CN209055948U - 一种掉电保护电路 - Google Patents

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Abstract

一种掉电保护电路,包括:MOS管Q1,用于控制电源的开断;MOS管控制电路,与MOS管的G极连接;CPU检测电路,用于将电源控制开关K1的开合状态转换为低电平信号或高电平信号;CPU控制电路,与MOS管控制电路连接;CPU检测电路和CPU控制电路连接CPU;CPU根据CPU检测电路反馈的高电平信号对接入电源的设备进行断电操作;CPU控制电路,根据接入电源的设备的断电情况向MOS管控制电路输入高电平信号或低电平信号;MOS管控制电路,根据电源控制开关K1的开断信号和CPU控制电路的电平信号使MOS管Q1的G极为低电平或高电平以控制MOS管Q1的导通或关断。电源的开断通过一个MOS管来控制,MOS管的导通是由设备电源开关和若干软开关共同决定。

Description

一种掉电保护电路
技术领域
本发明涉及掉电/断电保护,尤其涉及一种设备硬关机中的掉电保护电路。
背景技术
目前所使用的硬件***中,采用的是开关键直接串联在电源线上,开机即接通电源,设备上电,关机则直接切断电源,设备断电停止运行,即使软件***正在处理数据还没有保存。这样设备经常硬关机,电子组件的寿命会大打折扣,且正在处理或未处理完的数据无法及时保存。因此,需要针对这种在软硬件***中的设备硬关机容易损坏硬件、且无法自动保存数据的问题,进行有效改进。
发明内容
本发明的目的在于克服在硬关机情况下无法自动保存数据、及硬关机对硬件损坏的问题,提供一种掉电保护电路,电源的开断通过一个MOS管来控制,MOS管的导通是由设备电源开关和若干软开关共同决定。
本发明通过以下技术方案实现:
一种掉电保护电路,包括连接输入电源的电源控制开关K1,其特征在于,还包括:
MOS管Q1,设置于输入电源和输出电源之间,用于控制电源的开断;
MOS管控制电路,与所述MOS管的G极连接,还与所述电源控制开关K1另一端连接;
CPU检测电路,与所述MOS管控制电路连接,用于将所述电源控制开关K1的开合状态转换为低电平信号或高电平信号;
CPU控制电路,与所述MOS管控制电路连接;
所述CPU检测电路和所述CPU控制电路连接CPU;
所述CPU,根据CPU检测电路反馈的高电平信号对接入电源的设备进行断电操作;
所述CPU控制电路,根据接入电源的设备的断电情况向MOS管控制电路输入高电平信号或低电平信号;
所述MOS管控制电路,根据电源控制开关K1的开断信号和CPU控制电路的电平信号使MOS管Q1的G极为低电平或高电平以控制MOS管Q1的导通或关断。
根据上述构思,所述MOS管控制电路,包括:
与输入电源连接的限流电阻R2,并联在限流电阻R2两端的稳压管D1,与限流电阻R2串联的限流电阻R5,C极连接限流电阻R5、E极连接SGND的三极管Q2,与电源控制开关K1另一端连接的分压电阻R3,与分压电阻R3串联的分压电阻R8;
三极管Q2的B极连接在分压电阻R3和分压电阻R8之间;
MOS管Q1的G极连接在限流电阻R2和限流电阻R5之间;
还包括光电耦合器U3,光电耦合器U3的管脚4连接三极管Q2的C极,管脚3连接三极管Q2的E极,管脚2连接GND,管脚1连接CPU控制电路。
根据上述构思,所述CPU检测电路,包括光电耦合器U2和拉升电阻R4,光电耦合器U2的管脚1和管脚2连接在分压电阻R3和分压电阻R8之间,管脚2连接三极管Q2的B极,管脚3连接GND,管脚4连接拉升电阻R4和CPU,拉升电阻R4连接电源VDD2。
