CN208423767U - 一种交直流漏电检测保护电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种交直流漏电检测保护电路，属于保护电路领域。一种交直流漏电检测保护电路，包括电流保护电路、整流电路、电压保护电路、可控硅电路、降压电路、滤波电路和漏电流检测电路，所述电流保护电路包括分别串联在三相电源中电阻的R6、R12、R15，所述电阻R6、R12之间并联压敏电阻RV1，所述电阻R6、R15之间并联压敏电阻RV2；本实用新型在每相电路中分别串联R6、R12、R15三个的电阻，防止电路中因电流过大而烧坏电路中的元件，并且在每两相电压间分别接压敏电阻RV1、RV2、RV3三个电阻，保护电路不被高电压烧坏，吸收雷击浪涌抗干扰。

Description

一种交直流漏电检测保护电路

技术领域

本实用新型涉及保护电路技术领域，尤其涉及一种交直流漏电检测保护电路。

背景技术

鉴于电源电路存在一些不稳定因素，而设计用来防止此类不稳定因素影响电路效果的回路称作保护电路,比如有过流保护、过压保护、过热保护、空载保护、短路保护等。

随着技术的发展，各种大电流电器需要输入大电流交流直流电，新能源汽车的快速发展，各种室外充电桩越来越多，另外对于一些室外太阳能灯电器设备，漏电保护十分重要，目前漏电保护器得到广泛应用，主要是用来在设备发生漏电故障时以及对有致命危险的人身触电保护；但目前市场的漏电只能用于交流电，随着市场对电电需求越来越广泛，比如直流充电桩，太阳能发电都需要直流漏电保护。

另外漏电保护器电路输送是通过高压电线输送到充电插排上，雷击浪涌是由于闪电、电子电气开关动作时而产生瞬态高压或大电流现象，会对电路中的电器件造成损害，严重时可能会产生事故，而目前的漏电保护器的保护电路难以满足及时检测并起到电流保护作用，难以达到保护人身或设备的安全，从而一种交直流漏电检测保护电路十分必要。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了解决现有技术的问题，而提出的一种交直流漏电检测保护电路。

为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：

一种交直流漏电检测保护电路，包括电流保护电路、整流电路、电压保护电路、可控硅电路、降压电路、滤波电路和漏电流检测电路，所述电流保护电路包括分别串联在三相电源中电阻的R6、R12、R15，所述电阻R6、R12之间并联压敏电阻RV1，所述电阻R6、R15之间并联压敏电阻RV2，所述电阻R12、R15之间并联压敏电阻RV3。

优选的，所述整流电路包括二极管D2、D3、D4、D6、D7、D8，所述二极管D2、D3、D4输出端相连后与电压保护电路输入端相连，所述二极管D6、D7、D8输入端相连后与可控硅输出端相连，所述二极管D2输入端、二极管D6输出端相连后和串联有R6的电源相相连，所述二极管D3输入端、二极管D7输出端相连后和串联有R12的电源相相连，所述二极管D4输入端、二极管D8输出端相连后和串联有R15的电源相相连。

优选的，所述电压保护电路包括脱扣器L1，所述脱扣器L1输入端与D2、D3、D4输出端相连，所述脱扣器L1输出端与可控硅电路输入端相连。

优选的，所述电压保护电路还包括二极管D1，所述二极管D1输入端与脱扣器L1输出端相连后与可控硅电路输入端相连，所述二极管D1输出端与脱扣器L1输入端相连后与D2、D3、D4输出端相连。

优选的，所述可控硅电路包括可控硅芯片CR1、CR2、电容C1、C4、电阻R3、R7和R16，所述可控硅芯片CR1上阳极端与电压保护电路输出端相连，所述可控硅芯片CR1***极端与可控硅芯片CR2上阳极端相连，所述可控硅芯片CR2***极端与整流电路输入端相连，所述电容C1和电阻R7并联在CR1的控制极端与***极端之间，所述电容C4和电阻R16并联在可控硅芯片CR2的控制极端和***极端，所述可控硅芯片CR1控制极端通过电阻R3串联在电压保护电路输出端。

优选的，所述降压电路包括电阻R1、R2、R4、R5、R8、R9、R10、R11、R13、R14，所述电阻R1、R2并联后与电压保护电路输出端相连，所述R1和R2并联后、R4和R5并联后、R8和R9并联后、R10和R11并联后、R13和R14并联后依次串联，所述电阻R13、R14并联后与滤波电路的输入端相连。

优选的，所述滤波电路包括电容C3和电解电容C2，所述电容C3两端并联在稳压二极管D5的阴极端和阳极端，所述电解电容C2正极端与降压电路的输出端相连，所述电解电容C2负极端与整流电路输入端相连。

