CN209215802U - 显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了一种显示面板及显示装置，所述显示面板包括：彩膜基板，所述彩膜基板上设置有黑矩阵；阵列基板，所述阵列基板背离所述彩膜的侧面上设置与黑矩阵的图形图案对应的第一反射层；背光模组，所述背光模组包括背光源及反射片，所述反射片与所述彩膜基板分别设置于所述阵列基板两侧；其中，所述背光源发出的光线至少部分经所述第一反射层反射至所述反射片后，被所述反射片反射后穿过所述阵列基板到达所述彩膜基板。本申请具有提高背光模组的光穿透率及光利用率的优点。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
目前，液晶显示装置(LCD：Liquid Crystal Display)的彩色滤光片层 (CF：colorfilter)一般使用黑矩阵(BM：Black Matrix)材料作为遮光层，但是黑矩阵为不透光材料，会吸收部分光源的光，使得液晶显示装置的光穿透率降低。
实用新型内容
本申请的主要目的是提供一种显示面板，旨在解决现有技术中黑矩阵吸光导致显示装置的光穿透率降低的问题。
为实现上述目的，本申请提出的一种显示面板，所述显示面板包括：彩膜基板，所述彩膜基板上设置有黑矩阵；阵列基板，所述阵列基板背离所述彩膜的侧面上设置与黑矩阵的图形图案对应的第一反射层；背光模组，所述背光模组包括背光源及反射片，所述反射片与所述彩膜基板分别设置于所述阵列基板两侧；其中，所述背光源发出的光线至少部分经所述第一反射层反射至所述反射片后，被所述反射片反射后穿过所述阵列基板到达所述彩膜基板。
可选地，所述阵列基板朝向所述彩膜基板的一侧也设置有与所述黑矩阵的图形图案对应的第二反射层。
可选地，所述阵列基板上设置有多个阵列排布的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极电极，所述栅极电极为底栅结构，所述栅极电极与所述第二反射层图案化一并形成。
可选地，所述阵列基板上设置有多个阵列排布的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极电极，所述栅极电极为顶栅结构，所述栅极电极与所述第二反射层分别形成，所述栅极电极设置于所述第二反射层上方。
可选地，所述第一反射层及/或第二反射层为金属材质，所述金属材质为银、铂、铝或铜。
可选地，所述背光模组为侧入式背光模组，所述背光源设置于所述反射片侧边。
可选地，所述背光模组为直下式背光模组，所述背光源设置于所述反射片与所述阵列基板之间。
可选地，所述栅极电极上设置有绝缘层，所述绝缘层上设置有有源层，所述有源层上设置有间隔设置的薄膜晶体管的源极电极及漏极电极。
可选地，所述黑矩阵界定多个像素单元，所述像素单元内设置有基色色阻；所述源极电极及漏极电极上覆盖有钝化层，所述钝化层上与所述像素单元对应的位置设置有透明像素电极，所述透明像素电极通过钝化层上的过孔与所述漏极电极电连接；所述钝化层上与所述黑矩阵对应的位置设置有垫隔物。
此外，本申请还提出一种显示装置，所述显示装置包括如上述任一项显示面板。
本申请提出的所述显示面板及具有该显示面板的显示装置，具有如下技术效果：通过在所述阵列基板上设置第一层反光层，将原本被所述黑矩阵吸收的光重新反射至所述彩膜基板处，提高了所述背光模组的光穿透率及光利用率，可以提高所述显示面板的亮度、节省了所述显示面板的发光能耗。且所述第一反射层是在形成在阵列基板背离所述彩膜基板的侧面，距离所述背光源较近，根据点光源的发散原理可知，当第一反射层越靠近所述背光源，所述第一反射层能反射的光也就越多，从而进一步提高所述背光模组的光穿透率及光利用率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本申请显示面板的一实施例的结构示意图；
图2为本申请显示面板的另一实施例的结构示意图；
图3为本申请彩膜一实施例的结构示意图；
图4为本申请彩膜另一实施例的的结构示意图；
图5为本申请显示面板的另一实施例的结构示意图。
本申请目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
需要说明，本申请实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅设置为解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
另外，在本申请中涉及“第一”、“第二”等的描述仅设置为描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本申请要求的保护范围之内。
