CN206991926U - 电路装置及电力传输*** - Google Patents

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CN206991926U CN201690000387.3U CN201690000387U CN206991926U CN 206991926 U CN206991926 U CN 206991926U CN 201690000387 U CN201690000387 U CN 201690000387U CN 206991926 U CN206991926 U CN 206991926U
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Abstract

电路装置(1)具备电路基板(10)、具有绕组线圈(11B)的线圈部(11)和磁屏蔽体(12)。线圈部(11)使绕组线圈(11B)的卷绕轴相对于电路基板(10)的主面平行地被安装于电路基板(10)的主面。磁屏蔽体(12)至少沿着绕组线圈(11B)的卷绕方向将电路基板(10)及绕组线圈(11B)包围。由此,提供减少磁场泄漏并抑制对周围的设备的影响的电路装置及电力传输***。

Description

电路装置及电力传输***
技术领域
本实用新型涉及具有绕组线圈的电路装置、及具备其的电力传输***。
背景技术
专利文献1公开了一种通过电场耦合方式从供电装置向受电装置进行电力传输的电力传输***。在该电力传输***中,在供电装置将电压升压后向受电装置传输,在受电装置将所传输的电压降压,并向负载供给。再有,在该电力传输***中,为了高效地进行电力传输,在供电装置及受电装置分别形成电感器及电容器所组成的、谐振频率相同的谐振电路。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2014/103438号
实用新型内容
-实用新型要解决的课题-
专利文献1中,采用了绕组构造的变压器或线圈的情况下,有可能从变压器漏磁场,影响会波及到周围的无线设备等电子设备。结果,有可能供电装置或受电装置的各设备误动作、或从供电装置向受电装置的电力传输的效率降低。
因而,本实用新型的目的在于,提供减少磁场泄漏且抑制对周围的设备的影响的电路装置及电力传输***。
-解决课题的手段-
本实用新型涉及的电路装置,其特征在于,具备:电路基板;使卷绕轴与所述电路基板的主面平行地被安装在所述电路基板的主面的绕组线圈;和至少沿着所述绕组线圈的卷绕方向将所述电路基板及所述绕组线圈包围的磁屏蔽导体。
在该构成中,由于利用磁屏蔽导体可减少来自绕组线圈的磁场的泄漏,故可抑制泄漏出的磁场对周围的无线设备等电子设备造成的影响。再有,由于磁屏蔽导体也将安装了绕组线圈的电路基板包围,故大小、或配置场所不会因绕组线圈与电路基板的连接部而被限制。为此,能够用磁屏蔽导体将绕组线圈整体覆盖,可有效地减少来自绕组线圈的磁场的泄漏。
本实用新型涉及的电路装置中,优选所述磁屏蔽导体为筒状,筒状的所述磁屏蔽导体的开口和所述绕组线圈的卷绕轴方向交叉。
在该构成中,仅通过将电路基板与绕组线圈***筒状的磁屏蔽导体,就能减少来自绕组线圈的磁场的泄漏。
本实用新型涉及的电路装置中,优选所述磁屏蔽导体的长度即所述开口的法线方向的长度为所述绕组线圈的所述卷绕轴方向的长度以上。
该构成中,由于磁屏蔽导体将绕组线圈整体包围,故可进一步减少来自绕组线圈的磁场的泄漏。
本实用新型涉及的电路装置中,优选所述绕组线圈被卷绕于磁性体,所述磁屏蔽导体的所述法线方向的长度为所述磁性体的所述卷绕轴方向的长度以下。
该构成中,由于只要磁屏蔽导体至少包围绕组线圈整体即可,故通过将磁屏蔽导体增大至必要以上,从而可防止电路装置大型化。
