CN208621658U - 晶圆测试探针卡及探针结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种晶圆测试探针卡及探针结构,其中,晶圆测试探针卡包括:基板,基板表面上设置有第一接地连接区与第二接地连接区;第一接地连接区与所述第二接地连接区之间,基板上开设有电离辐射阻隔槽;沿第一接地连接区的边缘,基板上开设有电离辐射阻隔槽;于基板表面的中间部位,基板上呈环状的设有一圈焊盘;相邻的焊盘之间,基板上开设有电离辐射阻隔槽;对应焊盘,基板上开设有穿针过孔。电离辐射阻隔槽可以阻隔各个区域与基板之间的电性连接,提高绝缘性能;基板上开设穿针过孔,避免探针与基板发生接触,防止电离辐射的产生,基板不用采用成本高的陶瓷材料,即可实现精确测试,大大降低了晶圆测试探针卡的生产成本。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体测试技术领域,特别地,涉及一种晶圆测试探针卡及探针结构。
背景技术
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆是半导体器件中的核心元件,需要进行十分严格的技术测试,晶圆的测试主要是验证产品电路是否良好,验证驱动晶圆的功能是否符合终端应用的需求。而驱动晶圆的测试主要是使用专属的测试机来测试,并且需透过探针卡配合测试程序来进行驱动晶圆测试。
目前,市场上所用的探针卡主要有两种材料:一是FR-4环氧玻璃布层压板;另一种为陶瓷基板;其中,FR-4环氧玻璃布层压板的价格比较低廉,但是FR-4环氧玻璃布层压板的绝缘性能不好,阻抗值小,测试结果比较容易受到电离辐射的影响,导致测试结果不准确;陶瓷基板具有较优异的绝缘性能,能够实现精确测试,但陶瓷基板成本很高,数倍于FR-4环氧玻璃布层压板,大大提高了产品的成本。
实用新型内容
本实用新型目的在于提供一种晶圆测试探针卡及探针结构,以解决现有技术中,其中,FR-4环氧玻璃布层压板的探针卡绝缘性能不好,阻抗值小,测试结果比较容易受到电离辐射的影响,导致测试结果不准确;陶瓷基板的探针卡成本高的技术问题。
为实现上述目的,本实用新型提供一种晶圆测试探针卡,包括:
基板,所述基板表面上设置有第一接地连接区与第二接地连接区;所述第一接地连接区与所述第二接地连接区之间,所述基板上开设有电离辐射阻隔槽;沿所述第一接地连接区的边缘,所述基板上开设有电离辐射阻隔槽;
于所述基板表面的中间部位,所述基板上呈环状的设有一圈焊盘;相邻的所述焊盘之间,所述基板上开设有电离辐射阻隔槽;对应所述焊盘,所述基板上开设有穿针过孔。
进一步地,基板的背面设置有屏蔽层。
进一步地,屏蔽层为铜箔屏蔽层。
进一步地,焊盘上开设有焊锡通孔。
进一步地,电离辐射阻隔槽的宽度为1mm-1.5mm,深度为0.5-1.5mm。
进一步地,基板为环氧玻璃布层压板。
为实现上述目的,本实用新型还提供一种包含上述晶圆测试探针卡的探针结构,该探针结构包括:
晶圆测试探针卡与探针,所述晶圆测试探针卡为上述的晶圆测试探针卡;所述晶圆测试探针卡的第一接地连接区通过同轴线与所述探针连接,所述探针一端穿过所述晶圆测试探针卡上的穿针过孔;所述晶圆测试探针卡的第二接地连接区通过同轴线与焊盘连接。
本实用新型具有以下有益效果:
基板上设置的电离辐射阻隔槽可以阻隔各个区域与基板之间的电性连接,提高绝缘性能;在进行测试时,电离辐射只能通过空气进行传导,大大减小了基板传导的影响;同时,基板上开设穿针过孔,用于探针设置,这样也能避免探针与基板发生接触,防止电离辐射的产生。这样的结构设计,基板不用采用绝缘性能好,而成本高的陶瓷材料,即可实现精确测试,大大降低了晶圆测试探针卡的生产成本。
附图说明
下面将参照图,对本实用新型作进一步详细的说明。构成本申请的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解,本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中:
图1是本实用新型晶圆测试探针卡优选实施例的表面结构示意图;
图2是图1中A区域的放大示意图。
图3是本实用新型晶圆测试探针卡优选实施例的背面结构示意图;
图4是本实用新型探针结构优选实施例的结构示意图;
图5是图4中B区域的放大示意图。
附图标记说明:
1、基板;2、第一接地连接区;3、第二接地连接区;4、电离辐射阻隔槽;5、焊盘;6、穿针过孔;7、屏蔽层;8、探针;9、同轴线;10、焊锡通孔;11、探针固定层。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的实施例进行详细说明。
请参阅图1与图3,本实用新型的优选实施例提供了一种晶圆测试探针卡,包括:基板1,所述基板1表面上设置有第一接地连接区2与第二接地连接区3;所述第一接地连接区2与所述第二接地连接区3之间,所述基板1上开设有电离辐射阻隔槽4;沿所述第一接地连接区2的边缘,所述基板1上开设有电离辐射阻隔槽4;于所述基板1表面的中间部位,所述基板1上呈环状的设有一圈焊盘5;相邻的所述焊盘5之间,所述基板1上开设有电离辐射阻隔槽4;对应所述焊盘5,所述基板1上开设有穿针过孔6。
