CN209765318U - Mcu外接存储器实现大容量数据处理电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及MCU电路技术领域，尤其涉及一种MCU外接存储器实现大容量数据处理电路，包括MCU以及至少两个储存芯片；至少两个所述储存芯片的SDA脚互相连接形成GSDA端，至少两个所述储存芯片的SCL脚互相连接形成FSCL端；所述MCU的DSDA脚与所述GSDA端连接，所述MCU的ESCL脚与所述FSCL端连接。采用本实用新型提供的技术方案解决了现有MCU设计电路中EEPROM空间有限导致数据丢失的技术问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及MCU电路技术领域，尤其涉及一种MCU外接存储器实现大容量数据处理电路。
背景技术
MCU是一种微控制单元，又称单片微型计算机或者单片机，是把中央处理器(CPU)的频率与规格做适当缩减，并将内存、计数器、USB、A/D转换、UART、PLC、DMA等周边接口，甚至LCD驱动电路都整合在单一芯片上，形成芯片级的计算机，为不同的应用场合做不同组合控制。
用MCU开发项目中，经常需要长时间的储存一些重要的数据，因为芯片内部EEPROM的空间有限，有些MCU甚至没有EEPROM功能，无法保存大容量数据，导致出现以下问题：产品故障时无法快速的找到发生的原因；断电后丢失所有数据，重新上电后等同于重新烧录了程序，一些在程序工作当中改变了的值全部变成了初始化设置，无法恢复；如果采用内部有大容量EEPROM的MCU时，芯片的价格高，项目成本达不到要求。
实用新型内容
本实用新型的实用新型目的在于提供一种MCU外接存储器实现大容量数据处理电路，采用本实用新型提供的技术方案解决了现有MCU设计电路中EEPROM空间有限导致数据丢失的技术问题。
为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种MCU外接存储器实现大容量数据处理电路，包括MCU以及至少两个储存芯片；至少两个所述储存芯片的SDA脚互相连接形成GSDA端，至少两个所述储存芯片的SCL脚互相连接形成FSCL端；所述MCU的DSDA脚与所述GSDA端连接，所述MCU的ESCL脚与所述FSCL端连接。
优选的，所述MCU与所述储存芯片之间的数据传输协议为I2C协议。
由上可知，应用本实用新型提供的技术方案可以得到以下有益效果：本实用新型通过MCU外接储存芯片的方式储存数据，能够将数据储存到储存芯片中，并把故障信息保存下来，MCU断电后重新上电可以通过读取储存芯片的数据从而恢复到断电前的状态，并且MCU开发项目中也可以根据需求选择储存芯片容量的大小以达到储存大容量数据，同时可以通过MCU和储存芯片的选型使项目成本最优。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对本实用新型实施例或现有技术的描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一部分实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型实施例MCU外接存储器实现大容量数据处理电路中储存芯片电路连接图；
图2为本实用新型实施例MCU外接存储器实现大容量数据处理电路中MCU电路连接图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
用MCU开发项目中，由于芯片内部EEPROM的空间有限，无法保存大容量数据，导致出现以下问题：产品故障时无法快速的找到发生的原因；断电后丢失所有数据，重新上电后等同于重新烧录了程序，一些在程序工作当中改变了的值全部变成了初始化设置，无法恢复。
为了解决上述问题，本实用新型实施例中提出了一种MCU外接存储器实现大容量数据处理电路，包括MCU以及两个及以上储存芯片。在本实施例中以两个储存芯片为例做详细说明，图中A-U5为MCU，B-U3和C-U12分别为两个储存芯片。
请参见图1-2，在连接结构中，两个储存芯片的SDA脚连接形成GSDA端，每个储存芯片的SCL脚连接形成FSCL端；MCU的DSDA脚与GSDA端连接，ESCL脚与FSCL端连接。其中在储存芯片中，SDA脚为数据线，SCL脚为时钟线。
在数据传输过程中，MCU与储存芯片之间的数据传输协议为I2C协议。
上述MCU外接存储器实现大容量数据处理电路，用于对储存数据于MCU与储存芯片之间的传输，在BMS技术领域中，储存数据可以为BMS的故障信息、BMS的配置信息；电池的生命状态信息。
基于上述MCU外接存储器实现大容量数据处理电路，下面介绍数据储存步骤和数据读取步骤。
其中，数据储存步骤包括：
A100、MCU与储存芯片之间建立数据储存连接。
在数据储存连接过程中，MCU的DSDA脚发送写设备地址位信号至储存芯片，储存芯片接收到写设备地址位信号后，通过GSDA端向MCU回复应答信号，完成数据储存连接的建立。
A200、MCU向储存芯片发送储存数据。
在该步骤中，MCU发送储存数据之前，MCU通过DSDA脚发送接收数据命令至储存芯片，储存芯片接收到接收数据命令后，通过GSDA端向MCU回复应答信号。
MCU通过DSDA脚发送储存数据至储存芯片，储存芯片接收到储存数据后，通过GSDA端向MCU回复应答信号。
储存芯片完成储存数据的接收后，需要对储存数据的正确性进行校验，校验正确则保存，为此还包括步骤A300。
A300、MCU在完成储存数据的传输后，储存芯片验证储存数据为正确，则保存储存数据。
验证过程如下所述：MCU的DSDA脚发送第一校验码；储存芯片接收到第一验证码后，通过GSDA端向MCU回复应答信号，并对比第一校验码确认储存数据是否正确，若正确则保存储存数据。
