CN209516926U - 一种电源软启动保护电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及电源技术领域，特别地涉及一种电源软启动保护电路。本实用新型公开了一种电源软启动保护电路，包括延时电路、限流电路和开关电路，所述限流电路和开关电路并联后设置在电源输入端与电源输出端之间，所述延时电路的输入端接限流电路和开关电路的输出端，所述延时电路的输出端接开关电路的控制端，用于控制开关电路延时导通。本实用新型可以减少电源浪涌对后级电路的干扰，实现提高产品寿命和稳定性的目的，且结构简单，易于实现。
Description
技术领域
本实用新型属于电源技术领域，具体地涉及一种电源软启动保护电路。
背景技术
开关电源的输入电路通常采用整流加电容滤波的形式，若电源无软启动保护电路，在输入电路通电瞬间，由于滤波电容的初始电压为零会迅速充电，而形成很大的瞬时冲击电流，也称为浪涌电流，该冲击电流远远大于稳态输入电流，容易对***后级电路产生干扰，***抗疲劳能力差，最终造成***破坏，寿命减短。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种电源软启动保护电路用以解决上述存在的技术问题。
为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案为：一种电源软启动保护电路，包括延时电路、限流电路和开关电路，所述限流电路和开关电路并联后设置在电源输入端与电源输出端之间，所述延时电路的输入端接限流电路和开关电路的输出端，所述延时电路的输出端接开关电路的控制端，用于控制开关电路延时导通。
进一步的，所述开关电路采用PMOS管Q1来实现，所述PMOS管Q1的源极接电源输入端，所述PMOS管Q1的漏极接电源输出端，所述PMOS管Q1的栅极接延时电路的输出端。
更进一步的，所述限流电路包括电阻R3，所述电阻R3与PMOS管Q1并联。
进一步的，所述延时电路包括电容EC1和NPN三极管Q2，所述电容EC1的第一端接电源输出端，电容EC1的第二端接地，所述NPN三极管Q2的基极接电容EC1的第一端，所述NPN三极管Q2的集电极接PMOS管Q1的栅极，所述NPN三极管Q2的发射极接地。
更进一步的，还包括稳压二极管D1，所述NPN三极管Q2的基极串联稳压二极管D1接电容EC1的第一端。
进一步的，还包括电阻R2和R4，所述电阻R4串接在NPN三极管Q2的集电极与PMOS管Q1的栅极之间，所述电阻R2接在PMOS管Q1的源极与栅极之间。
进一步的，还包括电容C3，所述电容C3接在PMOS管Q1的源极与栅极之间。
进一步的，还包括电阻R1和电容C1，所述电阻R1和电容C1串联后接在PMOS管Q1的源极与漏极之间。
进一步的，还包括电阻R7和电容C4，所述电源输入端依次串联电容C4和电阻R7接地。
本实用新型的有益技术效果：
本实用新型实现了电源软启动，减少电源浪涌对后级电路的干扰，实现提高产品寿命和稳定性的目的，且电路结构简单，易于实现，成本低。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型具体实施例的电路原理图。
具体实施方式
为进一步说明各实施例，本实用新型提供有附图。这些附图为本实用新型揭露内容的一部分，其主要用以说明实施例，并可配合说明书的相关描述来解释实施例的运作原理。配合参考这些内容，本领域普通技术人员应能理解其他可能的实施方式以及本实用新型的优点。图中的组件并未按比例绘制，而类似的组件符号通常用来表示类似的组件。
现结合附图和具体实施方式对本实用新型进一步说明。
如图1所示，一种电源软启动保护电路，包括延时电路、限流电路和开关电路，所述限流电路和开关电路并联后设置在电源输入端VCC IN与电源输出端VCC OUT之间，所述延时电路的输入端接限流电路和开关电路的输出端，所述延时电路的输出端接开关电路的控制端，用于控制开关电路延时导通，开关电路的导通将限流电路短路。
具体的，所述开关电路采用PMOS管Q1来实现，所述PMOS管Q1的源极接电源输入端VCC IN，所述PMOS管Q1的漏极接电源输出端VCC OUT，所述PMOS管Q1的栅极接延时电路的输出端。
本具体实施例中，PMOS管Q1的型号为IRFR5305TRPBF，当然，在其它实施例中，也可以采用其它型号的PMOS管或其它开关管来实现，此是本领域技术人员可以轻易实现的，不再细说。
本具体实施例中，所述限流电路包括电阻R3，所述电阻R3与PMOS管Q1并联，结构简单，成本低，当然，在其它实施例中，也可以采用现有的各种限流电路来实现，此是本领域技术人员可以轻易实现的，不再细说。
本具体实施例中，所述延时电路包括电容EC1和NPN三极管Q2，所述电容EC1的第一端接电源输出端VCC OUT，电容EC1的第二端接地，所述NPN三极管Q2的基极接电容EC1的第一端，所述NPN三极管Q2的集电极(延时电路的输出端)接PMOS管Q1的栅极，所述NPN三极管Q2的发射极接地，所述NPN三极管Q2的基极串联电阻R8接NPN三极管Q2的发射极，本实施例的延时电路结构简单，易于实现。当然，在其它实施例中，也可以采用现有的其它延时电路来实现，此是本领域技术人员可以轻易实现的，不再细说。
