CN209168759U - 一种银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜 - Google Patents

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顾宏伟
戚芬强
冀月田
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Zhejiang Xingyue Electronic Technology Co.,Ltd.
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Gushi Nano Technology (zhejiang) Co Ltd
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Abstract

本实用新型公开了一种银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜，属于光学技术领域。本实用新型导电膜依次包括一种衬底、附着衬底上的银纳米线透明导电涂层、保护层、透明导电氧化物层。银纳米线透明导电层厚度为10‑500纳米；保护层厚度为5‑5000nm；透明导电氧化物层厚度为2‑500nm。本实用新型导电膜可实现高光透过率、低方阻、高化学稳定性、高耐磨性和高匹配性等优点。

Description

一种银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜
技术领域
本实用新型涉及一种银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜，属于光学技术领域。
背景技术
透明导电膜因其具有高透光性和良好的导电性，被广泛应用于显示器件、调光玻璃和太阳能电池等领域。现行透明导电膜多为塑料或者玻璃上溅射透明导电氧化物(TCO)，主要为氧化铟锡(ITO)、F掺杂ZnO(FZO)、Al掺杂ZnO(AZO)等，虽然实现了透明导电性，但其生产工艺复杂，成本大，而且方阻一般较大，脆性大，不可弯曲。
银纳米线是一种新兴导电纳米材料，直径多在10-500纳米之间，长度从几个微米到几百个微米。由银纳米线构成的导电薄膜，具有高透、低方阻以及柔性可挠曲等优点，被视为最可能取代金属氧化物导电薄膜的材料，可广泛应用于触摸屏、太阳能电池及有机发光二级光等。但由于银纳米线具有较高的化学活性，银纳米线导电膜耐候性、耐摩擦性等相比ITO而言略有不足，对下游材料和工艺需求较高，提高了下游生产成本。
实用新型内容
针对上述现有银纳米线导电膜或TCO导电膜缺点，本实用新型提供一种银纳米线和TCO复合透明导电膜，可实现高光透过率、低方阻、高化学稳定性、高耐摩擦性和高匹配性等优点。
本实用新型的第一个目的是提供一种银纳米线(AgNWs)和透明导电氧化物(TCO)复合透明导电膜，从下至上依次包括：一种衬底、附着衬底上的银纳米线透明导电涂层、保护层和透明导电氧化物层(TCO层)。
进一步地，所述衬底为高分子塑料，厚度为20-500微米。
进一步地，所述衬底为PET、PP、PE、PI或PC。
进一步地，所述的银纳米线透明导电膜厚度为10-500nm。
进一步地，所述的保护层为树脂。
进一步地，所述的保护层为聚氨酯、丙烯酸树脂、酚醛树脂或聚酰胺树脂中的一种或一种以上组合。
进一步地，所述的保护层的厚度为5-5000nm。
进一步地，所述的透明导电氧化物为SnO2、InO、CdO、ZnO及其掺杂体系SnO2:F、SnO2:Sb、In2O3:Sn、ZnO:Al、ZnO:F中的一种或者一种以上组合。
进一步地，所述的透明导电氧化物为氧化铟锡(ITO)、F掺杂ZnO(FZO)或Al掺杂ZnO(AZO)中的一种或一种以上组合。
进一步地，所述的透明导电氧化物层的厚度为2-500nm。
银纳米线透明导电膜起主要导电作用；保护层不仅能够提高银纳米线导电膜的化学稳定性和耐候性，而且增强了其附着能力，使其牢牢附着于衬底之上，同时又增加了与TCO层的结合力；TCO层增加了银纳米线层的导电能力，同时对银纳米线层进一步提供保护，增加其耐候性和化学稳定性，而且使膜材更适用于后端进一步加工处理。
本实用新型的有益效果：
1、稳定性高。本实用新型用保护层和TCO层对银纳米线薄膜提供双重保护，有效隔绝外部水汽，氧气与紫外线，使膜材具有高化学稳定性和耐候性。
2、导电膜与衬底结合力高，电阻率低，透过性高。
3、高匹配性。表层所用为TCO，后端进一步加工时无需更改原物料和工艺，适应性强。
4、成本低。相比传统TCO导电膜，同等方阻下，由于复合膜以银纳米线为主要导电层，具有更低成本优势。
附图说明
图1是本实用新型复合导电膜的结构示意图，其中，1、衬底；2、银纳米线透明导电涂层；3、保护层；4、TCO导电层。
具体实施方式
下面结合附图和具体实案例，对本实用新型做进一步描述：
实施例1：
选用厚度为50微米的PET作为基材，在上面涂布银纳米线墨水，经干燥固化后，得到厚度为40nm的透明导电膜。然后在导电膜上继续涂布树脂得到保护层，所得保护层厚度为50nm，然后溅渡FZO层，厚度为10nm。得到银纳米线和FZO复合导电膜。
实施例2：
选用厚度为50微米的PET作为基材，在上面涂布银纳米线墨水，经干燥固化后，得到厚度为40nm的透明导电膜。然后在导电膜上继续涂布树脂得到保护层，所得保护层厚度为50nm，然后溅渡AZO层，厚度为20nm。得到银纳米线和AZO复合导电膜。
实施例3：
选用厚度为50微米的PET作为基材，在上面涂布银纳米线墨水，经干燥固化后，得到厚度为80nm的透明导电膜。然后在导电膜上继续涂布树脂得到保护层，所得保护层厚度为50nm，然后溅渡ITO层，厚度为10nm。得到银纳米线和ITO复合导电膜。
实施例4：
选用厚度为125微米的PET作为基材，在上面涂布银纳米线墨水，经干燥固化后，得到厚度为40nm的透明导电膜。然后在导电膜上继续涂布树脂得到保护层，所得保护层厚度为50nm，然后溅渡ITO层，厚度为10nm。得到银纳米线和ITO复合导电膜。
实施例5：
选用厚度为50微米的PET作为基材，在上面涂布银纳米线墨水，经干燥固化后，得到厚度为40nm的透明导电膜。然后在导电膜上继续涂布树脂得到保护层，所得保护层厚度为100nm，然后溅渡ITO层，厚度为10nm。得到银纳米线和ITO复合导电膜。
对比例1：
用厚度为50微米的PET作为基材，在上面涂布银纳米线墨水，经干燥固化后，得到厚度为40nm的透明导电膜。然后在导电膜上继续涂布树脂得到保护层，所得保护层厚度为50nm。
表1导电膜的方阻与透过率
类别 实施例1 实施例2 实施例3 实施例4 实施例5 对比例1
方阻(Ω/sq) 50.0 36.3 25.0 50.0 50.0 80
透过率 93％ 91％ 90％ 92％ 93％ 94％
以上所述实施例仅是为充分说明本实用新型而所举的较佳的实施例，本实用新型的保护范围不限于此。本技术领域的技术人员在本实用新型基础上所作的等同替代或变换，均在本实用新型的保护范围之内。本实用新型的保护范围以权利要求书为准。