以上步骤的MCU通过外接EEPROM的方法储存数据，用I2C协议进行通讯能够将数据储存到储存芯片中，并把故障信息保存下来，完成MCU的数据储存至外部储存芯片的过程。
当***重新启动后需要配置初始化信息或者恢复数据、读取故障信息时，需完成储存数据从储存芯片传输至MCU的过程，为此本实施例数据读取步骤包括：
B100、MCU与储存芯片建立数据读取连接。
在数据读取过程中，MCU的DSDA脚发送读设备地址位信号至储存芯片；储存芯片接收到读设备地址位信号后，通过GSDA端向MCU回复应答信号，完成数据读取连接的建立。
B200、储存芯片向MCU发送数据保存步骤中保存的储存数据。
在该步骤中，储存芯片发送储存数据之前，MCU通过DSDA脚发送读取数据命令至储存芯片，储存芯片接收到读取数据命令后，通过GSDA端向MCU回复应答信号。
储存芯片通过GSDA端发送储存数据至MCU，MCU接收到储存数据后，通过DSDA脚向储存芯片回复应答信号。
同数据储存步骤中的验证过程，在数据读取步骤中，在MCU完成储存数据的接收后，同样需要对储存数据的正确性进行校验，校验正确则适用，为此还包括步骤B300。
B300、储存芯片在完成储存数据的传输后，MCU验证储存数据为正确，则使用储存数据。
验证过程如下所述：储存芯片的GSDA端发送第二校验码；MCU接收到第二校验码后，通过DSDA脚向储存芯片回复应答信号，并对比第二校验码确认储存数据是否正确，若正确则使用储存数据，反之重新读取。
通过数据读取步骤，MCU断电后重新上电能够实现通过读取储存芯片的数据从而恢复到断电前的状态。
综上所述，本实施例提供的技术方案能够快速找到故障发生原因；断电后不会丢失所有数据，重新上电后可重新获取数据；并且MCU开发项目中也可以根据需求选择储存芯片容量的大小以达到储存大容量数据，同时可以通过MCU和EEPROM的选型使项目成本最优。
以上所述的实施方式，并不构成对该技术方案保护范围的限定。任何在上述实施方式的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在该技术方案的保护范围之内。
Claims (2)
1.一种MCU外接存储器实现大容量数据处理电路，其特征在于：包括MCU以及至少两个储存芯片；至少两个所述储存芯片的SDA脚互相连接形成GSDA端，至少两个所述储存芯片的SCL脚互相连接形成FSCL端；所述MCU的DSDA脚与所述GSDA端连接，所述MCU的ESCL脚与所述FSCL端连接。
2.根据权利要求1所述的MCU外接存储器实现大容量数据处理电路，其特征在于：所述MCU与所述储存芯片之间的数据传输协议为I2C协议。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201921006472.2U CN209765318U (zh) | 2019-06-28 | 2019-06-28 | Mcu外接存储器实现大容量数据处理电路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201921006472.2U CN209765318U (zh) | 2019-06-28 | 2019-06-28 | Mcu外接存储器实现大容量数据处理电路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN209765318U true CN209765318U (zh) | 2019-12-10 |
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ID=68746118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201921006472.2U Active CN209765318U (zh) | 2019-06-28 | 2019-06-28 | Mcu外接存储器实现大容量数据处理电路 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN209765318U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112147922A (zh) * | 2019-06-28 | 2020-12-29 | 湖南久森新能源有限公司 | Mcu外接存储器实现大容量数据处理电路及其方法 |
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2019
- 2019-06-28 CN CN201921006472.2U patent/CN209765318U/zh active Active
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Denomination of utility model: Implementation of large capacity data processing circuit with MCU external memory Effective date of registration: 20201229 Granted publication date: 20191210 Pledgee: Industrial and Commercial Bank of China Limited Linwu sub branch Pledgor: Hunan Jiusun New Energy Co.,Ltd. Registration number: Y2020430000052 |