LED低压驱动电路和LED灯具
技术领域
本实用新型涉及电子照明领域,具体而言,涉及一种LED低压驱动电路和一种LED灯具。
背景技术
LED光源作为一种常用光源,越来越多应用在用户生活中,LED光源包括MR16LED射灯、智能调光LED、车载LED灯、太阳能LED,LED 光源由于具有发光效率高、工作寿命长、颜***真以及环保等特点,正在逐渐替代传统的白炽灯作为照明用具,其中,MR16LED低压射灯能够替代传统低压的卤素灯与石英灯时,但是在使用中仍存在以下缺陷:
更换后的MR16LED射灯与原驱动电路中的电子变压器无法匹配,导致出现LED射灯无法点亮、点亮后的LED射灯存在闪烁问题或出现嗞嗞声响问题等,以致无法兼容原卤素灯驱动电路或石英灯驱动电路中的子变压器。
实用新型内容
本实用新型旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。
为此,本实用新型的一个目的在于提出一种LED低压驱动电路。
为此,本实用新型的另一个目的在于提出一种LED灯具。
为实现上述目的,本实用新型的实施例提供了一种LED低压驱动电路,包括:低压电源;整流模块,包括整流桥堆,整流桥堆连接至低压电源,整流桥堆包括第一输出端与第二输出端,以输出直流电;EMI抑制模块,连接至第一输出端,EMI(Electro MagneticInterference,电磁干扰) 抑制模块用于抑制电磁干扰;恒流控制模块,分别连接至第一输出端与EMI 抑制模块,恒流控制模块用于向LED负载提供恒流电压。
在该技术方案中,市电经过电子变压器后,形成大于或等于3V并小于或等60V的直流低压或交流低压,直流低压或交流低压经过整流模块后被整流为直流电,整流模块包括整理桥堆,整流桥堆输出的直流电经过EMI 抑制模块后,实现对电磁干扰的抑制,电磁干扰被抑制后的直流电能够输入到恒流控制模块中,以通过恒流控制模块根据不同的直流输入电压进行能量转换,实现与不同的前级电子变压器的匹配,以实现对LED负载供电,并能减少前级电子变压器工作时造成的闪烁、嗞嗞响声等现象,从而提高产品稳定性。
需要理解的是,本实用新型所提出的LED低压驱动电路,可以有多种工作模式,包括升压、降压以及升降压模式,从而实现与不同的前级电子变压器之间的兼容。
其中,整理桥堆包括4个整流二极管,整流二极管因开关频率较高,为了提高效率,可以使用具有快恢复时间与低导通压降的肖特基二极管,其中,肖特基二极管的平均电流等级需大于平均输出电流,反向击穿电压需大于输出电压。
另外,本实用新型提供的上述实施例中的LED低压驱动电路还可以具有如下附加技术特征:
在上述技术方案中,优选地,还包括:滤波模块,包括:储能滤波电感,储能滤波电感的一端连接至第一输出端。
在该技术方案中,通过设置储能滤波电感,一方面,能够将流经储能滤波电感的电流转换为磁能进行能量存储,另一方面,还可以限制流入EMI 抑制模块的电流。
其中,储能滤波电感可以采用镍锌材料的贴片电感或工感。
在上述任一项技术方案中,优选地,EMI抑制模块包括:贴片式磁珠,贴片式磁珠的一端连接至储能滤波电感的另一端,贴片式磁珠用于消除 EMI噪声;续流二极管,续流二极管的阳极连接至贴片式磁珠的另一端;其中,将贴片式磁珠的一端确定为EMI抑制模块的抑制输入端,将续流二极管的阴极确定为EMI抑制模块的抑制输出端。
在该技术方案中,通过设置贴片式磁珠,能够有效消除不需要的EMI 噪声,以提升驱动电路的稳定性。
在上述任一技术方案中,优选地,EMI抑制模块包括:续流二极管,续流二极管的阳极连接至储能滤波电感的另一端RC滤波组件,与续流二极管并联设置,RC滤波组件包括串联连接的第一电阻与第一电容,RC滤波组件用于抑制电磁干扰,其中,将续流二极管的阳极确定为EMI抑制模块的抑制输入端,将续流二极管的阴极确定为EMI抑制模块的抑制输出端。
在该技术方案中,通过设置RC滤波组件,RC滤波组件能够实现抑制电磁干扰以及传导干扰。
