CN207399229U - 一种poe供电*** - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种POE供电***，所述POE供电***包括设备电源，还包括：上电开关，供电端设备PSE、MCU控制模块、控制开关；所述设备电源的第一端用于与受电端设备PD连接，第二端连接所述上电开关，所述上电开关与所述PSE连接，所述PSE用于与所述PD连接；所述MCU控制模块连接所述PSE，并与所述设备电源的第一端连接，所述MCU控制模块还分别连接所述上电开关及所述控制开关；所述控制开关接地，并连接所述PSE，所述控制开关还用于与所述PD连接；当所述MCU控制模块检测到没有PD接入时，所述MCU控制模块控制所述上电开关断开，并控制控制开关导通。在本实用新型中，降低了POE供电***的损耗。
Description
技术领域
本实用新型涉及供电技术领域，尤其涉及一种POE供电***。
背景技术
随着近几年网络监控的迅速发展，厂商提供的技术支持也越来越趋向于全面化、***化，能够为监控设备提供直流电的POE(Power Over Ethernet，有源以太网)供电方案得到了广泛的应用。
现有技术中POE供电方案一般为如图1的供电设备的结构示意图所示，设备电源主要为各个控制模块进行供电，控制模块包括PSE(Power Sourcing Equipment，供电端设备)供电控制模块和设备控制模块，供电电源用于实现POE供电。供电控制模块接收设备控制模块的使能信号，使供电电源处于工作状态，供电电源通过PSE+和PSE-输出到变压器，变压器对供电电源进行藕合后，通过双绞线电缆传输给受电设备，实现POE供电，接收设备控制模块的去使能信号，供电电源处于非工作状态，无法实现POE供电。
该供电方案的POE上电的工作过程如图2所示，设备控制模块控制设备电源和供电控制模块的通路，并通过控制信号开启供电电源，设备控制模块发送端口使能指令给供电控制模块，供电控制模块根据接收的端口使能指令配置端口启动，使供电电源进行POE供电。该供电方案的POE下电的工作过程如图3所示，设备控制模块发送去使能指令给供电控制模块，供电控制模块根据接收的端口去使能指令配置端口关闭，使供电电源切断POE供电，设备控制模块通过控制信号关闭供电电源，断开设备电源与供电控制模块的通路。
或者是如图4提供的另一种POE供电方案所示，PD(Powered Device，受电端设备)内的PD芯片可以从PSE交换机中的PSE芯片得知PSE交换机是否正常，若是正常，PSE芯片会给***电源中DC/DC信号，所述***电源通过DC/DC信号与PD芯片信号连接，确定PD设备的用电量，从而使得***电源作为供电电源根据PD设备的用电量向POE电源供电，POE电源给PD设备供给其所需的电量。
现有技术中提供的第一种POE供电方案中，通过开关来直接控制设备电源和供电电源的导通与关断，在***空载情况下，断开的是设备控制模块与供电控制模块的通路，供电控制模块及供电电源和供电控制模块之间的通信线路仍有较高损耗；提供的第二种POE供电方案中，在***空载时，PSE交换机一直处于工作状态，并且DC/DC信号与PD芯片之间的通信线路损耗也并没有降低，仍存在较高消耗。
实用新型内容
本实用新型提供了一种POE供电***，用以解决现有技术中POE供电***中损耗较高的问题。
为了解决上述问题，本实用新型实施例公开了一种POE供电***，包括设备电源，所述POE供电***还包括：上电开关，供电端设备PSE、微控制单元MCU控制模块、控制开关；
所述设备电源的第一端用于与受电端设备PD连接，第二端连接所述上电开关，所述上电开关与所述PSE连接，所述PSE用于与所述PD连接；
所述MCU控制模块连接所述PSE，并与所述设备电源的第一端连接，所述MCU控制模块还分别连接所述上电开关及所述控制开关；所述控制开关接地，并连接所述PSE，所述控制开关还用于与所述PD连接；
所述MCU控制模块根据所述PSE中保存的信息，检测到没有PD接入时，所述MCU控制模块控制所述上电开关断开，并控制所述控制开关导通。
进一步地，所述POE供电***中当所述MCU控制模块检测到PD接入时，所述MCU控制模块控制所述控制开关断开，并控制所述上电开关导通。