本实用新型涉及的电路装置,优选具备2个所述绕组线圈,2个所述绕组线圈构成将一方作为初级线圈、另一方作为次级线圈的绕组变压器。
该构成中,即便在用作为绕组变压器的情况下,也可减少来自绕组线圈的磁场的泄漏,因此可抑制泄漏出的磁场对周围的无线设备等电子设备造成的影响。
本实用新型涉及的电路装置,优选具备将所述电路基板、所述绕组线圈及所述磁屏蔽导体包围的静电屏蔽导体。
该构成中,能够减少来自外部的静电噪声的影响。
本实用新型涉及的电路装置中,优选所述静电屏蔽导体的导体厚度比所述磁屏蔽导体的导体厚度薄。
该构成中,通过将静电屏蔽导体的导体厚度削薄,从而能够谋求电路装置的轻量化。
本实用新型涉及的电路装置,优选具备沿着所述磁屏蔽导体的内壁而被设置的绝缘部。
该构成中,通过设置绝缘部,从而可确保磁屏蔽导体与绕组线圈及电路基板的绝缘性。
本实用新型涉及的电路装置中,所述绝缘部优选具有与所述电路基板的端部卡合的卡合部。
在该构成中,能容易地进行磁屏蔽导体相对于绕组线圈及电路基板的对位。
本实用新型涉及的电路装置中,优选所述绝缘部具有从所述内壁向内侧突出且决定与所述绕组线圈的卷绕轴方向相交的平面方向上的、所述电路基板及所述绕组线圈的配置位置的多个突出部。
在该构成中,能容易地进行磁屏蔽导体相对于绕组线圈及电路基板的对位。
本实用新型的电力传输***,具备:供电装置,具有将所输入的电压升压的升压变压器、和被施加由所述升压变压器升压后的电压的供电侧耦合部;以及受电装置,具有受电侧耦合部、将所述受电侧耦合部所感应出的电压降压的降压变压器、和将由所述降压变压器降压后的电压向负载输出的负载输出电路,所述供电侧耦合部与所述受电侧耦合部进行电场耦合,由此从所述供电装置向所述受电装置传输电力,其特征在于,所述升压变压器及所述降压变压器的至少一方包括本实用新型涉及的电路装置。
该构成中,由于可减少来自绕组线圈的磁场的泄漏,故可使泄漏出的磁场不会对配置在供电装置或受电装置的周围的无线设备等电子设备造成影响。
-实用新型效果-
根据本实用新型,可抑制泄漏出的磁场对周围的电子部件等造成的影响。再有,能够用磁屏蔽导体将绕组线圈整体覆盖,可有效地减少来自绕组线圈的磁场的泄漏。
附图说明
图1是实施方式1涉及的电路装置的剖视图。
图2是实施方式1涉及的电路装置的立体图。
图3是表示磁屏蔽体的长度与漏磁场的衰减量的关系的图。
图4是表示具备矩形状以外的形状的电路基板的电路装置的例子的图。
图5是表示具备矩形状以外的形状的电路基板的电路装置的例子的图。
图6是将线圈部设为绕组变压器的电路装置的俯视图。
图7是实施方式2涉及的电路装置的立体图。
图8是从X方向看到的电路装置的主视图。
图9是绝缘体的立体图。
图10(A)及图10(B)是表示绝缘体的其他例子的图。
图11是实施方式3涉及的电路装置的立体图。
图12是从X方向看到的电路装置的主视图。
图13是绝缘体的立体图。
图14是表示绝缘体的其他例子的图。
图15是表示实施方式4涉及的电路装置的图。
图16是实施方式5涉及的电力传输***的电路图。
具体实施方式
(实施方式1)
图1是实施方式1涉及的电路装置1的剖视图。图2是实施方式1涉及的电路装置1的立体图。图1相当于图2所示的I-I线中的剖面。
电路装置1具备电路基板10、线圈部11、磁屏蔽体12及绝缘体13。其中,在图1中,以剖面表示电路基板10、磁屏蔽体12及绝缘体13。
电路基板10具有长边及短边所组成的矩形状的主面。以下,将沿着电路基板10的长边的方向设为X方向、将沿着短边的方向设为Y方向、将电路基板10的厚度方向设为Z方向。在电路基板10的一方主面安装有包括线圈部11在内的多个元件(未图示)。