在上述任一技术方案中,优选地,EMI抑制模块包括:贴片式磁珠,贴片式磁珠的一端连接至第一输出端,贴片式磁珠用于消除EMI噪声;续流二极管,续流二极管的阳极连接至贴片式磁珠的另一端;RC滤波组件,与续流二极管并联设置,RC滤波组件包括串联连接的第一电阻与第一电容,第一电阻的一端连接至续流二极管的阳极,第一电阻的另一端连接至第一电容的一端,第一电容的另一端连接至续流二极管的阴极,RC滤波组件用于抑制电磁干扰,其中,将贴片式磁珠的一端确定为EMI抑制模块的抑制输入端,将续流二极管的阴极确定为EMI抑制模块的抑制输出端。
在该技术方案中,通过依次设置贴片式磁珠与RC滤波组件,实现了电磁干扰的二次滤波,能够同时抑制电磁与传导干扰,并对干扰的抑制效果更好,线路能通过欧盟CE认证。
其中,续流二极管,同样可以采用肖特基二极管,在ton时能够给储能滤波电感释放能量提供通路。
在上述任一项技术方案中,优选地,恒流控制模块包括:恒流控制芯片,包括过压保护端、环路补偿端、调光输入端、接地端、开关端、内部电源输出端、芯片供电端、电流采样端,过压保护端连接至第二电阻的一端,环路补偿端连接至第二电容的一端,开关端连接至抑制输入端,内部电源输出端串联连接至第三电容的一端,芯片供电端连接至抑制输出端,将电流采样端确定为LED负载的输出正极;第三电阻,第三电阻的一端连接至芯片供电端,第三电阻的另一端连接至电流采样端;第四电阻,与第三电阻并联设置。
在该技术方案中,通过设置恒流控制芯片,通过芯片供电段对芯片供电,恒流控制芯片中设置有MOSFET管,MOSFET管的漏极对应开关端, MOSFET管的源极对应接地端,通过将电流采样端的电压控制在恒定值,以通过第三电阻与第四电阻实现稳定的电流输出,从而实现对LED负载稳定供电。
其中,恒流控制芯片的型号可以为BP1808或BP1808A。
在上述任一技术方案中,优选地,还包括:第四电容,第四电容的一端连接至抑制输出端,第四电容的另一端接地,第四电容用于对恒流电压进行升压;第五电阻,第五电阻的第一端连接至抑制输出端,第五电阻的另一端连接至过压保护端,其中,第二输出端接地,第二电阻的另一端接地,第二电容的另一端接地,调光输入端空置,接地端接地,开关端还串联第五电容后接地,第三电容的另一端接地,并将第二输出端作为LED负载的输出负极。
在该技术方案中,通过将第四电容与第五电阻接入电路,与储能滤波电感配合,实现了拓扑结构的BOOST升压电路的构造,进而实现了LED 低压驱动电路的升压工作模式。
具体地,储能滤波电感能够将电能和磁场能相互转换,在控制开关端为关闭状态时,电感将电能转换为磁场能储存起来,在控制开关端为断开状态时,储能滤波电感能将储存的磁场能转换为电场能,这个能量和整流模块输出的直流电叠加后通过续流二极管和第一电容的滤波后得到平滑的直流电压提供给负载,由于这个电压是输入电源电压和电感的磁场能转换为电能的叠加后形成的,所以输出电压高于输入电压,既升压过程的完成。
在上述任一技术方案中,优选地,还包括:第四电容,与储能滤波电感串联设置,第四电容的一端连接至第一输出端,第四电容的另一端连接至储能滤波电感的一端,储能滤波电感的另一端连接至开关端,将第四电容的另一端确定为LED负载的输出负极,第四电容用于对恒流电压进行降压,其中,第二电阻的另一端接地,第二电容的另一端接地,调光输入端串联第五电容后接地,接地端空置,第三电容的另一端接地。
在该技术方案中,通过将第四电容接入电路,与储能滤波电感配合,实现了拓扑结构的BUCK降压电路的构造,进而实现了LED低压驱动电路的降压工作模式。
在上述任一技术方案中,优选地,还包括:第四电容,与储能滤波电感并联设置,第四电容用于对恒流电压进行升压或降压;第五电阻,第五电阻的第一端连接至抑制输出端,第五电阻的另一端连接至过压保护端,其中,第二电阻的另一端,第二电容的另一端,第三电容的另一端分别连接至第二输出端,调光输入端串联第五电容后连接至第二输出端,将第一输出端确定为LED负载的输出负极。
在该技术方案中,通过调整第四电容与第五电阻的连接方式,实现了拓扑结构的BOOST-BUCK升降压型电路的构造,进而实现了LED低压驱动电路的升降压工作模式。
