CN210072000U - 一种集成电路io特性智能测试仪 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开了一种集成电路IO特性智能测试仪,其特点是该测试仪由单片机、可调电源模块、LCD触摸显示模块、继电器模块和电流检测模块组成,将待检测芯片串接在继电器模块和电流检测模块之间,对芯片的ESD二极管进行性能检测,所述单片机与可调电源模块、LCD触摸显示模块、继电器模块和电流检测模块连接;所述电流检测模块与可调电源模块连接;所述继电器模块采用117路继电器连接八个4转16译码器。本实用新型与现有技术相比具有测试误差小,防止信号串扰,有效避免电源倒灌,测试方便,降低测试过程中误操作对芯片造成的危害。

Description

一种集成电路IO特性智能测试仪
技术领域
本实用新型涉及集成电路测试技术领域,尤其是一种通过控制继电器通断检测集成电路各IO特性的智能测试仪。
背景技术
集成电路中,随着工艺尺寸的不断减小,芯片工作速度的增加,芯片的引脚越来越多,其间距越来越小。各引脚的信号连续性,电路的电源完整性等设计水平直接影响***的整体性能。静电放电是造成所有元器件或集成电路***造成过度电应力破坏的主要原因,同时由于器件的减小,PN结结深变浅,硅化物的引入,使得ESD静电击穿极易发生。应对ESD静电现象除测试时屏蔽静电,改***件布局外,芯片制造时一般会在芯片引脚内部设置二极管。
集成电路无论测试电源完整性、信号连续性、二极管是否工作正常,均需要通过测试IO特性曲线来评测性能。测试IO曲线一般采用点触式接触测量,随着集成电路越来越复杂的工艺发展,对于一些封装后引脚不易测量以及对一些引脚较多的芯片,人工点触式测量往往工作量巨大,难度上升,且容易疏漏,测试存在误差等。另外ESD二极管导通电压较小,需要两端加0-1V可变电源进行测量IV特性曲线。现有技术的可调电源无法做到接近0V输出,如果采用两边抬高电压制造1V电压差,又会产生电流倒灌的问题。
实用新型内容
本实用新型的目的是针对现有技术的不足而提供的一种集成电路IO特性智能测试仪,采用程控117路继电器通断与单片机DAC控制的可调电源,将电流检测芯片输出的瞬态电流与ESD二极管两侧电压与标准特性曲线比对,通过外接LCD显示屏显示,判断芯片各引脚间的二极管是否连接与工作正常,结构简单,测试方便、安全、可靠,灵敏度高,输出电源调节方便、灵活,有效防止电流倒灌,提高测试精度,实现全自动操作,替代人工点触式测量的人力浪费以及避免引脚疏漏与操作误差等,尤其适用于各类芯片的封装电路,在集成电路芯片的ESD二极管检测中具有较强的实用价值。
本实用新型的目的是这样实现的:一种集成电路IO特性智能测试仪,其特点是该测试仪由单片机、可调电源模块、LCD触摸显示模块、继电器模块和电流检测模块组成,将待检测芯片串接在继电器模块和电流检测模块之间,对待检测芯片的ESD二极管进行性能检测,所述单片机各引脚分别与可调电源模块、LCD触摸显示模块、继电器模块和电流检测模块连接;所述电流检测模块与可调电源模块连接。
所述继电器模块由117路继电器连接八个4转16译码器组成。
所述单片机采用STM32f767型单片机。
本实用新型与现有技术相比具有以下优点:
(1)在选通芯片中IO时,选用继电器而非模拟开关,即仅用纯机械连接方式构成回路,有效防止信号串扰。
(2)测量IO特性时,需要两端加0~1V可变电源进行测量IV特性曲线,可调电源无法做到接近0V输出,如果采用两边抬高电压制造1V电压差,又会产生电流倒灌的问题,在二极管一端施加1.5~2.5v电压,另一段施加1.5v电压的方式,使二极管两段等效压差为0~1v,同时使用既可吸电流又可灌电流的tps51200芯片输出1.5v电平,有效避免电源倒灌,且实现相对0~1V输出。
(3)对于不同封装不同引脚的芯片,只需更改待测芯片的底座与继电器的连线以及配套部分代码,即可方便测试。