进一步地，所述MCU控制模块根据所述PSE中保存的信息，检测到所述PSE存在异常时，所述MCU控制模块控制所述上电开关断开，并控制所述控制开关导通。
进一步地，所述MCU控制模块包括MCU、第一电阻和第一二极管；其中，
所述第一电阻的一端连接所述设备电源的第一端，另一端连接所述第一二极管的阳极，所述第一二极管的阴极用于与所述PD连接；
所述MCU与所述第一二极管的阳极和所述第一电阻的第二串接点连接。
进一步地，所述MCU检测到没有PD接入时，控制所述控制开关断开，自身进入休眠状态，按照设定的时间间隔唤醒，并在唤醒后控制所述控制开关导通。
进一步地，所述上电开关包括：第二电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第一三极管、第一MOS管，第二三极管、第三三极管；其中，
所述设备电源的第二端与所述第一MOS管的源极连接，所述第一MOS管的栅极与所述第四电阻连接，所述第四电阻未与所述第一MOS管的栅极连接的一端与所述第一三极管的集电极连接，所述第一三极管的基极与所述MCU连接，所述第一三极管的发射极接地，所述第二电阻并联在所述第一MOS管的源极和栅极两端；
所述第一MOS管的漏极与所述第二三极管的发射极连接，所述第二三极管的集电极与所述PSE连接，所述第二三极管的基极与所述第六电阻连接，所述第六电阻未与所述第二三极管的基极连接的一端与所述第三三极管的集电极连接，所述第三三极管的基极与所述MCU连接，所述第三三极管的发射极接地，所述第五电阻并联在所述第二三极管的发射极和基极两端，所述第一MOS管的漏极和所述第二三极管的发射极的第三串接点与所述第一二极管的阴极和所述PD连接的第四串接点连接；
当所述MCU检测到没有PD接入时，所述MCU控制所述第一三极管和所述第三三极管断开；当所述MCU检测到有PD接入时，所述MCU控制所述第一三极管和所述第三三极管导通。
进一步地，所述上电开关还包括：第二电容；
所述第二电容与所述第二电阻并联。
进一步地，所述上电开关还包括：第一电容和第三电阻；
所述第一电容与所述第三电阻串联，所述第一电容未与所述第三电阻连接的一端与所述第一MOS管的漏极连接，所述第三电阻未与所述第一电容连接的一端与所述第一MOS管的栅极连接。
进一步地，所述控制开关包括：或门和第二MOS管；其中，
所述或门的输入端分别与所述PSE及所述MCU连接，所述或门的输出端与所述第二MOS管的栅极连接；所述PSE向所述或门输入低电平信号；
所述第二MOS管的栅极与所述或门的输出端连接，所述第二MOS管的源极接地，所述第二MOS管的漏极用于与PD连接；
所述MCU检测到没有PD接入时，向所述或门输入高电平信号；所述MCU检测到有PD接入时，向所述或门输入低电平信号。
进一步地，所述第二MOS管的漏极与所述PSE及PD的第三串接点连接。
本实用新型实施例提供了一种POE供电***，所述POE供电***包括设备电源，还包括：上电开关，供电端设备PSE、微控制单元MCU控制模块、控制开关；所述设备电源的第一端用于与受电端设备PD连接，第二端连接所述上电开关，所述上电开关与所述PSE连接，所述PSE用于与所述PD连接；所述MCU控制模块连接所述PSE，并与所述设备电源的第一端连接，所述MCU控制模块还分别连接所述上电开关及所述控制开关；所述控制开关接地，并连接所述PSE，所述控制开关还用于与所述PD连接；当所述MCU控制模块根据所述PSE中保存的信息，检测到没有PD接入时，所述MCU控制模块控制所述上电开关断开，并控制所述控制开关导通。在本实用新型实施例中，当MCU控制模块检测到空载时，控制所述上电开关断开，控制所述控制开关导通，形成设备电源、MCU控制模块、控制开关及地的闭合回路，因为在空载的情况下，上电开关断开设备电源与PSE之间通路断开，PSE不存在损耗，并且POE供电***的损耗仅为MCU控制模块的功耗，从而有效地降低了POE供电***中的损耗。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术提供的一种POE供电方案的供电设备的结构示意图；
图2为现有技术提供的一种POE供电方案的POE上电的工作过程；
图3为现有技术提供的一种POE供电方案的POE下电的工作过程；
