CN208462292U - 一种电磁屏蔽结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种电磁屏蔽结构，涉及电磁屏蔽技术领域。本实用新型提供的电磁屏蔽结构包括：依次层叠设置的基底、胶黏剂层、复合层和封装层；其中，所述复合层包括导电丝网和填充于所述导电丝网的空隙中的填充物，所述填充物包括低熔点金属。本实用新型的技术方案能够对各种频率范围的电磁波均具有较好的电磁屏蔽效果，且应用范围广泛。

Description

一种电磁屏蔽结构

技术领域

本实用新型涉及电磁屏蔽技术领域，尤其涉及一种电磁屏蔽结构。

背景技术

随着现代电子工业、无线通信和数字化技术的快速发展，各类电子电气设备已经从原来主要集中于军事和特殊工业领域，逐渐演变发展成广泛的应用于与人们日常生活息息相关的各个领域，如广播电视、通信导航、电力设施、科研、医疗的高频设备以及各种家用电器，然而这些设备和产品都会不同程度地产生电磁辐射。

目前，多采用高导电、导磁材料构成的电磁屏蔽结构屏蔽电磁辐射。常用的电磁屏蔽结构包括金属板材、电磁屏蔽网、电磁屏蔽涂料等。其中，金属板材其形状固定、结构单一，只能应用在特定的场合；电磁屏蔽网具有中空的结构，对于高频信号屏蔽能力极弱，一般达不到50dB的屏蔽效能，更无法实现如GJB5792要求的A级和B级屏蔽效果；电磁屏蔽涂料在超过1.5GHz的频率范围以外的屏蔽效果下降显著，很难满足在10GHz、18GHz乃至更高频率下的应用。

实用新型内容

本实用新型提供一种电磁屏蔽结构，可以对各种频率范围的电磁波均具有较好的电磁屏蔽效果，且应用范围广泛。

本实用新型提供一种电磁屏蔽结构，采用如下技术方案：

所述电磁屏蔽结构包括：依次层叠设置的基底、胶黏剂层、复合层和封装层；其中，所述复合层包括导电丝网和填充于所述导电丝网的空隙中的填充物，所述填充物包括低熔点金属。

可选地，所述导电丝网为黄铜网、紫铜网、不锈钢网、镍网、铁网、银网、锡网、坡莫合金网、镀锡铜包钢网或者镀锡铜包铝网。

可选地，所述填充物中的低熔点金属为镓铟合金或者镓铟锡合金；所述导电丝网为黄铜网或者紫铜网。

可选地，所述导电丝网的丝径为30μm～200μm。

可选地，所述导电丝网的目数为30目～300目。

可选地，所述复合层的厚度为60μm～400μm。

可选地，所述填充物还包括屏蔽填料，所述屏蔽填料用于屏蔽磁场和/或电场。

可选地，所述低熔点金属中所述屏蔽填料的重量百分比为5～40％。

可选地，所述屏蔽填料包括铁粉、镍粉、坡莫合金粉、铁氧体粉、非晶合金粉、金粉、铂粉、银粉、铜粉、导电炭黑、导电石墨、镍包石墨粉、银包铜粉、银包镍粉中的一种或几种。

可选地，所述屏蔽填料的粒径为1nm～100μm。

可选地，所述电磁屏蔽结构还包括位于所述胶黏剂层和所述复合层之间的第一导电流体层，和/或，位于所述封装层和所述复合层之间的第二导电流体层。

可选地，所述第一导电流体层中的导电流体为导电银浆、导电铜浆、导电碳浆、导电硅脂、低熔点金属或者低熔点金属与屏蔽填料的复合材料；所述第二导电流体层中的导电流体为导电银浆、导电铜浆、导电碳浆、导电硅脂、低熔点金属或者低熔点金属与屏蔽填料的复合材料。