该晶圆测试探针卡采用这种结构,第一接地连接区2与第二接地连接区3之间,第一接地连接区2与基板1之间,焊盘5与基板1之间均分别设置有电离辐射阻隔槽4,电离辐射阻隔槽4可以阻隔各个区域与基板1 之间的电性连接,提高绝缘性能;在进行测试时,电离辐射只能通过空气进行传导,大大减小了基板传导的影响;同时,基板1上开设穿针过孔6,用于探针设置,这样也能避免探针与基板发生接触,防止电离辐射的产生。这样的结构设计,基板1不用采用绝缘性能好,而成本高的陶瓷材料,即可实现精确测试,大大降低了晶圆测试探针卡的生产成本。
优选地,基板1的背面设置有屏蔽层7。屏蔽层7可以进一步减小电离辐射的产生,使测试结果更加精确。优选地,屏蔽层7可以采用铜箔屏蔽层。
优选地,为使连接导线能够稳固的连接在焊盘上,焊盘5上开设有焊锡通孔10;在焊接连接导线时,焊接的锡材料可以流入该焊锡通孔10内,使焊接点更加稳固。
优选地,为使电离辐射阻隔槽4布局在基板1上更加合理,同时保证较好的电离辐射隔离效果,所述电离辐射阻隔槽4的宽度为1mm-1.5mm,深度为0.5-1.5mm。
优选地,为降低成本,同时保证较好的测试效果,该基板1采用环氧玻璃布层压板。
请参阅图4与图5,本实用新型还提供一种包含上述晶圆测试探针卡的探针结构,该探针结构包括:
晶圆测试探针卡与探针8,所述晶圆测试探针卡为上述的晶圆测试探针卡;所述晶圆测试探针卡的第一接地连接区2通过同轴线9与所述探针 8连接,同轴线9内设置两个连接导线,其中一连接导线的一端连接第一接地连接区2,另一端连接探针8,所述探针8一端穿过所述晶圆测试探针卡上的穿针过孔6,基板1上设置探针固定层11(环氧树脂或陶瓷ring),探针8的针尖端固定在探针固定层11上。同轴线9中另一连接导线,其一端连接晶圆测试探针卡的第二接地连接区3,另一端与焊盘5连接。这种探针结构不用采用绝缘性能好,而成本高的陶瓷材料作为基板材料,即可实现精确测试,大大降低了晶圆测试探针卡的生产成本。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型;对于本领域的技术人员来说,本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种晶圆测试探针卡,其特征在于,包括:
基板,所述基板表面上设置有第一接地连接区与第二接地连接区;所述第一接地连接区与所述第二接地连接区之间,所述基板上开设有电离辐射阻隔槽;沿所述第一接地连接区的边缘,所述基板上开设有电离辐射阻隔槽;
于所述基板表面的中间部位,所述基板上呈环状的设有一圈焊盘;相邻的所述焊盘之间,所述基板上开设有电离辐射阻隔槽;对应所述焊盘,所述基板上开设有穿针过孔。
2.根据权利要求1所述的晶圆测试探针卡,其特征在于:
所述基板的背面设置有屏蔽层。
3.根据权利要求2所述的晶圆测试探针卡,其特征在于:
所述屏蔽层为铜箔屏蔽层。
4.根据权利要求1所述的晶圆测试探针卡,其特征在于:
所述焊盘上开设有焊锡通孔。
5.根据权利要求1所述的晶圆测试探针卡,其特征在于:
所述电离辐射阻隔槽的宽度为1mm-1.5mm,深度为0.5-1.5mm。
6.根据权利要求1所述的晶圆测试探针卡,其特征在于:
所述基板为环氧玻璃布层压板。
7.一种探针结构,其特征在于,包括:
晶圆测试探针卡与探针,所述晶圆测试探针卡为如权利要求1-6中任一项所述的晶圆测试探针卡;所述晶圆测试探针卡的第一接地连接区通过同轴线与所述探针连接,所述探针一端穿过所述晶圆测试探针卡上的穿针过孔;所述晶圆测试探针卡的第二接地连接区通过同轴线与焊盘连接。
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CN201821240477.7U CN208621658U (zh) | 2018-08-02 | 2018-08-02 | 晶圆测试探针卡及探针结构 |
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CN110907799A (zh) * | 2019-11-05 | 2020-03-24 | 长江存储科技有限责任公司 | 探针卡及晶圆测试装置和晶圆测试方法 |
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CN110907799A (zh) * | 2019-11-05 | 2020-03-24 | 长江存储科技有限责任公司 | 探针卡及晶圆测试装置和晶圆测试方法 |
CN110907799B (zh) * | 2019-11-05 | 2022-02-01 | 长江存储科技有限责任公司 | 探针卡及晶圆测试装置和晶圆测试方法 |
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