请一并参阅图1-4，本申请提出的一种显示面板100，所述显示面板100 包括：
彩膜基板10，所述彩膜基板10上设置有黑矩阵20；
阵列基板30，所述阵列基板30背离所述彩膜基板10的侧面上设置与黑矩阵20的图形图案对应的第一反射层40A；
背光模组50，所述背光模组50包括背光源51及反射片52，所述反射片 52与所述彩膜基板10分别设置于所述阵列基板30两侧；
其中，所述背光源51发出的光线至少部分经所述第一反射层40A反射至所述反射片52后，被所述反射片52反射后穿过所述阵列基板30到达所述彩膜基板10。
在本实施例中，所述彩膜基板10上的黑矩阵20也叫黑色矩阵，所述黑矩阵20呈网格状(如图2所示)，所述黑矩阵20上界定了多个像素单元21，所述像素单元21设置有红/绿/蓝三种基色色阻22，基色色阻22的作用是吸收自然光中的一部分光谱，仅透过与之匹配的单色光谱，形成混色中的基色。所述黑矩阵20主要作用有：
(1)遮蔽由于扫描线/数据线附件电场紊乱导致的液晶紊乱进而引起出射光不可控的漏光；
(2)防止RGB亚像素之间的混色，提高显示图像的纯度；
(3)防止外界管线照射到TFT沟道上具有光敏性的半导体材料(a-Si:H) 引起光生电流及TFT漏极增加，导致TFT无法关闭影响显示器性能；
(4)在显示区边缘的黑矩阵20，还起到遮挡背光源51的作用，并作为显示区与四周的机械金属框过渡区域改善视觉效果。
在本实施例中，所述阵列基板30包括玻璃衬底，通过物理气相沉积如溅射工艺在所述阵列基板30沉积一层如Ag、Al、Pt、Au等高反光率金属的膜层，并通过后续的清洗、光阻(PR)涂布、曝光、显影、蚀刻、光阻剥离等步骤在所述阵列基板30背离所述彩膜基板10的侧面，也即靠近所述背光模组50的侧面形成与所述彩膜基板10上的黑矩阵20位置对应的第一反射层 40A。且可选地，在所述彩膜基板10与阵列基板30对盒组装后，所述第一反射层40A在对盒方向上的投影与所述彩膜基板10上的黑矩阵20完全重叠或者至少部分重叠。
在实施例中，在所述背光模组50的出光方向上依序设置所述背光模组50、阵列基板30及彩膜基板10，从所述背光模组50发出的光最终需要到达彩膜基板10上的像素单元21形成画面，且到达所述像素单元21的光越多，则所述背光模组50的光穿透率及光利用率就越高，背光模组50用来发光的电能也就可以相应的减少。在本实施例中，所述背光模组50包括背光源51及反射片52，所述反射片52与所述彩膜基板10分别设置于所述阵列基板30两侧，所述背光源51可设置于所述反射片52与所述阵列基板30之间(直下式背光源)或者设置于所述反射片52的任一侧边(侧入式背光源)，则此时背光源 51发出的光有三种路径达到所述彩膜基板10上的像素单元21：
(1)如图1光路1所示，背光源51发出的光直接穿过所述至所述阵列基板30达到所述像素单元21；
(2)如图1光路2所示，背光源51发出的光经所述反射片52反射后，穿过所述阵列基板30达到所述像素单元21；
(3)如图1光路3所示，背光源51发出的光经所述第一反射层40A反射至所述反射片52后，被所述反射片52反射，穿过所述至所述阵列基板30 达到所述像素单元21。
综上所述，本实施例通过在所述阵列基板30上设置一层第一反射层40A，将原本被所述黑矩阵20吸收的光重新反射至所述彩膜基板10处，提高了所述背光模组50的光穿透率及光利用率，提高所述显示面板100的亮度、节省所述显示面板100的发光能耗；且所述第一反射层40A是形成在阵列基板30 背离所述彩膜基板10的侧面，距离所述背光源51较近，根据点光源的发散原理可知，当第一反射层40A越靠近所述背光源51，所述第一反射层40A能反射的光也就越多，从而进一步提高所述背光模组50的光穿透率及光利用率。
可选地，如图2所示，所述阵列基板30朝向所述彩膜基板10的一侧也设置有与所述黑矩阵20的图形图案对应的第二反射层40B。
在本实施例中，当所述第二反射层40B设置于所述阵列基板30朝向所述彩膜基板10的一侧时，在形成薄膜晶体管的栅极电极31的工艺流程中形成所述第二反射层40B与所述栅极电极31一并形成，不用增加其他制造工艺，进一步节省节约成本。
所述彩膜基板10与所述阵列基板30对盒组装后，所述第二反射层40B 设置于所述阵列基板30朝向所述彩膜基板10的一侧；所述背光源51可设置于所述反射片52与所述阵列基板30之间(直下式背光源)或者设置于所述反射片52的任一侧边(侧入式背光源)，则此时背光源51发出的光可以经第四种路径达到所述彩膜基板10上的像素单元21，如图2所示，背光源51发出的光经所述第二反射层40B反射至反射片52后，被所述反射片52反射，穿过所述阵列基板30达到所述像素单元21。从而进一步将背光源51发出的光经第二反射层40B发射后到达所述彩膜基板10，而不是被所述黑矩阵20 吸收，从而进一步提高所述背光模组50的光穿透率及光利用率。