Claims (10)

1.一种银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜，其特征在于，依次包括：包括一种衬底、附着衬底上的银纳米线透明导电涂层、保护层、透明导电氧化物层。
2.根据权利要求1所述的银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜，其特征在于，所述的衬底为高分子塑料。
3.根据权利要求1所述的银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜，其特征在于，厚度为20-500微米。
4.根据权利要求2所述的银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜，其特征在于，所述的高分子塑料为PET、PP、PE、PI或PC。
5.根据权利要求1所述的银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜，其特征在于，所述的银纳米线透明导电涂层厚度为10-500nm。
6.根据权利要求1所述的银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜，其特征在于，所述的保护层为树脂。
7.根据权利要求6所述的银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜，其特征在于，所述的保护层的厚度为5-5000nm。
8.根据权利要求6所述的银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜，其特征在于，所述的树脂为聚氨酯、丙烯酸树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂中的一种。
9.根据权利要求1所述的银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜，其特征在于，所述的透明导电氧化物为SnO2、InO、CdO、ZnO及其掺杂体系SnO2:F、SnO2:Sb、In2O3:Sn、ZnO:Al、ZnO:F中的一种。
10.根据权利要求9所述的银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜，其特征在于，所述的透明导电氧化物导电膜的厚度为2-500nm。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109390080A (zh) * 2018-11-16 2019-02-26 顾氏纳米科技（浙江）有限公司 一种银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜及其应用
CN110676798A (zh) * 2019-09-17 2020-01-10 全球能源互联网欧洲研究院 一种导电锥、电缆终端和电缆中间接头

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