优选的，所述漏电流检测电路包括全相位高速漏电保护芯片CS6122、电阻R17、R18、电容C5、C6、C7、C8、C10和输入线圈，所述电阻R18两端分别接在输入线圈两根引线上，所述电阻R18和电容C7两端与全相位高速漏电保护芯片CS6122的2号输入信号管脚和3号电源管脚相连，所述电容C6两端分别与全相位高速漏电保护芯片CS6122的2号输入信号管脚和1号管脚相连，所述电容C10、C8连接在全相位高速漏电保护芯片CS6122的3号电源管脚和7号管脚之间，所述电容C5连接在全相位高速漏电保护芯片CS6122的4号管脚与8号管脚之间，所述电阻R17连接在全相位高速漏电保护芯片CS6122的4号管脚与7号管脚之间。

与现有技术相比，本实用新型提供了一种交直流漏电检测保护电路，具备以下有益效果：

1、从电网中获取380V的三相电源，在每相电路中分别串联R6、R12、R15三个的电阻，防止电路中因电流过大而烧坏电路中的元件，并且在每两相电压间分别并联接RV1、RV2、RV3三个压敏电阻，保护电路不被高电压烧坏，吸收雷击浪涌抗干扰。

2、从电流保护电路中输出的三相电仍然是交流电，利用D2、D3、D4、D6、D7、D8六个二极管组成的整流桥电路，采样半波整流法是输出的电压总保持一个正向电压。

3、电压保护电路主要由脱扣器L1和二极管D1组成，当整流电路输出的电压过大或电流过大时，脱扣器L1迅速切断电源，从而保护电路并防止触电，二极管D1的负极接到整流电路输出电压上，正极接到脱扣器L1的输出端，使输出的电压永远小于整流电路输出电压，二极管D1防止电压回流，烧坏电路。

4、电压保护电路输出的电压通过两个可控硅芯片CR1和CR2控制后续电路的通断；通过外部的全相位高速漏电保护芯片CS6122产生的SCRT指令控制CR1和CR2的通断，当有SCRT指令时到控制极，先通过C4和R16滤除发送指令引起的噪声干扰，使CR2导通，使CR2的阳极A拉至电平，即CR1的阴极K为低电平，又使CR1导通，C1、R7滤除可控硅CR1，CR2导通时产生的噪声。

5、降压电路：包括电阻R1、R2、R4、R5、R8、R9、R10、R11、R13、R14，所述电压保护电路输出的电压与电阻R1、R2并联后的输入端相连，R1和R2并联后、R4和R5并联后、R8和R9并联后、R10和R11并联后、R13和R14并联后，再依次串联进行降压，增大对电路的驱动能力，确保电路能承受更大的电流，电阻R13、R14并联与滤波电路的输入端相连。

6、滤波电路：稳定输出的电压5V，通过电解电容C2,C3的并联电容滤除噪声，通过稳压二极管D5使输出的电压稳定，供电电压更加干净。

7、漏电流检测电路：可以检测交流信号也可以检测脉动直流信号；本电路可应用于A型和AC型断路，产生SCR指令，通过全相位高速漏电保护芯片CS6122、电阻R17、R18，电容C5、C6、C7、C8、C10及输入线圈产生SCR指令；通过电阻R18和电容C7两端与全相位高速漏电保护芯片CS6122的2号输入信号管脚和3号电源管脚相连，滤除输入信号及电源产生的噪声；通过的全相位高速漏电保护芯片CS6122的2号输入信号管脚和3号电源管脚分别接上滤波电容C6和C10，滤除输入管脚及电源管脚本身产生的噪声，通过全相位高速漏电保护芯片CS6122的8号管脚通过电容C5接在滤波电路所产生的稳定的直流电压上再次滤除直流电压产生的纹波干扰，使全相位高速漏电保护芯片CS6122的6号管脚产生SCR指令。

附图说明

图1为本实用新型提出的一种交直流漏电检测保护电路的电路示意图；

图2为本实用新型提出的一种交直流漏电检测保护电路的电流保护电路、整流电路、电压保护电路示意图；

图3为本实用新型提出的一种交直流漏电检测保护电路的可控硅电路、降压电路和滤波电路示意图；

图4为本实用新型提出的一种交直流漏电检测保护电路的漏电流检测电路示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

实施例1：

参照图1-2，一种交直流漏电检测保护电路，包括电流保护电路、整流电路、电压保护电路、可控硅电路、降压电路、滤波电路和漏电流检测电路，电流保护电路包括分别串联在三相电源中电阻的R6、R12、R15，电阻R6、R12之间并联压敏电阻RV1，电阻R6、R15之间并联压敏电阻RV2，电阻R12、R15之间并联压敏电阻RV3，从电网中获取380V的三相电源，在每相电路中分别串联接R6、R12、R15三个的电阻，防止电路中因电流过大而烧坏电路中的元件，并且在每两相电压间分别并联接RV1、RV2、RV3三个压敏电阻。