可选地，所述第一导电流体层中的导电流体为低熔点金属或者低熔点金属与屏蔽填料的复合材料，且所述第一导电流体层中的导电流体包括的低熔点金属与所述填充物包括的低熔点金属相同；所述第二导电流体层中的导电流体为低熔点金属或者低熔点金属与屏蔽填料的复合材料，且所述第二导电流体层中的导电流体包括的低熔点金属与所述填充物包括的低熔点金属相同。

可选地，所述第一导电流体层的厚度为20～100μm；所述第二导电流体层的厚度为20～100μm。

可选地，所述基底为纺织品、橡胶、柔性塑料膜、纸张、无纺布、玻璃、木材、陶瓷、硬性塑料板、混凝土中的一种；或者，所述基底包括依次层叠设置的离型纸、粘结层和底膜，所述底膜与所述胶黏剂层接触。

可选地，所述封装层的材质包括UV环氧丙烯酸酯、UV聚氨酯丙烯酸酯、UV聚醚丙烯酸酯、UV聚酯丙烯酸酯、UV不饱和聚酯、聚二甲基硅烷、柔软性聚丙烯酸、柔软性聚氨酯中的一种或几种。

可选地，所述封装层的厚度为100μm以下。

可选地，所述胶黏剂层的材质包括聚乙烯醇胶类、聚乙烯吡咯烷酮胶类、丙烯酸树脂胶类、乙酸乙烯树脂胶类、酚醛树脂胶中的一种或多种。

可选地，所述胶黏剂层的厚度为1～20μm。

本实用新型提供了一种电磁屏蔽结构，该电磁屏蔽结构包括依次层叠设置的基底、胶黏剂层、复合层和封装层，复合层包括导电丝网和填充于导电丝网的空隙中的填充物，填充物包括低熔点金属，由于胶黏剂层、复合层和封装层均具有较好的柔性，可以适用于各种柔性基底和硬性基底，使得电磁屏蔽结构的应用范围广泛，且复合层中的导电丝网可以有效屏蔽电磁波中的低频信号和中频信号，具体为10KHZ-30MHZ级别的信号，填充物中的低熔点金属可以有效屏蔽电磁波中的中频信号和高频信号，具体为30M～40GHz的信号，使得电磁屏蔽结构可以对各种频率范围的电磁波均具有较好的电磁屏蔽效果。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例提供的电磁屏蔽结构的结构示意图一；

图2为本实用新型实施例提供的电磁屏蔽结构的结构示意图二；

图3为本实用新型实施例提供的电磁屏蔽结构的结构示意图三。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

需要说明的是，在不冲突的情况下本实用新型实施例中的各技术特征均可以相互结合。

发明人发现，现有技术中的金属板材、电磁屏蔽网、电磁屏蔽涂料对电磁波进行屏蔽的作用和存在的问题如下：

金属板材中的银板、铜板、铝板对高频信号(1G～40GHz)具有良好的屏蔽效果，不锈钢板、铸铁板对高频信号和低频信号(30KHz～300KHz)都有较好的屏蔽效果。但是由于其形状固定、结构单一、不具备柔性，只能在特定的场合，如屏蔽室建设中发挥作用，无法实现小型电子器件如手机外壳、电脑外壳，柔性体如服装、窗帘等的电磁屏蔽。

电磁屏蔽网是一种兼具屏蔽、透明效果的屏蔽体，当制备电磁屏蔽网的材质为细金属丝线时，还能具有一定的柔性；然而由于其具有中空的结构，对于高频信号屏蔽能力极弱，一般达不到50dB的屏蔽效能，更无法实现如GJB5792要求的A级和B级屏蔽效果。