线圈部11具有磁性体芯体11A、绕组线圈11B及连接导体11C。绕组线圈11B卷绕于绝缘性或已被绝缘涂敷的磁性体芯体11A。线圈部11通过连接导体11C而被安装于电路基板10。绕组线圈11B通过连接导体11C后与电路基板10的布线图案(未图示)导通。线圈部11安装于电路基板10,以使得绕组线圈11B的卷绕轴沿着X方向、且卷绕轴与电路基板10的主面平行。另外,也可以构成为:作为绝缘体的线轴保持磁性体芯体11A,绕组线圈11B被卷绕于线轴且被卷绕于磁性体芯体11A的周围。
磁屏蔽体12为大致长方体形状,是具有沿着X方向的空洞的筒状的金属框。磁屏蔽体12由低电阻的优良导体、例如Cu或Al等形成。也就是说,磁屏蔽体12由导电性构件构成。电路基板10及线圈部11被***于磁屏蔽体12的空洞,以使得绕组线圈11B的卷绕轴方向与磁屏蔽体12的开口正交。而且,磁屏蔽体12沿着绕组线圈11B的卷绕方向而将电路基板10的一部分及线圈部11包围。
在筒状的磁屏蔽体12的内壁设置有绝缘体13。通过该绝缘体13,能够保持磁屏蔽体12和电路基板10及线圈部11的绝缘距离。另外,也可以不设置绝缘体13。
此外,为了固定电路基板10及线圈部11和磁屏蔽体12,例如也可以使电路基板10粘接于绝缘体13。再有,在将电路装置1安装于未图示的母基板之际,也可以将电路基板10及线圈部11和磁屏蔽体12分别各自固定至母基板。具体是,将电路基板10及线圈部11固定于母基板,将磁屏蔽体12固定于母基板,以使得线圈部11位于空洞内。
因为沿着卷绕方向,用磁屏蔽体12包围绕组线圈11B,所以从绕组线圈11B泄漏出的磁通与磁屏蔽体12交链而在磁屏蔽体12中流通电流。通过该电流,自磁屏蔽体12产生与从绕组线圈11B泄漏出的磁通相反方向的磁通。因为通过该产生的磁通,从绕组线圈11B泄漏出的磁通被抵消,所以可减少来自绕组线圈11B的漏磁场。结果,可抑制从绕组线圈11B泄漏出的磁场对周围的无线设备等电子设备造成的影响。
为了使磁通的泄漏有效地减少,将磁屏蔽体12的X方向的长度至少设为绕组线圈11B的X方向的长度以上且磁性体芯体11A的X方向的长度以下。而且,磁屏蔽体12相对于电路基板10及线圈部11被设置成至少绕组线圈11B整***于空洞内。另外,以下所采用的“长度”意味着X方向的长度。
图3是表示磁屏蔽体12的长度和漏磁场的衰减量的关系的图。其中,图3是表示采用后述的图6的构造的变压器的情况下的磁屏蔽体12的长度和漏磁场的衰减量的关系的图。图3中,纵轴表示漏磁场的衰减量[dB]、横轴表示磁屏蔽体12的长度[mm]。漏磁场的衰减量[dB]以磁屏蔽体12不存在的状态、也就是说磁屏蔽体12的长度变为0时的漏磁场作为基准。再有,在该例子中,绕组线圈11B的长度约为20mm、磁性体芯体11A的长度约为30mm。
如该图所示,在磁屏蔽体12的长度为约20~30mm的情况下,漏磁场的衰减量大致恒定。因此,磁屏蔽体12无需将线圈部11的磁性体芯体11A或电路基板10整体包围,只要至少包围绕组线圈11B整体,就可充分地减少从绕组线圈11B泄漏出的磁场。这样,无需将磁屏蔽体12增大到必要程度以上,就可防止电路装置1的大型化。
再有,磁屏蔽体12也将电路基板10与线圈部11一体地包围,因此磁屏蔽体12的长度、或配置场所未受到限制,能够用磁屏蔽体12将绕组线圈11B整体包围。假设图1中,采取了磁屏蔽体12未包围电路基板10而仅包围线圈部11的绕组线圈11B的构造的情况下,磁屏蔽体12的一部分经过电路基板10、线圈部11、及连接导体11C之间。为了确保绝缘性及抑制浮置电容,磁屏蔽体12与连接导体11C需要保持某种程度的距离。尤其,在线圈部11进行谐振的情况下,由于线圈的两端间的电压升高,故磁屏蔽体12的长度被连接导体11C限制。结果,磁屏蔽体12比绕组线圈11B的长度还短,有时无法将绕组线圈11B整体包围。该情况下,不能防止来自未被磁屏蔽体12包围的绕组线圈11B的磁场的泄漏。因而,如本实施方式那样,磁屏蔽体12将电路基板10及线圈部11一体地包围,由此连接导体11C不会成为障碍,磁屏蔽体12能够将绕组线圈11B整体包围。
