CN207868606U - 一种激光发射模组和3d摄像装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种激光发射模组和3D摄像装置。该激光发射模组包括底座、设置在所述底座一面上的激光发射芯片和设置在所述底座另一面上的线路板，所述底座包括：散热绝缘基板，用于支撑和散热，具有上下贯穿并金属化的至少两过孔；第一金属层，用于设置并电连接所述激光发射芯片，位于所述散热绝缘基板朝向所述激光发射芯片的一面上；第二金属层，用于设置并电连接所述线路板，位于所述散热绝缘基板朝向所述线路板的一面上；所述第一金属层和第二金属层之间通过所述散热绝缘基板上金属化的过孔形成电性连接。该激光发射模组具有良好的散热性能。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种激光发射模组和3D摄像装置。
背景技术
随着3D感测技术的发展，将激光发射模组和摄像模组结合用于测距、脸部识别、体形识别、动作识别等已经越来越广泛。激光发射模组所使用的激光发射芯片的发光功率大，散热问题严重，影响到了使用性能。
实用新型内容
为了解决上述现有技术的不足，本实用新型提供一种激光发射模组和3D摄像装置。该激光发射模组具有良好的散热性能。
本实用新型所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现：
一种激光发射模组，包括底座、设置在所述底座一面上的激光发射芯片和设置在所述底座另一面上的线路板，所述底座包括：
散热绝缘基板，用于支撑和散热，具有上下贯穿并金属化的至少两过孔；
第一金属层，用于设置并电连接所述激光发射芯片，位于所述散热绝缘基板朝向所述激光发射芯片的一面上；
第二金属层，用于设置并电连接所述线路板，位于所述散热绝缘基板朝向所述线路板的一面上；
所述第一金属层和第二金属层之间通过所述散热绝缘基板上金属化的过孔形成电性连接。
进一步地，所述散热绝缘基板为陶瓷散热基板。
进一步地，所述激光发射芯片通过绑定线与所述第一金属层进行绑定连接，和/或，所述线路板通过锡膏焊接或导热胶与所述线路板进行电性连接。
进一步地，所述激光发射芯片为IR VCSEL芯片。
进一步地，所述IR VCSEL芯片的发光波长为850nm或者940nm，频谱在±10nm。
进一步地，所述激光发射芯片的出光面上具有规则排列的出光孔阵列。
进一步地，还包括设置在所述激光发射芯片的激光发射路径上的光扩散元件。
进一步地，所述光扩散元件包括透镜基板和设置在所述透镜基板的出光面上的光扩散层。
进一步地，还包括设置并支撑在所述底座和光扩散元件之间的支架。
一种3D摄像装置，包括上述的激光发射模组、摄像模组和主处理模块，所述激光发射模组和摄像模组分别电连接至所述主处理模块。
本实用新型具有如下有益效果：该激光发射模组采用散热绝缘基板作为所述底座的主体，对所述激光发射芯片起到支撑和散热的作用，并在所述散热绝缘基板的上下两面上分别铺设大面积的第一金属层和第二金属层，以增加散热面积，并与所述散热绝缘基板一起协同散热，能够很好地提高散热效率，具有良好的散热性能。
附图说明
图1为本实用新型提供的激光发射模组的示意图；
图2为本实用新型提供的3D摄像装置的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型进行详细的说明。
实施例一
如图1所示，一种激光发射模组，包括底座1、设置在所述底座1一面上的激光发射芯片2和设置在所述底座1另一面上的线路板3，所述底座1包括：
散热绝缘基板11，用于支撑和散热，具有上下贯穿并金属化的至少两过孔111；
第一金属层12，用于设置并电连接所述激光发射芯片2，位于所述散热绝缘基板朝向所述激光发射芯片2的一面上；
第二金属层13，用于设置并电连接所述线路板3，位于所述散热绝缘基板11朝向所述线路板3的一面上；
所述第一金属层12和第二金属层13之间通过所述散热绝缘基板11上金属化的过孔111形成电性连接。
该激光发射模组采用散热绝缘基板11作为所述底座1的主体，对所述激光发射芯片2起到支撑和散热的作用，并在所述散热绝缘基板11的上下两面上分别铺设大面积的第一金属层12和第二金属层13，以增加散热面积，并与所述散热绝缘基板11一起协同散热，能够很好地提高散热效率，具有良好的散热性能。
所述第一金属层12和第二金属层13可采用较厚的铜层或者较薄的金层，一般厚度在50-70μm；至少两过孔111中至少一个为正极过孔11，至少一个为负极过孔11。
所述散热绝缘基板11为陶瓷散热基板，优选热导率系数较高的AlN陶瓷基板或者BeO陶瓷基体，两者的热导率系数可达到170W/mk以上。
所述激光发射芯片2通过绑定线4与所述第一金属层12进行绑定连接，和/或，所述线路板3通过锡膏焊接或导热胶与所述线路板3进行电性连接。
所述激光发射芯片2为IR VCSEL芯片2，所述IR VCSEL芯片2的发光波长优选但不限于为850nm或者940nm，频谱在±10nm；所述激光发射芯片2的出光面上具有规则排列的出光孔阵列，以发出平行激光。
该激光发射模组还包括设置在所述激光发射芯片2的激光发射路径上的光扩散元件5，以增加激光的出射角度，增大激光的照射范围。
所述光扩散元件5包括透镜基板51和设置在所述透镜基板51的入光面上的光扩散层52，所述光扩散层52可为一体制作在所述透镜基板51的入光面上的光扩散微结构，也可为覆盖在所述透镜基板51的入光面上的光扩散涂层。
