CN209419208U - 浪涌防护器件以及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本实用新型实施例提供一种浪涌防护器件以及电子设备,浪涌防护器件包括:EOS管本体以及PN结,位于EOS管本体内的第一电极、第二电极、输入端电极以及接地电极,且第一电极作为PN结的输入端,第二电极作为PN结的输出端,输入端电极作为浪涌防护器件的输入端;位于EOS管本体内的熔断导电部,且熔断导电部以及PN结设置在输入端电极与接地电极之间,且当EOS管本体内温度达到熔断导电部的熔点时,熔断导电部发生融化以使输入端电极与接地电极之间断路。当EOS管本体内部温度过高时熔断导电部融化,从而切断输入端电极与接地电极之间的通路,避免输入端电极接地,防止安全隐患。
Description
技术领域
本实用新型实施例涉及电子技术领域,特别涉及一种浪涌防护器件以及电子设备。
背景技术
电子产品在使用过程中经常会遇到意外的电流浪涌,从而导致电子产品受损甚至造成永久性的破坏。浪涌是一种上升速度快且持续时间短的尖峰脉冲,对电子产品的可靠性以及使用者的人身安全均会带来损伤。
为了提高电子产品的可靠性以及保护使用者的人身安全,通常需要对电子设备的浪涌采取防护措施。目前市场是主流的浪涌防护器件为EOS(electrical over stress)管,当浪涌电流在正常范围内时,EOS管不会影响电路正常工作,当浪涌电流超出正常范围时,EOS管能够在短时间内将浪涌电流导通至地,从而保护后端电路不受浪涌影响,避免浪涌电流对电路造成损坏。
然而,现有的具有浪涌防护器件的电子设备可靠性仍有待提高。
实用新型内容
本实用新型解决的技术问题为提供一种浪涌防护器件以及电子设备,不仅能够将浪涌电流导通至地,且还能够防止浪涌电流过大而导致的安全问题。
本实用新型提供一种浪涌防护器件,包括:EOS管本体以及位于所述EOS管本体内的PN结,位于所述EOS管本体内的第一电极、第二电极、输入端电极以及接地电极,且所述第一电极作为所述PN结的输入端,所述第二电极作为所述PN结的输出端,所述输入端电极作为浪涌防护器件的输入端;位于所述EOS管本体内的熔断导电部,且所述熔断导电部以及所述PN结串联至所述输入端电极与所述接地电极之间,且当所述EOS管本体内温度达到所述熔断导电部的熔点时,所述熔断导电部发生融化以使所述输入端电极与所述接地电极之间断路。
本实用新型还提供一种电子设备,包括上述的浪涌防护器件。
与现有技术相比,本实用新型实施例提供的技术方案具有以下优点:
本实用新型提供一种结构性能优越的浪涌防护器件,熔断导电部以及PN结串联至输入端电极与接地电极之间,当经过浪涌防护器件的浪涌电流在PN结承受上限内时,PN结起到将浪涌电流导通至地的作用。当浪涌电流超过PN结承受上限时PN结被击穿因而短路,输入端电极与接地电极之间短路,因而EOS管本体内部温度快速上升;当管本体内部温度上升至熔断导电部熔点时熔断导电部发生融化,因而使输入端电极与接地电极之间断路,从而解决了输入端电极接地的问题,避免EOS管本体内部温度继续上升而造成的安全隐患,且保护后端电路。
另外,熔断导电部串联至第一电极与输入端电极之间,且第二电极与接地电极为同一电极,当EOS管本体内温度达到熔断导电部熔点时熔断导电部融化,从而切断输入端电极与第一电极之间的通路,因而输入端电极与接地电极断开,避免输入端电极连接至地。
另外,熔断导电部串联至第二电极与接地电极之间,且第一电极与输入端电极为同一电极,当EOS管本体内温度达到熔断导电部熔点时熔断导电部融化,从而切断第二电极与接地电极之间的通路,因而输入端电极与接地电极断开,避免输入端电极连接至地。
另外,熔断导电部的数量为两个,第一熔断导电部串联至输入端电极与第一电极之间,第二熔断导电部串联至第二电极与接地电极之间,第一熔断导电部与第二熔断导电部起到双保险的作用,保证当EOS管本体内部温度过高时输入端电极与接地电极及时断开。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明,这些示例性说明并不构成对实施例的限定,附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件,除非有特别申明,附图中的图不构成比例限制。