其中,采用BOOST-BUCK升降压型电路,输出电压的极性与输入电压的极性相反。
在上述任一技术方案中,优选地,滤波模块还包括:第六电容,第九电容的一端连接至第一输出端,第九电容的另一端连接至第二输出端。
在该技术方案中,通过设置第六电容,实现了滤波功能。
在上述任一技术方案中,优选地,滤波模块还包括:电解电容,电解电容的正极连接至第一输出端,电解电容的负极连接至第二输出端。
在该技术方案中,通过电解电容的储能及滤波,实现稳压滤波功能。
其中,电解电容的耐压值为25V,容量大于470uF。
在上述任一技术方案中,优选地,LED负载为MR16LED射灯。
本实用新型的第二方面的实施例提供了一种LED灯具,包括本实用新型的第一方面的实施例中任一项所述的LED低压驱动电路。
根据本实用新型的技术方案,通过恒流控制模块根据不同的直流输入电压进行能量转换,实现与不同的前级电子变压器的匹配,以实现对LED 负载供电,并能减少前级电子变压器工作时造成的闪烁、嗞嗞响声等现象,从而提高产品稳定性。
本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述部分中变得明显,或通过本实用新型的实践了解到。
附图说明
图1示出了根据本实用新型的一个实施例的LED低压驱动电路的结构示意图;
图2示出了根据本实用新型的另一个实施例的LED低压驱动电路的结构示意图;
图3示出了根据本实用新型的再一个实施例的LED低压驱动电路的结构示意图;
图4示出了根据本实用新型的又一个实施例的LED低压驱动电路的结构示意图;
图5示出了根据本实用新型的又一个实施例的LED低压驱动电路的结构示意图;
图6示出了根据本实用新型的一个实施例的恒流控制芯片的结构示意图;
图7示出了根据本实用新型的一个实施例的芯片软启动时间与COMP 电容之间的关系曲线图。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本实用新型的上述目的、特征和优点,下面结合附图和具体实施方式对本实用新型进行进一步的详细描述。需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型,但是,本实用新型还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施,因此,本实用新型的保护范围并不限于下面公开的具体实施例的限制。
如图1至图3所示,根据本实用新型的一个实施例的LED低压驱动电路,包括:低压电源;整流模块10,包括整流桥堆,整流桥堆连接至低压电源,整流桥堆包括第一输出端与第二输出端,以输出直流电;EMI抑制模块20,连接至第一输出端,EMI(Electro MagneticInterference,电磁干扰)抑制模块用于抑制电磁干扰;恒流控制模块30,分别连接至第一输出端与EMI抑制模块20,恒流控制模块30用于向LED负载提供恒流电压。
在该实施例中,市电经过电子变压器后,形成大于或等于3V并小于或等60V的直流低压或交流低压,直流低压或交流低压经过整流模块10 后被整流为直流电,整流模块10包括整理桥堆,整流桥堆输出的直流电经过EMI抑制模块20后,实现对电磁干扰的抑制,电磁干扰被抑制后的直流电能够输入到恒流控制模块30中,以通过恒流控制模块30根据不同的直流输入电压进行能量转换,实现与不同的前级电子变压器的匹配,以实现对LED负载供电,并能减少前级电子变压器工作时造成的闪烁、嗞嗞响声等现象,从而提高产品稳定性。
需要理解的是,本实用新型所提出的LED低压驱动电路,可以有多种工作模式,包括升压、降压以及升降压模式,从而实现与不同的前级电子变压器之间的兼容。
如图1至图5所示,其中,整理桥堆包括4个整流二极管(分别为102、 104、106与108),在整流桥堆的输入端还连接有熔断器110,整流二极管因开关频率较高,为了提高效率,可以使用具有快恢复时间与低导通压降的肖特基二极管,其中,肖特基二极管的平均电流等级需大于平均输出电流,反向击穿电压需大于输出电压。
