CN207441731U - 异质结太阳能电池 - Google Patents
异质结太阳能电池 Download PDFInfo
- Publication number
- CN207441731U CN207441731U CN201721642375.3U CN201721642375U CN207441731U CN 207441731 U CN207441731 U CN 207441731U CN 201721642375 U CN201721642375 U CN 201721642375U CN 207441731 U CN207441731 U CN 207441731U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon layer
- type non
- crystalline silicon
- heterojunction solar
- negative electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种异质结太阳能电池，其包括晶硅基底，晶硅基底的正面设置有第一本征非晶硅层；第一本征非晶硅层上设置有第一N型非晶硅层和第一P型非晶硅层；第一N型非晶硅层上设置有第一负电极，第一P型非晶硅层上设置有第一正电极；晶硅基底的反面设置有第二本征非晶硅层；第二本征非晶硅层上设置有第二N型非晶硅层和第二P型非晶硅层；第二N型非晶硅层上设置有第二负电极，第二P型非晶硅层上设置有第二正电极。本实用新型提供的异质结太阳能电池，通过在一个晶硅基底的正反面均设置正极和负极，使相邻两个电池芯片总成通过较小的焊带即可实现串联，减小了串联电阻，提升了光电转化效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种异质结太阳能电池。
背景技术
硅基异质结太阳能电池具有优异的发电性能，现有硅基异质结太阳能电池通常由多个电池芯片串联组成，而相邻电池芯片之间则通过焊带实现串联。但是，由于现有电池芯片上的正负极分别设置在电池芯片的正面和反面，当相邻两个电池芯片排列后，一个电池芯片的正极处于电池芯片的上方，另一个电池芯片的负极处于电池芯片的下方，当需要通过焊带串联两个电池芯片时，焊带的一端需要与一个电池芯片的正极连接，而焊带的另一端需要与电池芯片的负极连接，那么焊带在两个电池芯片之间的位置必然会发生弯折，容易造成电池芯片的破损；而为了能够连接两个电池芯片上相反的两极，焊带的尺寸要求较长，这无疑增加了焊带的电阻，导致组装后的异质结太阳能电池的发电能力减弱。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种异质结太阳能电池，以解决上述现有技术中的问题，提高光伏组件的转化效率。
本实用新型提供了一种异质结太阳能电池，其中，包括：
晶硅基底；
所述晶硅基底的正面设置有第一本征非晶硅层；
所述第一本征非晶硅层上设置有第一N型非晶硅层和第一P型非晶硅层；所述第一N型非晶硅层上设置有第一负电极，所述第一P型非晶硅层上设置有第一正电极；
所述晶硅基底的反面设置有第二本征非晶硅层；
所述第二本征非晶硅层上设置有第二N型非晶硅层和第二P型非晶硅层；所述第二N型非晶硅层上设置有第二负电极，所述第二P型非晶硅层上设置有第二正电极。
如上所述的异质结太阳能电池，其中，优选的是，还包括：
分别设置在所述第一N型非晶硅层和所述第一P型非晶硅层上的第一透明导电层；
分别设置在所述第二N型非晶硅层和所述第二P型非晶硅层上的第二透明导电层；
所述第一负电极和所述第一正电极均设置在所述第一透明导电层上；
所述第二负电极和所述第二正电极均设置在所述第二透明导电层上。
如上所述的异质结太阳能电池，其中，优选的是，所述第一负电极和所述第一正电极之间或所述第二负电极和所述第二正电极之间通过焊带连接。
如上所述的异质结太阳能电池，其中，优选的是，所述第一N型非晶硅层和所述第一P型非晶硅层之间绝缘设置；所述第二N型非晶硅层和第二P型非晶硅层之间绝缘设置。
如上所述的异质结太阳能电池，其中，优选的是，所述第一N型非晶硅层与所述第二P型非晶硅层在垂直于所述晶硅基底的方向上位置对齐；所述第一P型非晶硅层与所述第二N型非晶硅层在垂直于所述晶硅基底的方向上位置对齐。
如上所述的异质结太阳能电池，其中，优选的是，所述第一正电极、所述第一负电极、所述第二正电极和所述第二负电极均包括细栅线和主栅线。
如上所述的异质结太阳能电池，其中，优选的是，所述细栅线的直径的范围值为20～60um。
如上所述的异质结太阳能电池，其中，优选的是，所述主栅线的数量为2-6根。
本实用新型提供的异质结太阳能电池，通过在一个晶硅基底的正面和反面均设置正极和负极，使相邻两个电池芯片总成通过较小的焊带即可实现串联，减小了串联电阻，提升了光电转化效率，且焊带无需弯折，解决了电池芯片在使用时发生碎裂的问题。另外，通过在膜层沉积前进行掩膜，避免了上层膜层沉积到下层膜层的边缘，由此消除了现有技术中由除膜工艺对电池芯片造成损伤的风险，有效提高了电池芯片的制备效率。
附图说明
下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步详细的说明。
图1为本实用新型实施例提供的异质结太阳能电池的结构示意图；
