CN209571417U - 显示器件及显示装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种显示器件及显示装置，该显示器件包括基板、反射电极层、凸起结构、辅助电极层、像素界定层、发光层以及透明顶电极层；凸起结构设置在基板上，辅助电极层覆盖于凸起结构上并与驱动电路电连接，像素界定层设置在基板上并且覆盖辅助电极层，像素界定层具有贯穿至基板的第一开口和贯穿至辅助电极层第二开口，第二开口露出辅助电极层位于凸起结构的远离基板的一侧的部分，反射电极层设于基板上并位于第一开口内，发光层设置在反射电极层上，透明顶电极层整体覆盖于辅助电极层、像素界定层以及发光层上。本实用新型的显示器件及显示装置，可以增大透明顶电极层与辅助电极层的接触面积，进而提高透明顶电极层与驱动电路的连接效果。

Description

显示器件及显示装置

技术领域

本实用新型涉及显示面板领域，特别是涉及一种显示器件及显示装置。

背景技术

OLED等发光器件由于具有自发光、视角广、对比度高、低功耗等优点，被应用于新一代手机屏幕、电脑显示器、全彩电视等领域，受到人们的广泛关注。其中，顶发射型器件由于可以获得更大的开口率，近年来成为了研究的热点。但是，顶发射器件由于需要增加光的透过率，顶电极的厚度一般较薄，导致电极方阻较大，电压降严重，会引起显示器的发光不均匀现象。

为了改善顶发射型器件的发光均匀性，往往会引入与顶部透明电极相导通的辅助电极，通过辅助电极的高导电性来减小顶部透明电极的电压降，改善发光亮度的均匀性。由于辅助电极通常是不透光的，因此不能制备在发光区域上。目前，辅助电极一般是设置在基板上，在制作底部像素电极阵列的工序中制作，在像素界定层上设有开口供顶部透明电极通过该开口与辅助电极电连接。然而，由于像素界定层宽度有限，且该开口侧面需要设置为斜面以便顶部透明电极的沉积，使得辅助电极用于与顶部透明电极接触连接的面积较小，连接效果差。

实用新型内容

基于此，有必要提供一种能够提高顶电极与辅助电极连接效果的显示器件及显示装置。

一种显示器件，包括基板、反射电极层、凸起结构、辅助电极层、像素界定层、发光层以及透明顶电极层；

所述基板具有驱动电路，所述凸起结构设置在所述基板上，所述辅助电极层覆盖于所述凸起结构上并与所述驱动电路电连接，所述像素界定层设置在所述基板上并且覆盖所述辅助电极层，所述像素界定层具有贯穿至所述基板的第一开口和贯穿至所述辅助电极层的第二开口，所述第二开口至少露出部分位于所述凸起结构上表面上的所述辅助电极层，所述反射电极层设于所述基板上并位于所述第一开口内，所述发光层设置在所述反射电极层上，所述透明顶电极层整体覆盖于所述辅助电极层、所述像素界定层以及所述发光层上。

一种显示装置，包括封装结构以及所述的显示器件，所述封装结构安装在所述显示器件上。

与现有方案相比，本实用新型具有以下有益效果：

上述显示器件及显示装置，通过在基板上设置凸起结构，将辅助电极层“垫高”，辅助电极层距离像素界定层的第二开口顶端更近，这样，可以增大透明顶电极层与辅助电极层的接触面积，进而提高透明顶电极层与驱动电路的连接效果。

另外，像素界定层的第二开口的斜面坡度可做得较小，有利于增大透明顶电极层在第二开口的斜面的沉积厚度，减小透明顶电极层方阻，有利于显示器的发光均匀性的进一步提高。

附图说明

图1为一实施例的显示器件的结构示意图；

图2为图1所示显示器件的一种制作流程示意图，其中a～d分别为各个制作步骤所获得的中间产品。

具体实施方式

为了便于理解本实用新型，下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的较佳实施例。但是，本实用新型可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容的理解更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

如图1所示，本实用新型一实施例的显示器件100，包括基板110、反射电极层120、凸起结构130、辅助电极层140、像素界定层150、发光层160以及透明顶电极层170。

基板110具有驱动电路112。凸起结构130设置在基板110上。辅助电极层140覆盖凸起结构130上并与驱动电路112电连接。像素界定层150设置在基板110上并且覆盖辅助电极层140，像素界定层150具有贯穿至基板110的第一开口151和贯穿至辅助电极层140的第二开口152。第二开口152至少露出部分位于凸起结构130上表面上的辅助电极层140，反射电极层120设于基板110上并位于第一开口151内，发光层160设置在反射电极层120上。透明顶电极层170整体覆盖于辅助电极层140、像素界定层150以及发光层160上。