整流电路包括二极管D2、D3、D4、D6、D7、D8，二极管D2、D3、D4输出端相连后与电压保护电路输入端相连，二极管D6、D7、D8输入端相连后与可控硅输出端相连，二极管D2输入端、二极管D6输出端相连后和串联有R6的电源相相连，二极管D3输入端、二极管D7输出端相连后和串联有R12的电源相相连，二极管D4输入端、二极管D8输出端相连后和串联有R15的电源相相连，从电流保护电路中输出的三相电仍然是交流电，利用D2、D3、D4、D6、D7、D8六个二极管组成的整流桥电路，采样半波整流法是输出的电压总保持一个正向电压。

电压保护电路包括脱扣器L1，脱扣器L1输入端与D2、D3、D4输出端相连，脱扣器L1输出端与可控硅电路输入端相连。

电压保护电路还包括二极管D1，二极管D1输入端与脱扣器L1输出端相连后与可控硅电路输入端相连，二极管D1输出端与脱扣器L1输入端相连后与D2、D3、D4输出端相连，电压保护电路主要由脱扣器L1和二极管D1组成，当整流电路输出的电压过大或电流过大时，脱扣器L1迅速切断电源，从而保护电路并防止触电，二极管D1的负极接到整流电路输出电压上，正极接到脱扣器L1的输出端，使输出的电压永远小于整流电路输出电压，二极管D1防止电压回流，烧坏电路。

实施例2：

参照图1-4：一种交直流漏电检测保护电路，与实施例1基本相同，更进一步的，可控硅电路包括可控硅芯片CR1、CR2、电容C1、C4、电阻R3、R7和R16，可控硅芯片CR1上阳极端与电压保护电路输出端相连，可控硅芯片CR1***极端与可控硅芯片CR2上阳极端相连，可控硅芯片CR2***极端与整流电路输入端相连，电容C1和电阻R7并联在CR1的控制极端与***极端之间，电容C4和电阻R16并联在可控硅芯片CR2的控制极端和***极端，可控硅芯片CR1控制极端通过电阻R3串联在电压保护电路输出端，电压保护电路输出的电压通过两个可控硅芯片CR1和CR2控制后续电路的通断；通过外部的全相位高速漏电保护芯片CS6122产生的SCRT指令控制CR1和CR2的通断，当有SCRT指令时到控制极，先通过C4和R16滤除发送指令引起的噪声干扰，使CR2导通，使CR2的阳极A拉至电平，即CR1的阴极K为低电平，又使CR1导通，C1、R7滤除可控硅CR1，CR2导通时产生的噪声。

降压电路包括电阻R1、R2、R4、R5、R8、R9、R10、R11、R13、R14，电阻R1、R2并联后与电压保护电路输出端相连，R1和R2并联后、R4和R5并联后、R8和R9并联后、R10和R11并联后、R13和R14并联后依次串联，电阻R13、R14并联后与滤波电路的输入端相连，降压电路：包括电阻R1、R2、R4、R5、R8、R9、R10、R11、R13、R14，电压保护电路输出的电压与电阻R1、R2并联后的输入端相连，R1和R2并联后、R4和R5并联后、R8和R9并联后、R10和R11并联后、R13和R14并联后，再依次串联进行降压，增大对电路的驱动能力，确保电路能承受更大的电流，电阻R13、R14并联与滤波电路的输入端相连。

滤波电路包括电容C3和电解电容C2，电容C3两端并联在稳压二极管D5的阴极端和阳极端，电解电容C2正极端与降压电路的输出端相连，电解电容C2负极端与整流电路输入端相连，稳定输出的电压5V，通过电解电容C2,C3的并联电容滤除噪声，通过稳压二极管D5使输出的电压稳定，供电电压更加干净。

漏电流检测电路包括全相位高速漏电保护芯片CS6122、电阻R17、R18、电容C5、C6、C7、C8、C10和输入线圈，输入线圈缠绕在三相电源上，电阻R18两端分别接在输入线圈两根引线上，电阻R18和电容C7两端与全相位高速漏电保护芯片CS6122的2号输入信号管脚和3号电源管脚相连，电容C6两端分别与全相位高速漏电保护芯片CS6122的2号输入信号管脚和1号管脚相连，电容C10、C8连接在全相位高速漏电保护芯片CS6122的3号电源管脚和7号管脚之间，电容C5连接在全相位高速漏电保护芯片CS6122的4号管脚与8号管脚之间，电阻R17连接在全相位高速漏电保护芯片CS6122的4号管脚与7号管脚之间，漏电流检测电路：可以检测交流信号也可以检测脉动直流信号；本电路可应用于A型和AC型断路，产生SCR指令，通过全相位高速漏电保护芯片CS6122、电阻R17、R18，电容C5、C6、C7、C8、C10及输入线圈产生SCR指令；通过电阻R18和电容C7两端与全相位高速漏电保护芯片CS6122的2号输入信号管脚和3号电源管脚相连，滤除输入信号及电源产生的噪声；通过的全相位高速漏电保护芯片CS6122的2号输入信号管脚和3号电源管脚分别接上滤波电容C6和C10，滤除输入管脚及电源管脚本身产生的噪声，通过全相位高速漏电保护芯片CS6122的8号管脚通过电容C5接在滤波电路所产生的稳定的直流电压上再次滤除直流电压产生的纹波干扰，使全相位高速漏电保护芯片CS6122的6号管脚产生SCR指令。

