CN208590113U - 微型发声器件 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种微型发声器件。微型发声器件包括振动***及磁路***,振动***包括振膜和音圈,磁路***包括下夹板以及固定在下夹板上的主磁路和环绕主磁路设置并与主磁路之间形成磁间隙的副磁路,音圈包括***磁间隙中的主体及自主体延伸的引线,主体具有相对设置的两个侧边,两个侧边朝二者相离的方向外凸,主磁路与侧边相对的侧面向靠近副磁路方向外凸,副磁路与侧边相对的侧面向远离主磁路方向内凹;或者,两个侧边朝二者相向的方向内凹,主磁路与侧边相对的侧面向远离副磁路方向内凹,副磁路与侧边相对的侧面向靠近主磁路方向外凸。本实用新型提供的微型发声器件可以改善高频跌落问题,从而提升其声学性能。
Description
【技术领域】
本实用新型涉及电声转换领域,尤其涉及一种微型发声器件。
【背景技术】
为适应各种音响设备与信息通信设备的小型化、多功能化发展,要求该类设备中所使用的微型发声器件对应更加趋于小型化,使所述微型发声器件与周边其他元件的配合更加紧凑。特别随着移动电话轻薄化发展的需求,对其中所使用的微型发声器件的质量要求也越来越高。
相关技术中,微型发声器件包括振动***及驱动振动***振动发声的磁路***,振动***包括振膜和设置在振膜靠近磁路***一侧的音圈。目前的音圈基本上都是跑道型结构,由四条直边和四个圆角组成,然而这种容易在高频出现SPL的跌落。
因此,实有必要提供一种新的微型发声器件解决上述问题。
【实用新型内容】
本实用新型的目的在于提供一种微型发声器件,该微型发声器件可以改善高频跌落问题,从而提升其声学性能。
本实用新型提供的微型发声器件,包括振动***及驱动所述振动***振动发声的磁路***,所述振动***包括振膜和设置在所述振膜靠近所述磁路***一侧的音圈,所述磁路***包括下夹板以及固定在所述下夹板上的主磁路和环绕所述主磁路设置并与所述主磁路之间形成磁间隙的副磁路,所述音圈包括***所述磁间隙中的主体及自所述主体延伸的引线,所述主体具有相对设置的两个侧边,两个所述侧边朝二者相离的方向外凸,所述主磁路与所述侧边相对的侧面向靠近所述副磁路方向外凸,所述副磁路与所述侧边相对的侧面向远离所述主磁路方向内凹。
优选地,所述主磁路的外凸形状以及所述副磁路的内凹形状均与所述侧边的外凸形状匹配。
优选地,所述主体包括两个相对设置的长轴边及两个相对设置且分别与两个所述长轴边连接的短轴边,其中,所述侧边为所述长轴边。
优选地,所述长轴边与所述短轴边的连接处设有倒圆角。
本实用新型还提供一种微型发声器件,包括振动***及驱动所述振动***振动发声的磁路***,所述振动***包括振膜和设置在所述振膜靠近所述磁路***一侧的音圈,所述磁路***包括下夹板以及固定在所述下夹板上的主磁路和环绕所述主磁路设置并与所述主磁路之间形成磁间隙的副磁路,所述音圈包括***所述磁间隙中的主体及自所述主体延伸的引线,所述主体具有相对设置的两个侧边,两个所述侧边朝二者相向的方向内凹,所述主磁路与所述侧边相对的侧面向远离所述副磁路方向内凹,所述副磁路与所述侧边相对的侧面向靠近所述主磁路方向外凸。
优选地,所述主磁路的内凹形状以及所述副磁路的外凸形状均与所述侧边的内凹形状匹配。
优选地,所述主体包括两个相对设置的长轴边及两个相对设置且分别与两个所述长轴边连接的短轴边,其中,所述侧边为所述长轴边。
优选地,所述长轴边与所述短轴边的连接处设有倒圆角。
与相关技术相比,本实用新型提供的微型发声器件,通过对所述音圈的所述主体、所述主磁路及所述副磁路进行造型设计,使所述主体的直边变成外凸或者内凹的形式。这样,可以改善微型发声器件的高频跌落问题,从而提升其声学性能。
【附图说明】
图1为本实用新型提供的微型发声器件一实施例的立体分解示意图;
图2为图1所示微型发声器件中部分结构组装后的立体图;
图3为图1所示微型发声器件组装后的立体图;
图4为图3所示微型发声器件沿A-A线的剖视图;
图5为图3所示微型发声器件沿B-B线的剖视图;
图6为本实用新型提供的微型发声器件另一实施例的立体分解示意图;
图7为图6所示微型发声器件中部分结构组装后的立体图;
图8为图1及图6所示微型发声器件与相关技术中微型发声器件的频响曲线对比图。
【具体实施方式】
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部份实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
实施例一
如图1至图5所示,所述微型发声器件100包括盆架1和分别固定在所述盆架1的振动***3及磁路***5,所述磁路***5驱动所述振动***3振动发声。