图4为现有技术提供的另一种POE供电方案；
图5为本实用新型实施例1提供的一种POE供电***的结构示意图；
图6为本实用新型实施例3提供的一种POE供电***的结构示意图；
图7为本实用新型实施例4提供的一种POE供电***的结构示意图；
图8为本实用新型实施例5提供的一种POE供电***的结构示意图；
图9为本实用新型实施例6提供的一种POE供电***的结构示意图；
图10为本实用新型实施例6提供的另一种POE供电***的结构示意图；
图11为本实用新型实施例7提供的一种POE供电***的结构示意图。
具体实施方式
为了降低POE供电***的损耗，本实用新型提供了一种POE供电***。
为了使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部份实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。
实施例1：
图5为本实用新型实施例提供的一种POE供电***的结构示意图，所述POE供电***包括设备电源51、上电开关52、PSE53、MCU(MicroController Unit，微控制单元)控制模块54、控制开关55；
所述设备电源51的第一端用于与所述PD连接，第二端连接所述上电开关52，所述上电开关52与所述PSE53连接，所述上电开关52与所述PSE53的第一串接点用于与所述PD连接，所述PSE53用于与所述PD连接；
所述MCU控制模块54连接所述PSE53，并与所述设备电源51的第一端连接，所述MCU控制模块54还分别连接所述上电开关52及所述控制开关55；所述控制开关55接地，并连接所述PSE53，所述控制开关55还用于与所述PD连接；
所述MCU控制模块54根据所述PSE53中保存的信息，检测到没有PD接入时，所述MCU控制模块54控制所述上电开关52断开，并控制所述控制开关55导通。
图5中当MCU控制模块54检测到PD没有接入时，MCU控制模块54控制上电开关52断开，使设备电源51与PSE53之间断路，控制控制开关55导通，使POE***中形成由设备电源51、MCU控制模块54、控制开关55及地构成的回路，使得POE***在空载时，PSE不造成损耗，并且POE供电***中的损耗仅为MCU控制模块54的功耗。
在本实用新型实施例中，设备电源51在PD没有接入时，提供的电压为5V，而整个POE***中的只有MCU控制模块54产生功耗，且功耗电流在0.7mA以内，严格满足了产品的DOE-VI或者ERP-V的待机/空载功耗标准。
MCU控制模块54在检测PD是否接入时，可以是实时检测的，也可以是每隔设定的时间间隔检测一次，如果MCU控制模块54为每隔设定的第一时间间隔检测一次，则当MCU控制模块54在某一时刻检测到PD没有接入时，自身进入休眠状态，按照设定的第二时间间隔自我唤醒，再次进行检测。第一时间间隔和第二时间间隔可以相同，可以不同。
具体的，PSE53在上电后可以确定该供电***是否连接有PD，并将连接是否连接有PD的信息保存在其状态寄存器中。所述MCU控制模块54可以读取所述PSE53状态寄存器保存的信息，当所述PD拔除后，所述PSE53的状态寄存器中保存的信息显示PD没有接入，所述MCU控制模块54根据所述PSE53状态寄存器中保存的信息，确定没有PD接入。
MCU控制模块54对PD是否接入进行判断后，根据判断结果进行相应控制，相比于模拟电路更加易于调试和维护，并且具有良好的延展性。
在本发明实施例中，设备电源51接地。
在本实用新型实施例中，当MCU控制模块检测到空载时，控制所述上电开关断开，控制所述控制开关导通，形成设备电源、MCU控制模块、控制开关及地的闭合回路，因为在空载的情况下，上电开关断开设备电源与PSE之间通路断开，PSE不存在损耗，并且POE供电***的损耗仅为MCU控制模块的功耗，从而有效地降低了POE供电***中的损耗。
实施例2：
在上述实施例的基础上，为了对受电端设备进行供电，当所述MCU控制模块54检测到PD接入时，所述MCU控制模块54控制所述控制开关55断开，并控制所述上电开关52导通。
图6为本实用新型实施例提供的一种POE供电***的结构示意图，所述MCU控制模块54包括MCU541、第一电阻R1和第一二极管D1；其中，