基板110用于承载显示器件的其他层，基板110上具有驱动电路112，用于驱动发光层160发光。

基板110可以是刚性基板110或者柔性基板110，刚性基板110可以是陶瓷材质、各类玻璃材质等，柔性基板110可以是聚酰亚胺(PI)与其衍生物、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、磷酸烯醇式丙酮酸(PEP)以及二亚苯基醚树脂等。

反射电极层120设置在基板110的发光区上。反射电极层120为高导电金属层，如可以是但不限于铝层、铝合金层、银层、银合金层或ITO/Ag/ITO叠层。采用此反射电极层120作为公共电极，由于导电性较好，方阻较小，因此可以有效减小电流从显示器件边缘注入到显示器件中间的电压降，从而避免因共同电极导电性不足引起的电压降，引起发光不均匀。

凸起结构130设置在基板110的非发光区上。凸起结构130可由有机材料制备，优选为光敏材料，如光阻材料，易于进行曝光显影图形化。在其中一个示例中，凸起结构130的高度为200nm～500nm。在图1所示的具体示例中，沿远离基板110的方向上，凸起结构130的宽度逐渐减小，其纵截面呈梯形，利于辅助电极层140的沉积形成。凸起结构130具有上表面和侧壁，凸起结构130的远离基板110的一侧为平面，即凸起结构130的上表面为平面，利于透明顶电极层170在该侧上沉积，形成平面的像素电极-辅助电极搭接区，获得良好的接触电连接。

在其中一个示例中，凸起结构130的侧壁与基板110的夹角为45°～70°。

辅助电极层140覆盖凸起结构130的远离基板110的一侧并与驱动电路112电连接。为高导电金属层，如可以是但不限于铝层、含铝合金层、银层、含银合金层或ITO/Ag/ITO叠层。为高导电金属层，如可以是但不限于铝层、含铝合金层、银层、含银合金层或ITO/Ag/ITO叠层。优选地，辅助电极层140的材质与反射电极层120相同，与反射电极在同一制程中图形化。

在其中一个示例中，辅助电极层140的厚度为100nm～300nm。

像素界定层150可采用光阻材料制备。在其中一个示例中，像素界定层150的上表面呈疏液性，可避免喷墨打印过程中相邻像素坑混色的问题。像素界定层150具有两类开口，第一开口151用于露出发射电极层，对应于像素发光区，定义各子像素单元的发光面积以及位置；第二开口152用于露出辅助电极层140，供透明顶电极层170连接辅助电极层140，形成搭接区。

如图1所示，在其中一个示例中，像素界定层150覆盖位于凸起结构130侧壁上的辅助电极层140，即第二开口152刚好露出位于凸起结构130上表面上的辅助电极层140。如此，能够避免尖端放电的问题。

如图1所示，沿靠近所述辅助电极层的方向上，像素界定层的第二开口的尺寸逐渐减小，便于透明顶电极层170的沉积形成。在其中一个示例中，像素界定层150的厚度为800nm～3000nm。在其中一个示例中，第二开口152的侧壁与基板110的夹角为60°～80°。夹角过大，透明顶电极层170在斜面上沉积偏薄，甚至断开；夹角过小，则影响第二开口152的开口率。

发光层160位于像素界定层150的第一开口151中，设置在发射电极层上。发光层160可以是有机发光层160、量子点发光层160或有机、量子点混合发光层160。

在其中一个示例中，显示器件100还包括位于发光层160和发射电极层之间的空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层中的一层或多层。在其中一个示例中，顶发射型电致发光显示器件100还包括位于发光层160和透明顶电极层170之间的空穴阻挡层、激子限定层及电子传输层中的一层或多层。

透明顶电极层170为透明层，整体覆盖于辅助电极层140、像素界定层150以及发光层160上，通过像素界定层150的第二开口152与辅助电极层140连接，进而与基板110上的驱动电路112连接。

在其中一个示例中，凸起结构130的高度为200nm～500nm，辅助电极层140的厚度为100nm～300nm，像素界定层150的厚度为800nm～3000nm。

进一步地，本实用新型还提供一种显示装置，其包括封装结构以及上述任一示例的显示器件，封装结构设置在显示器件100上。

上述显示器件100及显示装置，通过在基板110上设置凸起结构130，将辅助电极层140“垫高”，辅助电极层140距离像素界定层150的第二开口152顶端更近，这样，可以增大透明顶电极层170与辅助电极层140的接触面积，进而提高透明顶电极层170与驱动电路112的连接效果。