再有,由于利用磁屏蔽体12,与线圈部11一起也将电路基板10包围,故只要将电路基板10及线圈部11***筒状的磁屏蔽体12即可,能够利用磁屏蔽体12以简易的构造将绕组线圈11B包围。还有,即便在将线圈部11安装到电路基板10后,也能够设置磁屏蔽体12。
另外,本实施方式中,虽然采用的是矩形状的电路基板10,但电路基板的形状未被限定于此。只要把电路基板的至少一部分与线圈部11一起***筒状的磁屏蔽体12即可。
图4及图5是表示具备矩形状以外的形状的电路基板的电路装置的例子的图。
图4所示的电路装置1A具备弯折成大致直角的L字形状的电路基板10A。在该电路基板10A的一部分(弯折突出的部分)设置有线圈部11。而且,设置了线圈部11的电路基板10A的一部分和线圈部11被***磁屏蔽体12。
图5所示的电路装置1B具备在一部分具有狭缝S1的电路基板10B。在被狭缝S1分割的电路基板10B的一部分设置有线圈部11。而且,设置了线圈部11的电路基板10B的一部分和线圈部11被***磁屏蔽体12。
如图4及图5所示,由于可将线圈部11及电路基板(10A、10B)的一部分包括在内,局部性地进行遮蔽,故与用屏蔽体将电路基板整体夹入相比,能够局部性地抑制从线圈部11漏泄的磁通。为此,可提高屏蔽效果。再有,通过如图5那样在电路基板10B设置狭缝S1,从而能够将高电压部与电路基板10B上的其他部分物理性地分离开,可确保高电压部与其他部分的绝缘性,能够抑制干扰。
另外,磁屏蔽体12虽然也可以使多个导电性构件接合而构成,但也能由无接合部分的1个筒状的导电性构件来形成。该情况下,可减少接合部分的电阻成分引起的损耗,可降低损耗,可提高屏蔽效果。
再有,线圈部11也可以是具有2个绕组线圈的绕组变压器。
图6是将线圈部设为绕组变压器的电路装置1C的俯视图。图6中,透视描绘用磁屏蔽体12遮挡的部分。电路装置1C具备电路基板10、被安装到电路基板10的主面的线圈部14、和将电路基板10及线圈部14包围的磁屏蔽体12。线圈部14是具备了E型的磁性体芯体14A、E型的磁性体芯体14B、和被卷绕在磁性体芯体14A的初级线圈14C及次级线圈14D的绕组变压器。在使初级线圈14C或次级线圈14D谐振的情况下,为了抑制磁饱和引起的谐振频率的变化,需要设置空隙,在本实施方式中,在E型的磁性体芯体14A和E型的磁性体芯体14B之间设置有空隙。另一方面,通过设置空隙,从而变得易于从空隙产生漏磁场。
在电路装置1C为绕组变压器的情况下,磁屏蔽体12的长度为初级线圈14C及次级线圈14D的外形的长度的合计以上。由此,能够通过磁屏蔽体12将初级线圈14C及次级线圈14D包围。由此,可减少从初级线圈14C及次级线圈14D泄漏的磁场。
另外,也可以在磁屏蔽体12的内壁设置图1等所说明的绝缘体13。在初级线圈14C或次级线圈14D与磁屏蔽体12之间可确保距离,能够防止短路。由于通过磁屏蔽体12将线圈部14、包括高电压部的电路基板10的一部分围起来,故也能接近于电子设备所搭载的其他导电性构件地配置。即便在该情况下,也能确保绝缘性、使得可靠性高的电子设备的组装变得容易。
再有,由于磁屏蔽体12由导电性构件构成,故也承担电场屏蔽体的任务。在使线圈谐振来使用的情况下,线圈的两端电压升高。线圈导体成为电场产生源。通过配置为用磁屏蔽体12将线圈导体覆盖,从而在作为电场产生源的线圈近旁可遮蔽电场。在磁屏蔽体12自身的电位变动增大的情况下,为了确定磁屏蔽体12的电位,用导电体来连接磁屏蔽体与电路的基准电位。其中,作为导电体也可以采用电阻元件。
(实施方式2)
