CN209015727U - 一种透明导电膜以及触摸屏 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种透明导电膜和触摸屏，透明导电膜包括从下到上依次设置的透明基板层、第一ITO层、透明金属层和第二ITO层，所述透明金属层的厚度小于等于40nm。所述透明导电膜和触摸屏，通过采用三明治结构，在第一ITO与第二ITO层之间设置透明金属层，利用金属层的厚度在小于40nm时透明的这一特征，同时由于相同厚度的金属层的电阻率远低于ITO的电阻率，使得在加入透明金属层之后，所述透明导电膜的方块电阻快速下降，就使得无需将第一ITO层或第二ITO层的厚度加大，在获得低阻产品的同时，由于整个透明导电膜的厚度较小，不容易发生脱落，提高了产品的可靠性，利用第一ITO层、第二ITO层对所述透明金属层进行保护，提高了产品的耐候性。
Description
技术领域
本实用新型涉及透明导电技术领域，特别是涉及一种透明导电膜以及触摸屏。
背景技术
由于在一些器件，如LED、激光器和触摸屏等，在发光部分需要设置电极，而一般的电极为不透明的，使得在器件的出光部分被电极阻挡，造成出光率下降，器件的发光亮度不理想，同时由于部分出光被阻挡，造成器件对这部分光的吸收而产生热量，造成器件的温度上升，可靠性下降。而透明导电膜的使用，不管在太阳能电池上主要用作电池的透明电极或减反射膜，还是在其它方面，在作为电极的同时，还能够不减少出光效率，提高了的器件的工作效率。对透明导电膜的要求是载流子浓度高、带隙宽度大、光电特性好、化学性质稳定、较低的电阻率、机械强度高以及优良的耐磨损性等。
传统的透明导电膜为ITO导电膜，ITO薄膜是一种半导体透明薄膜，是氧化铟锡(indium tin oxide)简称，作为透明导电电极，要求ITO薄膜有良好的透明性和导电性。而ITO薄膜在触摸屏等方面也在大规模的应用。
但是，随着产品尺寸的不断增加，传统的ITO薄膜由于其较大的面电阻，使得其耗电严重，而且产品的温度升高较为明显。ITO属于透明导电膜，但是ITO如果需要做到方块电阻小于10欧姆时，需要镀很厚的膜层，这样做会产生两个问题：
第一，效率低。
第二，太厚的膜层由于应力原因容易脱落。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供了一种透明导电膜和触摸屏，在厚度不变的前提下，降低了产品的方阻。
为解决上述技术问题，本实用新型实施例提供了一种透明导电膜，包括从下到上依次设置的透明基板层、第一ITO层、透明金属层和第二ITO层，所述透明金属层的厚度小于等于40nm。
其中，所述透明金属层为金透明金属层、银透明金属层或铜透明金属层。
其中，所述透明金属层的厚度为3nm～30nm。
其中，所述透明基板层为PET透明基板层、PMMA透明基板层、PP透明基板层、PS透明基板层、PEN透明基板层或PC透明基板层。
其中，所述透明基板层的厚度为5μm～200μm。
其中，所述第一ITO层和所述第二ITO层的厚度相等。
除此之外，本实用新型实施例还提供了一种触摸屏，包括如上所述透明导电膜。
本实用新型实施例所提供的透明导电膜和触摸屏，与现有技术相比，具有以下优点：
所述透明导电膜和触摸屏，通过采用三明治结构，在第一ITO与第二ITO 层之间设置透明金属层，利用金属层的厚度在小于40nm时透明的这一特征，同时由于相同厚度的金属层的电阻率远低于ITO的电阻率，使得在加入透明金属层之后，所述透明导电膜的方块电阻快速下降，就使得无需将第一ITO 层或第二ITO层的厚度加大，在获得低阻产品的同时，由于整个透明导电膜的厚度较小，不容易发生脱落，提高了产品的可靠性，利用第一ITO层、第二ITO层对所述透明金属层进行保护，提高了产品的耐候性。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型实施例提供的透明导电膜的一种具体实施方式的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参考图1，图1为本实用新型实施例提供的透明导电膜的一种具体实施方式的结构示意图。
在一种具体实施方式中，所述透明导电膜，包括从下到上依次设置的透明基板层10、第一ITO层20、透明金属层30和第二ITO层40，所述透明金属层30的厚度小于等于40nm。
通过采用三明治结构，在第一ITO与第二ITO层40之间设置透明金属层30，利用金属层的厚度在小于40nm时透明的这一特征，同时由于相同厚度的金属层的电阻率远低于ITO的电阻率，使得在加入透明金属层30之后，所述透明导电膜的方块电阻快速下降，就使得无需将第一ITO层20或第二 ITO层40的厚度加大，在获得低阻产品的同时，由于整个透明导电膜的厚度较小，不容易发生脱落，提高了产品的可靠性，利用第一ITO层20、第二ITO 层40对所述透明金属层30进行保护，提高了产品的耐候性。
耐候性，是指材料如涂料、建筑用塑料、橡胶制品等，应用于室外经受气候的考验，如光照、冷热、风雨、细菌等造成的综合破坏，其耐受能力叫耐候性。
本实用新型中的透明导电膜，与传统的透明导电薄膜，如ITO和石墨烯等，区别在于，现有的ITO和石墨烯等都是采用一整层作为透明导电层，各个位置处的电学和化学性质是基本相同的，都是同一种材质。而本实用新型中的透明导电膜，是在第一ITO层20、第二ITO层40之间设置透明金属层 30，由于传统的金属层是不透明的，而在本实用新型中透明金属层30的厚度小于等于40nm，这时其转变为透明的，利用其低电阻的特性，降低整个透明导电膜的方阻，传统的ITO层如果需要达到方阻小于10欧姆时需要镀设很厚的膜层，而采用这种结构，由于透明金属层30的电阻率远低于ITO，使得可以大幅减少其整体电阻率。本实用新型中的透明金属层30不直接与其它器件接触，这时因为其一般只有不到40nm的厚度，非常脆弱，极其容易被损坏，因此在其两面设置第一ITO层20和第二ITO层40，使得整个透明导电膜成为既含有传统的ITO也含有金属的混合物。
本实用新型对于透明金属层30的厚度以及材质不做限定，所述透明金属层30可以为金透明金属层，也可以为银透明金属层，还可以为铜透明金属层，或者是其它材质的透明金属层，或者合金层，只要能够成为透明的，性质稳定即可。