以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种交直流漏电检测保护电路，其特征在于，包括电流保护电路、整流电路、电压保护电路、可控硅电路、降压电路、滤波电路和漏电流检测电路，所述电流保护电路包括分别串联在三相电源中电阻的R6、R12、R15，所述电阻R6、R12之间并联压敏电阻RV1，所述电阻R6、R15之间并联压敏电阻RV2，所述电阻R12、R15之间并联压敏电阻RV3。

2.根据权利要求1所述的一种交直流漏电检测保护电路，其特征在于，所述整流电路包括二极管D2、D3、D4、D6、D7、D8，所述二极管D2、D3、D4输出端相连后与电压保护电路输入端相连，所述二极管D6、D7、D8输入端相连后与可控硅输出端相连，所述二极管D2输入端、二极管D6输出端相连后和串联有R6的电源相相连，所述二极管D3输入端、二极管D7输出端相连后和串联有R12的电源相相连，所述二极管D4输入端、二极管D8输出端相连后和串联有R15的电源相相连。

3.根据权利要求2所述的一种交直流漏电检测保护电路，其特征在于，所述电压保护电路包括脱扣器L1，所述脱扣器L1输入端与D2、D3、D4输出端相连，所述脱扣器L1输出端与可控硅电路输入端相连。

4.根据权利要求3所述的一种交直流漏电检测保护电路，其特征在于，所述电压保护电路还包括二极管D1，所述二极管D1输入端与脱扣器L1输出端相连后与可控硅电路输入端相连，所述二极管D1输出端与脱扣器L1输入端相连后与D2、D3、D4输出端相连。

5.根据权利要求1所述的一种交直流漏电检测保护电路，其特征在于，所述可控硅电路包括可控硅芯片CR1、CR2、电容C1、C4、电阻R3、R7和R16，所述可控硅芯片CR1上阳极端与电压保护电路输出端相连，所述可控硅芯片CR1***极端与可控硅芯片CR2上阳极端相连，所述可控硅芯片CR2***极端与整流电路输入端相连，所述电容C1和电阻R7并联在CR1的控制极端与***极端之间，所述电容C4和电阻R16并联在可控硅芯片CR2的控制极端和***极端，所述可控硅芯片CR1控制极端通过电阻R3串联在电压保护电路输出端。

6.根据权利要求1或5所述的一种交直流漏电检测保护电路，其特征在于，所述降压电路包括电阻R1、R2、R4、R5、R8、R9、R10、R11、R13、R14，所述电阻R1、R2并联后与电压保护电路输出端相连，所述R1和R2并联后、R4和R5并联后、R8和R9并联后、R10和R11并联后、R13和R14并联后依次串联，所述电阻R13、R14并联后与滤波电路的输入端相连。

7.根据权利要求6所述的一种交直流漏电检测保护电路，其特征在于，所述滤波电路包括电容C3和电解电容C2，所述电容C3两端并联在稳压二极管D5的阴极端和阳极端，所述电解电容C2正极端与降压电路的输出端相连，所述电解电容C2负极端与整流电路输入端相连。

8.根据权利要求1所述的一种交直流漏电检测保护电路，其特征在于，所述漏电流检测电路包括全相位高速漏电保护芯片CS6122、电阻R17、R18、电容C5、C6、C7、C8、C10和输入线圈，所述电阻R18两端分别接在输入线圈两根引线上，所述电阻R18和电容C7两端与全相位高速漏电保护芯片CS6122的2号输入信号管脚和3号电源管脚相连，所述电容C6两端分别与全相位高速漏电保护芯片CS6122的2号输入信号管脚和1号管脚相连，所述电容C10、C8连接在全相位高速漏电保护芯片CS6122的3号电源管脚和7号管脚之间，所述电容C5连接在全相位高速漏电保护芯片CS6122的4号管脚与8号管脚之间，所述电阻R17连接在全相位高速漏电保护芯片CS6122的4号管脚与7号管脚之间。