线架的正面图。

图3为本实用新型单晶、多晶共享型导线架的背面图。

图4为本实用新型发光装置实施的第一种态样示意图。

图5为本实用新型发光装置实施的第一种态样图5的C-C剖面示意图。

图6为本实用新型发光装置实施的第二种态样示意图。

图7为本实用新型发光装置实施的第三种态样示意图。

图8为本实用新型发光装置实施的第四种态样示意图。

图9a-图9d为本实用新型发光装置实施的其他态样示意图。

图10为本实用新型单晶、多晶共享型导线架的尚未裁切的整体外观图。

附图标记说明：A-导线架；1-单体；11-凹槽；L-单体的长度；W-单体的宽度；2-导电区域；201-长导电区域；202-短导电区域；21-第一列；22-第二列；23-第三列；B-发光装置；3-发光二极管。

具体实施方式

首先，请参阅图1至图3所示，关于本实用新型一种单晶、多晶共享型导线架A，包含有：一单体1、多个导电区域2。

所述单体1，如图1及图10所示，大致呈现立方体并由高反射耐热材质所制成，并设有一凹槽11，通常该单体1由图10所示的整体导线架所裁切分割的安体。

所述多个导电区域2，如图2及图3所示，装设于该单体1内部，并在该凹槽11内呈现有矩阵排列的多个导电区域2，又该多个导电区域2更包含有多个长导电区域201及多个短导电区域202所组成，且各导电区域2具有导体(conductor)性质并提供至少一颗LED晶粒黏着，以构成0.1瓦以上的一组或两组或多组等独立电路。换言之，可以依据产品瓦数搭配该单体1、导电区域2等不同材质组合。

换言之，各导电区域2之间的单体1部分则皆为绝缘状态，且进一步将该多个导电区域2设为3*3排列，即将该多个导电区域2设为第一列21、第二列22、第三列23等排列方式，且其各列皆分别由一个长导电区域201及一个短导电区域202所组成，另将该第三列23的一长导电区域201、一短导电区域202的排列方式与该第一列21、第二列22不同，而该第一列21、第二列22的长短导电区域排列方式则相同。

特别一提，请参阅图2所示，该导电区域2各列的长导电区域201及短导电区域202的宽度规范如下：所有长导电区域201及短导电区域202的宽度加总>＝1/2的单体宽度(W)，即(a+b+c)>＝1/2(W)，(d+e+f)>＝1/2(W)。

而该导电区域2各列的长导电区域201及短导电区域202的长度规范如下：所有长导电区域201及短导电区域202的长度加总>＝1/2的单体长度(L)，即(a+d)>＝1/2(L)，(b+e)>＝1/2(L)，(c+f)>＝1/2(L)。

藉由上述单体1、多个导电区域2的组成，以构成本实用新型单晶、多晶共享型导线架A，将该单体1凹槽11内呈现矩阵排列的多个导电区域2，据以提供至少一个或多个发光二极管3，并择一黏着封装成如图4及图5所示或多种款式的照明装置B，如图7、图9a-图9d所示。

请参阅图4至图8所示，关于本实用新型一种发光装置B，为其使用前述单晶、多晶共享型导线架A，其中该发光装置B包含有：一导线架A及至少一发光二极管3。

所述导线架A，即为前述在一单体1所设一凹槽11，且该凹槽1内部呈现有矩阵排列的多个导电区域2，且从该单体1两侧项外延伸有多条接线3，且各接线3对应并接设于该多个导电区域2，且从该单体1延伸至单体1的外部；及

至少一发光二极管3，择一安装于该多个导电区域2上，又该发光二极管3晶粒区分有水平式的电极或垂直式的电极。

藉由将该发光二极管3封装于该导线架A的凹槽11内，据以形成发光装置B。其中该发光二极管3使用单一个，并在该多个导电区域2形成一组独立电路。另该发光二极管3使用多个，并在该多个导电区域2形成一组或两组或多组等独立电路，以达到电压串接堆栈的效果。另该发光二极管3使用多个，并在该多个导电区域2形成数组独立电路，可以搭配出多种运用的发光装置B，如图4至图8所示。

请参阅图4及图5所示，为本实用新型发光装置B的第一种态样，即使用不同颜色的三颗LED晶粒，例如：蓝绿白或其他颜色光使用两个具水平式电极LED晶粒及一个具垂直式电极LED晶粒。