(4)采用触摸屏与全自动的算法,可以轻松,快速,准确的完成测量,并通过显示屏进行结果展示,有效降低人工成本与测试误差。
(5)测试工作时,待测芯片不需要供电,若为直插型芯片则不需要焊接,有效保降低测试过程中误操作对芯片造成的危害。
(6)可通过按键实现***复位,方便安全。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图;
图2为本实用新型运用示意图;
图3为可调电源模块的1.5~2.5V可调电源电路图;
图4为电流检测模块电路图;
图5为三级继电器交换网络电路图;
图6为正向测量示意图;
图7为反向测量示意图;
图8为继电器电路图。
具体实施方式
参阅附图1,本实用新型由单片机1、可调电源模块2、LCD触摸显示模块3、继电器模块4和电流检测模块5组成,所述单片机1的各引脚分别与可调电源模块2、LCD触摸显示模块3、继电器模块4和电流检测模块5连接;所述继电器模块4由117路继电器连接八个4转16译码器组成;所述电流检测模块5与可调电源模块2连接;所述单片机1采用STM32f767型单片机。
下面以M4A芯片的测试为例,对本实用新型作进一步的详细说明。
实施例1
参阅附图2,将待检测芯片(M4A)6串接在继电器模块4和电流检测模块5之间,且以单片机1为控制核心,对待检测芯片6中所有ESD二极管进行性能检测,其中可调电源模块2受单片机1控制输出1.5~2.5V电压,同时输出1.5V固定电压,两电压连接到待检测芯片6的ESD二极管两侧,构成0~1V压差。继电器模块4在M4A芯片6的测试中包含两部分:由于M4A芯片6引脚较多,采用八个4转16译码器,较好的解决了单片机1控制引脚不够的难题。程控117路继电器的通断,在待检测芯片6未上电时,构成各引脚间的ESD二极管左右回路,待检测芯片6为133脚直插封装,在***板上有芯片底座,测试时插上即可,对待检测芯片6无焊接等损伤。电流检测模块5采用lmp8603芯片配合电阻进行电流测量,测量结果通过电压输出,经STM32的一路ADC脚读入进行比较,最后通过LCD触摸显示模块3展示测试结果。LCD触摸显示模块3用于用户测试时交互,包括:芯片信息、开始测试、暂停测试、停止测试、选择区间测试、当前测试进度以及测试结果的显示,上述各功能模块均可单独工作,关闭或拆下互不干扰。
参阅附图3,所述可调电源模块2由1.5V固定电源和1.5~2.5V可调电源组成,即直流电压转换模块DCDC与电阻R1~R3连接的单片机1,电阻R1~R3的一端与直流电压转换模块DCDC的FB引脚并接;电阻R1的另一端与直流电压转换模块DCDC的OUTPUT引脚连接;电阻R2的另一端与单片机1的DAC引脚连接;电阻R3的另一端接地。可调电源模块2通过单片机1的DAC改变直流电压转换模块DCDC的FB处电压,产生电压1.5~2.5V可调电压,其电压由下述(a)和(b)式计算:
Figure BDA0002009645880000042
在1.5~2.5V可调电压中,电阻值经计算可取R1=R2=R3=10K,由于待检测芯片6中的ESD二极管导通电压较小,需要在两端加0~1V可变电源进行测量IV特性曲线。现有技术的可调电源无法做到接近0V输出,如果采用两边抬高电压制造1V电压差,又会产生电流倒灌的现象。本实用新型采用在二极管一端施加1.5~2.5v电压,另一端施加1.5v电压的方式,使二极管两段等效压差为0~1V,使用既可吸电流又可灌电流的tps51200芯片输出1.5v电平,较好解决了两电源的倒灌问题。
参阅附图4,将1脚与8脚串入待测电路中间,8脚进,1脚出,同时在1脚与8脚间串联电阻Rx,其两端并联一个电容,用于滤波。LMP8603芯片通过检测电阻Rx两端的电压值,将所测得电压值按放大倍数放大后通过LMP8603芯片5脚输出,输出值直接连接单片机1的ADC,将模拟数据转换为数字,进行下一步处理。LMP8603芯片中的offset控制偏移约束,在此处将其接到3.3V处即可,LMP8603芯片的3脚4脚用于控制放大倍数,当其过电容再接地时,LMP8603可放大100倍。