一般，所述透明金属层30的厚度为3nm～30nm。
本实用新型对于透明金属层30的设置方式不做限定，在本实用新型中，由于透明导电膜的透过率随着透明金属层30以及第一ITO层20和第二ITO 层40的厚度变化而变化，工作人员可以通过调节透明金属层30和第一ITO 层20和第二ITO层40的厚度进行改变。
本实用新型中透明金属层30和第一ITO层20和第二ITO层40一般都是通过磁控溅射的方式进行制作的，当然，也可以采用其它的方式，如ITO 层可以采用蒸镀的方式设置。
在本实用新型中，由于第一ITO层20和第二ITO层40可以采用现有的设备和工艺进行制作，而透明金属层30的设置也可以采用磁控溅射等传统的工艺，使得整个透明导电膜的工艺简单，而且增加的工艺流程极为有限，增加成本有限。
本实用新型中对于透明基板层10的材质以及厚度不做限定，所述透明基板层10可以为PET透明基板层、PMMA透明基板层、PP透明基板层、PS 透明基板层、PEN透明基板层、PC透明基板层中的任意一种，或者采用其它的材质。
一般，所述透明基板层10的厚度为5μm～200μm。
本实用新型中为了进一步降低工艺难度，一般所述第一ITO层20和所述第二ITO层40的厚度相等。
本实用新型中的第一ITO层20作为过渡层，实现透明基板层10与透明金属层30的过渡，第二ITO层40作为整个透明导电膜的外部保护层，工作人员可以根据不同的需要，如使用环境的温度、需要的透光率、耐磨等特性，选择合适的厚度。
除此之外，本实用新型实施例还提供了一种触摸屏，包括如上所述透明导电膜。
由于所述触摸屏包括如上所述透明导电膜，具有相同的有益效果，本实用新型在此不再赘述。
综上所述，本实用新型实施例提供的透明导电膜和触摸屏，通过采用三明治结构，在第一ITO与第二ITO层之间设置透明金属层，利用金属层的厚度在小于40nm时透明的这一特征，同时由于相同厚度的金属层的电阻率远低于ITO的电阻率，使得在加入透明金属层之后，所述透明导电膜的方块电阻快速下降，就使得无需将第一ITO层或第二ITO层的厚度加大，在获得低阻产品的同时，由于整个透明导电膜的厚度较小，不容易发生脱落，提高了产品的可靠性，利用第一ITO层、第二ITO层对所述透明金属层进行保护，提高了产品的耐候性。
以上对本实用新型所提供的透明导电膜和触摸屏进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以对本实用新型进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本实用新型权利要求的保护范围内。
Claims (7)
1.一种透明导电膜，其特征在于，包括从下到上依次设置的透明基板层、第一ITO层、透明金属层和第二ITO层，所述透明金属层的厚度小于等于40nm。
2.如权利要求1所述透明导电膜，其特征在于，所述透明金属层为金透明金属层、银透明金属层或铜透明金属层。
3.如权利要求2所述透明导电膜，其特征在于，所述透明金属层的厚度为3nm～30nm。
4.如权利要求3所述透明导电膜，其特征在于，所述透明基板层为PET透明基板层、PMMA透明基板层、PP透明基板层、PS透明基板层、PEN透明基板层或PC透明基板层。
5.如权利要求4所述透明导电膜，其特征在于，所述透明基板层的厚度为5μm～200μm。
6.如权利要求5所述透明导电膜，其特征在于，所述第一ITO层和所述第二ITO层的厚度相等。
7.一种触摸屏，其特征在于，包括如权利要求1-6任意一项所述透明导电膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201821632157.6U CN209015727U (zh) | 2018-10-08 | 2018-10-08 | 一种透明导电膜以及触摸屏 |
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| CN201821632157.6U CN209015727U (zh) | 2018-10-08 | 2018-10-08 | 一种透明导电膜以及触摸屏 |
Publications (1)
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| CN209015727U true CN209015727U (zh) | 2019-06-21 |
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Family Applications (1)
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| CN201821632157.6U Active CN209015727U (zh) | 2018-10-08 | 2018-10-08 | 一种透明导电膜以及触摸屏 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN209015727U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113130674A (zh) * | 2021-03-18 | 2021-07-16 | 上海交通大学 | 一种具有ito电极的垂直型锗硅光电探测器及其制备方法 |
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2018
- 2018-10-08 CN CN201821632157.6U patent/CN209015727U/zh active Active
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| CN113130674A (zh) * | 2021-03-18 | 2021-07-16 | 上海交通大学 | 一种具有ito电极的垂直型锗硅光电探测器及其制备方法 |
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