CN209168759U - 一种银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜,属于光学技术领域。本实用新型导电膜依次包括一种衬底、附着衬底上的银纳米线透明导电涂层、保护层、透明导电氧化物层。银纳米线透明导电层厚度为10‑500纳米;保护层厚度为5‑5000nm;透明导电氧化物层厚度为2‑500nm。本实用新型导电膜可实现高光透过率、低方阻、高化学稳定性、高耐磨性和高匹配性等优点。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜,属于光学技术领域。
背景技术
透明导电膜因其具有高透光性和良好的导电性,被广泛应用于显示器件、调光玻璃和太阳能电池等领域。现行透明导电膜多为塑料或者玻璃上溅射透明导电氧化物(TCO),主要为氧化铟锡(ITO)、F掺杂ZnO(FZO)、Al掺杂ZnO(AZO)等,虽然实现了透明导电性,但其生产工艺复杂,成本大,而且方阻一般较大,脆性大,不可弯曲。
银纳米线是一种新兴导电纳米材料,直径多在10-500纳米之间,长度从几个微米到几百个微米。由银纳米线构成的导电薄膜,具有高透、低方阻以及柔性可挠曲等优点,被视为最可能取代金属氧化物导电薄膜的材料,可广泛应用于触摸屏、太阳能电池及有机发光二级光等。但由于银纳米线具有较高的化学活性,银纳米线导电膜耐候性、耐摩擦性等相比ITO而言略有不足,对下游材料和工艺需求较高,提高了下游生产成本。
实用新型内容
针对上述现有银纳米线导电膜或TCO导电膜缺点,本实用新型提供一种银纳米线和TCO复合透明导电膜,可实现高光透过率、低方阻、高化学稳定性、高耐摩擦性和高匹配性等优点。
本实用新型的第一个目的是提供一种银纳米线(AgNWs)和透明导电氧化物(TCO)复合透明导电膜,从下至上依次包括:一种衬底、附着衬底上的银纳米线透明导电涂层、保护层和透明导电氧化物层(TCO层)。
进一步地,所述衬底为高分子塑料,厚度为20-500微米。
进一步地,所述衬底为PET、PP、PE、PI或PC。
进一步地,所述的银纳米线透明导电膜厚度为10-500nm。
进一步地,所述的保护层为树脂。
进一步地,所述的保护层为聚氨酯、丙烯酸树脂、酚醛树脂或聚酰胺树脂中的一种或一种以上组合。
进一步地,所述的保护层的厚度为5-5000nm。
进一步地,所述的透明导电氧化物为SnO2、InO、CdO、ZnO及其掺杂体系SnO2:F、SnO2:Sb、In2O3:Sn、ZnO:Al、ZnO:F中的一种或者一种以上组合。
进一步地,所述的透明导电氧化物为氧化铟锡(ITO)、F掺杂ZnO(FZO)或Al掺杂ZnO(AZO)中的一种或一种以上组合。
进一步地,所述的透明导电氧化物层的厚度为2-500nm。
银纳米线透明导电膜起主要导电作用;保护层不仅能够提高银纳米线导电膜的化学稳定性和耐候性,而且增强了其附着能力,使其牢牢附着于衬底之上,同时又增加了与TCO层的结合力;TCO层增加了银纳米线层的导电能力,同时对银纳米线层进一步提供保护,增加其耐候性和化学稳定性,而且使膜材更适用于后端进一步加工处理。
本实用新型的有益效果:
1、稳定性高。本实用新型用保护层和TCO层对银纳米线薄膜提供双重保护,有效隔绝外部水汽,氧气与紫外线,使膜材具有高化学稳定性和耐候性。
2、导电膜与衬底结合力高,电阻率低,透过性高。
3、高匹配性。表层所用为TCO,后端进一步加工时无需更改原物料和工艺,适应性强。
4、成本低。相比传统TCO导电膜,同等方阻下,由于复合膜以银纳米线为主要导电层,具有更低成本优势。
附图说明
图1是本实用新型复合导电膜的结构示意图,其中,1、衬底;2、银纳米线透明导电涂层;3、保护层;4、TCO导电层。
具体实施方式
下面结合附图和具体实案例,对本实用新型做进一步描述:
实施例1:
选用厚度为50微米的PET作为基材,在上面涂布银纳米线墨水,经干燥固化后,得到厚度为40nm的透明导电膜。然后在导电膜上继续涂布树脂得到保护层,所得保护层厚度为50nm,然后溅渡FZO层,厚度为10nm。得到银纳米线和FZO复合导电膜。
实施例2:
选用厚度为50微米的PET作为基材,在上面涂布银纳米线墨水,经干燥固化后,得到厚度为40nm的透明导电膜。然后在导电膜上继续涂布树脂得到保护层,所得保护层厚度为50nm,然后溅渡AZO层,厚度为20nm。得到银纳米线和AZO复合导电膜。
实施例3:
选用厚度为50微米的PET作为基材,在上面涂布银纳米线墨水,经干燥固化后,得到厚度为80nm的透明导电膜。然后在导电膜上继续涂布树脂得到保护层,所得保护层厚度为50nm,然后溅渡ITO层,厚度为10nm。得到银纳米线和ITO复合导电膜。
实施例4:
选用厚度为125微米的PET作为基材,在上面涂布银纳米线墨水,经干燥固化后,得到厚度为40nm的透明导电膜。然后在导电膜上继续涂布树脂得到保护层,所得保护层厚度为50nm,然后溅渡ITO层,厚度为10nm。得到银纳米线和ITO复合导电膜。