请参阅图6所示，为本实用新型发光装置B的第二种态样，其中该第二种态样使用单个发光二极管，并在该多个导电区域2形成一组独立电路。

请参阅图7所示，为本实用新型发光装置B的第三种态样，其中该第三种态样使用两个发光二极管，并在该多个导电区域2形成两组独立电路。

请参阅图8所示者，为本实用新型发光装置B的第四种态样，其中该第四种态样使用至少三个以上的发光二极管，于本实施例为六颗LED晶粒，并在该多个导电区域2形成一组独立电路，并达到达到电压串接堆栈的效果，例如：使用六颗LED晶粒，若单颗LED晶粒设为3伏特，则会堆栈出18伏特(3*6)的照明装置B；若单颗LED晶粒设为9伏特，则会堆栈出54伏特(9*6)的照明装置B；若单颗LED晶粒设为18伏特，则会堆栈出108伏特(18*6)的照明装置B。特别一提，本实施例不局限于仅构成一组独立电路。

请参阅图9a-图9d所示的其他态样，其中图9a态样设为使用三个水平式电极的发光二极管3晶粒且安装于本实用新型导线架A的凹槽1内，据以组成发光装置照明电路，例如：单颗晶粒设为2V，则所堆栈的整颗照明装置的电压则为2V*3＝6V；其中图9b态样设为使用十个水平式电极的发光二极管3晶粒且安装于本实用新型导线架A的凹槽1内，据以组成一发光装置照明电路，例如：单颗晶粒设为18V，则所堆栈的整颗照明装置的电压则为18V*10＝180V；其中图9c态样设为使用三个垂直式电极的发光二极管3晶粒且安装于本实用新型导线架A的凹槽1内，据以组成一发光装置照明电路，例如：若单颗晶粒设为2V，则所堆栈的整颗照明装置的电压则为2V*3＝6V，而图9d态样，亦是如此。

以上所述是本案的具体实施例及所运用的技术原理，若依本案的构想所作的改变，其所产生的功能作用仍未超出说明书及图式所涵盖的精神时，均应在本案的范围内，合予陈明。

Claims (9)

1.一种单晶、多晶共享型导线架，其特征在于，包含有：

一单体，设有一凹槽；

多个导电区域，装设于该单体内部，并在该凹槽内呈现有矩阵排列的多个导电区域；及

藉由该单体凹槽，以提供至少一个发光二极管择一封装成发光二极管的一组或两组或多组等独立电路。

2.如权利要求1所述的单晶、多晶共享型导线架，其特征在于，该多个导电区域设为3*3排列。

3.如权利要求2所述的单晶、多晶共享型导线架，其特征在于，该多个导电区域更包含有第一列、第二列、第三列，且其各列皆分别由一个长导电区域及一个短导电区域所组成，又该第三列的长导电区域、短导电区域的排列方式，与该第一列、第二列不同。

4.如权利要求3所述的单晶、多晶共享型导线架，其特征在于，各导电区域、短导电区域的宽度加总大于或等于该单体的宽度(Ｗ)，以及各列的导电区域、短导电区域的长度加总大于或等于该单体的长度(L)。

5.一种发光装置，使用权利要求1至4任一项所述的单晶、多晶共享型导线架，其特征在于，包含有：

一导线架，在一单体所设一凹槽内呈现矩阵排列的多个导电区域，且从该单体两侧项外延伸有多条接线，且各接线对应并接设于该多个导电区域，且从该单体延伸至单体的外部；及

至少一发光二极管，择一安装于该多个导电区域上；

藉由将该发光二极管封装于该导线架的凹槽内，据以形成发光装置。

6.如权利要求5所述的发光装置，其特征在于，该发光二极管使用单一个，并在该多个导电区域形成一组独立电路。

7.如权利要求5所述的发光装置，其特征在于，该发光二极管使用多个，并在该多个导电区域形成多组独立电路，以达到电压串接堆栈的效果。

8.如权利要求5所述的发光装置，其特征在于，该发光二极管使用多个，并在该多个导电区域形成数一组或两组或多组独立电路，以搭配出多种运用的发光装置。

9.如权利要求7或8所述的发光装置，其特征在于，该多个发光二极管设为不同颜色。

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