所述第一电阻R1的一端连接所述设备电源51的第一端，另一端连接所述第一二极管D1的阳极，所述第一二极管D1的阴极用于与所述PD连接；
所述MCU541与所述第一二极管D1的阳极和所述第一电阻R1的第二串接点连接。
受电端设备PD可以是电话机、小型交换机等小功率受电设备，也可以是个人电脑，高清视频监控***等大功率受电设备。
在MCU控制模块54识别到没有PD接入时，所述MCU控制模块54控制所述上电开关52断开，并控制所述控制开关55导通，因此设备电源、R1、MCU、控制开关以及地将会形成回路；如果PD接入，则设备电源51、R1、D1、PD、控制开关55及地之间也会形成回路。因为设备电源在未向PD供电之前，输出的电压是恒定的，因此R1的分压值会根据是否有PD接入而存在不同。因此在MCU中可以保存没有PD接入时，R1的第一分压值，MCU检测R1的第二分压值与保存的第一分压值对应的差值是否满足预设差值范围，如果是，则确定没有PD接入，如果否，则确定PD接入，其中预设差值范围可以预先保存在MCU中，具体的预设差值范围可以是本领域技术人员根据经验值或实验值确定的，例如预设差值范围可以是该差值不小于-5且该差值不大于5，即该差值在-5到5之间。
因为在PD未接入时，设备电源51、R1、MCU541、控制开关55以及地将会形成回路，如果PD接入后，设备电源51、R1、D1、PD、控制开关55及地之间也会形成回路，R1和PD对设备电源提供的5V检测电压进行分压，所以MCU541如果检测到R1的第二分压值，与自身保存的PD未接入时R1的第一分压值对应的差值不满足预设差值范围，则认为有PD接入，MCU541控制控制开关55断开，控制上电开关52导通，通过PSE53对PD进行POE供电。设备电源51与PSE53之间形成通路，在POE***中形成设备电源51、上电开关52、PD、控制开关55、设备电源51的闭合回路，从而使设备电源51通过PSE53为PD进行POE供电。
在本实用新型实施例中，设备电源51在有PD接入时，提供的供电电压为48V。
为了达到精确供电，在本实用新型实施例中，当设备电源51对PD进行POE供电后，PSE53中会与PD进行协商，PD向PSE53返回有效负载，即该PD自身所需的功率，PSE53为PD提供相应的电流及电压。
为了进一步提高POE供电***的安全性，所述MCU控制模块54根据所述PSE53中保存的信息，检测到所述PSE53存在异常时，所述MCU控制模块54控制所述上电开关52断开，并控制所述控制开关55导通。
具体地，MCU541获取PSE53状态寄存器中保存的信息，如果获取到的信息中显示PSE53存在异常，无法为PD正常供电，则MCU541控制上电开关52断开，控制控制开关55导通，以提高POE供电***的安全性，避免了POE供电***的损坏。
在本实用新型实施例中，当MCU检测到PD接入时，控制所述上电开关导通，控制所述控制开关断开，形成设备电源、上电开关、PSE、受电端设备及设备电源的闭合回路，从而使设备电源通过PSE为受电端设备进行POE供电。
实施例3：
为了进一步降低POE供电***中的功耗，在上述各实施例的基础上，本实用新型实施例中，所述MCU541检测到没有PD接入时，控制所述控制开关55断开，自身进入休眠状态，按照设定的时间间隔唤醒，并在唤醒后控制所述控制开关55导通。
虽然MCU541的功耗很小，但为了进一步降低功耗，当MCU541检测到没有PD接入，MCU541自身也可以进入休眠状态，在进行休眠状态之前，MCU541控制控制开关55断开，并且处于休眠状态的MCU541，可以以设定的时间间隔进行自我唤醒，在唤醒后控制控制开关55导通，通过检测R1的分压值判断是否有PD接入，如果没有PD接入，则控制控制开关55断开，自身进入休眠状态。
在本实用新型实施例中，所述MCU检测到没有PD接入时，控制控制开关断开，自身进入休眠状态，进一步降低了POE供电***中的功耗。
实施例4：
在上述各实施例的基础上，为了使MCU准确地判断是否有受电设备接入，在本实用新型实施例中，图7为本实用新型实施例提供的一种POE供电***的结构示意图，所述上电开关52包括：第二电阻R2、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第一三极管Q1、第一MOS管M1，第二三极管Q2、第三三极管Q3；其中，
