CN206620295U - Mems声换能器 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种MEMS声换能器，在由所述第一可动梳齿与第一固定梳齿构成，以及由第二可动梳齿与第二固定梳齿构成的两组梳齿结构中，其中一组梳齿结构的可动梳齿高于固定梳齿，另一组梳齿结构中的可动梳齿低于固定梳齿；本实用新型的MEMS声换能器，振膜组件本身可以输出高频的音频讯号，梳齿结构可以作为换能器的低频结构，且二者的驱动接口可以独立规划，并整合于一单体中可同时输出高低频讯号，从而提供准确的声音讯号。另外，本实用新型的声换能器，振膜组件在接受音频信号输出声音的同时，还可以形成麦克风结构从而为声音源的修正提供外界的噪音信号参数，提高了声换能器的抗噪能力。

Description

MEMS声换能器

技术领域

本实用新型涉及声换能器领域，更准确地说，涉及一种具有梳齿结构的声换能器，例如MEMS发声装置或者其与MEMS麦克风的集成等。

背景技术

扬声器是重要的电声换能部件，大部分消费类电子产品中都设置有扬声器或扬声器模组。随着手机、平板电脑等消费类电子产品的逐渐发展，人们对扬声器的性能提出了更高的要求。

随着可携式产品的迅速发展，微型喇叭的需求已然是下一个微机电产品的重点，但MEMS组件的位移空间常取决于牺牲层的厚度，这是微型喇叭的最大限制，发音能力也因此受限。

此外可携式产品除了组件体积要缩小外，对于声音质量的要求与日俱增，采用数组的方式来满足高低频的声音讯号设计已然违背MEMS组件的尺寸需求。

实用新型内容

本实用新型的一个目的是提供一种MEMS声换能器的新技术方案。

根据本实用新型的第一方面，提供了一种MEMS声换能器,包括衬底以及振膜组件，所述振膜组件通过弹性梁与衬底连接在一起；其中，在所述振膜组件相对的两侧分别设置有至少一组第一可动梳齿，在所述振膜组件另外相对的两侧分别设置有至少一组第二可动梳齿；所述衬底上设置有用于与第一可动梳齿配合在一起的第一固定梳齿，以及用于与第二可动梳齿配合在一起的第二固定梳齿；

其中，在由所述第一可动梳齿与第一固定梳齿构成，以及由第二可动梳齿与第二固定梳齿构成的两组梳齿结构中，其中一组梳齿结构的可动梳齿高于固定梳齿，另一组梳齿结构中的可动梳齿低于固定梳齿；

所述振膜组件被配置为提供声换能器的振动状态；

所述两组梳齿结构被配置为：在各自的静电力作用下分别为振膜组件整体在两个相反方向上的位移提供驱动力。

可选地，所述第一可动梳齿高于第一固定梳齿，所述第二可动梳齿低于第二固定梳齿。

可选地，所述第一可动梳齿低于第一固定梳齿，所述第二可动梳齿高于第二固定梳齿。

可选地，所述振膜组件整体呈矩形，所述第一可动梳齿设置在振膜组件其中一对相对的侧壁上，所述第二可动梳齿设置在振膜组件另一对相对的侧壁上。

可选地，所述弹性梁设置有四条，分别连接的振膜组件的四个角。

可选地，所述振膜组件整体呈圆形，所述第一可动梳齿、第二可动梳齿均匀分布在振膜组件的圆周方向上。

可选地，所述衬底设置有容腔，所述振膜组件设置在衬底的容腔内，所述第一固定梳齿、第二固定梳齿设置在衬底容腔的内壁上。

可选地，所述弹性梁的材料选用液态金属薄膜或者高分子薄膜。

可选地，所述振膜组件包括位于外侧的框架，以及位于框架内的振膜。

可选地，所述框架与弹性梁是一体的，采用相同的材质。

可选地，所述振膜为发声装置的发声振膜，所述振膜选用压电陶瓷材料。

可选地，所述振膜为发声装置的发声振膜，还包括用于与振膜配合以使所述振膜振动的配合部。

可选地，所述振膜为输出音频信号的发声振膜；还包括用于与所述振膜构成平板电容结构的背极板；所述振膜与背极板构成了用于输入表征周围噪声信号的麦克风。

可选地，所述第一可动梳齿、第二可动梳齿、第一固定梳齿、第二固定梳齿采用单晶硅或者多晶硅。

根据本实用新型的另一方面，还提供了一种制造上述MEMS声换能器的方法,包括以下步骤：

a)提供衬底，在所述衬底上刻蚀出不同高度且呈梳状结构的第一沟槽、第二沟槽；

b)在衬底上沉积导电层，所述导电层填充在第一沟槽、第二沟槽内；

c)刻蚀所述导电层，在所述第一沟槽、第二沟槽内形成第一可动梳齿、第二可动梳齿、第一固定梳齿、第二固定梳齿；

d)在衬底的上端面沉积并刻蚀形成振膜组件的框架以及弹性梁；

e)在框架上沉积形成振膜；

f)刻蚀衬底，将振膜、框架、第一可动梳齿、第二可动梳齿、第一固定梳齿、第二固定梳齿、弹性梁释放出来。

本实用新型的MEMS声换能器，振膜组件本身可以输出高频的音频讯号，梳齿结构可以作为换能器的低频结构，且二者的驱动接口可以独立规划，并整合于一单体中可同时输出高低频讯号，从而提供准确的声音讯号。另外，本实用新型的声换能器，振膜组件在接受音频信号输出声音的同时，还可以形成麦克风结构从而为声音源的修正提供外界的噪音信号参数，提高了声换能器的抗噪能力。

