CN207573240U - 一种电除尘器高频电源 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种电除尘器高频电源，包括主回路、控制回路及整流模块，所述主回路将三相工频电源整流成510V的直流电源，510V的直流电源通过设置有全桥串联谐振模块转换成交流电源，升压后经整流模块整流滤波成72KV的直流高压电源对电除尘器进行供电，所述全桥串联谐振模块由IGBT桥式逆变器、谐振电感、谐振电容、高频变压器依次相连而成，所述IGBT桥式逆变器连接有缓冲电路。本实用新型的一种电除尘器高频电源，通过在IGBT桥式逆变器上耦接有缓冲电路，以保证功率器件安全工作。

Description

一种电除尘器高频电源

技术领域

本实用新型涉及电除尘供电设备技术领域，更具体地说，它涉及一种电除尘器高频电源。

背景技术

电除尘器广泛应用于水泥、电力、冶金等行业的治理废气和粉尘的环保机械，其对废气和粉尘的治理有十分显著的效果。电除尘器的基本工作原理是：在两个曲率半径相差比较大的金属阳极和阴极（一对电极）上，通过高压直流电，维持一个足以使气体电离的静电场，使气体电离后产生的电子、阴离子和阳离子，吸附在通过电场的粉尘上，从而使粉尘获得电荷（粉尘荷电）；荷电粉尘在电场的作用下，便向与其电极极性相反的电场运动，并沉积在电场上以达到粉尘和气分离的目的；而电极上的积灰，经振打、卸灰、清灰本体外，再经输灰***输送到灰场或者便于利用储存的装置中去，净化后的气体便从所配的烟囱中排除，扩散到大气中去。

随着环保要求的提高，对电除尘器的除尘效率和节能运行提出了更高的要求，其核心的高压电源的设计受到了广泛关注。最初的电除尘器采用工频可控硅电源，在当粉尘比电阻比较高、易出现反电晕现象时，除尘效果会明显下降，一般达不到原电除尘器设计指标及环保排放标准。

公开号为CN202475292U的中国专利公开的一种静电除尘高频电源控制***，其技术要点是：包括主回路、控制回路及整流模块，所述主回路由断路器、接触器、三相滤波电感、三相滤波电容、三相整流桥、滤波电感、滤波电容依次相连而成，主回路将三相工频电源整流成510V的直流电源，该直流电源通过全桥串联谐振模块转换成交流电源，升压后经整流模块整流滤波成72KV的直流高压电源给电除尘器供电；所述全桥串联谐振模块由IGBT桥式逆变器、谐振电感、谐振电容、高频变压器依次相连而成。

上述方案中解决了电除尘器除尘效果下降的问题，但是当IGBT桥式逆变器的直流侧布线不合理或者工作电流较大时，关断尖峰电压会超过功率器件的额定电压，造成器件损坏。

因此需要提出一种新的方案来解决这个问题。

实用新型内容

针对现有技术存在的不足，本实用新型的目的在于提供一种电除尘器高频电源，通过在IGBT桥式逆变器上耦接有缓冲电路，以保证功率器件安全工作。

本实用新型的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：一种电除尘器高频电源，包括主回路、控制回路及整流模块，所述主回路将三相工频电源整流成510V的直流电源，510V的直流电源通过设置有全桥串联谐振模块转换成交流电源，升压后经整流模块整流滤波成72KV的直流高压电源对电除尘器进行供电，所述全桥串联谐振模块由IGBT桥式逆变器、谐振电感、谐振电容、高频变压器依次相连而成，所述IGBT桥式逆变器连接有缓冲电路。

通过采用上述技术方案，IGBT桥式逆变器的开关频率高会引起动态损耗较大，而且分布在电路中的杂散电感会在功率器件上产生瞬时过电压，它的幅值和杂散电感量、电流下降率成正比；当IGBT桥式逆变器的直流侧布线不合理或者工作电流较大时，关断尖峰电压会超过功率器件的额定电压，造成器件损坏；故为保证功率器件安全工作，在IGBT桥式逆变器上耦接有缓冲电路。

本实用新型进一步设置为：所述IGBT桥式逆变器包括桥式连接的四个IGBT绝缘栅双极晶体管，IGBT绝缘栅双极晶体管Q1，其集电极耦接于主回路的一端，发射极耦接于高频变压器一次侧；IGBT绝缘栅双极晶体管Q3，其集电极耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q1发射极与高频变压器一次侧的连接点，发射极耦接于主回路的另一端；IGBT绝缘栅双极晶体管Q2，其集电极耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q1集电极与主回路一端的连接点，发射极耦接于谐振电感；IGBT绝缘栅双极晶体管Q4，其集电极耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q2发射极与谐振电感的连接点，发射极耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q3发射极与主回路另一端的连接点。