另外,本实用新型提供的上述实施例中的LED低压驱动电路还可以具有如下附加技术特征:
如图1至图5所示,在上述实施例中,优选地,还包括:滤波模块40,包括:储能滤波电感402,储能滤波电感402的一端连接至第一输出端。
在该实施例中,通过设置储能滤波电感402,一方面,能够将流经储能滤波电感402的电流转换为磁能进行能量存储,另一方面,还可以限制流入EMI抑制模块20的电流。
其中,储能滤波电感402可以采用镍锌材料的贴片电感或工感。
实施例一:
如图2所示,在上述任一项实施例中,优选地,EMI抑制模块20包括:贴片式磁珠202,贴片式磁珠202的一端连接至储能滤波电感402的另一端,贴片式磁珠202用于消除EMI噪声;续流二极管204,续流二极管204 的阳极连接至贴片式磁珠202的另一端;其中,将贴片式磁珠202的一端确定为EMI抑制模块20的抑制输入端,将续流二极管204的阴极确定为EMI抑制模块20的抑制输出端。
在该实施例中,通过设置贴片式磁珠202,能够有效消除不需要的EMI 噪声,以提升驱动电路的稳定性。
实施例二:
如图3所示,在上述任一实施例中,优选地,EMI抑制模块20包括:续流二极管204,续流二极管204的阳极连接至储能滤波电感402的另一端RC滤波组件,与续流二极管204并联设置,RC滤波组件包括串联连接的第一电阻206与第一电容208,RC滤波组件用于抑制电磁干扰,其中,将续流二极管204的阳极确定为EMI抑制模块20的抑制输入端,将续流二极管204的阴极确定为EMI抑制模块20的抑制输出端。
在该实施例中,通过设置RC滤波组件,RC滤波组件能够实现抑制电磁干扰以及传导干扰。
实施例三:
如图1、图4与图5所示,在上述任一实施例中,优选地,EMI抑制模块20包括:贴片式磁珠202,贴片式磁珠202的一端连接至第一输出端,贴片式磁珠202用于消除EMI噪声;续流二极管204,续流二极管204的阳极连接至贴片式磁珠202的另一端;RC滤波组件,与续流二极管204并联设置,RC滤波组件包括串联连接的第一电阻206与第一电容208,第一电阻206的一端连接至续流二极管204的阳极,第一电阻206的另一端连接至第一电容208的一端,第一电容208的另一端连接至续流二极管204 的阴极,RC滤波组件用于抑制电磁干扰,其中,将贴片式磁珠202的一端确定为EMI抑制模块20的抑制输入端,将续流二极管204的阴极确定为 EMI抑制模块20的抑制输出端。
在该实施例中,通过依次设置贴片式磁珠202与RC滤波组件,实现了电磁干扰的二次滤波,能够同时抑制电磁与传导干扰,并对干扰的抑制效果更好,线路能通过欧盟CE认证。
其中,续流二极管204,同样可以采用肖特基二极管,在ton时能够给储能滤波电感402释放能量提供通路。
如图1至图5所示,在上述任一项实施例中,优选地,恒流控制模块 30包括:恒流控制芯片302,包括过压保护端、环路补偿端、调光输入端、接地端、开关端、内部电源输出端、芯片302供电端、电流采样端,过压保护端连接至第二电阻304的一端,环路补偿端连接至第二电容306的一端,开关端连接至抑制输入端,内部电源输出端串联连接至第三电容308 的一端,芯片302供电端连接至抑制输出端,将电流采样端确定为LED负载的输出正极;第三电阻310,第三电阻310的一端连接至芯片302供电端,第三电阻310的另一端连接至电流采样端;第四电阻312,与第三电阻310并联设置。
在该实施例中,通过设置恒流控制芯片302,通过芯片302供电段对芯片302供电,恒流控制芯片302中设置有MOSFET管,MOSFET管的漏极对应开关端,MOSFET管的源极对应接地端,通过将电流采样端的电压控制在恒定值,以通过第三电阻310与第四电阻312实现稳定的电流输出,从而实现对LED负载稳定供电。
其中,恒流控制芯片302的型号可以为BP1808或BP1808A,图1至图6中管脚的标号如表1所示。
表1
管脚号 |
管脚名称 |
描述 |
1 |