根据上述构思,所述CPU控制电路,包括若干组分别与接入电源的设备连接的控制组件,所述控制组件,包括依次串联的开关二极管、第一电阻、第二电阻,第二电阻连接GND,开关二极管的连接光电耦合器U3的管脚1,第一电阻和第二电阻的连接处与对应的接入电源的设备连接。
进一步的,所述CPU控制电路,包括两组分别与接入电源的设备连接的控制组件:
第一组控制组件,包括依次串联的开关二极管D2、电阻R6、电阻R9,电阻R9连接GND,开关二极管D2的连接光电耦合器U3的管脚1,电阻R6和电阻R9的连接处与对应的接入电源的设备连接;
第二控制组件,包括依次串联的开关二极管D3、电阻R7、电阻R10,电阻R10连接GND,开关二极管D3的连接光电耦合器U3的管脚1,电阻R7和电阻R10的连接处与对应的接入电源的设备连接。
具体的,所述MOS管Q1为PMOS管。
具体的,所述三极管Q2为NPN型。
具体的,所述CPU,根据CPU检测电路反馈的高电平信号进行磁盘同步保存数据,保存完毕后对接入电源的设备进行断电操作。
本发明的有益效果是:
1)、设备开关控制断电不会直接强制关机,避免直接硬关机导致的硬件故障;
2)、设备开关控制断电会由软件操作完毕后触发,保证了关机软件数据不丢失,避免由直接硬关机导致的软件故障;
3)、增加CPU检测电路,CPU可以检测到用户关机动作,从而做相应处理;
4)、电源电路和控制电路隔离,可以实现对不同输入电压的控制;
5)、可以实现多设备/主板对电源的联合控制,互不干扰。
附图说明
图1是本发明的电路结构框图。
图2是本发明的工作流程图。
图3是本发明的一种实施方式电路图。
具体实施方式
本实用新型提供一种硬关机和软关机相结合的方案。电源的开断通过一个MOS管来控制,MOS管的导通是由设备开关和若干个主控板的软件开关共同决定:设备开关和若干软件开关有一个打开,则MOS管接通电源;设备开关和若干软件开关都断开,则MOS管切断电源。
本方案实现了硬件和软件对电源的联合控制,当用户拨动设备电源开关进行关电操作之后,软件进行磁盘同步保存数据,完毕后进行拉低软件开关关闭电源,当所有软件开关都拉低后,MOS管切断电源实现断电。
如图1所示为本发明的电路结构框图。
本实用新型采用PMOS管作为电源的通断开关,PMOS的VGS是负电平驱动。
当有人拨动电源控制开关K1上电后,MOS管控制电路将PMOS管的G极拉为预设的低电平,驱动PMOS管导通,CPU上电。CPU上电后,通过CPU检测电路检测到K1开关为闭合状态,同时将Pwrctl拉为高电平,通过MOS控制电路将PMOS的G极拉为低电平(如果有多个主板/设备,则board2,board3……均实现将PMOS的G极拉低),保持PMOS开启状态。
当有人拨动电源控制开关K1使其断开后,K1处不再拉为高电平,但Pwrctl处仍然是高电平,即MOS管控制电路仍然将PMOS的G极拉为低电平,PMOS继续保持导通,设备供电保持正常。在K1断开后,CPU检测电路会检测到K1的断开,表示有人要关机,则CPU进入关机流程:保存数据,进行磁盘同步,完毕后拉低Pwrctl管脚以控制PMOS切断电源,当所有的设备/主板都拉低Pwrctl后,PMOS切断电源完成设备断电。
MOS管控制电路第一部分是由一个NPN三极管开关电路控制,当K1闭合,三级管基极被拉高,BE导通,控制CE导通,从而控制PMOS导通上电。
MOS管控制电路第二部分是光电耦合器电路组成,光电耦合器的作用有两个:
第一个作用是开关控制PMOS,当Pwrctl管脚被拉高以后,即光耦的输入端接收到控制信号,光耦的输出端将会把PMOS的G极拉低,保持PMOS的导通;
第二个作用就是将设备输入的高电压电源(48V,也可以是其他电压)和CPU的低电压电源(3.3V及以下)隔离开。