可选地，参阅图5，所述阵列基板30上设置有多个阵列排布的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极电极31，所述栅极电极31为底栅结构，所述栅极电极31与所述第二反射层40B一并形成。
在本实施例中，如前所述，所述第二反射层40B设置于所述阵列基板30 朝向所述彩膜基板10的一侧时，且所述栅极电极31为底栅结构时，所述第二反射层40B可与所述栅极电极31在同一工艺流程中形成，从而减少工艺流程。
可选地，所述阵列基板30上设置有多个阵列排布的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极电极31，所述栅极电极31为顶栅结构，所述栅极电极31 与所述第二反射层40B分别形成，所述栅极电极31设置于所述第二反射层 40B上方。
在本实施例中，所述栅极电极31为顶栅结构，此时，所述栅极电极31 不与所述阵列基板30的基板衬底直接接触，而所述第二反射层40B直接形成于所述阵列基板30的基板衬底，所述栅极电极31与所述第二反射层40B分别成形，从而使所述栅极电极31实现电气功能，同时所述第二反射层40B实现光反射功能，避免第二反射层40B影响所述栅极电极31的正常工作。
可选地，所述第一反射层40A及/或第二反射层40B为金属材质。进一步可选地，所述金属为银、铂、铝或铜。
在本实施例中，在所述第一反射层40A及/或第二反射层40B均为金属材质时，可以在同一工艺流程同时形成所述第二反射层40B及所述栅极电极31，实现所述栅极电极31同时具有导电性能及高反射率性。可以理解，当所述第二反射层40B不需要与所述栅极电极31同时形成时，所述第第二反射层40B 反射层40A可以采用其他不透光的非金属材料。
可选地，所述背光模组50为侧入式背光模组50，所述背光源51A设置于所述反射片52侧边。
在本实施例中，所述背光源51设置于所述反射片52侧边时，所述背光源51的光进入所述阵列基板30与所述反射片52之间后，通过如下方式进行传播：(1)如图1光路2a所示，背光源51发出的光经所述反射片52反射后，穿过所述阵列基板30达到所述像素单元21；
(2)如图1光路3a所示，背光源51发出的光经所述第一反射层40A反射至所述反射片52后，被所述反射片52反射，穿过所述阵列基板30达到所述像素单元21，从而将原本被所述黑矩阵20吸收的光重新反射至所述彩膜基板10处；
(3)如图2光路4a所示，背光源51发出的光经所述第二反射层40B反射至所述反射片52后，被所述反射片52反射，穿过所述阵列基板30达到所述像素单元21，从而将原本被所述黑矩阵20吸收的光重新反射至所述彩膜基板10处，从而提高所述背光模组50的光穿透率及光利用率。
可选地，所述背光模组50为直下式背光模组50，所述背光源51B设置于所述反射片52与所述阵列基板30之间。
在本实施例中，由于所述背光源51设置于所述反射片52与所述阵列基板30之间，可以通过如下方式进行光线的传播：
(1)如图1光路1所示，背光源51B发出的光直接穿过所述至所述阵列基板30达到所述像素单元21；
(2)如图1光路2b所示，背光源51B发出的光经所述反射片52反射后，穿过所述至所述阵列基板30达到所述像素单元21；
(3)如图1光路3b所示，背光源51发出的光经所述第一反射层40A反射至所述反射片52后，被所述反射片52反射，穿过所述阵列基板30达到所述像素单元21；
(4)如图2光路4b所示，背光源51B发出的光经所述第二反射层40B 反射至所述反射片52后，被所述反射片52反射，穿过所述阵列基板30达到所述像素单元21，从而将原本被所述黑矩阵20吸收的光重新反射至所述彩膜基板10处，从而将原本被所述黑矩阵20吸收的光重新反射至所述彩膜基板 10处，提高所述背光模组50的光穿透率及光利用率。
可选地，所述栅极电极31上设置有绝缘层32，所述绝缘层32上设置有有源层33，所述有源层33上设置有间隔设置的薄膜晶体管的源极电极34及漏极电极35。
在本实施例中，由于所述栅极电极31也具有不透光的高反射光率，且所述栅极电极31上设置所述有源层33，所述栅极电极31对所述有源层33进行遮蔽，防止所述有源层33受光照产生漏电流，影响薄膜晶体管正常动作。