本实用新型进一步设置为：所述缓冲电路包括，第一缓冲电容，其一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q1的集电极，另一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q3的发射极；第二缓冲电容，其一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q2的集电极，另一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q4的发射极。

通过采用上述技术方案，在IGBT绝缘栅双极晶体管的发射极与集电极之间的电压超过直流电源电压时，启动该缓冲电路，将第一缓冲电容、第二缓冲电容的最终到达值控制在IGBT绝缘栅双极晶体管的发射极与集电极之间的耐压值以下，且应选择高频特性良好的电容（薄膜电容器等）。

本实用新型进一步设置为：所述缓冲电路包括串联的第三缓冲电容和第三缓冲二极管、串联的第四缓冲电容和第四缓冲二极管、串联的第五缓冲电容和第五缓冲二极管、串联的第六缓冲电容和第六缓冲二极管，所述第三缓冲电容的一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q1的集电极，所述第三缓冲二极管的阴极耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q1的发射极；所述第四缓冲电容的一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q3的发射极，所述第四缓冲二极管的阳极耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q3的集电极；所述第五缓冲电容的一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q2的集电极，所述第五缓冲二极管的阴极耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q2的发射极；所述第六缓冲电容的一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q4的发射极，所述第六缓冲二极管的阳极耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q4的集电极。

通过采用上述技术方案，在IGBT绝缘栅双极晶体管的发射极与集电极之间的电压超过直流电源电压时，启动该缓冲电路；将缓冲电容的最终到达值控制在IGBT绝缘栅双极晶体管的发射极与集电极之间的耐压值以下；而缓冲二极管的瞬态正向电压下降是关断时发生尖峰电压的原因之一，一旦缓冲二极管的反向恢复时间加长，高频交换动作时缓冲二极管产生的损耗就变大，缓冲二极管的反向恢复急剧，并且缓冲二极管的反向恢复动作时IGBT绝缘栅双极晶体管的发射极与集电极之间的电压急剧地大幅度振荡，故需选择瞬态正向电压低，反向恢复时间短，反向恢复平顺的二极管。

本实用新型进一步设置为：所述缓冲电路还包括，第一缓冲电阻，一端耦接于第三缓冲电容另一端和第三缓冲二极管阳极的连接点，另一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q3发射极与第四缓冲电容的一端的连接点；第二缓冲电阻，一端耦接于第四缓冲电容另一端与第四缓冲二极管阴极的连接点，另一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q1集电极与第三缓冲电容的一端的连接点；第三缓冲电阻，一端耦接于第五缓冲电容另一端和第五缓冲二极管阳极的连接点，另一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q4发射极与第六缓冲电容的一端的连接点；第四缓冲电阻，一端耦接于第六缓冲电容另一端与第六缓冲二极管阴极的连接点，另一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q2集电极与第五缓冲电容的一端的连接点。

通过采用上述技术方案，缓冲电阻则是在IGBT绝缘栅双极晶体管下一次关断动作进行前，将储存在缓冲电容中的电荷放电。

本实用新型进一步设置为：所述缓冲电路包括串联的第七缓冲电容和第五缓冲电阻、串联的第八缓冲电容和第六缓冲电阻、串联的第九缓冲电容和第七缓冲电阻、串联的第十缓冲电容和第八缓冲电阻，所述第七缓冲电容的一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q1的集电极，所述第五缓冲电阻的一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q1的发射极；所述第八缓冲电容的一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q3的发射极，所述第六缓冲电阻的一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q3的集电极；所述第九缓冲电容的一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q2的集电极，所述第七缓冲电阻的一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q2的发射极；所述第十缓冲电容的一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q4的发射极，所述第八缓冲电阻的一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q4的集电极。

通过采用上述技术方案，能够有效抑制高的尖峰电压。

本实用新型进一步设置为：所述主回路主要由断路器、接触器、三相整流桥、滤波电感、滤波电容依次连接而成，在所述接触器上并联有电阻。

通过采用上述技术方案，在接触器上并联有电阻，以起到缓冲的作用。

本实用新型进一步设置为：在所述接触器与三相整流桥之间的两两相线之间均连接有压敏电阻。

通过采用上述技术方案，压敏电阻就是在正常情况下呈现高阻状态，超过阈值之后呈现短路状态，然后两相线之间短路，烧掉设置在前面的保险丝，以起到保护后面电路的作用，防止高压使电路起火。