电磁屏蔽涂料是通过特殊的工艺将导电颗粒在溶剂存在的情况下均匀的分散在高分子粘结剂中形成的，其随着溶剂挥发而固化成型。电磁屏蔽涂料作为一种流体材料，可以涂覆于任意结构的基材表面，形成均匀致密的薄膜，具有施工方便、快捷、实用性强及性价比高等特点，是目前应用最广泛的电磁屏蔽材料。电磁屏蔽涂料按照导电颗粒类型划分主要包括银系、碳系、镍系等产品，分别存在各种技术或经济性问题限制了其广泛使用。例如碳系电磁屏蔽涂料屏蔽效果较差，镍系电磁屏蔽涂料稳定性较低、银系电磁屏蔽涂料售价过高。此外，电磁屏蔽涂料在超过1.5GHz的频率范围以外的屏蔽效果下降显著，很难满足在10GHz、18GHz乃至更高频率下的应用。更为重要的是，电磁屏蔽涂料中的溶剂多为有机溶剂，在生产、储存、运输、施工过程中，存在着对人、动物造成直接毒害的问题，甚至会造成因易燃性有机物在受限空间内累积造成***、火灾等风险。电磁屏蔽涂料中可能还包括分散剂、润湿剂等具有良好的水溶性的物质，还会对土壤造成损害，进而通过农作物威胁到人类。

为了解决现有技术中存在的上述各问题，本实用新型实施例提供一种电磁屏蔽结构，具体地，如图1所示，图1为本实用新型实施例提供的电磁屏蔽结构的结构示意图一，该电磁屏蔽结构包括：依次层叠设置的基底1、胶黏剂层2、复合层3和封装层4；其中，复合层3包括导电丝网31和填充于导电丝网31的空隙中的填充物32，填充物32包括低熔点金属。

其中，基底1主要起承载作用；胶黏剂层2主要用于提高复合层3与基底1的附着力；复合层3主要用于屏蔽电磁波；封装层4主要用于对复合层3进行封装，防止导电丝网31和填充物32因与外界接触而造成的氧化、腐蚀或者损坏。

以填充物32为低熔点金属为例，该电磁屏蔽结构的制作过程如下：首先，提供一基底1，然后，在基底1上通过涂布、刷涂、喷涂等方式形成胶黏剂层2，然后，将导电丝网31贴附于胶黏剂层2上，然后，将液态的低熔点金属通过批刮等方式填充于导电丝网31的空隙内作为填充物32，进而形成复合层3，最后，通过涂布、刷涂、喷涂等方式形成封装层4。

该电磁屏蔽结构中的胶黏剂层2、复合层3和封装层4均具有较好的柔性，可以适用于各种柔性基底和硬性基底，使得电磁屏蔽结构的应用范围广泛，且复合层3中的导电丝网31可以有效屏蔽电磁波中的低频信号和中频信号，具体为10KHZ-30MHZ级别的信号，填充物32中的低熔点金属可以有效屏蔽电磁波中的中频信号和高频信号，具体为30M～40GHz的信号，使得电磁屏蔽结构可以对各种频率范围的电磁波均具有较好的电磁屏蔽效果。

另外，该电磁屏蔽结构不仅具有屏蔽效能高，柔性可变形、塑型能力好的特点，还具有环保无污染、附着力好、厚度可控性好等特点。

下面本实用新型实施例对电磁屏蔽结构包括的基底1、胶黏剂层2、复合层3和封装层4的具体内容进行举例说明。

可选地，电磁屏蔽结构中的基底1为纺织品、橡胶、柔性塑料膜、纸张、无纺布、玻璃、木材、陶瓷、硬性塑料板、混凝土中的一种，进而使得电磁屏蔽结构中的基底1的选择广泛，电磁屏蔽结构的应用范围广。其中，基底1为纺织品、橡胶、柔性塑料膜、纸张、无纺布时，基底1为柔性基底，基底1为玻璃、木材、陶瓷、硬性塑料板、混凝土时，基底1为硬性基底。且基底1可以为平面结构也可以为任意异形结构，由于胶黏剂层2、复合层3和封装层4具有较好的柔性，无论基底1为任何结构时，均可以与胶黏剂层2、复合层3和封装层4良好的附着。