图2为两个本实用新型实施例提供的异质结太阳能电池在串联时的示意图。
附图标记说明：
10-第一电池芯片 20-第二电池芯片
30-焊带 100-晶硅基底
110-第一本征非晶硅层 120-第二本征非晶硅层
200-第一N型非晶硅层 300-第一P型非晶硅层
400-第二N型非晶硅层 500-第二P型非晶硅层
600-第一透明导电层 700-第二透明导电层
40-第一负电极 50-第一正电极
60-第二正电极 70-第二负电极
具体实施方式
下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能解释为对本实用新型的限制。
请同时参照图1和图2，本实用新型实施例提供了一种异质结太阳能电池，其包括晶硅基底100，晶硅基底100的正面设置有第一本征非晶硅层110；第一本征非晶硅层110上设置有第一N型非晶硅层200和第一P型非晶硅层300；第一N型非晶硅层200上设置有第一负电极40，第一P型非晶硅层300上设置有第一正电极50；晶硅基底100的反面设置有第二本征非晶硅层120；第二本征非晶硅层120上设置有第二N型非晶硅层400和第二P型非晶硅层500；第二N型非晶硅层400上设置有第二负电极70，第二P型非晶硅层500上设置有第二正电极60。
其中，通过在晶硅基底100的正面和反面均分别沉积N型非晶硅层和P型非晶硅层，使晶硅基底100的正面和反面均分别具有正电极和负电极，相当于在同一个晶硅基底100上形成了两个电池芯片，即第一电池芯片10和第二电池芯片20，如图1所示；第一电池芯片10和第二电池芯片20可以独立供电，但由一个晶硅基底100构成的电池芯片总成通常作为一个整体使用，故第一电池芯片10和第二电池芯片20之间可以串联，由于在晶硅基底100的正面或反面均设置有正电极和负电极，故仅需较小的焊带30即可将晶硅基底100正面或反面的正电极和负电极相连，以实现第一电池芯片10和第二电池芯片20的串联，如图2所示。若需要将两个晶硅基底100构成的两个电池芯片总成串联使用，可以使一个电池芯片总成上的第二电池芯片20和另一个电池芯片总成上的第一电池芯片10设置在待串联的位置，由于第二电池芯片20下方(如图2视角)的极性与第一电池下方的极性相反，故可以通过焊带30直接将一个电池芯片总成上的第二电池芯片20与另一个电池芯片总成上的第一电池芯片10相连，如图2所示，而由于两个电池芯片总成之间的距离较小，故仅需较小的焊带30即可实现两个电池芯片总成的串联。相对于现有技术，本实用新型实施例提供的异质结太阳能电池，通过在一个晶硅基底100的正面和反面均设置正电极和负电极，使相邻两个电池芯片总成通过较小的焊带30即可实现串联，且焊带30无需弯折，解决了电池芯片在使用时发生碎裂的问题。
本领域技术人员可以理解的是，为了清晰地示出该异质结太阳能电池的各层结构，图1和图2中各层的厚度并不是按照比例绘制。
需要说明的是，如图1所示，第一N型非晶硅层200和第一P型非晶硅层300之间绝缘设置，第二N型非晶硅层400和第二P型非晶硅层500之间绝缘设置，从而可以防止晶硅基底100正面或反面的N型非晶硅层和P型非晶硅层在沉积过程中发生粘连，而导致粘连处的沉积精度以及电子运动难以控制，影响导电性能。
为了简化加工工艺，降低生产成本，如图1所示，第一N型非晶硅层200的边缘与第二P型非晶硅层500的边缘在垂直于晶硅基底100的方向上对齐，第一P型非晶硅层300的边缘与第二N型非晶硅层400的边缘在垂直于晶硅基底100的方向上对齐，避免了若不将非晶硅层端面对齐，后续需要激光切割工艺进行非晶硅层的裁切工序，由此，可以在沉积过程中保证膜层边缘对齐，无需通过后续的激光裁切工艺对边缘进行裁切，简化了工艺，提高了电池芯片的良率。对于同一个电池芯片总成而言，在第一电池芯片10和第二电池芯片20串联时，由于第一电池芯片10的上方(如图1视角)为第一负电极40，第二电池芯片20的上方为第一正电极50，由此可以通过焊带30将第一负电极40和第一正电极50相连，以实现串联第一电池芯片10和第二电池芯片20；或者将第一电池芯片10下方的第二正电极60和第二电池芯片20下方的第二负电极70相连，以实现串联第一电池芯片10和第二电池芯片20。而在将两个电池芯片总成进行串联时，如图2所示，可以将一个电池芯片总成上的第二电池芯片20下方(如图2视角)的第二负电极70与另一个电池芯片总成上的第一电池芯片10下方的第二正电极60通过焊带30电连接，由此可以实现两个电池芯片总成的串联。
具体而言，如图1所示，为了增强该异质结太阳能电池的导电性能，该异质结太阳能电池具体包括分别设置在第一N型非晶硅层200和第一P型非晶硅层300上的第一透明导电层600；分别设置在第二N型非晶硅层400和第二P型非晶硅层500上的第二透明导电层700；第一负电极40和第一正电极50均设置在第一透明导电层600上；第二负电极70和第二正电极60均设置在第二透明导电层700上。
需要说明的是，第一正电极50、第一负电极40、第二正电极60和第二负电极70均可以包括细栅线和主栅线。具体地，在通过丝网印刷形成银栅线的过程中，细栅线和主栅线均沉积在透明导电层上，其中细栅线用以接收光激发的电子和对外输出的电流，细栅线在透明导电层上的分布较为密集，单根细栅线的直径一般为20-60um，在本实施例中，单根细栅线的直径为35um，以增大细栅线分布密度，提高输出的电流；其中，将电流输出是通过主栅线来实现，主栅线的数量一般为2-6根，在本实施例中，为了避免银浆料的浪费，同时增强主栅线和细栅线的结合强度，主栅线的数量优选为4根。