本实用新型是这样进行芯片检测的:将可调电源模块2与待检测芯片6连接,电流检测模块5采用电流检测芯片lmp8603与单片机1连接,在电流测量端输入与输出分别接1.5V与1.5~2.5V可调电压,产生0~1V相对电压降。电流检测芯片lmp860的输出端输出给芯片STM32的ADC端,从而测量数字微镜芯片(M4A)防止ESD现象而设置的二极管,在两端相对0~1V变化电压下,比对相应IV特性曲线,以确定待检测芯片6中所有二极管是否全部工作在正常状态。
参阅附图5,由于待检测芯片6中201个ESD二极管存在9种分布方式,本实施例采用三级继电器交换网络的连接方式,设计117个继电器在STM32控制下构成不同回路,再应用电流检测芯片用以检测IV曲线。由于待检测芯片6的引脚较多,采用4转16译码器可以解决单片机1控制引脚不够的难题。继电器模块4由包括117路继电器与八个4转16译码器组成,其中四个三级控制继电器用以选择正向和反向测量二极管,分别为附图5所示的M、X、N、Y四个,正向测量时连通X与Y继电器,反向测量时连通M与N继电器;其中5个二级控制继电器用以控制选择普通IO、电源和GND,以及选择测量LVDS或ESD二极管,分别为附图5所示的A->B1;D->B2;D->C;1.5V->C;B1->B2,根据待测芯片的内部需测量的不同连接进行选择,其余为一级继电器,用以控制待检测芯片6各个引脚连通与否。
参阅附图6,在待检测芯片6中的ESD二极管测试时:DATA_3_p与3P3之间设有二极管,正极连IO4处,负极连3P3处,那么测量其正向特性时:连通1.5~2.5V电源与D间继电器Y,D与B2间继电器,B2与B1间继电器,B1与DATA_3_p间继电器,引脚3P3与A间继电器以及A与1.5V间继电器X,即可构成该二极管左右0~1V的电压差,并进行电流测量。
参阅附图7,测量其反向特性时:其余继电器同正向连接,X、Y断开,连通M和N,进行电流测量。
参阅附图8,所述继电器模块4采用包括117路继电器与八个4转16译码器,由于待检测芯片6引脚较多,采用4转16译码器解决单片机1控制引脚不够的难题。程控117路继电器通断,构成待检测芯片6未上电时,各引脚间的ESD二极管左右回路。采用继电器而非模拟开关,旨在采用纯机械方式进行电路的连接断开,有效防止信号串扰。当单片机1无输出或输出低电平时,NPN三极管集电极与发射极断开,继电器没有供电,此时不工作,Relay_OUT与Relay_IN引脚断开;当单片机1输出一个高电平,使得NPN三极管集电极与发射极接通,此时继电器中的地接通,接通后继电器内部构成工作通路,内部电感线圈工作将开关吸起闭合,使得附图8中Relay_OUT与Relay_IN引脚连通,进一步构成外部电路通断,附图8中所示二极管D用于继电器关断后释放继电器内部电感线圈储存的电能。
以上只是对本实用新型作进一步的说明,并非用以限制本专利,凡为本实用新型等效实施,均应包含于本专利的权利要求范围之内。

Claims (3)

1.一种集成电路IO特性智能测试仪,其特征在于该测试仪由单片机、可调电源模块、LCD触摸显示模块、继电器模块和电流检测模块组成,将待检测芯片串接在继电器模块和电流检测模块之间,对待检测芯片的ESD二极管进行性能检测,所述单片机各引脚分别与可调电源模块、LCD触摸显示模块、继电器模块和电流检测模块连接;所述电流检测模块与可调电源模块连接。
2.根据权利要求1所述集成电路IO特性智能测试仪,其特征在于所述继电器模块由117路继电器连接八个4转16译码器组成。
3.根据权利要求1所述集成电路IO特性智能测试仪,其特征在于所述单片机采用STM32f767型单片机。
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