或者，如图2所示，图2为本实用新型实施例提供的电磁屏蔽结构的结构示意图二，电磁屏蔽结构中的基底1包括依次层叠设置的离型纸11、粘结层12和底膜13，底膜13与胶黏剂层2接触，使得电磁屏蔽结构的使用十分方便。当某一表面需要进行电磁屏蔽时，将离型纸11撕掉，使粘结层12与该表面接触即可使底膜13、胶黏剂层2、复合层3和封装层4附着于该表面上，使该表面具有电磁屏蔽的作用。

可选地，电磁屏蔽结构中的胶黏剂层2的材质包括环氧树脂类、不饱和聚酯类、聚氨酯类、聚乙烯醇胶类、聚乙烯吡咯烷酮胶类、丙烯酸树脂胶类、乙酸乙烯树脂胶类中的一种或多种。发明人发现，当根据基底1的材质去选择胶黏剂层2的材质时，胶黏剂层2能够起到更好地作用，示例性地，基底1为玻璃，胶黏剂层2的材质为丙烯酸树脂胶；基底1为木材，胶黏剂层2的材质为乙酸乙烯树脂胶；基底1为柔性塑料膜，胶黏剂层2的材质为丙烯酸树脂、环氧树脂类或者聚氨酯类胶。另外，胶黏剂层2的厚度对电磁屏蔽结构的性能有一定影响，胶黏剂层2的厚度过小，则会使得复合层3与基底1之间的附着不牢固，胶黏剂层2的厚度过大，则会使得胶黏剂层2的柔性不佳，使得当基底1为柔性基底时，电磁屏蔽结构的柔性不佳。基于此，本实用新型实施例中选择胶黏剂层2的厚度为1～20μm。

可选地，电磁屏蔽结构中复合层3包括的导电丝网31为黄铜网、紫铜网、不锈钢网、镍网、铁网、银网、锡网、坡莫合金网、镀锡铜包钢网或者镀锡铜包铝网等。可选地，导电丝网31的丝径为5μm～1000μm。导电丝网31的厚度为10μm～2000μm。导电丝网31的目数为2目～2000目。

发明人发现，导电丝网31的丝径、目数和厚度对电磁屏蔽结构的性能也有一定影响。具体地，导电丝网31的丝径过大，导电丝网31的厚度过大，复合层3的厚度过大，电磁屏蔽结构的柔性不佳，且需要的填充物32多，成本高，导电丝网31的丝径过小，导电丝网31的厚度过小，复合层3的厚度过小，电磁屏蔽结构的电磁屏蔽效果不佳，基于此，本实用新型实施例中导电丝网31的丝径优选为30μm～200μm。导电丝网31的厚度约为导电丝网31的丝径的2倍左右，导电丝网31的厚度对电磁屏蔽结构的性能的影响与导电丝网31的丝径相同，本实用新型实施例中导电丝网3的厚度优选为60μm～400μm。导电丝网31的目数过大，导电丝网31的空隙过小，能够填充的填充物32的量太少，电磁屏蔽效果不佳，导电丝网31的目数过小，导电丝网31的空隙过大，对低频信号的屏蔽效果不佳，基于此，本实用新型实施例中导电丝网31的目数优选为30目～300目。

由于复合层3包括导电丝网31和填充于导电丝网31的空隙中的填充物32，因此，复合层3的厚度与导电丝网3的厚度一致，即复合层3的厚度为10μm～2000μm，优选为60μm～400μm。

可选地，电磁屏蔽结构中复合层3包括的填充物32中的低熔点金属的熔点在300摄氏度以内，具体地，填充物32中的低熔点金属的熔点可以在室温以下，也可以在室温至300摄氏度之间，填充物32中的低熔点金属的熔点在室温以下时，在室温下低熔点金属即为液态，使得制备电磁屏蔽结构的方法较为简单，且电磁屏蔽结构可以具有较好的柔性，且低熔点金属的电导率高，电磁屏蔽效果好，填充物32中的低熔点金属的熔点在室温至300摄氏度之间时，低熔点金属的选材较为广泛，在室温下低熔点金属为固态，通过加热即可使低熔点金属熔化为液态，进而用于制备电磁屏蔽结构。