实施例5:
选用厚度为50微米的PET作为基材,在上面涂布银纳米线墨水,经干燥固化后,得到厚度为40nm的透明导电膜。然后在导电膜上继续涂布树脂得到保护层,所得保护层厚度为100nm,然后溅渡ITO层,厚度为10nm。得到银纳米线和ITO复合导电膜。
对比例1:
用厚度为50微米的PET作为基材,在上面涂布银纳米线墨水,经干燥固化后,得到厚度为40nm的透明导电膜。然后在导电膜上继续涂布树脂得到保护层,所得保护层厚度为50nm。
表1导电膜的方阻与透过率
类别 | 实施例1 | 实施例2 | 实施例3 | 实施例4 | 实施例5 | 对比例1 |
方阻(Ω/sq) | 50.0 | 36.3 | 25.0 | 50.0 | 50.0 | 80 |
透过率 | 93% | 91% | 90% | 92% | 93% | 94% |
以上所述实施例仅是为充分说明本实用新型而所举的较佳的实施例,本实用新型的保护范围不限于此。本技术领域的技术人员在本实用新型基础上所作的等同替代或变换,均在本实用新型的保护范围之内。本实用新型的保护范围以权利要求书为准。
Claims (10)
1.一种银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜,其特征在于,依次包括:包括一种衬底、附着衬底上的银纳米线透明导电涂层、保护层、透明导电氧化物层。
2.根据权利要求1所述的银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜,其特征在于,所述的衬底为高分子塑料。
3.根据权利要求1所述的银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜,其特征在于,厚度为20-500微米。
4.根据权利要求2所述的银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜,其特征在于,所述的高分子塑料为PET、PP、PE、PI或PC。
5.根据权利要求1所述的银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜,其特征在于,所述的银纳米线透明导电涂层厚度为10-500nm。
6.根据权利要求1所述的银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜,其特征在于,所述的保护层为树脂。
7.根据权利要求6所述的银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜,其特征在于,所述的保护层的厚度为5-5000nm。
8.根据权利要求6所述的银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜,其特征在于,所述的树脂为聚氨酯、丙烯酸树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂中的一种。
9.根据权利要求1所述的银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜,其特征在于,所述的透明导电氧化物为SnO2、InO、CdO、ZnO及其掺杂体系SnO2:F、SnO2:Sb、In2O3:Sn、ZnO:Al、ZnO:F中的一种。
10.根据权利要求9所述的银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜,其特征在于,所述的透明导电氧化物导电膜的厚度为2-500nm。
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CN201821896166.6U CN209168759U (zh) | 2018-11-16 | 2018-11-16 | 一种银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜 |
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Cited By (2)
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CN109390080A (zh) * | 2018-11-16 | 2019-02-26 | 顾氏纳米科技(浙江)有限公司 | 一种银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜及其应用 |
CN110676798A (zh) * | 2019-09-17 | 2020-01-10 | 全球能源互联网欧洲研究院 | 一种导电锥、电缆终端和电缆中间接头 |
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