CN207021234U - 一种拼接式的干法刻蚀设备 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种拼接式的干法刻蚀设备，包括有设置于反应腔内的多个托盘单元、以及至少一个用于放置被刻蚀件的安装座，多个所述托盘单元组合拼接成固定托盘，其中，多个所述托盘单元组合成型有至少一个供安装座相配合安装的安装槽；所述多个托盘单元组合拼接以将安装座及放置于安装座顶面上的被刻蚀固定安装于安装槽中。
Description
技术领域
本实用新型涉及刻蚀设备的技术领域，尤其是指一种拼接式的干法刻蚀设备。
背景技术
通常干法刻蚀是将刻蚀气体通入反应腔中与晶圆表面的物质发生化学变化，即在晶圆上使用非液体的方法刻蚀出合乎要求的微观图形，是生产平面光波导芯片产品的重要步骤之一。在现有刻蚀设备中，在刻蚀晶圆的同时，托盘也由于刻蚀作用而损耗，而托盘上放置晶圆处由于晶圆的遮挡，磨损速度远慢直接与刻蚀气体接触的位置，在使用一段时间后，就需要对整个托盘进行更换或进行维修，但托盘上放置晶圆处的磨损程度并未达到需要更换的要求，其次，由于托盘的造价高，从而造成了企业资源的浪费，加重了企业的生产负担。
发明内容
本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种拼接式的干法刻蚀设备。
为了实现上述的目的，本实用新型所提供的一种拼接式的干法刻蚀设备，包括有设置于反应腔内的多个托盘单元、以及至少一个用于放置被刻蚀件的安装座，多个所述托盘单元组合拼接成固定托盘，其中，多个所述托盘单元组合成型有至少一个供安装座相配合安装的安装槽；所述多个托盘单元组合拼接以将安装座及放置于安装座顶面上的被刻蚀固定安装于安装槽中。
进一步，所述被刻蚀件为晶圆。
进一步，还包括有真空反应器，其中，所述真空反应器与反应腔预设有真空抽气口相连接。
本实用新型采用上述的方案，其有益效果在于:通过多个托盘单元组合拼接成固定托盘，同时多个安装座与组合形成的固定孔相配合安装，通过采用拼接式的固定托盘，避免对承载晶圆的安装座进行更换，并且根据多个托盘单元的磨损情况进行相应的更换，从而有效优化固定托盘的使用、降低了生产成本。
附图说明
图1为本实用新型的干法刻蚀设备的结构示意图。
图2为实施例一的固定托盘及安装座的结构示意图。
图3为实施例二的固定托盘及安装座的结构示意图。
其中，1-反应腔，11-真空抽气口，2-固定托盘，21-托盘单元，3-安装座，4-真空发生器。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本实用新型作进一步的说明。
实施例一：
参见附图1和附图2所示，在本实施例中，一种拼接式的干法刻蚀设备，包括有设置于反应腔1内的三个托盘单元21、以及三个用于放置被刻蚀件的安装座3，其中，被刻蚀件为晶圆；三个托盘单元21组合拼接成固定托盘2，其中，三个托盘单元21组合成型有三个呈环形分布且分别供三个安装座3相配合安装的安装槽；所述多个托盘单元21组合拼接以将安装座3及放置于安装座3顶面上的被刻蚀固定安装于安装槽中。
在本实施例中，还包括有真空发生器4，其中，真空发生器4与反应腔1底部预设有的真空抽气口11相连接；通过将刻蚀所用的气体输送至反应腔1上方，再利用真空发生器4对反应腔1进行抽气，从而使刻蚀气体自上向下流动，实现对晶圆的刻蚀；
在本实施例中，由于安装座3的磨损速度远小于固定托盘2的磨损速度，所以通过采用拼接式的固定托盘2以及采用安装座3对晶圆进行承载，从而可根据各个托盘单元21的磨损情况进行更换，采用这种单独更换的方式，避免因一个托盘单元21磨损严重就导致整个固定托盘2报废的情况，其次，通过利用安装座3对晶圆进行承载，并且安装座3由于晶圆的遮挡，使用寿命长，进而大幅度降低固定托盘2的成本，为生产企业降低生产成本。
实施例二：
参见附图3所示，与实施例一相比的不同点在于：包括有四个托盘单元21和四个环形分布的安装座3，从而根据可根据实际生产需求，选择不同的托盘单元21的形状以及安装座3的数量，使得刻蚀设备的适用面更广。
以上所述之实施例仅为本实用新型的较佳实施例，并非对本实用新型做任何形式上的限制。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本实用新型技术方案范围情况下，利用上述揭示的技术内容对本实用新型技术方案作出更多可能的变动和润饰，或修改均为本实用新型的等效实施例。故凡未脱离本实用新型技术方案的内容，依据本实用新型之思路所作的等同等效变化，均应涵盖于本实用新型的保护范围内。
Claims (3)
1.一种拼接式的干法刻蚀设备，包括有设置于反应腔（1）内的多个托盘单元（21）、以及至少一个用于放置被刻蚀件的安装座（3），其特征在于：多个所述托盘单元（21）组合拼接成固定托盘（2），其中，多个所述托盘单元（21）组合成型有至少一个供安装座（3）相配合安装的安装槽；所述多个托盘单元（21）组合拼接以将安装座（3）及放置于安装座（3）顶面上的被刻蚀固定安装于安装槽中。
2.根据权利要求1所述的一种拼接式的干法刻蚀设备，其特征那在于：所述被刻蚀件为晶圆。
3.根据权利要求1所述的一种拼接式的干法刻蚀设备，其特征那在于：还包括有真空发生器（4），其中，所述真空发生器（4）与反应腔（1）预设有真空抽气口（11）相连接。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201720601522.6U CN207021234U (zh) | 2017-05-26 | 2017-05-26 | 一种拼接式的干法刻蚀设备 |
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| CN201720601522.6U CN207021234U (zh) | 2017-05-26 | 2017-05-26 | 一种拼接式的干法刻蚀设备 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN207021234U true CN207021234U (zh) | 2018-02-16 |
Family
ID=61476592
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201720601522.6U Active CN207021234U (zh) | 2017-05-26 | 2017-05-26 | 一种拼接式的干法刻蚀设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN207021234U (zh) |
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2017
- 2017-05-26 CN CN201720601522.6U patent/CN207021234U/zh active Active
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