图1为本实用新型第一实施例提供的浪涌防护器件的立体结构透视示意图;
图2为图1对应的等效电路图;
图3为本实用新型第一实施例提供的电子设备的部分等效电路图;
图4为本实用新型第二实施例提供的浪涌防护器件的立体结构透视示意图;
图5为图4对应的等效电路图;
图6为本实用新型第二实施例提供的电子设备的部分等效电路图;
图7为本实用新型第三实施例提供的浪涌防护器件的立体结构透视示意图;
图8为图7对应的等效电路图。
具体实施方式
由背景技术可知,现有的电子设备的可靠性仍有待提高。
分析发现,当浪涌电流或者直流电压本身超过其承受上限时,EOS管内部被击穿导致PN结失效,PN结的正负极将直接短路,且PN结的负极接地;例如EOS管用于PCB的充电网络上,当EOS管的PN结正负极短路时,EOS管会将充电电流短路到地,在充电时将会产生极大的热量,烧坏电子设备壳体,从而造成严重的安全隐患。
为解决上述问题,本实用新型实施例提供一种浪涌防护器件,EOS管本体以及位于所述EOS管本体内的PN结,位于所述EOS管本体内的第一电极、第二电极、输入端电极以及接地电极,且所述第一电极作为所述PN结的输入端,所述第二电极作为所述PN结的输出端,所述输入端电极作为浪涌防护器件的输入端;位于所述EOS管本体内的熔断导电部,且所述熔断导电部以及所述PN结设置在所述输入端电极与所述接地电极之间,且当所述EOS管本体内温度达到所述熔断导电部的熔点时,所述熔断导电部发生融化以使所述输入端电极与所述接地电极之间断路。熔断导电部的设置,使得当EOS管本体内部温度过高时切断输入端电极与接地电极之间的通路,防止由于输入端电极接地而造成的安全隐患,保护后端电路。
为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本实用新型的各实施例进行详细的阐述。然而,本领域的普通技术人员可以理解,在本实用新型各实施例中,为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是,即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改,也可以实现本申请所要求保护的技术方案。
图1为本实用新型第一实施例提供的浪涌防护器件的立体结构透视示意图。
参考图1,本实施例提供的浪涌防护器件包括:EOS管本体100以及位于所述EOS管本体100内的PN结(未图示),位于所述EOS管本体100内的第一电极101、第二电极102、输入端电极103以及接地电极,且所述第一电极101作为所述PN结的输入端,所述第二电极102作为所述PN结的输出端,所述输入端电极103作为浪涌防护器件的输入端;位于所述EOS管本体100内的熔断导电部105,所述熔断导电部105以及所述PN结设置在所述输入端电极103与所述接地电极之间,且当所述EOS管本体100内温度达到所述熔断导电部105的熔点时,所述熔断导电部105发生融化以使所述输入端电极103与所述接地电极之间断路。
以下将结合附图对本实施例提供的浪涌防护器件进行详细说明。
熔断导电部105以及PN结设置至输入端电极103与接地电极之间,具体的,可以串联至输入端电极103与接地电极之间,当经过浪涌防护器件的浪涌电流在PN结承受上限内时,熔断导电部105起到低阻作用,PN结起到将浪涌电流导通至地的作用。当浪涌电流超过PN结承受上限时PN结被击穿因而短路,输入端电极103与接地电极之间短路,因而EOS管本体100内部温度快速上升;当EOS管本体100内部温度上升至熔断导电部105熔点时熔断导电部105发生融化,因而使输入端电极103与接地电极之间断路,从而解决了输入端电极103接地的问题,避免EOS管本体100内部温度继续上升而造成的安全隐患,且保护后端电路。
本实施例中,所述EOS管本体100的形状为长方体。在其他实施例中,所述EOS管本体的形状还可以为正方体、圆球或者不规则形状。
