CN209168946U - 一种低等效串联电阻电容器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开一种低等效串联电阻电容器,包括外壳,外壳的顶部向左右两侧延伸出第一电极焊片和第二电极焊片,第一电极焊片和第二电极焊片上开设有安装孔,外壳内设置有由若干个芯子单元并联连接而成的芯子组件,芯子组件的上下表面分别焊接有第一铜板和第二铜板,第一铜板和第二铜板上设有若干个与芯子单元的接线端子相对应的凹形孔,第一铜板的上端垂直折弯形成第一电极焊片,第二铜板的上端垂直折弯形成第二电极焊片。本实用新型采用左右电极焊片,几乎无连接电感,内部单元芯子采用多层内串结构,等效串联电阻低,对IGBT的尖峰保护效果好;外壳采用环氧树脂材料,利于散热,使得电容器寿命延长,保证了电容器的稳定性,损耗低。
Description
技术领域
本实用新型涉及电容器技术领域,具体涉及一种低等效串联电阻电容器。
背景技术
电容器是一种常用的电子产品,同时电容器也有很多的分类,有高载流的、滤波的、防爆的等等,这些不同功能的电容均可满足了一定的要求,电子产品中常用到一种IGBT高精密半导体元器件,其既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点,又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点,但是这种元器件常受到尖峰电压的损害,而普通电容器因为电感高、等效串联电阻使得对该元器件保护效果不佳。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术的不足,提供一种低等效串联电阻电容器,它采用左右电极焊片,几乎无连接电感,内部单元芯子采用多层内串结构,等效串联电阻低,对IGBT的尖峰保护效果好。
本实用新型的技术方案如下:
一种低等效串联电阻电容器,包括外壳,所述外壳的顶部向左右两侧延伸出第一电极焊片和第二电极焊片,所述第一电极焊片和第二电极焊片上开设有安装孔,所述外壳内设置有由若干个芯子单元并联连接而成的芯子组件,所述芯子组件的上下表面分别焊接有第一铜板和第二铜板,所述第一铜板和第二铜板上设有若干个与芯子单元的接线端子相对应的凹形孔,所述第一铜板的上端垂直折弯形成所述第一电极焊片,所述第二铜板的上端垂直折弯形成所述第二电极焊片。
在上述技术方案中,所述外壳是由环氧树脂材料所组成。
在上述技术方案中,所述安装孔的形状为长椭圆形。
在上述技术方案中,所述外壳的底部对称设有两个安装耳。
相对于现有技术,本实用新型的有益效果在于:本实用新型采用左右电极焊片,几乎无连接电感,内部单元芯子采用多层内串结构,等效串联电阻低,对IGBT的尖峰保护效果好;外壳采用环氧树脂材料,利于散热,使得电容器寿命延长,保证了电容器的稳定性,损耗低。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型实施例提供的一种低等效串联电阻电容器的结构示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
为了说明本实用新型所述的技术方案,下面通过具体实施例来进行说明。
实施例
请参阅图1所示,本实施例提供一种低等效串联电阻电容器,包括外壳1,所述外壳1的顶部向左右两侧延伸出第一电极焊片2和第二电极焊片3,所述第一电极焊片2和第二电极焊片3上开设有安装孔,所述外壳1内设置有由若干个芯子单元4并联连接而成的芯子组件,所述芯子组件的上下表面分别焊接有第一铜板5和第二铜板6,所述第一铜板5和第二铜板6上设有若干个与芯子单元的接线端子相对应的凹形孔,所述第一铜板5的上端垂直折弯形成所述第一电极焊片2,所述第二铜板6的上端垂直折弯形成所述第二电极焊片3。
该低等效串联电阻电容器采用左右电极焊片,几乎无连接电感,内部单元芯子采用多层内串结构,等效串联电阻低,对IGBT的尖峰保护效果好。
进一步地,所述外壳1是由环氧树脂材料所组成。外壳1采用环氧树脂材料,利于散热,使得电容器寿命延长,保证了电容器的稳定性,损耗低。
进一步地,所述安装孔的形状为长椭圆形。
进一步地,所述外壳1的底部对称设有两个安装耳7。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用于限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种低等效串联电阻电容器,其特征在于:包括外壳,所述外壳的顶部向左右两侧延伸出第一电极焊片和第二电极焊片,所述第一电极焊片和第二电极焊片上开设有安装孔,所述外壳内设置有由若干个芯子单元并联连接而成的芯子组件,所述芯子组件的上下表面分别焊接有第一铜板和第二铜板,所述第一铜板和第二铜板上设有若干个与芯子单元的接线端子相对应的凹形孔,所述第一铜板的上端垂直折弯形成所述第一电极焊片,所述第二铜板的上端垂直折弯形成所述第二电极焊片。
2.根据权利要求1所述的一种低等效串联电阻电容器,其特征在于:所述外壳是由环氧树脂材料所组成。
3.根据权利要求1所述的一种低等效串联电阻电容器,其特征在于:所述安装孔的形状为长椭圆形。
4.根据权利要求1所述的一种低等效串联电阻电容器,其特征在于:所述外壳的底部对称设有两个安装耳。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201920065963.8U CN209168946U (zh) | 2019-01-16 | 2019-01-16 | 一种低等效串联电阻电容器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201920065963.8U CN209168946U (zh) | 2019-01-16 | 2019-01-16 | 一种低等效串联电阻电容器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN209168946U true CN209168946U (zh) | 2019-07-26 |
Family
ID=67328513
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201920065963.8U Active CN209168946U (zh) | 2019-01-16 | 2019-01-16 | 一种低等效串联电阻电容器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN209168946U (zh) |
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- 2019-01-16 CN CN201920065963.8U patent/CN209168946U/zh active Active
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