填充物32中的低熔点金属的具体实现方式可以有多种，在第一个例子中，低熔点金属为熔点在300摄氏度以下的单质；在第二个例子中，低熔点金属为熔点在300摄氏度以下的合金；在第三个例子中，低熔点金属为包括熔点在300摄氏度以下的单质，和/或，熔点在300摄氏度以下的合金的导电混合物，例如由熔点在300摄氏度以下的单质或者熔点在300摄氏度以下的合金与金属纳米颗粒和流体分散剂混合形成的导电纳米流体，当选用所述导电纳米流体时，流体分散剂优选为乙醇、丙二醇、丙三醇、聚乙烯吡咯烷酮、聚二甲基硅氧烷、聚乙二醇、聚甲基丙烯酸甲酯中的一种。

在一些实施例中，填充物32中的低熔点金属的成分可包括镓、铟、锡、锌、铋、铅、镉、汞、银、铜、钠、钾、镁、铝、铁、镍、钴、锰、钛、钒、硼、碳、硅等中的一种或多种。示例性地，填充物32中的低熔点金属具体的选择范围包括：汞单质、镓单质、铟单质、锡单质、镓铟合金、镓铟锡合金、镓锡合金、镓锌合金、镓铟锌合金、镓锡锌合金、镓铟锡锌合金、镓锡镉合金、镓锌镉合金、铋铟合金、铋锡合金、铋铟锡合金、铋铟锌合金、铋锡锌合金、铋铟锡锌合金、锡铅合金、锡铜合金、锡锌铜合金、锡银铜合金、铋铅锡合金中的一种或几种。

优选地，填充物32中的低熔点金属为镓铟合金或者镓铟锡合金，导电丝网31为黄铜网或者紫铜网，此时，填充物32中的低熔点金属中的镓和铟会与导电丝网31中的铜在室温下发生反应，生成具有一定厚度(20nm～1000nm)的化合物层，使得填充物32可更好地附着在导电丝网31上，以及更好地填充在导电丝网31的空隙中。

可选地，填充物32还包括屏蔽填料，该屏蔽填料用于屏蔽磁场和/或电场，即屏蔽填料可以仅用于屏蔽磁场，或者，屏蔽填料可以仅用于屏蔽电场，或者，屏蔽填料可以同时用于屏蔽磁场和屏蔽电场。

其中，填充物32包括的低熔点金属中的屏蔽填料过多，会使得屏蔽填料较难在液态的低熔点金属中分散均匀，且成本过高，填充物32包括的低熔点金属中的屏蔽填料过少，会使得屏蔽效果不佳，基于此，本实用新型实施例中选择填充物32包括的低熔点金属中屏蔽填料的重量百分比为5～40％。

可选地，屏蔽填料包括铁粉、镍粉、坡莫合金粉、铁氧体粉、非晶合金粉、金粉、铂粉、银粉、铜粉、导电炭黑、导电石墨、镍包石墨粉、银包铜粉、银包镍粉中的一种或几种。其中，铁粉、镍粉、坡莫合金粉、铁氧体粉、非晶合金粉主要用于屏蔽磁场，金粉、铂粉、银粉、铜粉、导电炭黑、导电石墨、镍包石墨粉、银包铜粉、银包镍粉主要用于屏蔽电场。可选地，屏蔽填料的粒径为1nm～100um。

在一个例子中，屏蔽填料为铁粉、镍粉、坡莫合金粉、铁氧体粉、非晶合金粉中的一种或几种，填充物32包括的低熔点金属中屏蔽填料的重量百分比为5～15％；在又一个例子中，屏蔽填料为金粉、铂粉、银粉、铜粉、导电炭黑、导电石墨、镍包石墨粉、银包铜粉、银包镍粉中的一种或几种，填充物32包括的低熔点金属中屏蔽填料的重量百分比为10～40％。