所述EOS管本体100用于提供密封环境,防止所述第一电极101、第二电极102、输入端电极103、接地电极以及熔断导电部105发生氧化。为此,本实施例中,所述EOS管本体100内填充有惰性气体。在其他实施例中,所述EOS管本体内还可以填充N2。
本实施例中,所述熔断导电部105数量为一个,且所述熔断导电部105串联至所述第一电极101与所述输入端电极103之间,相应的,所述第二电极102与所述接地电极为同一电极。
应用浪涌防护器件时,所述输入端电极103需接入电子设备的电路中,且所述接地电极接地,为此,所述EOS管本体100暴露出所述输入端电极103,且所述EOS管本体100暴露出所述接地电极,即EOSS管本体100暴露出第二电极102。
所述第一电极101、输入端电极103以及接地电极的位置,可以根据实际使用需求任意设置。
所述熔断导电部105的材料为铜、锡、铝或者钨中的一种或多种。为了提高所述熔断导电部105的熔断能力,保证在EOS管本体100温度达到熔断导电部105熔点时所述熔断导电部105能够及时熔断,所述熔断导电部105的形状为丝状或者柱状。
所述熔断导电部105具有顶端和与所述顶端相对的底端,其中,顶端和底端是相对于EOS管本体100底部而言的。本实施例中,所述熔断导电部105底端与所述第一电极101电连接,相应的,所述熔断导电部105顶端与所述输入端电极103电连接。
本实施例中,为了减小熔断导电部105对所述第一电极101位置的影响,浪涌防护器件还包括:固定于EOS管本体100内的第三电极(未图示),且第三电极位于所述熔断导电部105的顶端表面,熔断导电部105的顶端通过所述第三电极电连接至所述输入端电极103。
所述第三电极可以与所述输入端电极103接触电连接;或者,浪涌防护器件还可以包括:位于EOS管本体100内的电连接结构106,所述电连接结构106一端电连接所述第三电极,所述电连接结构106另一端电连接输入端电极103。
本实施例中,电连接结构106为导线。在其他实施例中,电连接结构还可以为导电孔。
浪涌防护器件还可以包括:固定于EOS本体100内的第四电极(未图示),且第四电极位于所述熔断导电部105的底端表面,熔断导电部105的底端通过所述第四电极电连接至所述输入端电极103。
图2为图1对应的等效电路图,输入端电极103接入电路输入,第二电极102以及接地电极接地GND,且输入端电极103与第一电极101之间串联熔断导电部105,第一电极101与第二电极102之间串联PN结10。
当浪涌电流未超过PN结10承受上限时,PN结10正常工作,熔断导电部105起到低阻作用,保证浪涌电流可以通过PN结10顺利导通至地GND。当浪涌电流超过PN结10承受上限时,PN结被击穿因而失效,第一电极101与第二电极102短路,EOS管本体100内部温度快速上升;当EOS管本体100内部温度上升至熔断导电部105熔点时,熔断导电部105将发生融化平流至四周空间,因而熔断导电部105与位于熔断导电部105顶端的第三电极断开,也就是说,熔断导电部105与第一电极101断开,从而使得输入端电极103与第二电极102断开,由于第二电极102与接地电极为同一电极,进而使得输入端电极103与接地电极之间断路。由此,可以防止经过输入端电极103的电路大电流导通至地GND,从而防止EOS管本体100内部温度继续上升而产生的安全隐患。
需要说明的是,所述熔断导电部105顶端附近区域设置有容纳空间,熔断导电部105融化后流入至容纳空间内,保证熔断导电部105发生融化后熔断导电部105能够与位于顶端上方的电极之间断开,从而使得输入端电极103与接地电极之间开路。
可以根据实际应用需求确定所述熔断导电部105的融化温度,即确定熔断导电部105的熔点,例如,所述融化温度可以为100℃、120℃等;根据所述熔断导电部105的融化温度以及熔断导电部105的材料,确定所述熔断导电部105的粗细,例如,浪涌防护器件的融化温度需求为100℃,且熔断导电部105为锡丝时,熔断导电部105的粗细为0.1mm。