图7是实施方式2涉及的电路装置2的立体图。图7表示将电路基板10及线圈部11和磁屏蔽体12分离开的状态。图8是从X方向看到的电路装置2的主视图。图9是绝缘体15的立体图。
电路装置2具备电路基板10、线圈部11及磁屏蔽体12。在磁屏蔽体12的内壁设置有绝缘体15。绝缘体15是与磁屏蔽体12同样的筒型形状,在Y方向对置的绝缘体15的壁面分别形成有沿着X方向的沟槽部15A。沟槽部15A是本实用新型涉及的“卡合部”的一例。电路基板10的沿着X方向的端部卡合于沟槽部15A。
在相对于电路基板10及线圈部11而配置磁屏蔽体12的情况下,使电路基板10的端部在沟槽部15A滑动,通过在X方向上使磁屏蔽体12进行对位,从而能够使线圈部11的绕组线圈位于磁屏蔽体12的空洞内。该情况下,在Y方向及Z方向上,无需进行电路基板10及线圈部11和磁屏蔽体12的对位。为此,配置磁屏蔽体12之际的对位变得容易,能够使磁屏蔽体12相对于电路基板10及线圈部11而配置在适当的位置。
使线圈部11谐振的情况下的谐振频率,因线圈部11与磁屏蔽体12之间产生的寄生电容或磁屏蔽体12的衰减量等而受到线圈部11所具有的阻抗的影响,发生变化。再有,需要使线圈部11的高电压部不过度地接近磁屏蔽体12。由此,期望磁屏蔽体12相对于线圈部11配置在适当的位置。
另外,绝缘体15未被限定为图9所示的构造,能够适宜变更。
图10(A)及图10(B)是表示绝缘体15的其他例子的图。
图10(A)所示的绝缘体15由具有比磁屏蔽体12的长度更短的长度的多个绝缘体151、152、153组成。在多个绝缘体151、152、153分别形成有沟槽部15B。绝缘体151、152、153沿着X方向而空出距离地设置于磁屏蔽体12的内壁。
图10(B)所示的绝缘体15是与磁屏蔽体12同样的筒型形状,在内壁的与Y方向对置的部分,形成有分别朝相反方向突出的凸部15C。凸部15C相当于沟槽部15A,电路基板10的端部卡合于凸部15C。
(实施方式3)
实施方式3中,保持电路基板的绝缘体的形状相异于实施方式2。
图11是实施方式3涉及的电路装置3的立体图。图11是表示将电路基板10及线圈部11和磁屏蔽体12分离开的状态。图12是从X方向看到的电路装置3的主视图。图13是绝缘体16的立体图。
电路装置3具备电路基板10、线圈部11及磁屏蔽体12。在磁屏蔽体12的内壁设置有绝缘体16。绝缘体16是与磁屏蔽体12同样的筒型形状,突出部16A、16B沿着X方向分别形成于Y方向上对置的绝缘体16的壁面。再有,突出部16C、16D沿着X方向分别形成于Z方向上对置的绝缘体16的壁面。电路基板10被载置于突出部16D,且从Y方向及Z方向起被突出部16A、16B、16C围起来。在线圈部11与突出部16A、16B、16C之间设置有少量的空间。
在相对于电路基板10及线圈部11而配置磁屏蔽体12的情况下,将电路基板10载置于突出部16D,在X方向上对磁屏蔽体12进行对位,以使得线圈部11位于被突出部16A、16B、16C围起来的空间,由此能够使线圈部11的绕组线圈位于磁屏蔽体12的空洞内。该情况下,在Y方向及Z方向上无需进行电路基板10及线圈部11与磁屏蔽体12的对位。为此,配置磁屏蔽体12之际的对位变得容易,能够相对于电路基板10及线圈部11而将磁屏蔽体12配置在适当的位置。
另外,绝缘体16未被限定为图13所示的构造,能够适宜变更。
图14是表示绝缘体16的其他例子的图。
图14所示的绝缘体16是筒型形状,在Y方向上对置的绝缘体16的壁面分别形成凹部161、162,在Z方向上对置的绝缘体16的壁面分别形成凹部163、164。凹部161、162相当于所述的突出部16A、16B,凹部163、164相当于所述的突出部16C、16D。
(实施方式4)
图15是表示实施方式4涉及的电路装置4的图。