另外，屏蔽填料(例如镍粉)的添加还会提高填充物32的粘性，有助于防止填充物32沿导电丝网31向下流。

可选地，本实用新型实施例中，封装层4的材质包括UV环氧丙烯酸酯、UV聚氨酯丙烯酸酯、UV聚醚丙烯酸酯、UV聚酯丙烯酸酯、UV不饱和聚酯、聚二甲基硅烷、柔软性聚丙烯酸、柔软性聚氨酯中的一种或几种，以使得封装层4具有较好的封装效果和较好的柔性。可选地，封装层4的厚度为100μm以下，以使得封装层4具有较好的柔性。

可选地，如图3所示，图3为本实用新型实施例提供的电磁屏蔽结构的结构示意图三，电磁屏蔽结构还包括位于胶黏剂层2和复合层3之间的第一导电流体层5，和/或，位于封装层4和复合层3之间的第二导电流体层6，即电磁屏蔽结构还包括位于胶黏剂层2和复合层3之间的第一导电流体层5，或者，电磁屏蔽结构还包括位于封装层4和复合层3之间的第二导电流体层6，或者，电磁屏蔽结构还包括位于胶黏剂层2和复合层3之间的第一导电流体层5和位于封装层4和复合层3之间的第二导电流体层6。发明人发现，在复合层3的导电丝网31中可能会存在未被填充物32完全填充的空隙，影响电磁屏蔽结构的屏蔽效果，而第一导电流体层5和/或第二导电流体层6不仅本身就可以起到电磁屏蔽的作用，且可以还可以将上述空隙充分填满，进一步提高了电磁屏蔽结构的屏蔽效果。

示例性地，第一导电流体层5中的导电流体为导电银浆、导电铜浆、导电碳浆、导电硅脂、低熔点金属或者低熔点金属与屏蔽填料的复合材料；第二导电流体层6中的导电流体为导电银浆、导电铜浆、导电碳浆、导电硅脂、低熔点金属或者低熔点金属与屏蔽填料的复合材料。以上屏蔽填料的具体内容均与填充物32包括的屏蔽填料的具体内容相同，此处不再进行赘述。

优选地，第一导电流体层5中的导电流体为低熔点金属或者低熔点金属与屏蔽填料的复合材料，且第一导电流体层5中的导电流体包括的低熔点金属与填充物32包括的低熔点金属相同；第二导电流体层6中的导电流体为低熔点金属或者低熔点金属与屏蔽填料的复合材料，且第二导电流体层6中的导电流体包括的低熔点金属与填充物32包括的低熔点金属相同。如此设置可以使得第一导电流体层5和/或第二导电流体层6与复合层3之间的兼容性好，几乎无接触界面或者接触界面的性能良好，使得电磁屏蔽结构的结构稳定性好。

可选地，第一导电流体层5的厚度为200μm以下，第二导电流体层6的厚度为200μm以下。其中，第一导电流体层5和第二导电流体层6的厚度也会对电磁屏蔽结构的性能产生影响，具体地，第一导电流体层5或第二导电流体层6的厚度过小，会使得电磁屏蔽结构的电磁屏蔽效果不佳，第一导电流体层5或第二导电流体层6的厚度过大，会使得电磁屏蔽结构的厚度较大，柔性不佳，且成本较高，基于此，第一导电流体层5的厚度优选为20～100μm；第二导电流体层6的厚度优选为20～100μm。

本实用新型实施例提供了一种电磁屏蔽结构，该电磁屏蔽结构包括依次层叠设置的基底、胶黏剂层、复合层和封装层，复合层包括导电丝网和填充于导电丝网的空隙中的填充物，填充物包括低熔点金属，由于胶黏剂层、复合层和封装层均具有较好的柔性，可以适用于各种柔性基底和硬性基底，使得电磁屏蔽结构的应用范围广泛，且复合层中的导电丝网可以有效屏蔽电磁波中的低频信号和中频信号，具体为10KHZ-30MHZ级别的信号，填充物中的低熔点金属可以有效屏蔽电磁波中的中频信号和高频信号，具体为30MHz～40GHz的信号，使得电磁屏蔽结构可以对各种频率范围的电磁波均具有较好的电磁屏蔽效果。