所述设备电源51与所述第一MOS管M1的源极连接，所述第一MOS管M1的栅极与所述第四电阻R4连接，所述第四电阻R4未与所述第一MOS管M1的栅极连接的一端与所述第一三极管Q1的集电极连接，所述第一三极管Q1的基极与所述MCU541连接，所述第一三极管Q1的发射极接地，所述第二电阻R2并联在所述第一MOS管M1的源极和栅极两端；
所述第一MOS管M1的漏极与所述第二三极管Q2的发射极连接，所述第二三极管Q2的集电极与所述PSE53连接，所述第二三极管Q2的基极与所述第六电阻R6连接，所述第六电阻R6未与所述第二三极管Q2的基极连接的一端与所述第三三极管Q3的集电极连接，所述第三三极管Q3的基极与所述MCU541连接，所述第三三极管Q3的发射极接地，所述第五电阻R5并联在所述第二三极管Q2的发射极和基极两端，所述第一MOS管M1的漏极和所述第二三极管Q2的发射极的第三串接点与所述第一二极管D1的阴极和所述PD连接的第四串接点连接；
当所述MCU541检测到没有PD接入时，所述MCU541控制所述第一三极管Q1和所述第三三极管Q3断开；当所述MCU541检测到有PD接入时，所述MCU541控制所述第一三极管Q1和所述第三三极管Q3导通。
在PSE53的通过M1和Q2两极开关与设备电源连接，这是因为在POE供电过程中，PSE53芯片的正常工作电压范围在32V～60V，但是在没有接入PD时，5V的检测电压经由D1给PSE53芯片供电，此时PSE53由于内部逻辑也会消耗一定的电流，低温情况下尤其明显，一方面会增加***的空载功耗，另一方面在PSE53形成供电回路后，由于PSE在低压下也会消耗电流，负载的监测点电压即R1的分压值会下降到很低再缓慢上升，这个过程监测点电压可能会出现与第一分压值不同的情况，导致MCU541误判断有PD接入，使得整个POE供电***误以为PD接入而开始供电。在低温环境下这个时间会持续几十秒，使得POE供电***会持续几十秒的供电，增加了损耗，因为在断开M1之前先断开Q2可以保证监测点电压不会出现先跌落再上升的情况，避免了MCU541的误判。
当PD拔除时，MCU541通过读取PSE53的状态寄存器中保存的信息，如果状态寄存器中保存的信息指示没有PD接入，MCU541控制Q3断开，使得Q2的发射极-基极电压为零，Q2的基极电流为零，因此Q2截止断开，使设备电源51与PSE53之间断路，PSE53断电；然后控制Q1断开，使得M1的栅极-源极降低至截止电压，M1完全关断，关断供电电源48V，从而断开PSE53的供电回路，MCU541控制控制开关55导通，判断是否有PD接入。
当检测到有PD接入时，MCU541控制Q3开启，使Q2基极电流达到饱和导通状态，使设备电源51与PSE53之间导通；然后控制Q1开启，使M1的栅极-源极达到饱和导通条件，从而控制M1导通，形成PSE53的供电回路，同时MCU541读取PSE53的状态寄存器中保存的信息，若MCU541通过读取到的PSE53的状态寄存器中的信息，判断PSE53正常后发送指令，控制PSE53开始给PD设备进行供电。
在本实用新型实施例中，当MCU检测到空载时，控制所述上电开关断开，控制所述控制开关导通，设备电源与PSE之间通路断开，PSE不存在损耗，并且POE供电***的损耗仅为MCU的功耗，从而有效地降低了POE供电***中的损耗。
实施例5：
在上述各实施例的基础上，为了使第一MOS管在导通时更加稳定，图8为本实用新型实施例提供的一种POE供电***的结构示意图，所述上电开关52还包括：第二电容C2；
所述第二电容C2与所述第二电阻R2并联。
本实用新型实例中在M1导通时，通过第二电容C2进行分压，使得M1在导通时更加稳定。
由于本实用新型实施例中通过第二电容对第一MOS管进行分压，使第一MOS管在导通时更加稳定。
实施例6：
在上述各实施例的基础上，为了使第一MOS管在导通时更加稳定，图9为本实用新型实施例提供的一种POE供电***的结构示意图，所述上电开关53还包括：第一电容C1和第三电阻R3；