可选地，所述黑矩阵20界定多个像素单元21，所述像素单元21内设置有基色色阻22；所述源极电极34及漏极电极35上覆盖有钝化层36，所述钝化层36上与所述像素单元21对应的位置设置有透明像素电极37，所述透明像素电极37通过钝化层36上的过孔361与所述漏极电极35电连接；所述钝化层36上与所述黑矩阵20对应的位置设置有垫隔物38。
在本实施例中，所述垫隔物38可为柱状或者球状，所述垫隔物38设置于所述彩膜基板10与所述阵列基板30之间，在所述显示面板100受到外部压力时，所述垫隔物38可以保证所述彩膜基板10与所述阵列基板30之间的距离，避免显示面板100受到外部压力时损坏。所述透明像素电极37允许所述背光源51的光通过所述阵列基板30并实现电气功能。
此外，本申请还提出一种显示装置，所述显示装置包括上述显示面板100。
在本实施例中，由于所述显示装置包括上述显示面板100，因而至少具有所述上述显示面板100的上述技术效果，在此不再赘述。此外，所述显示装置还包括外壳及主控电路等。
本申请提出的所述显示面板100及具有该显示面板100的显示装置，具有如下技术效果：(1)通过在所述阵列基板30上设置一层第一反射层40A，将原本被所述黑矩阵20吸收的光重新反射至所述彩膜基板10处，提高了所述背光模组50的光穿透率及光利用率，可以提高所述显示面板100的亮度、节省了所述显示面板100的发光能耗；(2)所述第二反射层40B是在形成所述栅极电极31的同时形成的，不用增加其他制造工艺，节约成本。
以上所述仅为本申请的可选实施例，并非因此限制本申请的专利范围，凡是在本申请的申请构思下，利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本申请的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：
彩膜基板，所述彩膜基板上设置有黑矩阵；
阵列基板，所述阵列基板背离所述彩膜的侧面上设置与黑矩阵的图形图案对应的第一反射层；
背光模组，所述背光模组包括背光源及反射片，所述反射片与所述彩膜基板分别设置于所述阵列基板两侧；
其中，所述背光源发出的光线至少部分经所述第一反射层反射至所述反射片后，被所述反射片反射后穿过所述阵列基板到达所述彩膜基板。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板朝向所述彩膜基板的一侧也设置有与所述黑矩阵的图形图案对应的第二反射层。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板上设置有多个阵列排布的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极电极，所述栅极电极为底栅结构，所述栅极电极与所述第二反射层一并形成。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板上设置有多个阵列排布的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极电极，所述栅极电极为顶栅结构，所述栅极电极与所述第二反射层分别形成，所述栅极电极设置于所述第二反射层上方。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一反射层及/或第二反射层为金属材质，所述金属材质为银、铂、铝或铜。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述背光模组为侧入式背光模组，所述背光源设置于所述反射片侧边。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述背光模组为直下式背光模组，所述背光源设置于所述反射片与所述阵列基板之间。
8.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述栅极电极上设置有绝缘层，所述绝缘层上设置有有源层，所述有源层上设置有间隔设置的薄膜晶体管的源极电极及漏极电极。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述黑矩阵界定多个像素单元，所述像素单元内设置有基色色阻；所述源极电极及漏极电极上覆盖有钝化层，所述钝化层上与所述像素单元对应的位置设置有透明像素电极，所述透明像素电极通过钝化层上的过孔与所述漏极电极电连接；所述钝化层上与所述黑矩阵对应的位置设置有垫隔物。
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1-9任一项显示面板。
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