因而,可以设定不同融化温度特性规格的浪涌防护器件,以适用于不同的应用场景和场合。
还需要说明的是,在其他实施例中,所述熔断导电部、输入端电极以及第一电极的电连接关系还可以设置为:熔断导电部底端与输入端电连接,相应的,熔断导电部顶端与第一电极电连接。
本实施例提供的浪涌防护器件,不仅具有导通浪涌电流至地的功能,且还能够防止由于浪涌防护器件被击穿而造成的浪涌防护器件温度过高的问题,当温度过高时浪涌防护器件的输入端电极与接地电极之间形成开路,从而避免安全隐患。
相应的,本实用新型第一实施例还提供一种包括上述浪涌防护器件的电子设备,电子设备可以为充电设备,如应用于手机、平板电脑、笔记本等的充电设备。图3为本实用新型第一实施例提供的电子设备的部分等效电路图,以电子设备为手机充电网络为例。
参考图3,手机充电网络包括:从USB接口到充电芯片依次连接的TVS(瞬态抑制二极管,Transient Voltage Suppressor)管D2、浪涌防护器件10以及电容C1,其中,TVS管D2一端接入USB接口,另一端接地;浪涌防护器件的输入端电极103接入USB接口;电容C1一端接入USB接口,另一端接地。
TVS管D2的作用为预防充电网络上的静电,将静电导入至地。电容C1并联在手机充电网络中,具有滤除杂波的作用。
浪涌防护器件并联接入手机充电网络中,在浪涌防护器件中PN结未被击穿时,熔断导电部105的材料为低阻材料,浪涌防护器件能够预防充电网络上的浪涌电流,将浪涌电流导通至地;当浪涌电流超出浪涌防护器件中PN结10的承受上限时PN结发生击穿断路,进而触发热熔断机制,使得浪涌防护器件的输入端电极103与地之间开路,也就是说,浪涌防护器件不再并联至手机充电网络中,使得USB接口、浪涌防护器件与地之间为开路状态,从而阻止由于充电电流导通至地而造成的热效应,保证充电功能不受影响可以正常使用,避免过热造成的安全隐患。
其中,触发热熔断机制指的是,当浪涌电流大于浪涌防护器件中PN结承受上限时,PN结被击穿而造成短路,此时,相当于将USB接口的电压直接接入地,将产生大电流使得浪涌防护器件10快速升温,因而EOS管本体100内部温度快速上升;当EOS管本体100内部温度上升至熔断导电部105的熔点时,熔断导电部105发生热融化,从而使得USB接口至地由短路状态变为开路状态,从而防止由于大电流而造成的温度升高问题。
本实用新型第二实施例还提供一种浪涌防护器件,与第一实施例不同的是,本实施例中,熔断导电部数量为一个,且熔断导电部串联至第二电极与接地电极之间。以下将结合附图对本实施例提供的浪涌防护器件进行详细说明,需要说明的是,与前一实施例相同或相应的部分,以下将不做详细赘述。
图4为本实用新型第二实施例提供的浪涌防护器件的立体结构示意图。
参考图4,浪涌防护器件包括:EOS管本体200以及位于EOS管本体200内的PN结,位于所述EOS管本体200内的第一电极201、第二电极202、输入端电极以及接地电极204,且所述第一电极201作为PN结的输入端,所述第二电极202作为PN结的输出端,输入端电极作为浪涌防护器件的输入端;位于所述EOS管本体200内的熔断导电部205,所述熔断导电部205串联至所述第二电极202与所述接地电极204之间,且当所述EOS管本体200内温度达到所述熔断导电部205的熔点时,所述熔断导电部205发生融化以使所述输入端电极与所述接地电极204之间断路。
以下将结合附图对本实施例提供的浪涌防护器件进行详细说明。
本实施例中,熔断导电部205串联至所述第二电极202与所述接地电极204之间,相应的,所述第一电极201与所述输入端电极为同一电极。
所述EOS管本体200暴露出所述输入端电极以及接地电极204。本实施例中,所述输入端电极、第二电极202以及接地电极204的位置,可以根据实际使用需求任意设置。
所述熔断导电部205的形状为丝状或者柱状,有关所述熔断导电部205的粗细,可以参考前述实施例的相应说明,在此不再赘述。
所述熔断导电部205具有顶端和与所述顶端相对的底端,其中,顶端和底端是相对于EOS管本体200底部而言的。本实施例中,所述熔断导电部205顶端与第二电极202电连接,相应的,所述熔断导电部205底端与接地电极204电连接。