OVP |
过压保护端,连接至输出脚和地之间的分压电阻 |
2 |
COMP |
环路补偿端,连接补偿电阻(可选)串联补偿电容到地 |
3 |
DIM |
调光输入端,不调光时悬空 |
4 |
GND |
芯片接地端 |
5 |
SW |
开关端,连接内部MOSFET漏极及外部整流二极管阳极 |
6 |
VDD |
芯片的内部电源输出端 |
7 |
VOUT |
输出电压连接点,并提供对芯片供电 |
8 |
CS |
LED电流采样端,连接采样电阻到VOUT端 |
图6示出了恒流控制芯片302的内部结构示意图。
如图1至图5所示,CS(电流采样端)连接的采样电阻为310与312,恒流控制芯片302的引脚8(电流采样端)的电压维持在0.2V,控制恒流控制芯片302持续输出恒定的电流值,以提供给LED灯珠供电工作。
如图6所示,恒流控制芯片302以固定频率400KHz模式工作,通过采集在CS引脚(电流采样端)和VOUT引脚(芯片供电端)之间采样电阻上的电压(V-),与内部基准0.2V(V+)比较,通过误差放大器(EA),控制 COMP(环路补偿端)的电压(V+),COMP的电压与内部振荡产生的固定锯齿波(V-)比较,来决定导通时间,当输出电流减小时,采样电阻上的电压小于0.2V,通过EA把COMP电压拉高,通过时间增大,从而使采样电阻上的电压维持在0.2V,输出电流维持设定值,反之亦然。
如图6与图7所示,BP1808内置软启动功能,当COMP电压上升至 1V时,软启动结束,内置MOSFET开始开关。当COMP电容值小于8nF 时,COMP电压以最大斜率1V/ms上升,软启动时间为1ms,若需要更长的软启动时间,可适当加大COMP端的电容,当COMP电容大于8nF时,软启动充电电流以最大值8uA给COMP电容充电,直到COMP电压上升至1V,此时的软启动时间为tss:
当DIM端(调光输入端)的电压持续小于0.2V超过15ms时,恒流控制芯片302进入关机状态,在此状态下,静态电流减小至80uA,COMP电容被放电至零。
如图6所示,过压保护端(第1管脚)设置有OVP比较器,因此采用恒流控制芯片302,还能够在升压工作模式或升降压工作模式下实现过压保护,通过LED开路触发过压保护,过压保护点可通过外部分压电阻设置, OVP比较器的参考电压为1.2V,迟滞100mV,因此将过压保护电压设置比正常VOUT电压高30%以上。
另外,恒流控制芯片302还具有过热调节功能,在驱动电源过热时逐渐减小输出电流,从而控制输出功率和温升,使电源温度保持在设定值,以提高***的可靠性,过热调节温度点设置为140℃。
实施例四:
如图1至图3所述,在上述任一实施例中,优选地,还包括:第四电容314,第四电容314的一端连接至抑制输出端,第四电容314的另一端接地,第四电容314用于对恒流电压进行升压;第五电阻316,第五电阻 316的第一端连接至抑制输出端,第五电阻316的另一端连接至过压保护端,其中,第二输出端接地,第二电阻304的另一端接地,第二电容306 的另一端接地,调光输入端空置,接地端接地,开关端还串联第五电容318 后接地,第三电容308的另一端接地,并将第二输出端作为LED负载的输出负极。
在该实施例中,通过将第四电容314与第五电阻316接入电路,与储能滤波电感402配合,实现了拓扑结构的BOOST升压电路的构造,进而实现了LED低压驱动电路的升压工作模式。
具体地,储能滤波电感402能够将电能和磁场能相互转换,在控制开关端为关闭状态时,电感将电能转换为磁场能储存起来,在控制开关端为断开状态时,储能滤波电感402能将储存的磁场能转换为电场能,这个能量和整流模块10输出的直流电叠加后通过续流二极管204和第一电容208 的滤波后得到平滑的直流电压提供给负载,由于这个电压是输入电源电压和电感的磁场能转换为电能的叠加后形成的,所以输出电压高于输入电压,既升压过程的完成。
具体地,如图1至图3所示,以拓扑结构式BOOST升压电路为例,
其中,D为充电占空比,既MosFET的导通时间,以及0<D<1, Vo为输出电压,Vi为输入电压。