其中，焊带30可以仅焊接在主栅线上，由此仅需要较小尺寸的焊带30即可实现相邻两个电池芯片上的主栅线的连接，进而减小了焊带30的电阻，提高了光伏组件的转化效率。
本实用新型实施例提供的异质结太阳能电池，通过在一个晶硅基底的正面和反面均设置正极和负极，使相邻两个电池芯片总成通过较小的焊带即可实现串联，减小了串联电阻，提升了光电转化效率，且焊带无需弯折，解决了电池芯片在使用时发生碎裂的问题。另外，通过在膜层沉积前进行掩膜，避免了上层膜层沉积到下层膜层的边缘，由此消除了现有技术中由除膜工艺对电池芯片造成损伤的风险，有效提高了电池芯片的制备效率。
以上依据图式所示的实施例详细说明了本实用新型的构造、特征及作用效果，以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，但本实用新型不以图面所示限定实施范围，凡是依照本实用新型的构想所作的改变，或修改为等同变化的等效实施例，仍未超出说明书与图示所涵盖的精神时，均应在本实用新型的保护范围内。
Claims (8)
1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括：
晶硅基底；
所述晶硅基底的正面设置有第一本征非晶硅层；
所述第一本征非晶硅层上设置有第一N型非晶硅层和第一P型非晶硅层；所述第一N型非晶硅层上设置有第一负电极，所述第一P型非晶硅层上设置有第一正电极；
所述晶硅基底的反面设置有第二本征非晶硅层；
所述第二本征非晶硅层上设置有第二N型非晶硅层和第二P型非晶硅层；所述第二N型非晶硅层上设置有第二负电极，所述第二P型非晶硅层上设置有第二正电极。
2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一N型非晶硅层和所述第一P型非晶硅层之间绝缘设置；所述第二N型非晶硅层和第二P型非晶硅层之间绝缘设置。
3.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，还包括：
分别设置在所述第一N型非晶硅层和所述第一P型非晶硅层上的第一透明导电层；
分别设置在所述第二N型非晶硅层和所述第二P型非晶硅层上的第二透明导电层；
所述第一负电极和所述第一正电极均设置在所述第一透明导电层上；
所述第二负电极和所述第二正电极均设置在所述第二透明导电层上。
4.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一负电极和所述第一正电极之间或所述第二负电极和所述第二正电极之间通过焊带连接。
5.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一N型非晶硅层的边缘与所述第二P型非晶硅层的边缘在垂直于所述晶硅基底的方向上对齐；所述第一P型非晶硅层的边缘与所述第二N型非晶硅层的边缘在垂直于所述晶硅基底的方向上对齐。
6.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一正电极、所述第一负电极、所述第二正电极和所述第二负电极均包括细栅线和主栅线。
7.根据权利要求6所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述细栅线的直径的范围值为20～60um。
8.根据权利要求6所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述主栅线的数量为2-6根。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201721642375.3U CN207441731U (zh) | 2017-11-30 | 2017-11-30 | 异质结太阳能电池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201721642375.3U CN207441731U (zh) | 2017-11-30 | 2017-11-30 | 异质结太阳能电池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN207441731U true CN207441731U (zh) | 2018-06-01 |
Family
ID=62285312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201721642375.3U Active CN207441731U (zh) | 2017-11-30 | 2017-11-30 | 异质结太阳能电池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN207441731U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019105085A1 (zh) * | 2017-11-30 | 2019-06-06 | 君泰创新（北京）科技有限公司 | 异质结太阳能电池及其制备方法 |