光电耦合器的输入端采用二极管并联的多输入电路,作用是多个输入端互不干扰,且输入取值达到多个输入值的“或”关系(只要有一个输入为高,则输出为高;只有全部输入为低其电路的输出才为低)。
CPU检测电路也采用的是与K1串联的一个光电耦合电路,当K1闭合后,光耦的输入端有电流通过,光耦的输出端CPU管脚被拉为低电平;当K1断开后,光耦的输入端没有电流通过,则其输出端断开,CPU管脚被上拉为高电平。
CPU通过检测不同的电平值来检测K1的开合状态。这里的光电耦合电路也有两个作用:一个是作为开关电路来检测K1的开关状态,另一个作用也是将设备的高压电源与CPU的低压电源给隔离开。
具体的,本发明的工作流程如图2所示。
如图3所示,为本发明的一种实施例。
用户拨动开关K1给设备上电,K1闭合后,导致U2的输入导通,通过R3和R8的分压使Q2的VBE=0.6V(R3和R8的限流使U2工作在正常电流范围),从而Q2的CE极导通。Q2的CE极导通之后,稳压管D1开始工作(R2和R5的限流使Q2及Q1工作在正常电流范围),D1的作用是把Q1的VGS稳定在-16V(使Q1导通的正常电压范围),从而Q1导通,后级DC-DC电源上电,VDD上电后各主控板/各设备开始工作,CPU检测到U2将PWR_Status拉低之后将各自的Pwrctl上拉为高电平,此时U3和Q2同时作用将R5拉为低电平,Q1工作状态不变,***上电完毕。
当用户拨动开关K1将设备断电,K1断开,此时U2无输入=0V,Q2的VBE=0V,Q2的CE极断开,但由于U3还保持原来状态继续工作的,R5依然被拉为低电平,Q1继续保持原来的状态给后级DC-DC供电,各主控板/各设备工作正常。由于U2输入为0,则其输出断开,R4将PWR_Status拉为高电平,CPU检测到PWR_Status为高电平后,开始断电流程:保存正在工作的数据,进行磁盘同步,完毕后将对应的Pwrctl拉为低电平。当Board1_Pwrctl拉为低电平后,Board1_Pwrctl不再给U3输入任何电压,但由于D2的作用,如果Board2_Pwrctl未拉为低电平,其不会把U3的输入拉为低电平,U3继续保持原来的工作状态。只有Board1_Pwrctl和Board2_Pwrctl都拉为低电平之后,U3输入电压=0V,此时U3和Q2的输出极均工作在断开状态,此时Q1的VGS=0V,从而Q1将后级电源断开,***断电完毕。
支持的设备输入电压由限流电阻来控制,设备支持18V~72V的直流电源输入,当R3=16.2K时(根据不同的电阻功率可进行不同的串并联组合实现),
IR3=(UVCC_IN-0.6V-1.2V)/R3=(UVCC_IN-1.8V)/R3
此时其通过的电流在1 mA~4.3mA之间(U2的压降为1.2V,Q2的Vbe=0.6V)。R2和R5分别设置为16K,Q2的VCE=0.4V,当VCC_IN在18V~32.4V时:
IR2=IR5=(UVCC_IN-0.4V) /(R2+R5)= (UVCC_IN-0.4V)/16k;
在0.55mA~1mA之间;
当VCC_IN在32.4V~72V时:
IR2=16V/16K=1mA,
IR5=(UVCC_IN-0.4V-16V)/R5=(UVCC_IN-16.4V)/R5,
IR5在1mA~3.48mA之间。
本发明的应用,可以解决卫星调制解调器设备在硬关机情况下无法自动保存数据,及硬关机对硬件损坏的问题。
应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施方式而已,并不用于限定本发明的保护范围,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种掉电保护电路,包括连接输入电源的电源控制开关K1,其特征在于,还包括:
