CN208704887U - 一种半导体制冷管式黑体辐射源 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公布了一种半导体制冷管式黑体辐射源，包括设有辐射源的辐射靶芯和包围在辐射靶芯周围的冷却媒介，所述冷却媒介包括半导体制冷片和水冷散热装置，其中，半导体制冷片的冷端紧贴在辐射靶芯的外表面，半导体制冷片的热端贴在水冷散热装置上；结构简单，重量轻，便于携带，能够快速升降温，温度稳定时间短，温场均匀性好。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种黑体辐射源，特别涉及一种半导体制冷管式黑体辐射源。
背景技术
现有的低温黑体辐射源，多用恒温油槽做为介质加热或制冷黑体腔形靶芯，升降温速度和稳定速度很慢。有的用半导体制冷的黑体辐射源，也只是平面辐射源，发射率远低于腔体辐射源。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术的缺点与不足，提供一种黑体辐射源，能够快速升降温，温度稳定时间短，温场均匀性好，发射率高。
本实用新型的目的通过下述技术方案实现：一种半导体制冷管式黑体辐射源，包括设有辐射源的辐射靶芯和包围在辐射靶芯周围的冷却媒介，所述冷却媒介包括半导体制冷片和水冷散热装置，其中，半导体制冷片的冷端紧贴在辐射靶芯的外表面，半导体制冷片的热端贴在水冷散热装置上。
作为优选的实施方案，所述辐射靶芯的形状为长方体或者正方体。
作为优选的实施方案，所述辐射源为设置在辐射靶芯中部的管体腔，所述管体腔一端封闭，另一端开口。
作为优选的实施方案，所述半导体制冷片包括左制冷片、右制冷片、上制冷片、下制冷片和后制冷片，所述左制冷片的冷端、右制冷片的冷端、上制冷片的冷端、下制冷片的冷端、后制冷片分别贴在长方体或者正方体的四周。
作为优选的实施方案，所述水冷散热装置包括左冷却腔、右冷却腔、上冷却腔、下冷却腔和后冷却腔，所述左冷却腔、右冷却腔、上冷却腔、下冷却腔、后冷却腔分别对应贴在左制冷片、右制冷片、上制冷片、下制冷片、后制冷片的外表面。
作为优选的实施方案，所述左冷却腔、右冷却腔、上冷却腔、下冷却腔、后冷却腔都设有进水口和出水口。
作为优选的实施方案，所述管体腔封闭的一端与后制冷片之间安装一个温度传感器。
作为优选的实施方案，所述温度传感器与温度控制仪表盘电连接。
本实用新型相对于现有技术具有如下的优点及效果：
半导体制冷片冷端紧贴在辐射靶芯的外表面能够快速的降温，通过水冷散热装置贴在半导体制冷片的冷端能够快速的带走热量或给予热量，从而能够够快速升降辐射靶芯的温度，并且温度稳定时间短，温场均匀性好，从而充分利用半导体制冷技术的管形腔黑体辐射源；整个半导体制冷管式黑体辐射源发射率高，结构简单，重量轻，便于携带。
附图说明
图1是半导体制冷管式黑体辐射源的整体装配效果图。
图2是图1的左视图。
图3是温度传感器与温度控制仪表盘连接图。
具体实施方式
下面结合实施例及附图对本实用新型作进一步详细的描述，但本实用新型的实施方式不限于此。
参照图1-图3，所述半导体制冷管式黑体辐射源，包括设有辐射源2的辐射靶芯1和包围在辐射靶芯1周围的冷却媒介，所述辐射靶芯1的形状为长方体或者正方体。
所述辐射源2为设置在辐射靶芯1中部的管体腔，内表面喷涂高发射率涂层，所述管体腔一端封闭，作为辐射靶底3，另一端开口，作为辐射孔4。
所述冷却媒介包括半导体制冷片和水冷散热装置，其中，半导体制冷片的冷端紧贴在辐射靶芯1的外表面，半导体制冷片并联与半导体制冷片驱动电路相连接。半导体制冷片的热端贴在水冷散热装置上，水冷散热装置能够带走半导体制冷片的热端上的热量。
半导体制冷片(TE)也叫热电制冷片，是一种热泵，它的优点是没有滑动部件，应用在一些空间受到限制，可靠性要求高，无制冷剂污染的场合。半导体制冷片的工作运转是用直流电流，它既可制冷又可加热，通过改变直流电流的极性来决定在同一制冷片上实现制冷或加热，这个效果的产生就是通过热电的原理，
所述半导体制冷片包括左制冷片5、右制冷片6、上制冷片7、下制冷片8和后制冷片9，所述左制冷片5的冷端、右制冷片6的冷端、上制冷片7的冷端、下制冷片8的冷端和后制冷片9的冷端分别贴在长方体或者正方体的四周。