所述振动***3包括振膜31和音圈33,所述振膜31固定于所述盆架1上,所述音圈33设置在所述振膜31靠近所述磁路***5一侧。其中,所述音圈33与外部电路连接,所述音圈33通电后,所述音圈33在所述磁路***5磁场的作用下振动,与此同时,所述音圈33带动所述振膜31振动发声。
在本实施例中,所述振膜31包括与所述音圈33连接的音膜35以及球顶37,所述音膜35夹设于所述球顶37和所述音圈33之间。当然,作为所述振膜31的其他实施方式,所述球顶37还可以固设于所述音膜35朝向所述磁路***5的一侧,所述球顶37与所述音圈33连接;或者,所述振膜31仅为音膜。
所述音膜35包括与所述音圈33固定的平坦部351、自所述平坦部351向外延伸的折环部353及环绕于所述折环部353周围的结合部355。所述平坦部351夹设于所述球顶37和所述音圈33之间,所述结合部355固定于所述盆架1上以实现所述振膜31固定于所述盆架1上。在本实施例中,所述平坦部351为完整的平板结构。当然,作为所述平坦部351的其他实施方式,所述平坦部351还可以具有切中孔,所述球顶37覆盖切中孔。
所述磁路***5包括下夹板51以及固定在所述下夹板51上的主磁路53和副磁路55。所述下夹板51和所述副磁路55固持在所述盆架1上以实现所述磁路***5固持在所述盆架1上,所述副磁路55环绕所述主磁路53设置并与所述主磁路53之间形成磁间隙,所述音圈33***所述磁间隙中,以使得所述音圈33通电后,所述音圈33会在所述磁路***5磁场的作用下振动。
所述音圈33包括***所述磁间隙中的主体331以及自所述主体331延伸的引线333,所述主体331具有相对设置的两个侧边,两个所述侧边朝二者相离的方向外凸,所述主磁路53与所述侧边相对的侧面向靠近所述副磁路55方向外凸,所述副磁路55与所述侧边相对的侧面向远离所述主磁路53方向内凹。在本实施例中,所述主磁路53的外凸形状以及所述副磁路55的内凹形状均与所述侧边的外凸形状匹配。
所述主体331包括两个相对设置的长轴边335及两个相对设置且分别与两个所述长轴边335连接的短轴边337。如图1所示,所述侧边为所述长轴边335,即对所述长轴边335进行外凸改造。当然,作为所述主体331的其他实施方式,所述侧边还可以为所述短轴边337,即对所述短轴边337进行外凸改造,或者,所述长轴边335和所述短轴边337上均进行外凸改造。
在本实施例中,所述长轴边335与所述短轴边337的连接处设有倒圆角。
在本实施例中,所述盆架1上嵌设有导电端子7,所述引线333延伸至所述导电端子7并与所述导电端子7电连接,其中,所述导电端子7与外部电路连接,从而实现所述引线333通过所述导电端子7与外部电路连接。
在本实施例中,所述主磁路53包括固设于所述下夹板51上的主磁体531及贴设于所述主磁体531远离所述下夹板51一侧的极芯533,所述副磁路55包括固设于所述下夹板51上并环绕所述主磁体531设置的副磁体551及贴设于所述副磁体551远离所述下夹板51一侧的上夹板553。其中,所述极芯533和所述上夹板553由导磁材料制成,从而可以增强所述磁间隙内的磁通量;所述上夹板553固持于所述盆架1上,从而实现所述副磁路55固持在所述盆架1上。当然,作为所述主磁路53和所述副磁路55的其他实施方式,所述主磁路53还可以不包括极芯,所述副磁路55还可以不包括上夹板。
在本实施例中,所述副磁体551设有四个,分别设于所述主磁体531的四周。当然,作为所述副磁体551的其他实施方式,所述副磁体55也可以设置为两个,分别设于所述主磁体531对应两个所述侧边的两相对侧。
在本实施例中,所述主磁体531和所述副磁体551均为磁钢。当然,作为所述主磁体531和所述副磁体551的其他实施方式,所述主磁路53也可以包括两个主磁钢,两个所述主磁钢沿所述振膜31的振动方向堆叠设置,且两个所述主磁钢的极性相反,相应的,所述副磁体551也可以包括两个副磁钢,两个所述副磁钢沿所述振膜31的振动方向堆叠设置,且两个所述副磁钢的极性相反;或者,也可以在两个所述主磁钢以及两个所述副磁钢之间夹设由导磁材料制成的导磁板。其中,在所述副磁体551和所述主磁路53均包括两个磁钢的情况下,优选地,所述主磁钢与所述副磁钢的厚度相同以最大利用所述主磁钢与所述副磁钢的磁效应,从而可以提高所述磁间隙中的磁通量。
在本实施例中,所述上夹板553为连续的环状结构。当然,作为所述上夹板553的其他实施方式,所述上夹板553还可以为分体结构,且各分体分别贴设于所述副磁体上。
在本实施例中,所述上夹板553具有通孔555,所述极芯533位于所述通孔555内。
实施例二
请结合参阅图6和图7,实施例二与实施例一的区别仅在于:两个所述侧边朝二者相向的方向内凹,所述主磁路53与所述侧边相对的侧面向远离所述副磁路55方向内凹,所述副磁路55与所述侧边相对的侧面向靠近所述主磁路53方向外凸。在本实施例中,所述主磁路53的内凹形状以及所述副磁路55的外凸形状均与所述侧边的内凹形状匹配。