本实用新型进一步设置为：所述控制回路包括IGBT驱动板、取样接口电路、数字信号处理控制器，所述IGBT驱动板一端与IGBT桥式逆变器相连，另一端与数字信号处理控制器相连，所述数字信号处理控制器通过IGBT驱动板驱动IGBT桥式逆变器。

本实用新型进一步设置为：所述整流模块包括高频高压硅堆组成的高频整流器。

综上所述，本实用新型具有以下有益效果：若IGBT桥式逆变器的开关频率高会引起动态损耗较大，而且分布在电路中的杂散电感会在功率器件上产生瞬时过电压，它的幅值和杂散电感量、电流下降率成正比；当IGBT桥式逆变器的直流侧布线不合理或者工作电流较大时，关断尖峰电压会超过功率器件的额定电压，造成器件损坏；故在IGBT桥式逆变器上耦接有缓冲电路，以保证功率器件可以安全工作。

附图说明

图1为本实施例一的电路图；

图2为本实施例二的IGBT桥式逆变器电路图；

图3为本实施例三的IGBT桥式逆变器电路图。

图中：1、主回路；2、全桥串联谐振模块；21、IGBT桥式逆变器；3、数字信号处理控制器；4、IGBT驱动板。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本实用新型进行详细描述。

实施例一：一种电除尘器高频电源，如图1所示，包括主回路1、控制回路及整流模块，主回路1主要由断路器QF、接触器KM、三相整流桥K1、滤波电感L1、滤波电容C11依次连接而成；三相380V电网电源输入主回路1，经断路器QF、接触器KM、三相整流桥K1、滤波电感L1、滤波电容C11后形成510V稳定的直流电源；并在接触器KM上并联有电阻R10、R11、R12，起到了缓冲的作用；然后510V的直流电源通过设置有全桥串联谐振模块2转换成交流电源并升压，升压后经整流模块整流滤波成72KV的直流高压电源，从而对电除尘器进行供电。该全桥串联谐振模块2由IGBT桥式逆变器21、谐振电感Lr、谐振电容Cr、高频变压器TM依次相连而成，在IGBT桥式逆变器21中连接有缓冲电路。其中的，整流模块包括高频高压硅堆组成的高频整流器。

若IGBT桥式逆变器21的开关频率高会引起动态损耗较大，而且分布在电路中的杂散电感会在功率器件上产生瞬时过电压，它的幅值和杂散电感量、电流下降率成正比；当IGBT桥式逆变器21的直流侧布线不合理或者工作电流较大时，关断尖峰电压会超过功率器件的额定电压，造成器件损坏；故在IGBT桥式逆变器21上耦接有缓冲电路，以保证功率器件可以安全工作。

其中，IGBT桥式逆变器21由四个IGBT绝缘栅双极晶体管Q1、Q2、Q3、Q4桥式连接而成，IGBT绝缘栅双极晶体管Q1，其集电极耦接于主回路1的一端，发射极耦接于高频变压器一次侧；IGBT绝缘栅双极晶体管Q3，其集电极耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q1发射极与高频变压器一次侧的连接点，发射极耦接于主回路1的另一端；IGBT绝缘栅双极晶体管Q2，其集电极耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q1集电极与主回路1一端的连接点，发射极耦接于谐振电感；IGBT绝缘栅双极晶体管Q4，其集电极耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q2发射极与谐振电感的连接点，发射极耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q3发射极与主回路1另一端的连接点。

本实施例的缓冲电路包括，第一缓冲电容C1，其一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q1的集电极，另一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q3的发射极；第二缓冲电容C2，其一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q2的集电极，另一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q4的发射极。

为保护后面的电路，在接触器KM与三相整流桥K1之间的两两相线之间均连接有压敏电阻RV；压敏电阻RV就是在正常情况下呈现高阻状态，超过阈值之后呈现短路状态，然后两相线之间短路，烧掉设置在前面的保险丝，以起到保护后面电路的作用，防止高压使电路起火。

控制回路包括IGBT驱动板4、取样接口电路、数字信号处理控制器3，IGBT驱动板4一端与IGBT桥式逆变器21相连，另一端与数字信号处理控制器3相连，数字信号处理控制器3通过IGBT驱动板驱动IGBT桥式逆变器21。