实施例五:
如图4所示,在上述任一实施例中,优选地,还包括:第四电容314,与储能滤波电感402串联设置,第四电容314的一端连接至第一输出端,第四电容314的另一端连接至储能滤波电感402的一端,储能滤波电感402 的另一端连接至开关端,将第四电容314的另一端确定为LED负载的输出负极,第四电容314用于对恒流电压进行降压,其中,第二电阻304的另一端接地,第二电容306的另一端接地,调光输入端串联第五电容318后接地,接地端空置,第三电容308的另一端接地。
在该实施例中,通过将第四电容314接入电路,与储能滤波电感402 以及MOSFET管配合,实现了拓扑结构的BUCK降压电路的构造,进而实现了LED低压驱动电路的降压工作模式。
其中,通过控制MOSFET管开合,使储能滤波电感402产生反电动势,以实现降压。
实施例六:
如图5所示,在上述任一实施例中,优选地,还包括:第四电容314,与储能滤波电感402并联设置,第四电容314用于对恒流电压进行升压或降压;第五电阻316,第五电阻316的第一端连接至抑制输出端,第五电阻316的另一端连接至过压保护端,其中,第二电阻304的另一端,第二电容306的另一端,第三电容308的另一端分别连接至第二输出端,调光输入端串联第五电容318后连接至第二输出端,将第一输出端确定为LED 负载的输出负极。
在该实施例中,通过调整第四电容314与第五电阻316的连接方式,并配合MOSFET管,实现了拓扑结构的BOOST-BUCK升降压型电路的构造,进而实现了LED低压驱动电路的升降压工作模式。
其中,采用BOOST-BUCK升降压型电路,输出电压的极性与输入电压的极性相反。
在上述任一实施例中,优选地,滤波模块40还包括:第六电容404,第九电容的一端连接至第一输出端,第九电容的另一端连接至第二输出端。
在该实施例中,通过设置第六电容404,实现了滤波功能。
在上述任一实施例中,优选地,滤波模块40还包括:电解电容406,电解电容406的正极连接至第一输出端,电解电容406的负极连接至第二输出端。
在该实施例中,通过电解电容406的储能及滤波,实现稳压滤波功能。
其中,电解电容406的耐压值为25V,容量大于470uF。
以在上述任一实施例中,优选地,LED负载为MR16LED射灯。
根据本实用新型的实施例的LED灯具,包括上述任一实施例中任一项所述的LED低压驱动电路。
在本实用新型中,术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述的目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性;术语“多个”则指两个或两个以上,除非另有明确的限定。术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语均应做广义理解,例如,“连接”可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;“相连”可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
本实用新型的描述中,需要理解的是,术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或单元必须具有特定的方向、以特定的方位构造和操作,因此,不能理解为对本实用新型的限制。
在本说明书的描述中,术语“一个实施例”、“一些实施例”、“具体实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或实例。而且,描述的具体特征、结构、材料或特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型,对于本领域的技术人员来说,本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。