该激光发射模组还包括设置并支撑在所述底座1和光扩散元件5之间的支架6。
实施例二
如图2所示，一种3D摄像装置，包括上述的激光发射模组、摄像模组和主处理模块，所述激光发射模组和摄像模组分别电连接至所述主处理模块。
所述摄像模组优选为IR模组，用于对被摄物表面上的红外激光进行成像，获得具有距离信息的红外成像。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制，但凡采用等同替换或等效变换的形式所获得的技术方案，均应落在本实用新型的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种激光发射模组，包括底座、设置在所述底座一面上的激光发射芯片和设置在所述底座另一面上的线路板，其特征在于，所述底座包括：
散热绝缘基板，用于支撑和散热，具有上下贯穿并金属化的至少两过孔；
第一金属层，用于设置并电连接所述激光发射芯片，位于所述散热绝缘基板朝向所述激光发射芯片的一面上；
第二金属层，用于设置并电连接所述线路板，位于所述散热绝缘基板朝向所述线路板的一面上；
所述第一金属层和第二金属层之间通过所述散热绝缘基板上金属化的过孔形成电性连接。
2.根据权利要求1所述的激光发射模组，其特征在于，所述散热绝缘基板为陶瓷散热基板。
3.根据权利要求1所述的激光发射模组，其特征在于，所述激光发射芯片通过绑定线与所述第一金属层进行绑定连接，和/或，所述线路板通过锡膏焊接或导热胶与所述线路板进行电性连接。
4.根据权利要求1-3中任一所述的激光发射模组，其特征在于，所述激光发射芯片为IRVCSEL芯片。
5.根据权利要求4所述的激光发射模组，其特征在于，所述IR VCSEL芯片的发光波长为850nm或者940nm，频谱在±10nm。
6.根据权利要求4所述的激光发射模组，其特征在于，所述激光发射芯片的出光面上具有规则排列的出光孔阵列。
7.根据权利要求1所述的激光发射模组，其特征在于，还包括设置在所述激光发射芯片的激光发射路径上的光扩散元件。
8.根据权利要求7所述的激光发射模组，其特征在于，所述光扩散元件包括透镜基板和设置在所述透镜基板的出光面上的光扩散层。
9.根据权利要求7或8所述的激光发射模组，其特征在于，还包括设置并支撑在所述底座和光扩散元件之间的支架。
10.一种3D摄像装置，其特征在于，包括权利要求1-9中任一所述的激光发射模组、摄像模组和主处理模块，所述激光发射模组和摄像模组分别电连接至所述主处理模块。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201820294503.8U CN207868606U (zh) | 2018-03-02 | 2018-03-02 | 一种激光发射模组和3d摄像装置 |
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| CN201820294503.8U CN207868606U (zh) | 2018-03-02 | 2018-03-02 | 一种激光发射模组和3d摄像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN207868606U true CN207868606U (zh) | 2018-09-14 |
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ID=63456177
Family Applications (1)
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| CN201820294503.8U Active CN207868606U (zh) | 2018-03-02 | 2018-03-02 | 一种激光发射模组和3d摄像装置 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN207868606U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021135847A1 (zh) * | 2019-12-31 | 2021-07-08 | 深圳市中光工业技术研究院 | 激光封装结构 |
| CN114665381A (zh) * | 2020-12-23 | 2022-06-24 | 常州星宇车灯股份有限公司 | 基于自倍频激光晶体的激光模组、车灯和车辆 |
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2018
- 2018-03-02 CN CN201820294503.8U patent/CN207868606U/zh active Active
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| CN114665381A (zh) * | 2020-12-23 | 2022-06-24 | 常州星宇车灯股份有限公司 | 基于自倍频激光晶体的激光模组、车灯和车辆 |
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