所述第一电容C1与所述第三电阻R3串联，所述第一电容C1未与所述第三电阻R3连接的一端与所述第一MOS管M1的漏极连接，所述第三电阻R3未与所述第一电容C1连接的一端与所述第一MOS管M1的栅极连接。
本实用新型实施例中添加第一电容C1和第三电阻R3进行分压，C1和R3可以控制M1开启的时间，让M1缓慢导通，从而使得第一MOS管M1在导通时更加稳定。
当然为了进一步保证第一MOS管在导通时更加稳定，还可以是如图10中提供的另一种POE***的结构示意图中所示，所述上电开关中既包括第一电容C1和第三电阻R3，又包括第二电容C2。
当然，对于不同类型的PSE53所使用的PSE芯片来说，Q2、R5、R6、Q3是可选的，也相信本领域技术人员根据PSE53实现的功能，及其使用的PSE芯片，确定上电开关52中是否需要包含Q2、R5、R6、Q3，在本发明实施例中不做赘述。
由于在本实用新型实施例中通过第一电容和第三电阻对第一MOS管进行分压，使第一MOS管在导通时更加稳定。
实施例7：
在上述各实施例的基础上，图11为本实用新型实施例中提供的一种POE供电***的结构示意图，所述控制开关55包括：或门OR和第二MOS管M2；其中，
所述或门OR的输入端分别与所述PSE53及所述MCU541连接，所述或门OR的输出端与所述第二MOS管M2的栅极连接；
所述第二MOS管M2的栅极与所述或门OR的输出端连接，所述第二MOS管M2的源极接地，所述第二MOS管M2的漏极用于与PD连接；
所述MCU541检测到没有PD接入时，向所述或门OR输入高电平信号，所述PSE53向所述或门输入低电平信号；所述MCU541检测到有PD接入时，向所述或门OR输入低电平信号，所述PSE53向所述或门输入高电平信号。
当MCU541检测到没有PD接入时，向或门OR输入高电平信号，PSE向或门OR输入低电平信号，因此或门OR最终输出一个高电平信号使M2导通，设备电源、R1、MCU，或门OR、M2和地形成的回路。
如果MCU541可以进入休眠状态，当MCU541按照设定的时间间隔由休眠状态自我唤醒后，向或门OR输入高电平信号，此时PSE53向或门OR输入的为低电平信号，因此或门OR最终输出一个高电平信号使M2导通，设备电源51、R1、MCU541、M2以及地将会形成回路，MCU541如果检测到R1的第二分压值与自身保存的PD未接入时的第一分压值对应的差值不满足预设差值范围，则认为有PD接入，控制自身进入正常工作状态；如果MCU541检测到R1的第二分压值与自身保存的PD未接入时的第一分压值对应的差值满足预设差值范围，则认为没有PD接入，向或门OR输入低电平信号，此时PSE53向或门OR输入的也为低电平信号，因为或门OR最终输出一个低电平信号使M2断开，MCU541控制自身继续进入休眠状态。
当MCU541判断有PD接入，向或门OR输入低电平信号，PSE53向或门OR输入高电平信号，转换PSE53为PD供电对应的转换时间段内，PSE53向或门OR输入低电平信号，或门OR最终输出一个低电平信号使M2断开，MCU541控制Q3导通，从而使得Q2导通，同时MCU541控制Q1导通，从而使得M1导通，最终使得设备电源51与PSE53之间导通，PSE53向或门OR输入的为高电平信号时，转换为设备电源51为PD供电，形成设备电源51、M1、PD、M2、设备电源51的充电回路。
所述第二MOS管M2的漏极与所述PSE53及PD的第三串接点连接。
在本实用新型实施例中，当MCU检测到空载时，控制所述上电开关断开，向或门输入一个高电平信号，控制所述控制开关导通，设备电源与PSE之间通路断开，PSE不存在损耗，并且POE供电***的损耗仅为MCU的功耗，从而有效地降低了POE供电***中的损耗。
尽管已描述了本申请的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本申请范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (10)
1.一种有源以太网POE供电***，包括设备电源，其特征在于，所述POE供电***还包括：上电开关，供电端设备PSE、微控制单元MCU控制模块、控制开关；
所述设备电源的第一端用于与受电端设备PD连接，第二端连接所述上电开关，所述上电开关与所述PSE连接，所述上电开关与所述PSE的第一串接点用于与所述PD连接，所述PSE用于与所述PD连接；