本具体实施例中，电容EC1优选为电解电容，容量大，价格低。
进一步的，还包括稳压二极管D1，所述NPN三极管Q2的基极依次串联稳压二极管D1和电阻R6接电容EC1的第一端。稳压二极管D1用于设置NPN三极管Q2开始导通的时间，也相当于是设置PMOS管Q1的开始导通时间。
本具体实施例中，稳压二极管D1是12V稳压管，当电解电容EC1上电压超过12V时NPN三极管Q2和PMOS管Q1开始导通，当然，在其它实施例中，稳压二极管D1的稳压值可以根据实际需要进行选择，此是本领域技术人员可以轻易实现的，不再细说。
本具体实施例中，还包括电阻R2和R4，所述电阻R4串接在NPN三极管Q2的集电极与PMOS管Q1的栅极之间，所述电阻R2接在PMOS管Q1的源极与栅极之间。电阻R2和R4组成分压电路确保PMOS管Q1的VGS电压不会超出MOS管VGS电压规格要求，提高可靠性。
本具体实施例中，还包括电容C3，所述电容C3接在PMOS管Q1的源极与栅极之间。电容C3用于防止PMOS管Q1的栅极与源极之间震荡引起PMOS管Q1工作不稳定。
本具体实施例中，还包括电阻R1和电容C1，所述电阻R1和电容C1串联后接在PMOS管Q1的源极与漏极之间。电阻R1和电容C1可以防止PMOS管Q1的源极与漏极之间的尖峰电压常期超过参数规格导致PMOS管Q1发热影响寿命。
本具体实施例中，还包括电阻R7和电容C4，所述电源输入端VCC IN依次串联电容C4和电阻R7接地。电阻R7和电容C4用于消除共模干扰，减小EMI影响。
工作过程：
刚上电时，电解电容EC1的第一端电压为0，此时NPN三极管Q2的基极电压为0，NPN三极管Q2不导通，PMOS管Q1处于截止状态。电流通过电阻R3对电解电容C1充电，因为电阻R3的存在使充电电流不至太大，减少***电流冲击。
当电解电容EC1的第一端电压上升至12V，NPN三极管Q2导通，进而PMOS管Q1导通，此时PMOS管Q1导通将电阻R3短路，电流从PMOS管Q1流到电源输出端VCC OUT，进而流到***后级，实现正常工作时电流不会太小的目的。
本实用新型实现了电源软启动，减少电源浪涌对后级电路的干扰，实现提高产品寿命和稳定性的目的，且电路结构简单，易于实现，成本低。
尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本实用新型，但所属领域的技术人员应该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本实用新型的精神和范围内，在形式上和细节上可以对本实用新型做出各种变化，均为本实用新型的保护范围。
Claims (9)
1.一种电源软启动保护电路，其特征在于：包括延时电路、限流电路和开关电路，所述限流电路和开关电路并联后设置在电源输入端与电源输出端之间，所述延时电路的输入端接限流电路和开关电路的输出端，所述延时电路的输出端接开关电路的控制端，用于控制开关电路延时导通。
2.根据权利要求1所述的电源软启动保护电路，其特征在于：所述开关电路采用PMOS管Q1来实现，所述PMOS管Q1的源极接电源输入端，所述PMOS管Q1的漏极接电源输出端，所述PMOS管Q1的栅极接延时电路的输出端。
3.根据权利要求2所述的电源软启动保护电路，其特征在于：所述限流电路包括电阻R3，所述电阻R3与PMOS管Q1并联。
4.根据权利要求2所述的电源软启动保护电路，其特征在于：所述延时电路包括电容EC1和NPN三极管Q2，所述电容EC1的第一端接电源输出端，电容EC1的第二端接地，所述NPN三极管Q2的基极接电容EC1的第一端，所述NPN三极管Q2的集电极接PMOS管Q1的栅极，所述NPN三极管Q2的发射极接地。
5.根据权利要求4所述的电源软启动保护电路，其特征在于：还包括稳压二极管D1，所述NPN三极管Q2的基极串联稳压二极管D1接电容EC1的第一端。
6.根据权利要求4所述的电源软启动保护电路，其特征在于：还包括电阻R2和R4，所述电阻R4串接在NPN三极管Q2的集电极与PMOS管Q1的栅极之间，所述电阻R2接在PMOS管Q1的源极与栅极之间。
7.根据权利要求4所述的电源软启动保护电路，其特征在于：还包括电容C3，所述电容C3接在PMOS管Q1的源极与栅极之间。
8.根据权利要求4所述的电源软启动保护电路，其特征在于：还包括电阻R1和电容C1，所述电阻R1和电容C1串联后接在PMOS管Q1的源极与漏极之间。
9.根据权利要求4所述的电源软启动保护电路，其特征在于：还包括电阻R7和电容C4，所述电源输入端依次串联电容C4和电阻R7接地。
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|---|---|---|---|---|
| CN113242138A (zh) * | 2021-07-14 | 2021-08-10 | 杭州杰为科技有限公司 | 一种简易pd电路及pd设备供电方法 |
| CN113937743A (zh) * | 2021-10-18 | 2022-01-14 | 深圳英恒电子有限公司 | 一种冲击电流抑制电路 |
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