请参阅图8,其中,Ⅰ为相关技术中微型发声器件的频响曲线,Ⅱ为图1所示微型发声器件的频响曲线,Ⅲ为图6所示微型发声器件的频响曲线;横坐标代表频率(Hz),纵坐标代表声压级(dB)。通过图8的频响曲线分析可知,上述两种音圈造型加强了振膜的约束条件,能够将振膜发生分割振动的频率向高频移动,特别是实施例二的音圈,在关注频带内基本无频响曲线的跌落。
此外,分别检测图1和图6所示微型发声器件及相关技术中微型发声器件的磁间隙内的磁通量,其中,相关技术中微型发声器件为原始模型,图1所示微型发声器件为外凸模型,图6所示微型发声器件为内凹模型,检测结果如下:
模型 | 原始模型 | 外凸模型 | 内凹模型 |
磁间隙内的磁通量 | 0.836 | 0.835 | 0.829 |
通过数据分析可知,通过对所述音圈33的所述主体331、所述主磁路53及所述副磁路55进行造型设计后,磁间隙内的磁通量没有发生明显变化,基本上不影响声学性能。
本实用新型提供的微型发声器件100,通过对所述音圈33的所述主体331、所述主磁路53及所述副磁路55进行造型设计,使所述主体331的直边变成外凸或者内凹的形式。这样,可以改善微型发声器件的高频跌落问题,从而提升其声学性能。
以上所述的仅是本实用新型的实施方式,在此应当指出,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型创造构思的前提下,还可以做出改进,但这些均属于本实用新型的保护范围。
Claims (8)
1.一种微型发声器件,包括振动***及驱动所述振动***振动发声的磁路***,所述振动***包括振膜和设置在所述振膜靠近所述磁路***一侧的音圈,所述磁路***包括下夹板以及固定在所述下夹板上的主磁路和环绕所述主磁路设置并与所述主磁路之间形成磁间隙的副磁路,所述音圈包括***所述磁间隙中的主体及自所述主体延伸的引线,所述主体具有相对设置的两个侧边,其特征在于:两个所述侧边朝二者相离的方向外凸,所述主磁路与所述侧边相对的侧面向靠近所述副磁路方向外凸,所述副磁路与所述侧边相对的侧面向远离所述主磁路方向内凹。
2.根据权利要求1所述的微型发声器件,其特征在于:所述主磁路的外凸形状以及所述副磁路的内凹形状均与所述侧边的外凸形状匹配。
3.根据权利要求1所述的微型发声器件,其特征在于:所述主体包括两个相对设置的长轴边及两个相对设置且分别与两个所述长轴边连接的短轴边,其中,所述侧边为所述长轴边。
4.根据权利要求3所述的微型发声器件,其特征在于:所述长轴边与所述短轴边的连接处设有倒圆角。
5.一种微型发声器件,包括振动***及驱动所述振动***振动发声的磁路***,所述振动***包括振膜和设置在所述振膜靠近所述磁路***一侧的音圈,所述磁路***包括下夹板以及固定在所述下夹板上的主磁路和环绕所述主磁路设置并与所述主磁路之间形成磁间隙的副磁路,所述音圈包括***所述磁间隙中的主体及自所述主体延伸的引线,所述主体具有相对设置的两个侧边,其特征在于:两个所述侧边朝二者相向的方向内凹,所述主磁路与所述侧边相对的侧面向远离所述副磁路方向内凹,所述副磁路与所述侧边相对的侧面向靠近所述主磁路方向外凸。
6.根据权利要求5所述的微型发声器件,其特征在于:所述主磁路的内凹形状以及所述副磁路的外凸形状均与所述侧边的内凹形状匹配。
7.根据权利要求5所述的微型发声器件,其特征在于:所述主体包括两个相对设置的长轴边及两个相对设置且分别与两个所述长轴边连接的短轴边,其中,所述侧边为所述长轴边。
8.根据权利要求7所述的微型发声器件,其特征在于:所述长轴边与所述短轴边的连接处设有倒圆角。
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CN201821294444.0U CN208590113U (zh) | 2018-08-12 | 2018-08-12 | 微型发声器件 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2022061993A1 (zh) * | 2020-09-25 | 2022-03-31 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 扬声器单体、扬声器模组及电子设备 |
WO2022061992A1 (zh) * | 2020-09-25 | 2022-03-31 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 扬声器单体、扬声器模组及电子设备 |
WO2022110468A1 (zh) * | 2020-11-30 | 2022-06-02 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 发声器件 |
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