另外，传统的显示器件中，辅助电极开口斜面坡度较大，沉积形成顶部透明电极时，顶部透明电极在该开口上的沉积厚度较薄，电极方阻较大，电压降仍然较为严重，不利于显示器的发光均匀性的进一步提高。

上述显示器件100及显示装置，像素界定层150的第二开口152的斜面坡度可做得较小，有利于增大透明顶电极层170在第二开口152的斜面的沉积厚度，减小透明顶电极层170方阻，有利于显示器的发光均匀性的进一步提高。

以下以其中一个较为具体的示例的显示器件的一种制作方法为例，对本实用新型作进一步说明。

请参阅图2，其中一个较为具体的示例的显示器件，其中一种制作方法包括以下步骤：

步骤S1，提供玻璃基板110，并在基板110上制作TFT阵列驱动电路112，用于驱动电致发光像素单元，将具有驱动TFT阵列驱动电路112的基板110表面分为发光区和非发光区。

步骤S2，如图2中a所示，在基板110的非发光区制作凸起结构130，该凸起结构130位于TFT阵列驱动电路112旁，但不覆盖TFT的源漏电极。凸起结构130是通过形成光阻材料层后光刻形成的，其纵截面呈梯形且靠近基板110的一端尺寸较大。凸起结构130具有上表面和侧壁，凸起结构130远离基板110的一侧为平面，即凸起结构130的上表面为平面，凸起结构130的高度为350nm。

步骤S3，如图2中b所示，在基板110上的发光区沉积发射电极层，该发射电极作为共同电极，与此同时，在凸起结构130的表面沉积辅助电极层140，辅助电极层140通过连接过孔与TFT的源漏电极电连接。辅助电极层140的厚度为200nm。发射电极层和辅助电极层140同时沉积形成但没有接触，具有高导电性，材质相同，均为Ag层。

步骤S4，如图2中c所示，制作像素界定层150，像素界定层150具有用于露出反射电极层120的第一开口151，以及用于露出辅助电极层140的第二开口152。与凸起结构130相同，像素界定层150是过形成光阻材料层后光刻形成的。随远离基板110，像素界定层150的第一开口151的尺寸逐渐增大。随远离基板110，像素界定层150的第二开口152的尺寸逐渐增大。像素界定层150的厚度为2000nm。

如图2中d所示，像素界定层150的第二开口152刚好将位于凸起结构130的远离基板110的侧面上的辅助电极层140完全露出。

步骤S5，向像素界定层150的第一开口151中打印多层功能层，多层功能层包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层160、空穴阻挡层、激子限定层及电子传输层。采用印刷工艺，工艺简单，成本低廉。

步骤S6，在辅助电极层140、像素界定层150以及发光层160沉积透明的透明顶电极层170。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种显示器件，其特征在于，包括基板、反射电极层、凸起结构、辅助电极层、像素界定层、发光层以及透明顶电极层；

所述基板具有驱动电路，所述凸起结构设置在所述基板上，所述辅助电极层覆盖于所述凸起结构上并与所述驱动电路电连接，所述像素界定层设置在所述基板上并且覆盖所述辅助电极层，所述像素界定层具有贯穿至所述基板的第一开口和贯穿至所述辅助电极层的第二开口，所述第二开口至少露出部分位于所述凸起结构上表面上的所述辅助电极层，所述反射电极层设于所述基板上并位于所述第一开口内，所述发光层设置在所述反射电极层上，所述透明顶电极层整体覆盖于所述辅助电极层、所述像素界定层以及所述发光层上。

2.如权利要求1所述的显示器件，其特征在于，沿远离所述基板的方向上，所述凸起结构的宽度逐渐减小。

3.如权利要求2所述的显示器件，其特征在于，所述凸起结构的侧壁与所述基板的夹角为45°～70°。

4.如权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述凸起结构的远离所述基板的一侧为平面。

5.如权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述凸起结构的高度为200nm～500nm，所述辅助电极层的厚度为100nm～300nm，所述像素界定层的厚度为800nm～3000nm。

6.如权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述像素界定层覆盖位于所述凸起结构侧壁上的所述辅助电极层。

7.如权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述反射电极层为公共电极。

8.如权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述辅助电极层为铝层、含铝合金层、银层、含银合金层或ITO/Ag/ITO叠层。

9.如权利要求1～8任一项所述的显示器件，其特征在于，沿靠近所述辅助电极层的方向上，所述像素界定层的第二开口的尺寸逐渐减小，所述第二开口的侧壁与所述基板的夹角为60°～80°。

10.一种显示装置，其特征在于，包括封装结构以及如权利要求1～9任一项所述的显示器件，所述封装结构设置在所述显示器件上。