所述MCU控制模块连接所述PSE，并与所述设备电源的第一端连接，所述MCU控制模块还分别连接所述上电开关及所述控制开关；所述控制开关接地，并连接所述PSE，所述控制开关还用于与所述PD连接；
所述MCU控制模块根据所述PSE中保存的信息，检测到没有PD接入时，所述MCU控制模块控制所述上电开关断开，并控制所述控制开关导通。
2.如权利要求1所述的POE供电***，其特征在于，所述POE供电***中当所述MCU控制模块检测到PD接入时，所述MCU控制模块控制所述控制开关断开，并控制所述上电开关导通。
3.如权利要求2所述的POE供电***，其特征在于，所述MCU控制模块根据所述PSE中保存的信息，检测到所述PSE存在异常时，所述MCU控制模块控制所述上电开关断开，并控制所述控制开关导通。
4.如权利要求1-3任一项所述的POE供电***，其特征在于，所述MCU控制模块包括MCU、第一电阻和第一二极管；其中，
所述第一电阻的一端连接所述设备电源的第一端，另一端连接所述第一二极管的阳极，所述第一二极管的阴极用于与所述PD连接；
所述MCU与所述第一二极管的阳极和所述第一电阻的第二串接点连接。
5.如权利要求4所述的POE供电***，其特征在于，所述MCU检测到没有PD接入时，控制所述控制开关断开，自身进入休眠状态，按照设定的时间间隔唤醒，并在唤醒后控制所述控制开关导通。
6.如权利要求4所述的POE供电***，其特征在于，所述上电开关包括：第二电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第一三极管、第一MOS管，第二三极管、第三三极管；其中，
所述设备电源的第二端与所述第一MOS管的源极连接，所述第一MOS管的栅极与所述第四电阻连接，所述第四电阻未与所述第一MOS管的栅极连接的一端与所述第一三极管的集电极连接，所述第一三极管的基极与所述MCU连接，所述第一三极管的发射极接地，所述第二电阻并联在所述第一MOS管的源极和栅极两端；
所述第一MOS管的漏极与所述第二三极管的发射极连接，所述第二三极管的集电极与所述PSE连接，所述第二三极管的基极与所述第六电阻连接，所述第六电阻未与所述第二三极管的基极连接的一端与所述第三三极管的集电极连接，所述第三三极管的基极与所述MCU连接，所述第三三极管的发射极接地，所述第五电阻并联在所述第二三极管的发射极和基极两端，所述第一MOS管的漏极和所述第二三极管的发射极的第三串接点与所述第一二极管的阴极和所述PD连接的第四串接点连接；
当所述MCU检测到没有PD接入时，所述MCU控制所述第一三极管和所述第三三极管断开；当所述MCU检测到有PD接入时，所述MCU控制所述第一三极管和所述第三三极管导通。
7.如权利要求6所述的POE供电***，其特征在于，所述上电开关还包括：第二电容；
所述第二电容与所述第二电阻并联。
8.如权利要求6所述的POE供电***，其特征在于，所述上电开关还包括：第一电容和第三电阻；
所述第一电容与所述第三电阻串联，所述第一电容未与所述第三电阻连接的一端与所述第一MOS管的漏极连接，所述第三电阻未与所述第一电容连接的一端与所述第一MOS管的栅极连接。
9.如权利要求4所述的POE供电***，其特征在于，所述控制开关包括：或门和第二MOS管；其中，
所述或门的输入端分别与所述PSE及所述MCU连接，所述或门的输出端与所述第二MOS管的栅极连接；
所述第二MOS管的栅极与所述或门的输出端连接，所述第二MOS管的源极接地，所述第二MOS管的漏极用于与PD连接；
所述MCU检测到没有PD接入时，向所述或门输入高电平信号，所述PSE向所述或门输入低电平信号；所述MCU检测到有PD接入时，向所述或门输入低电平信号，所述PSE向所述或门输入高电平信号。
10.如权利要求9所述的POE供电***，其特征在于，所述第二MOS管的漏极与所述PSE及PD的第三串接点连接。
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|---|---|---|---|---|
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