电路装置4具备电路基板10、线圈部14、磁屏蔽体12、绝缘体13及静电屏蔽体17。线圈部14是实施方式1中说明过的绕组变压器。而且,在电路基板10的主面安装线圈部11,电路基板10及线圈部11被在内壁设置了绝缘体13的磁屏蔽体12围起来。
静电屏蔽体17具有空洞,在静电屏蔽体17的空洞配置电路基板10等,以使得将电路基板10、线圈部11、磁屏蔽体12及绝缘体13整体包围。通过静电屏蔽体17,能够减少来自外部的静电噪声(电场噪声)的影响。
该静电屏蔽体17的导体厚度比磁屏蔽体12的导体厚度薄。为了使得电流容易地流过防止漏磁场的磁屏蔽体12,虽然设为低电阻的优良导体斌将其导体厚度也增厚,但由于静电屏蔽体17无需流通电流,故可削薄静电屏蔽体17的导体厚度。为此,即便在设置了静电屏蔽体17的情况下,也能够谋求电路装置4的轻量化。由于无需使电流容易流过,故对于静电屏蔽体17的材质而言,能够采用电阻率比较高的导体。
再有,在用静电屏蔽体17将电路基板10等包围之际,有时在静电屏蔽体17的构成构件的粘接部分产生间隙、或导电性减弱。为此,来自线圈部14的磁场有可能从粘接部分泄漏,但通过包围线圈部14的磁屏蔽体12来减少来自线圈部14的漏磁场,因此磁场基本上不会从静电屏蔽体17泄漏。
(实施方式5)
该例子中,对采用了图6说明过的绕组变压器即电路装置1A的电力传输***进行说明。
图16是实施方式5涉及的电力传输***5的电路图。
电力传输***5具备供电装置101和受电装置201。受电装置201具备负载电路RL。该负载电路RL包括充电电路及二次电池。其中,二次电池相对于受电装置201也可以是装卸式。而且,受电装置201是具备该二次电池的、例如便携式电子设备。作为便携式电子设备可列举移动电话机、PDA(Personal Digital Assistant)、便携式音乐播放器、笔记本型PC、数码相机等。供电装置101是用于对所载置的受电装置201的二次电池进行充电的充电座。
供电装置101具备输出直流电压的电源Vin。直流电源Vin是与商用电源连接的AC适配器。直流电源Vin连接着将直流电压变换为交流电压的逆变器电路21。逆变器电路21的输出侧连接着升压变压器T1的初级绕组。由逆变器电路21变换过的交流电压施加给升压变压器T1。升压变压器T1的次级绕组连接着有源电极22及无源电极23。升压变压器T1将从逆变器电路21施加的交流电压升压,并向有源电极22及无源电极23施加。
受电装置201具备有源电极32及无源电极33。在将受电装置201载置(装载)到供电装置101的情况下,有源电极22、32彼此、无源电极23、33彼此分别隔着间隙而对置。通过该对置配置,有源电极22、32彼此、无源电极23、33彼此进行电场耦合。经由该耦合,供电装置101的电极和受电装置201的电极以非接触的状态,从供电装置101向受电装置201传输电力。
受电装置201的有源电极32及无源电极33连接着降压变压器T2的初级线圈。降压变压器T2的次级线圈连接着整流平滑电路31。整流平滑电路31将由降压变压器T2降压后的交流电压整流及平滑。整流平滑电路31连接着电力变换电路30。电力变换电路30将由整流平滑电路31整流及平滑过的电压变换为已被稳定的给定电压,向负载电路RL供给。
供电装置101的升压变压器T1、及受电装置201的降压变压器T2分别能采用图6所示的电路装置1A。升压变压器T1及降压变压器T2分别采用电路装置1A,由此可减少来自绕组线圈的漏磁场。为此,可防止来自绕组线圈的磁场对配置在供电装置101及受电装置201的周围的无线设备等电子设备造成影响。
另外,升压变压器T1具有漏电感L1、降压变压器T2具有励磁电感L2。也可以利用漏电感L1、励磁电感L2而在供电装置101及受电装置201分别形成谐振频率相同的谐振电路。该情况下,能够使电力传输效率提高。