| CN113690324A (zh) * | 2021-08-17 | 2021-11-23 | 江苏辉伦太阳能科技有限公司 | 一种新型hit电池片及其制作方法与组件制作方法 |
-
2017
- 2017-11-30 CN CN201721642375.3U patent/CN207441731U/zh active Active
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019105085A1 (zh) * | 2017-11-30 | 2019-06-06 | 君泰创新（北京）科技有限公司 | 异质结太阳能电池及其制备方法 |
| CN113690324A (zh) * | 2021-08-17 | 2021-11-23 | 江苏辉伦太阳能科技有限公司 | 一种新型hit电池片及其制作方法与组件制作方法 |
| CN113690324B (zh) * | 2021-08-17 | 2024-04-30 | 江苏辉伦太阳能科技有限公司 | 一种新型hit电池片及其制作方法与组件制作方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104810423B (zh) | 新型无主栅高效率背接触太阳能电池和组件及制备工艺 | |
| CN108110079A (zh) | 异质结太阳能电池及其制备方法 | |
| WO2016109909A1 (zh) | 无主栅高效率背接触太阳能电池、组件及其制备工艺 | |
| CN106206818A (zh) | 太阳能电池单元、太阳能电池组件及其制备方法 | |
| CN104465892A (zh) | 太阳电池串中相邻太阳电池的同侧互联的光伏组件制作方法 | |
| JP2007294866A (ja) | 太陽電池モジュール | |
| CN206098402U (zh) | 一种异质结太阳能电池及其模组 | |
| CN106876486B (zh) | P型晶体硅背接触双面电池的组串连接结构、组件及方法 | |
| CN108538948A (zh) | 太阳能电池栅线结构、太阳能电池片及太阳能叠片组件 | |
| CN204011446U (zh) | 一种hit太阳电池 | |
| CN207753025U (zh) | 竖版型光伏叠片组件 | |
| CN207441731U (zh) | 异质结太阳能电池 | |
| CN104269454B (zh) | 无主栅、高效率背接触太阳能电池背板、组件及制备工艺 | |
| CN110071186B (zh) | 一种薄膜光伏组件内联结构及生产工艺 | |
| CN204204882U (zh) | 无主栅高效率背接触太阳能电池组件 | |
| CN102270683A (zh) | 柔性薄膜太阳电池集成组件及其制备方法 | |
| CN204204885U (zh) | 无主栅高效率背接触太阳能电池背板 | |
| CN109309147B (zh) | 一种n型单晶硅基太阳能电池及其制备方法 | |
| CN102931268A (zh) | N型硅衬底背接触型式hit太阳电池结构和制备方法 | |
| CN208570638U (zh) | 太阳能电池栅线结构、太阳能电池片及太阳能叠片组件 | |
| CN111725335A (zh) | Hbc高效太阳能电池背电极连接及封装一体化结构 | |
| CN205657065U (zh) | 一种具有透明电极晶体硅光伏电池的组串连接结构 | |
| CN102064212B (zh) | 一种非晶硅薄膜太阳能电池及制备方法 | |
| CN209843723U (zh) | 一种双面背接触太阳能电池组件 | |
| CN209981238U (zh) | 太阳电池组件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20210105 Address after: 101102 102-lq307, 1-3 / F, building 26, 17 huanke Middle Road, Jinqiao Science and technology industrial base, Tongzhou Park, Zhongguancun Science and Technology Park, Tongzhou District, Beijing Patentee after: Deyun Chuangxin (Beijing) Technology Co.,Ltd. Address before: 100176 Beijing Daxing District Beijing Economic and Technological Development Zone, No. 66 Building, No. 2 Jingyuan North Street, 7th Floor 805 Patentee before: Juntai innovation (Beijing) Technology Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right |