CN207281334U - 一种提高pwdm器件反射隔离度的结构 - Google Patents
一种提高pwdm器件反射隔离度的结构 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型涉及一种提高PWDM器件反射隔离度的结构，包括一号光纤头、二号光纤头、三号光纤头、四号光纤头、G‑Lens、滤片、TO‑CAN,波长为1550nm的光从所述一号光纤头输入，经过所述G‑Lens后进入所述滤片，部分所述光在所述滤片中反射回来，并耦合到所述二号光纤头，所述二号光纤头与所述三号光纤头熔接在一起，反射光从所述二号光纤头进入所述三号光纤头，再从所述三号光纤头通过所述G‑Lens与滤片，反射光最终被耦合到四号光纤头。本实用新型的有益效果为隔离度高、工艺简单，成品率高，成本低。
Description
技术领域
本实用新型涉及光纤通讯领域，尤其涉及一种提高PWDM器件反射隔离度的结构。
背景技术
随着光纤网络的应用越来越普及，尤其是以电信网为代表的数字传输网络和以有线电视网为代表的模拟信号传输网络的融合应用，国家三网合一项目的推进，对于四波长接收发射的收发器件需求越来越多。其中1310nm，1490nm是数字传输网的标准波长，1550nm是模拟传输网的标准波长。为了将数字传输网中的1310/1490nm波长从数字模拟混合传输的光纤中分离出来，目前市场上的三波长光分离器件都是以PWDM尾纤实现。
常规PWDM采用的是透射1550nm，反射1310/1490nm的波片。该结构市面上使用的是(T1510~1620nm,R1260~1500nm 0°)滤片。对于1550的反射隔离度要求只有18dB左右，最高的也就只能达到25dB，平均隔离度只能控制在20dB。在现代网络中20dB的隔离度已经完全满足不了客户需求，必须提高产品的反射隔离度指标。
发明内容
为了解决上述问题，本实用新型提出一种提高PWDM器件反射隔离度的结构，具体方案为：一种提高PWDM器件反射隔离度的结构，其特征在于，包括一号光纤头、二号光纤头、三号光纤头、四号光纤头、G-Lens、滤片、TO-CAN,波长为1550nm的光从所述一号光纤头输入，经过所述G-Lens后进入所述滤片，部分所述光在所述滤片中反射回来，并耦合到所述二号光纤头，所述二号光纤头与所述三号光纤头熔接在一起，反射光从所述二号光纤头进入所述三号光纤头，再从所述三号光纤头通过所述G-Lens与滤片，反射光最终被耦合到四号光纤头。
进一步的，所述G-Lens为0.25截距自聚焦透镜。
进一步的，所述滤片为T1510~1620nm,R1260~1500nm 0°滤片。
进一步的，所述TO-CAN为光电接收平行光二极管。
进一步的，所述二号光纤头与所述三号光纤头由熔接机熔接。
进一步的，所述4个光纤头与所述G-Lens耦合，以达到双重反射的目的。
本实用新型的有益效果为隔离度高、工艺简单，成品率高，成本低。
附图说明
图1为4个光纤头与G-Lens耦合示意图；
图2为本实用新型PWDM+PD结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式，对本实用新型做进一步说明。
如附图1所示信号光源1550nm从一号光纤头1输入经过G-Lens 5和滤片6，经过滤片6时由于滤片的特性只有部分1550的光被反射回来，将反射回来的光耦合到二号光纤头2。将二号光纤头2和三号光纤头3利用光纤熔接机熔接在一起，让光从二号光纤头2进入三号光纤头3，再从三号光纤头3通过G-Lens 5和滤片6，最后将反射回来的光耦合到四号光纤头4里，这样就完成了1550nm光源的两次反射，增加了产品的反射隔离度。
如图2所示，将耦合好的高反射隔离度的4个光纤头与G-Lens 5耦合在一起，并与滤片6及 TO-CAN 7安装在一起，制作成一个完整的光接收器件。
所属领域的技术人员应该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本实用新型的精神和范围内，在形式上和细节上对本实用新型做出的各种变化，均为本实用新型的保护范围。
Claims (6)
1.一种提高PWDM器件反射隔离度的结构，其特征在于，包括一号光纤头、二号光纤头、三号光纤头、四号光纤头、G-Lens、滤片、TO-CAN,波长为1550nm的光从所述一号光纤头输入，经过所述G-Lens后进入所述滤片，部分所述光在所述滤片中反射回来，并耦合到所述二号光纤头，所述二号光纤头与所述三号光纤头熔接在一起，反射光从所述二号光纤头进入所述三号光纤头，再从所述三号光纤头通过所述G-Lens与滤片，反射光最终被耦合到四号光纤头。
2.如权利要求1所述提高PWDM器件反射隔离度的结构，其特征在于，所述G-Lens为0.25截距自聚焦透镜。
3. 如权利要求1所述提高PWDM器件反射隔离度的结构，其特征在于，所述滤片为T1510~1620nm,R1260~1500nm 0°滤片。
4.如权利要求1所述提高PWDM器件反射隔离度的结构，其特征在于，所述TO-CAN为光电接收平行光二极管。
5.如权利要求1至4任一所述提高PWDM器件反射隔离度的结构，其特征在于，所述二号光纤头与所述三号光纤头由熔接机熔接。
6.如权利要求1至4任一所述提高PWDM器件反射隔离度的结构，其特征在于，所述4个光纤头与所述G-Lens耦合，以达到双重反射的目的。
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| CN201721349426.3U CN207281334U (zh) | 2017-10-19 | 2017-10-19 | 一种提高pwdm器件反射隔离度的结构 |
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| CN112946822A (zh) * | 2021-02-26 | 2021-06-11 | 厦门贝莱信息科技有限公司 | 高隔离度的多波长收发器件及其制备工艺 |
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| CN112946822B (zh) * | 2021-02-26 | 2023-08-04 | 厦门贝莱信息科技有限公司 | 高隔离度的多波长收发器件及其制备工艺 |
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