本实施例中,浪涌防护器件还包括:固定于EOS管本体200内的第三电极(未图示),且第三电极位于所述熔断导电部205的顶端表面,熔断导电部205的顶端通过所述第三电极电连接至所述第二电极202。
所述第三电极可以与所述第二电极202接触电连接;或者,浪涌防护器件还可以包括:位于EOS管本体200内的电连接结构,电连接结构一端与第三电极相连,另一端与第二电极202相连,通过所述电连接结构电连接所述第三电极与第二电极202。所述电连接结构为导线或者导电孔。
浪涌防护器件还可以包括:固定于EOS本体200内的第四电极(未图示),且第四电极位于所述熔断导电部205的底端表面,熔断导电部205的底端通过所述第四电极电连接至所述接地电极204。
图5为图4对应的等效电路图,第一电极201以及输入端电极接入电路输入端I,第一电极201与第二电极202之间串联PN结20,第二电极202与接地电极204之间串联熔断导电部105,接地电极204接地GND。
当浪涌电流未超过PN结20承受上限时,熔断导电部205起到低阻作用,PN结20正常工作,保证浪涌电流可以通过PN结20顺利导通至地GND。当浪涌电流超过PN结20承受上限时,PN结20被击穿因而失效,第一电极201与第二电极202短路,EOS管本体200内部温度快速上升;当EOS管本体200内部温度上升至熔断导电部205熔点时,熔断导电部205将发生融化平流至四周空间,因而熔断导电部205与位于熔断导电部205顶端的第三电极断开,也就是说,熔断导电部205与第二电极202断开,从而使得第二电极202与接地电极204之间开路,进而使得输入端电极203与接地电极204之间断路。由此,可以防止经过输入端电极的电路大电流导通至地GND,从而防止EOS管本体200内部温度继续上升而产生的安全隐患。
需要说明的是,在其他实施例中,还可以设置为:熔断导电部顶端与接地电极电连接,相应的,熔断导电部底端与第二电极电连接。相应的,熔断导电部融化使得熔断导电部与接地电极断开,继而使得输入端电极与接地电极之间断路。
相应的,本实用新型第二实施例还提供一种包括上述浪涌防护器件的电子设备,电子设备可以为充电设备,如应用于手机、平板电脑、笔记本等的充电设备。图6为本实用新型第二实施例提供的电子设备的等效电路图,以电子设备为手机充电网络为例。
参考图6,手机充电网络包括:从USB接口到充电芯片依次连接的TVS管D2、浪涌防护器件以及电容C1,其中,TVS管D2一端接入USB接口,另一端接地,浪涌防护器件的输入端电极接入USB接口,电容C1一端接入USB接口,另一端接地。
浪涌防护器件并联接入手机充电网络中,在浪涌防护器件中PN结未被击穿时,熔断导电部205(参考图4)的材料为低阻材料,浪涌防护器件能够预防充电网络上的浪涌电流,将浪涌电流导通至地;当浪涌电流超出浪涌防护器件中PN结20的承受上限时PN结20发生击穿断路,进而触发热熔断机制,使得浪涌防护器件的输入端电极(参考图4)与地之间开路,也就是说,浪涌防护器件不再并联至手机充电网络中,使得USB接口、浪涌防护器件与地之间为开路状态,从而阻止由于充电电流导通至地而造成的热效应,保证充电功能不受影响可以正常使用,避免过热造成的安全隐患。
其中,触发热熔断机制指的是,当浪涌电流大于浪涌防护器件中PN结20承受上限时,PN结20被击穿而造成短路,此时,相当于将USB接口的电压直接接入地,将产生大电流使得浪涌防护器件快速升温,因而EOS管本体200(参考图4)内部温度快速上升;当EOS管本体200内部温度上升至熔断导电部205的熔点时,熔断导电部205发生热融化,从而使得USB接口至地由短路状态变为开路状态,从而防止由于大电流而造成的温度升高问题。
本实用新型第三实施例还提供一种浪涌防护器件,与前述实施例不同的是,第三实施例中熔断导电部的数量为两个,熔断导电部包括第一熔断导电部和第二熔断导电部。以下将结合附图对本实施例提供的浪涌防护器件进行详细说明,需要说明的是,与前述实施例相同或者相应的部分,以下将不做详细赘述。