与其对应的，所述水冷散热装置包括左冷却腔10、右冷却腔11、上冷却腔12、下冷却腔13和后冷却腔14，所述左冷却腔10、右冷却腔11、上冷却腔12、下冷却腔13、后冷却腔14分别对应贴在左制冷片5、右制冷片6、上制冷片7、下制冷片8、后制冷片9的外表面。所述左冷却腔10、右冷却腔11、上冷却腔12、下冷却腔13和后冷却腔14都设有进水口15和出水口16，相邻两个冷却腔的进水口与出水口通过管路17连接。
为了能够知道辐射靶底3的温度，所述管体腔的封闭的一端与后制冷片9之间安装一个温度传感器18。所述温度传感器18与温度控制仪表盘19电连接。
上述实施例为本实用新型较佳的实施方式，但本实用新型的实施方式并不受上述实施例的限制，其他的任何未背离本实用新型的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种半导体制冷管式黑体辐射源，包括设有辐射源的辐射靶芯和包围在辐射靶芯周围的冷却媒介，其特征在于，所述冷却媒介包括半导体制冷片和水冷散热装置，其中，半导体制冷片的冷端紧贴在辐射靶芯的外表面，半导体制冷片的热端贴在水冷散热装置上。
2.根据权利要求1所述的半导体制冷管式黑体辐射源，其特征在于，所述辐射靶芯的形状为长方体或者正方体。
3.根据权利要求2所述的半导体制冷管式黑体辐射源，其特征在于，所述辐射源为设置在辐射靶芯中部的管体腔，所述管体腔一端封闭，另一端开口。
4.根据权利要求2所述的半导体制冷管式黑体辐射源，其特征在于，所述半导体制冷片包括左制冷片、右制冷片、上制冷片、下制冷片和后制冷片，所述左制冷片的冷端、右制冷片的冷端、上制冷片的冷端、下制冷片的冷端、后制冷片分别贴在长方体或者正方体的四周。
5.根据权利要求4所述的半导体制冷管式黑体辐射源，其特征在于，所述水冷散热装置包括左冷却腔、右冷却腔、上冷却腔、下冷却腔和后冷却腔，所述左冷却腔、右冷却腔、上冷却腔、下冷却腔、后冷却腔分别对应贴在左制冷片、右制冷片、上制冷片、下制冷片、后制冷片的外表面。
6.根据权利要求5所述的半导体制冷管式黑体辐射源，其特征在于，所述左冷却腔、右冷却腔、上冷却腔、下冷却腔、后冷却腔都设有进水口和出水口。
7.根据权利要求3所述的半导体制冷管式黑体辐射源，其特征在于，所述管体腔封闭的一端与后制冷片之间安装一个温度传感器。
8.根据权利要求7所述的半导体制冷管式黑体辐射源，其特征在于，所述温度传感器与温度控制仪表盘电连接。
Priority Applications (1)
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| CN201821448686.0U CN208704887U (zh) | 2018-09-05 | 2018-09-05 | 一种半导体制冷管式黑体辐射源 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201821448686.0U CN208704887U (zh) | 2018-09-05 | 2018-09-05 | 一种半导体制冷管式黑体辐射源 |
Publications (1)
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| CN208704887U true CN208704887U (zh) | 2019-04-05 |
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Family Applications (1)
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Country Status (1)
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| CN (1) | CN208704887U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112234412A (zh) * | 2020-10-26 | 2021-01-15 | 苏州英谷激光有限公司 | 一种精确控制激光晶体温度的装置 |
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2018
- 2018-09-05 CN CN201821448686.0U patent/CN208704887U/zh active Active
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