数字信号处理控制器3由触摸屏与数字控制单元组成，是以32位的DSP为核心的专用控制器；通过控制触摸屏的开机触摸按键，根据设定的工作模式和控制方式按不同的算法确定IGBT的占空比，并送出相应的定时值启动内部定时器，定时时间到，定时器输出IGBT触发脉冲，经过IGBT驱动板4直接驱动IGBT绝缘栅双极晶体管Q1、Q2、Q3、Q4；IGBT桥式逆变器21把510V的直流电压转换为0~50KHz的高频矩形波交流电压送到高频变压器TM，经升压整流滤波后输出72KV直流高压，经阻尼电阻R9电源给电除尘器供电。其中，IGBT桥式逆变器21的逆变过程如下：数字信号处理控制器3控制IGBT绝缘栅双极晶体管Q1、IGBT绝缘栅双极晶体管Q4导通时，串联谐振电流经IGBT绝缘栅双极晶体管Q1、高频变压器TM、串联谐振电容Cr、串联谐振电感Lr、IGBT绝缘栅双极晶体管Q4向串联谐振电容Cr充电，形成正弦电流的正半波，在电容电压达到最大值，充电电流为零后，触发信号关断IGBT绝缘栅双极晶体管Q1及IGBT绝缘栅双极晶体管Q4，电容电压经IGBT绝缘栅双极晶体管Q4、串联谐振电感Lr、串联谐振电容Cr、高频变压器TM、Q1放电，形成正弦电流的负半波，在负半波结束后，因IGBT绝缘栅双极晶体管Q1、IGBT绝缘栅双极晶体管Q4未能再次打开，回路电流为零；然后IGBT绝缘栅双极晶体管Q2、IGBT绝缘栅双极晶体管Q3导通，串联谐振电容Cr被反相充电，工作过程与前述相同。

实施例二：一种电除尘器高频电源，如图2所示，与实施例一的不同点在于：缓冲电路包括串联的第三缓冲电容C3和第三缓冲二极管D3、串联的第四缓冲电容C4和第四缓冲二极管D4、串联的第五缓冲电容C5和第五缓冲二极管D5、串联的第六缓冲电容C6和第六缓冲二极管D6，第三缓冲电容C3的一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q1的集电极，第三缓冲二极管D3的阴极耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q1的发射极；第四缓冲电容C4的一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q3的发射极，第四缓冲二极管D4的阳极耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q3的集电极；第五缓冲电容C5的一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q2的集电极，第五缓冲二极管D5的阴极耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q2的发射极；第六缓冲电容C6的一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q4的发射极，第六缓冲二极管D6的阳极耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q4的集电极。

缓冲电路还包括，第一缓冲电阻R1，一端耦接于第三缓冲电容C3另一端和第三缓冲二极管D3阳极的连接点，另一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q3发射极与第四缓冲电容C4的一端的连接点；第二缓冲电阻R2，一端耦接于第四缓冲电容C4另一端与第四缓冲二极管D4阴极的连接点，另一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q1集电极与第三缓冲电容C3的一端的连接点；第三缓冲电阻R3，一端耦接于第五缓冲电容C5另一端和第五缓冲二极管D5阳极的连接点，另一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q4发射极与第六缓冲电容C6的一端的连接点；第四缓冲电阻R4，一端耦接于第六缓冲电容C6另一端与第六缓冲二极管D6阴极的连接点，另一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q2集电极与第五缓冲电容C5的一端的连接点。

实施例三：一种电除尘器高频电源，如图3所示，与实施例一的不同点在于：缓冲电路包括串联的第七缓冲电容C7和第五缓冲电阻R5、串联的第八缓冲电容C8和第六缓冲电阻R6、串联的第九缓冲电容C9和第七缓冲电阻R7、串联的第十缓冲电容C10和第八缓冲电阻R8，第七缓冲电容C7的一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q1的集电极，第五缓冲电阻R5的一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q1的发射极；第八缓冲电容C8的一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q3的发射极，第六缓冲电阻R6的一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q3的集电极；第九缓冲电容C9的一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q2的集电极，第七缓冲电阻R7的一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q2的发射极；第十缓冲电容C10的一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q4的发射极，第八缓冲电阻R8的一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q4的集电极。

以上仅是本实用新型的优选实施方式，本实用新型的保护范围并不仅局限于上述实施例，凡属于本实用新型思路下的技术方案均属于本实用新型的保护范围。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理前提下的若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。

Claims (10)

1.一种电除尘器高频电源，包括主回路（1）、控制回路及整流模块，所述主回路（1）将三相工频电源整流成510V的直流电源，510V的直流电源通过设置有全桥串联谐振模块（2）转换成交流电源，升压后经整流模块整流滤波成72KV的直流高压电源对电除尘器进行供电，其特征在于：所述全桥串联谐振模块（2）由IGBT桥式逆变器（21）、谐振电感、谐振电容、高频变压器依次相连而成，所述IGBT桥式逆变器（21）连接有缓冲电路。