图7为本实用新型第三实施例提供的浪涌防护器件的结构示意图。
参考图7,浪涌防护器件包括:EOS管本体300以及位于EOS管本体300内的PN结,位于所述EOS管本体300内的第一电极301、第二电极302、输入端电极303以及接地电极304,且所述第一电极301作为PN结的输入端,所述第二电极302作为PN结的输出端,所述输入端电极303作为浪涌防护器件的输入端;位于所述EOS管本体300内的熔断导电部,所述熔断导电部包括第一熔断导电部315以及第二熔断导电部325,其中,第一熔断导电部315串联至第一电极301与输入端电极303之间,第二熔断导电部325串联至第二电极302与接地电极304之间,且当所述EOS管本体300温度达到所述第一熔断导电部315的熔点时,所述第一熔断导电部315发生融化以使所述输入端电极303与接地电极304之间断路,当所述EOS管本体300温度达到第二熔断导电部325的熔点时,所述第二熔断导电部315发生融化以使所述输入端端机303与接地电极304之间断路。
以下将结合附图对本实施例提供的浪涌防护器件进行详细说明。
有关所述第一熔断导电部315以及第二熔断导电部325的相应描述,可参考前述实施例的相应说明,在此不再赘述。
本实施例中,相较于只有一个熔断导电部的方案而言,由于在输入端电极303与第一电极301之间串联第一熔断导电部315,第二电极302与接地电极304之间串联第二熔断导电部325,当EOS管本体300内部温度到达熔断导电部熔点时,第一熔断导电部315与第二熔断导电部325中至少有一个会发生融化,从而使得输入端电极303与接地电极304之间及时处于开路状态,更有效的防止EOS管本体300内部温度过高。
所述第一熔断导电部315的形状为丝状或者柱状;所述第二熔断导电部325的形状为丝状或者柱状。本实施例中,所述第一熔断导电部315的融化温度与所述第二熔断导电部325的融化温度相同;所述第一熔断导电部315的粗细与所述第二熔断导电部325的粗细相同。
需要说明的是,在其他实施例中,第一熔断导电部的融化温度还可以与第二熔断导电部的融化温度不同;第一熔断导电部的粗细也可以与第二熔断导电部的粗细不同。
图8为图7对应的等效电路图,输入端电极303接入电路输入端I,且输入端电极303与第一电极301之间串联第一熔断导电部315,第一电极301与第二电极302之间串联PN结,第二电极302与接地电极304之间串联第二熔断导电部325,接地电极304接地GND。
当浪涌电流未超过PN结承受上限时,第一熔断导电部315以及第二熔断部325起低阻作用,PN结正常工作,保证浪涌电流可以通过PN结顺利导通至地GND。当浪涌电流超过PN结承受上限时,PN结被击穿因而失效,第一电极301与第二电极302断路,EOS管本体300内部温度快速上升;当EOS管本体300内部温度上升至第一熔断导电部315或者第二熔断导电部325熔点时,第一熔断导电部315或者第二熔断导电部325发生融化平流至四周空间,如前述分析可知,输入端电极303与接地电极304之间形成开路。由此,可以避免经过输入端电极303的电路大电流导通至地GND,从而防止EOS管本体300内部温度继续上升而产生的安全隐患。
且所述第一熔断导电部315与第二熔断导电部325构成双保险,保证输入端电极303与接地电极304之间及时形成开路。
相应的,本实施例还提供一种包括上述浪涌防护器件的电子设备。本实施例提供的电子设备,不仅具有EOS保护功能,且还能够防止由于浪涌电流过大而造成的安全隐患。
本领域的普通技术人员可以理解,上述各实施方式是实现本实用新型的具体实施例,而在实际应用中,可以在形式上和细节上对其作各种改变,而不偏离本实用新型的精神和范围。任何本领域技术人员,在不脱离本实用新型的精神和范围内,均可作各自更动与修改,因此本实用新型的保护范围应当以权利要求限定的范围为准。
Claims (10)
1.一种浪涌防护器件,其特征在于,包括:
EOS管本体以及位于所述EOS管本体内的PN结,位于所述EOS管本体内的第一电极、第二电极、输入端电极以及接地电极,且所述第一电极作为所述PN结的输入端,所述第二电极作为所述PN结的输出端,所述输入端电极作为浪涌防护器件的输入端;
