CN208970500U - 新型多框架复合半导体封装结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种新型多框架复合半导体封装结构，包括壳体、金属主外框架、引脚，所述金属主外框架设置在壳体内或部分外露在壳体外，所述金属主外框架上设置有至少一个内框架，在该内框架上设置有电子元件，在该金属主外框架上还设有半导体晶圆，所述金属主外框架上的内框架和半导体晶圆设置在同一平面上。本实用新型在于提供一种多框架，在半导体封装有限空间面积内可以放置更多的元件或半导体晶圆的新型多框架复合半导体封装结构。

Description

新型多框架复合半导体封装结构

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域，尤其涉及新型多框架复合半导体封装结构。

背景技术

传统的半导体封装基本是单一框架,要么用封装基板,要么用金属框架,面临基岛面积有限,很难装载多晶圆,或者晶圆和器件复合封装产品,特别是需要装载功率半导体晶圆在金属主外框架上,同时还要把带多元件的驱动或控制电路又要复合封装在其中时,电气连接和隔离的,空间面积的有限都让传统的封装结构无法完成。

但是，随着产品的功能和要求越来越多,用户对产品又要求轻薄短小,这种传统的封装结构已经不能放置足够多的晶圆和电路产品，因此需要研发一种复合多框架封装结构,为满足未来新型特别是大功率复合半导体的的需求。

中国专利申请号为201820017640.7，申请日：2018年01月05日，公开日：2018年07月24日，专利名称是：半导体封装体及导线框架条，该实用新型涉及半导体封装体及导线框架条。根据本实用新型一实施例的导线框架条，其包括承载片、散热片以及若干管脚。其中，该承载片具有第一厚度，且具有设置于第一表面上的承载区与设置于第二表面上的散热区，第一表面与第二表面相对；该散热片具有第二厚度，且与该承载片的第一侧连接；若干管脚具有第三厚度，且自承载片的第二侧向外延伸，第一侧与第二侧相对。此外，散热区与若干管脚不直接接触，且第一厚度大于第二厚度以及第三厚度。本实用新型提供的半导体封装体及导线框架条具有厚度较管脚厚的承载片，可以有效地将高功率芯片产生的热量传导到外界，提高了半导体封装体的散热性能。

上述专利文献虽然公开了一种半导体封装体及导线框架条，该半导体封装体虽然提高了散热性能，但是在封装结构上并不能够更多放置电子元件和半导体晶圆，不能满足市场发展的需求。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供一种多框架，在半导体封装有限空间面积内可以放置更多的元件或半导体晶圆的新型多框架复合半导体封装结构。

为了实现本实用新型目的，可以采取以下技术方案：

一种新型多框架复合半导体封装结构，包括壳体、金属主外框架、引脚，所述金属主外框架设置在壳体内，所述金属主外框架上设置有至少一个内框架，在该内框架上设置有电子元件，在该金属主外框架上还设有半导体晶圆，所述金属主外框架上的内框架和半导体晶圆设置在同一平面上。

所述壳体为胶体材料制成。

所述金属主外框架一部分延伸出所述壳体。

所述金属主外框架为铝制外框架。

所述内框架为2个或3个或5个。

所述所述内框架上元件和半导体晶圆之间有电气连接。

本实用新型的有益效果是：1)本实用新型设置多个内框架，增加了半导体封装体内部空间面积，可以放置更多的半导体晶圆或电子元件，满足了市场发展需求；2)本实用新型内框架可提供电气连接,减少了金属丝打线量,降低了工艺难度和复杂度；3)本实用新型提高了空间使用率，增加了电子元件的放置数量，符合半导体封装未来发展的需要，适于广泛推广。

附图说明

图1为本实用新型实施例新型多框架复合半导体封装结构的结构示意图；

图2为本实用新型实施例新型多框架复合半导体封装结构的侧面剖视图；

图3为本实用新型实施例新型多框架复合半导体封装结构的正面内部透视图。

具体实施方式

下面结合附图及本实用新型的实施例对实用新型作进一步详细的说明。

实施例1

参看图1，图2，图3，该新型多框架复合半导体封装结构，包括壳体1、金属主外框架2、引脚3，所述金属主外框架2设置在壳体1内，所述金属主外框架2上设置有至少一个内框架3，在该内框架3上设置有电子元件4，在该金属主外框架2上还设有半导体晶圆5，所述金属主外框架2上的内框架3和半导体晶圆5设置在同一平面上，无叠加。

所述内框架3材料的选择可让部分电路和外框架2的的半导体晶圆5间电气隔离。

优选地，在所述壳体1的顶部上设有通孔11。

优选地，所述壳体1为胶体材料制成。由于本实用新型壳体1外部为胶体不仅保证了本实用新型的硬度而且对壳体1内部的各个部件起到了保护作用。

优选地，所述金属主外框架2为铜制外框架，该金属主外框架2为铜制框架不仅轻便，而且成本低廉，符合半导体封装材质的需求。

所述金属主外框架2一部分延伸出所述壳体1。该金属主外框架2延伸出壳体1部分，使本实用新型提高了散热性能，使半导体封装体可以更好地散热。本实用新型所述的金属主外框架2不仅可以装置半导体晶圆，同时也起到了散热的作用，某些场合还可以起到和外部电器连接作用。

本实施例中，所述所述内框架3可以设置为2个或3个或5个，甚至更多个。由于增加了内框架3的数量，同时，放置在内框架3上的电子元件或晶圆也会增多，这样，就是在半导体封装结构内有限的空间内增加了更多的电子元件或晶圆，可以使半导体功能或作用大大提高。

本实施例中，在所述的内框架3的上面可以装载控制电路，也可装载元件或晶圆，并提供该内框架3上部分元件的电气连接作用。根据实际需要，还可以作为提供内框架3电路和金属主外框架2间的电气连接作用，减少了金属丝打线量,降低了工艺难度和复杂度。该内框架3的材质为印刷电路板。

实施例2

参看图1，图2，图3，与上述实施例的不同之处在于，所述内框架3上元件和半导体晶圆5之间有电气连接。所述内框架3和半导体晶圆5之间有连接线6。通过该连接线6使内框架3和半导体晶圆5之间为电气连接。

本实用新型封装结构可以装置多元件,多晶圆,并且需要利用金属主外框架2设计的复合功率半导体变得简单可行,同时降低了封装打线,元件间绝缘处理,也降低了多元件密集封装的工艺难度。

以上所述，仅为本实用新型的较佳实施例而已，并非用于限定本实用新型的保护范围。

Claims (6)

1.一种新型多框架复合半导体封装结构，包括壳体、金属主外框架、引脚，所述金属主外框架设置在壳体内，其特征在于：所述金属主外框架上设置有至少一个内框架，在该内框架上设置有电子元件，在该金属主外框架上还设有半导体晶圆，所述金属主外框架上的内框架和半导体晶圆设置在同一平面上。

2.根据权利要求1所述的新型多框架复合半导体封装结构，其特征在于：所述壳体为胶体材料制成。

3.根据权利要求1所述的新型多框架复合半导体封装结构，其特征在于：所述金属主外框架一部分延伸出所述壳体。

4.根据权利要求1所述的新型多框架复合半导体封装结构，其特征在于：所述金属主外框架为铝制外框架。

5.根据权利要求1所述的新型多框架复合半导体封装结构，其特征在于：所述内框架为2个或3个或5个。

6.根据权利要求1-5任一所述的新型多框架复合半导体封装结构，其特征在于：所述内框架上元件和半导体晶圆之间有电气连接。