2.根据权利要求1所述的一种电除尘器高频电源，其特征在于：所述IGBT桥式逆变器（21）包括桥式连接的四个IGBT绝缘栅双极晶体管（Q1，Q2，Q3，Q4），

IGBT绝缘栅双极晶体管Q1，其集电极耦接于主回路（1）的一端，发射极耦接于高频变压器一次侧；

IGBT绝缘栅双极晶体管Q3，其集电极耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q1发射极与高频变压器一次侧的连接点，发射极耦接于主回路（1）的另一端；

IGBT绝缘栅双极晶体管Q2，其集电极耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q1集电极与主回路（1）一端的连接点，发射极耦接于谐振电感；

IGBT绝缘栅双极晶体管Q4，其集电极耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q2发射极与谐振电感的连接点，发射极耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q3发射极与主回路（1）另一端的连接点。

3.根据权利要求2所述的一种电除尘器高频电源，其特征在于：所述缓冲电路包括，

第一缓冲电容，其一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q1的集电极，另一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q3的发射极；

第二缓冲电容，其一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q2的集电极，另一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q4的发射极。

4.根据权利要求2所述的一种电除尘器高频电源，其特征在于：所述缓冲电路包括串联的第三缓冲电容和第三缓冲二极管、串联的第四缓冲电容和第四缓冲二极管、串联的第五缓冲电容和第五缓冲二极管、串联的第六缓冲电容和第六缓冲二极管，

所述第三缓冲电容的一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q1的集电极，所述第三缓冲二极管的阴极耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q1的发射极；

所述第四缓冲电容的一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q3的发射极，所述第四缓冲二极管的阳极耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q3的集电极；

所述第五缓冲电容的一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q2的集电极，所述第五缓冲二极管的阴极耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q2的发射极；

所述第六缓冲电容的一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q4的发射极，所述第六缓冲二极管的阳极耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q4的集电极。

5.根据权利要求4所述的一种电除尘器高频电源，其特征在于：所述缓冲电路还包括，

第一缓冲电阻，一端耦接于第三缓冲电容另一端和第三缓冲二极管阳极的连接点，另一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q3发射极与第四缓冲电容的一端的连接点；

第二缓冲电阻，一端耦接于第四缓冲电容另一端与第四缓冲二极管阴极的连接点，另一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q1集电极与第三缓冲电容的一端的连接点；

第三缓冲电阻，一端耦接于第五缓冲电容另一端和第五缓冲二极管阳极的连接点，另一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q4发射极与第六缓冲电容的一端的连接点；

第四缓冲电阻，一端耦接于第六缓冲电容另一端与第六缓冲二极管阴极的连接点，另一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q2集电极与第五缓冲电容的一端的连接点。

6.根据权利要求2所述的一种电除尘器高频电源，其特征在于：所述缓冲电路包括串联的第七缓冲电容和第五缓冲电阻、串联的第八缓冲电容和第六缓冲电阻、串联的第九缓冲电容和第七缓冲电阻、串联的第十缓冲电容和第八缓冲电阻，

所述第七缓冲电容的一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q1的集电极，所述第五缓冲电阻的一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q1的发射极；

所述第八缓冲电容的一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q3的发射极，所述第六缓冲电阻的一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q3的集电极；

所述第九缓冲电容的一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q2的集电极，所述第七缓冲电阻的一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q2的发射极；

所述第十缓冲电容的一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q4的发射极，所述第八缓冲电阻的一端耦接于IGBT绝缘栅双极晶体管Q4的集电极。

7.根据权利要求1所述的一种电除尘器高频电源，其特征在于：所述主回路（1）主要由断路器、接触器、三相整流桥、滤波电感、滤波电容依次连接而成，在所述接触器上并联有电阻（R10，R11，R12）。

8.根据权利要求7所述的一种电除尘器高频电源，其特征在于：在所述接触器与三相整流桥之间的两两相线之间均连接有压敏电阻。

9.根据权利要求1所述的一种电除尘器高频电源，其特征在于：所述控制回路包括IGBT驱动板（4）、取样接口电路、数字信号处理控制器（3），所述IGBT驱动板（4）一端与IGBT桥式逆变器（21）相连，另一端与数字信号处理控制器（3）相连，所述数字信号处理控制器（3）通过IGBT驱动板驱动IGBT桥式逆变器（21）。

10.根据权利要求1所述的一种电除尘器高频电源，其特征在于：所述整流模块包括高频高压硅堆组成的高频整流器。