本实施方式中虽然对电场耦合型的电力传输***进行了说明,但对于其他高电压产生电路来说也同样地能够采用图4所示的电路装置1A。例如,能够适用于压电元件驱动电路或放电元件驱动电路等。
-符号说明-
L1...电感
L2...励磁电感
RL...负载电路
S1...狭缝
T1...升压变压器
T2...降压变压器
Vin...直流电源
1、1A、1B、1C、2、3、4...电路装置
5...电力传输***
10、10A、10B...电路基板
11...线圈部
11A...磁性体芯体
11B...绕组线圈
11C...连接导体
12...磁屏蔽体(磁屏蔽导体)
13...绝缘体(绝缘部)
14...线圈部
14A、14B...磁性体芯体
14C...初级线圈
14D...次级线圈
15...绝缘体(绝缘部)
15A、15B...沟槽部
15C...凸部
16...绝缘体
16A、16B、16C、16D...突出部
17...静电屏蔽体
21...逆变器电路
22...有源电极(供电侧耦合部)
23...无源电极(供电侧耦合部)
32...有源电极(受电侧耦合部)
33...无源电极(受电侧耦合部)
30...电力变换电路
31...整流平滑电路
101...供电装置
151、152、153...绝缘体
161、162、163、164...凹部
201...受电装置

Claims (11)

1.一种电路装置,具备:
电路基板;
绕组线圈,使卷绕轴与所述电路基板的主面平行地安装在所述电路基板的主面;和
磁屏蔽导体,至少沿着所述绕组线圈的卷绕方向将所述电路基板及所述绕组线圈包围。
2.根据权利要求1所述的电路装置,其中,
所述磁屏蔽导体为筒状,
筒状的所述磁屏蔽导体的开口和所述绕组线圈的卷绕轴方向交叉。
3.根据权利要求2所述的电路装置,其中,
所述磁屏蔽导体的长度即所述开口的法线方向的长度为所述绕组线圈的所述卷绕轴方向的长度以上。
4.根据权利要求3所述的电路装置,其中,
所述绕组线圈被卷绕于磁性体,
所述磁屏蔽导体的所述法线方向的长度为所述磁性体的所述卷绕轴方向的长度以下。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的电路装置,其中,
具备2个所述绕组线圈,
2个所述绕组线圈构成将一方作为初级线圈并将另一方作为次级线圈的绕组变压器。
6.根据权利要求1~4中任一项所述的电路装置,其中,
该电路装置具备静电屏蔽导体,所述静电屏蔽导体将所述电路基板、所述绕组线圈及所述磁屏蔽导体包围。
7.根据权利要求6所述的电路装置,其中,
所述静电屏蔽导体的导体厚度比所述磁屏蔽导体的导体厚度薄。
8.根据权利要求2~4中任一项所述的电路装置,其中,
该电路装置具备沿着所述磁屏蔽导体的内壁设置的绝缘部。
9.根据权利要求8所述的电路装置,其中,
所述绝缘部具有与所述电路基板的端部卡合的卡合部。
10.根据权利要求8所述的电路装置,其中,
所述绝缘部具有多个突出部,所述多个突出部从所述内壁向内侧突出,决定所述电路基板及所述绕组线圈的配置位置。
11.一种电力传输***,具备:
供电装置,具有将所输入的电压升压的升压变压器、和被施加由所述升压变压器升压后的电压的供电侧耦合部;以及
受电装置,具有受电侧耦合部、将所述受电侧耦合部所感应出的电压降压的降压变压器、和将由所述降压变压器降压后的电压向负载输出的负载输出电路,
所述供电侧耦合部与所述受电侧耦合部进行电场耦合,由此从所述供电装置向所述受电装置传输电力,其中,
所述升压变压器及所述降压变压器的至少一方包括权利要求1~9中任一项所述的电路装置。
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