位于所述EOS管本体内的熔断导电部,所述熔断导电部以及所述PN结设置在至所述输入端电极与所述接地电极之间,且当所述EOS管本体内温度达到所述熔断导电部的熔点时,所述熔断导电部发生融化以使所述输入端电极与所述接地电极之间断路。
2.如权利要求1所述的浪涌防护器件,其特征在于,所述熔断导电部的数量为一个,且所述熔断导电部串联至所述第一电极与所述输入端电极之间;所述第二电极与所述接地电极为同一电极。
3.如权利要求1所述的浪涌防护器件,其特征在于,所述熔断导电部的数量为一个,且所述熔断导电部串联至所述第二电极与所述接地电极之间;所述第一电极与所述输入端电极为同一电极。
4.如权利要求1所述的浪涌防护器件,其特征在于,所述熔断导电部包括第一熔断导电部以及第二熔断导电部,所述第一熔断导电部串联至所述第一电极与所述输入端电极之间,所述第二熔断导电部串联至所述第二电极与所述接地电极之间。
5.如权利要求2、3或4所述的浪涌防护器件,其特征在于,所述熔断导电部的形状为丝状或者柱状。
6.如权利要求2、3或4所述的浪涌防护器件,其特征在于,所述熔断导电部具有顶端和与所述顶端相对的底端;还包括:固定于所述EOS管本体内的第三电极,所述第三电极位于所述熔断导电部的顶端表面。
7.如权利要求6所述的浪涌防护器件,其特征在于,所述熔断导电部顶端附近区域设置有容纳空间。
8.如权利要求6所述的浪涌防护器件,其特征在于,还包括:位于所述EOS管本体内的电连接结构,所述电连接结构一端连接所述第三电极。
9.如权利要求8所述的浪涌防护器件,其特征在于,所述电连接结构包括导线或者导电孔。
10.一种电子设备,其特征在于,包括如权利要求1至9任一项所述的浪涌防护器件。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
CN201920328066.1U CN209419208U (zh) | 2019-03-14 | 2019-03-14 | 浪涌防护器件以及电子设备 |
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CN209419208U true CN209419208U (zh) | 2019-09-20 |
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ID=67945832
Family Applications (1)
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CN201920328066.1U Active CN209419208U (zh) | 2019-03-14 | 2019-03-14 | 浪涌防护器件以及电子设备 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN114007326A (zh) * | 2021-09-13 | 2022-02-01 | 荣耀终端有限公司 | 供电电路、电路板、电子设备以及电路板的制作方法 |
CN114121901A (zh) * | 2022-01-27 | 2022-03-01 | 深圳中科四合科技有限公司 | 具备保险丝功能的esd器件 |
CN114121900A (zh) * | 2022-01-27 | 2022-03-01 | 深圳中科四合科技有限公司 | 具备过压和过电保护功能的esd器件加工方法 |
-
2019
- 2019-03-14 CN CN201920328066.1U patent/CN209419208U/zh active Active
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GR01 | Patent grant | ||
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