MOS管Q1,设置于输入电源和输出电源之间,用于控制电源的开断;
MOS管控制电路,与所述MOS管的G极连接,还与所述电源控制开关K1另一端连接;
CPU检测电路,与所述MOS管控制电路连接,用于将所述电源控制开关K1的开合状态转换为低电平信号或高电平信号;
CPU控制电路,与所述MOS管控制电路连接;
所述CPU检测电路和所述CPU控制电路连接CPU;
所述CPU,根据CPU检测电路反馈的高电平信号对接入电源的设备进行断电操作;
所述CPU控制电路,根据接入电源的设备的断电情况向MOS管控制电路输入高电平信号或低电平信号;
所述MOS管控制电路,根据电源控制开关K1的开断信号和CPU控制电路的电平信号使MOS管Q1的G极为低电平或高电平以控制MOS管Q1的导通或关断。
2.根据权利要求1所述的掉电保护电路,其特征在于,所述MOS管控制电路,包括:
与输入电源连接的限流电阻R2,并联在限流电阻R2两端的稳压管D1,与限流电阻R2串联的限流电阻R5,C极连接限流电阻R5、E极连接SGND的三极管Q2,与电源控制开关K1另一端连接的分压电阻R3,与分压电阻R3串联的分压电阻R8;
三极管Q2的B极连接在分压电阻R3和分压电阻R8之间;
MOS管Q1的G极连接在限流电阻R2和限流电阻R5之间;
还包括光电耦合器U3,光电耦合器U3的管脚4连接三极管Q2的C极,管脚3连接三极管Q2的E极,管脚2连接GND,管脚1连接CPU控制电路。
3.根据权利要求2所述的掉电保护电路,其特征在于,所述CPU检测电路,包括光电耦合器U2和拉升电阻R4,光电耦合器U2的管脚1和管脚2连接在分压电阻R3和分压电阻R8之间,管脚2连接三极管Q2的B极,管脚3连接GND,管脚4连接拉升电阻R4和CPU,拉升电阻R4连接电源VDD2。
4.根据权利要求2所述的掉电保护电路,其特征在于,所述CPU控制电路,包括若干组分别与接入电源的设备连接的控制组件,所述控制组件,包括依次串联的开关二极管、第一电阻、第二电阻,第二电阻连接GND,开关二极管的连接光电耦合器U3的管脚1,第一电阻和第二电阻的连接处与对应的接入电源的设备连接。
5.根据权利要求4所述的掉电保护电路,其特征在于,所述CPU控制电路,包括两组分别与接入电源的设备连接的控制组件:
第一组控制组件,包括依次串联的开关二极管D2、电阻R6、电阻R9,电阻R9连接GND,开关二极管D2的连接光电耦合器U3的管脚1,电阻R6和电阻R9的连接处与对应的接入电源的设备连接;
第二控制组件,包括依次串联的开关二极管D3、电阻R7、电阻R10,电阻R10连接GND,开关二极管D3的连接光电耦合器U3的管脚1,电阻R7和电阻R10的连接处与对应的接入电源的设备连接。
6.根据权利要求1所述的掉电保护电路,其特征在于,所述MOS管Q1为PMOS管。
7.根据权利要求1所述的掉电保护电路,其特征在于,所述三极管Q2为NPN型。
8.根据权利要求1所述的掉电保护电路,其特征在于,所述CPU,根据CPU检测电路反馈的高电平信号进行磁盘同步保存数据,保存完毕后对接入电源的设备进行断电操作。
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WO2022134813A1 (zh) * 2020-12-23 2022-06-30 微创优通医疗科技(嘉兴)有限公司 开关控制电路以及内窥镜***

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