为了便于本领域技术人员更好地理解和实施本实用新型实施例中的电磁屏蔽结构，以及更好地了解其优异效果，下面本实用新型实施例以多个具体实施例为例对其结构以及与多个对比例的电磁屏蔽性能的对比进行描述。

实施例1

一种电磁屏蔽结构：

结构	成分	厚度(μm)
			基底	聚酯薄膜	150
胶黏剂层	丙烯酸	10
			第一导电流体层	镓铟共晶合金(90％)+镍粉(10％)	10
第二导电流体层	镓铟共晶合金(90％)+镍粉(10％)	10
			填充物	镓铟共晶合金	140
导电丝网	黄铜丝网60目	140
			封装层	聚氨酯	20

需要说明的是，各表格中的百分数均表示重量百分比；屏蔽填料的粒径均为10μm。

实施例2

实施例2与实施例1的区别仅在于导电丝网采用60目不锈钢网。

实施例3

实施例3与实施例1的区别仅在于第一导电流体层和第二导电流体层的成分均为导电银浆。

实施例4

实施例4与实施例1的区别仅在于第一导电流体层和第二导电流体层的成分均为导电碳浆。

实施例5

实施例5与实施例1的区别在于：填充物的成分为镓铟锡共晶合金；封装层的成分为UV环氧丙烯酸；封装层的厚度为10μm。

实施例6

实施例6与实施例5的区别仅在于：基底为玻璃。

实施例7

一种电磁屏蔽结构：

结构	成分	厚度(μm)
			基底	聚酯薄膜	150
胶黏剂层	聚乙烯吡咯烷酮	10
			第一导电流体层	镓锡共晶合金(85％)+银包铜粉(15％)	10
第二导电流体层	镓铟共晶合金(85％)+镍粉(15％)	10
			填充物	镓铟锡共晶合金	150
导电丝网	不锈钢丝网60目	150
			封装层	UV环氧丙烯酸	10

实施例8

实施例8与实施例7的区别在于：基底为铜版纸；导电丝网为40目不锈钢丝网，导电丝网和填充物的厚度均为200μm。

实施例9

实施例9与实施例8的区别仅在于：导电丝网为40目的坡莫合金丝网。

实施例10

实施例10与实施例8的区别仅在于：导电丝网为40目的镍丝网。

实施例11

实施例11与实施例1的区别在于：导电丝网为30目的黄铜丝网；导电丝网和填充物的厚度均为270μm。

实施例12

实施例12与实施例1的区别在于：导电丝网为40目的黄铜丝网；导电丝网和填充物的厚度均为250μm。

实施例13

实施例13与实施例1的区别在于：导电丝网为80目的黄铜丝网；导电丝网和填充物的厚度均为120μm。

实施例14

实施例14与实施例1的区别在于：导电丝网为120目的黄铜丝网；导电丝网和填充物的厚度均为100μm。

实施例15

实施例15与实施例14的区别仅在于：导电丝网为200目的黄铜丝网。

实施例16

实施例16与实施例14的区别仅在于：导电丝网为300目的黄铜丝网。

对比例1

对比例1与实施例1的区别仅在于：对比例1中的电磁屏蔽结构不包括导电丝网。

对比例2

对比例2与实施例1的区别仅在于：填充物为导电碳浆。

对比例3

对比例3与实施例1的区别仅在于：填充物为导电银浆。

对比例4

对比例4与实施例1的区别仅在于：对比例1中的电磁屏蔽结构不包括填充物，而包括双层300目的黄铜丝网。

对比例5

对比例5的电磁屏蔽结构为100微米的导电银浆。

对比例6

对比例6的电磁屏蔽结构为100微米的导电碳浆。

性能试验

根据GB/T25471-2010测试上述各实施例和对比例的电磁屏蔽效果。

表1性能测试结果(单位dB)

样品编号	10kHz	200kHz	450MHz	950MHz	3GHz	6GHz	10GHz	18GHz
									实施例1	30	53	91	93	82	81	80	79
实施例2	31	52	89	88	79	80	79	77
									实施例3	24	49	70	66	65	62	56	54
实施例4	11	30	59	58	56	56	46	44
									实施例5	31	52	90	92	81	82	80	79
实施例6	30	53	91	93	82	81	80	79
									实施例7	30	53	91	93	82	81	80	79
实施例8	31	54	92	94	84	81	80	79
									实施例9	31	54	93	95	85	82	82	80
实施例10	31	59	94	101	86	87	85	80
									实施例11	34	60	95	105	92	91	89	81
实施例12	33	59	94	102	90	90	88	80
									实施例13	30	53	91	93	82	81	80	79
实施例14	31	52	89	89	79	80	80	77
									实施例15	30	53	91	93	82	81	80	79
实施例16	31	52	89	89	79	80	79	77
									对比例1	25	51	80	83	71	72	70	70
对比例2	10	31	49	48	44	42	39	44
									对比例3	12	33	64	65	55	54	53	49
对比例4	10	30	60	62	36	28	21	15
									对比例5	5	25	44	49	31	27	22	14
对比例6	5	15	30	39	27	22	15	11

从上表的对比数据可以看到，本实用新型实施例中描述的电磁屏蔽结构具有高于各对比例的屏蔽效能，应用前景良好，且本实用新型实施例中的电磁屏蔽结构中包括低熔点金属的填充物以及导电丝网均为必不可少的结构，对屏蔽效能均有很大贡献。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种电磁屏蔽结构，其特征在于，包括：依次层叠设置的基底、胶黏剂层、复合层和封装层；其中，所述复合层包括导电丝网和填充于所述导电丝网的空隙中的填充物，所述填充物包括低熔点金属。

2.根据权利要求1所述的电磁屏蔽结构，其特征在于，所述导电丝网为黄铜网、紫铜网、不锈钢网、镍网、铁网、银网、锡网、坡莫合金网、镀锡铜包钢网或者镀锡铜包铝网。

3.根据权利要求2所述的电磁屏蔽结构，其特征在于，所述填充物中的低熔点金属为镓铟合金或者镓铟锡合金；所述导电丝网为黄铜网或者紫铜网。

4.根据权利要求1所述的电磁屏蔽结构，其特征在于，所述导电丝网的丝径为30μm～200μm。

5.根据权利要求1所述的电磁屏蔽结构，其特征在于，所述导电丝网的目数为30目～300目。

6.根据权利要求1所述的电磁屏蔽结构，其特征在于，所述复合层的厚度为60μm～400μm。

7.根据权利要求1所述的电磁屏蔽结构，其特征在于，所述填充物还包括屏蔽填料，所述屏蔽填料用于屏蔽磁场和/或电场。

8.根据权利要求1所述的电磁屏蔽结构，其特征在于，还包括位于所述胶黏剂层和所述复合层之间的第一导电流体层，和/或，位于所述封装层和所述复合层之间的第二导电流体层。

9.根据权利要求8所述的电磁屏蔽结构，其特征在于，所述第一导电流体层中的导电流体为低熔点金属或者低熔点金属与屏蔽填料的复合材料，且所述第一导电流体层中的导电流体包括的低熔点金属与所述填充物包括的低熔点金属相同；所述第二导电流体层中的导电流体为低熔点金属或者低熔点金属与屏蔽填料的复合材料，且所述第二导电流体层中的导电流体包括的低熔点金属与所述填充物包括的低熔点金属相同。

10.根据权利要求1所述的电磁屏蔽结构，其特征在于，所述基底为纺织品、橡胶、柔性塑料膜、纸张、无纺布、玻璃、木材、陶瓷、硬性塑料板、混凝土中的一种；或者，所述基底包括依次层叠设置的离型纸、粘结层和底膜，所述底膜与所述胶黏剂层接触。