本实用新型的发明人发现，在现有技术中，发声器件的振幅有限；另外，可携式产品除了组件体积要缩小外，对于声音质量的要求与日俱增，采用数组的方式来满足高低频的声音讯号设计已然违背MEMS组件的尺寸需求。因此，本实用新型所要实现的技术任务或者所要解决的技术问题是本领域技术人员从未想到的或者没有预期到的，故本实用新型是一种新的技术方案。

通过以下参照附图对本实用新型的示例性实施例的详细描述，本实用新型的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本实用新型的实施例，并且连同其说明一起用于解释本实用新型的原理。

图1是本实用新型声换能器的俯视图。

图2是图1中沿第一可动梳齿、第一固定梳齿方向的剖面图。

图3是图1中沿第二可动梳齿、第二固定梳齿方向的剖面图。

图4是图1中第一可动梳齿、第二可动梳齿位置剖面的对比图。

图5至图10是本实用新型声换能器的制造工艺流程图。

具体实施方式

现在将参照附图来详细描述本实用新型的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本实用新型的范围。

以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本实用新型及其应用或使用的任何限制。

对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。

在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

本实用新型为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种MEMS声换能器，该换能器可以采用MEMS工艺进行制造，并且可大幅度提高声换能器的性能，并大大降低声换能器的体积。

参考图1，本实用新型的MEMS声换能器、微型扬声器，包括衬底1以及振膜组件、弹性梁4，所述振膜组件通过弹性梁4与衬底1连接在一起，使得所述振膜组件可以悬置在衬底1上。

在本实用新型一个具体的实施方式中，所述振膜组件可以设置在衬底1的端面上；在本实用新型另一个具体的实施方式中，在所述衬底1上设置有容腔，所述振膜组件位于衬底1的容腔中，弹性梁4在振膜组件的平面方向上延伸，一端连接到衬底1容腔的内壁上，另一端连接在振膜组件的侧壁。弹性梁4的数量可以设置有多个，均匀设置在振膜组件的周向方向上，以便可以为振膜组件提供稳定的弹性支撑。为了提高弹性梁4的弹性效果，可在弹性梁4上设置绕折的结构，例如锯齿结构等，这属于本领域技术人员的公知常识，在此不再具体说明。

例如当本实用新型的振膜组件为矩形结构时，所述弹性梁4可以设置有四个，该四个弹性梁4分别连接在振膜组件的四个角；当振膜组件选用圆形结构时，多个弹性梁4均匀分布在振膜组件的圆周方向上。

本实用新型的振膜组件被配置为提供声换能器的振动状态，也就是说，所述振膜组件可以接收载有音频的电信号，通过振膜组件的振动实现声换能器、微型扬声器的发声。

本实用新型的振膜组件为发声振膜，其可以选用压电陶瓷材料，使得本声换能器可以构成压电致动的发声装置。

当然，对于本领域的技术人员而言，本实用新型的振膜组件还可以是其它所熟知的发声装置，例如平行板式静电致动、音圈致动的发声装置。例如，本实用新型的声换能器，可以包括用于与振膜组件配合以使所述振膜组件振动的配合部，该配合部可以是音圈结构，通过音圈的驱动实现振膜组件的振动发声。所述配合部还可以是磁铁、通电线圈方式的电磁结构等，通过磁铁与通电线圈之间的配合，实现振膜组件的振动发声；这几种振膜的驱动结构及其工作原理均属于本领域技术人员的公知常识，因此，在此不再进行赘述。

参考图1至图4，本实用新型的振膜组件可以包括外部的框架3，以及位于框架3内的振膜2。所述框架3可以选用金属材料或者本领域技术人员所熟知的其它材料，其主要为振膜2提供支撑。该框架3例如可以是矩形框架，所述振膜2通过其边缘的位置连接在框架3上，振膜2中部区域的振动部悬置在框架3的中空位置，使得所述振膜2的振动不会受到框架3的影响。

上述弹性梁4可连接在框架3的边缘位置，从而实现了振膜组件与衬底1的弹性连接。在本实用新型一个优选的实施方式中，所述弹性梁4与框架3可以采用相同的材料，且是一体的，可在MEMS工艺通过沉积、刻蚀同一沉积层得到。

本实用新型的声换能器，还包括设置在振膜组件与衬底1之间的梳齿结构，使得在静电力的作用下可以驱动整个振膜组件发生垂直于振膜组件平面方向上的位移。

具体地，在所述振膜组件相对的两侧分别设置有至少一组第一可动梳齿5，参考图1，所述第一可动梳齿5可以采用多晶硅或者单晶硅材料，其可设置在振膜组件的框架3上，并且第一可动梳齿5设置在振膜组件相对的两侧。在所述衬底1上对应第一可动梳齿5的位置设置有第一固定梳齿6，该第一固定梳齿6可以采用与第一可动梳齿5相同的材料，其可设置在衬底1容腔的内壁上，并与振膜组件上的第一可动梳齿5交叉配合在一起，形成梳齿结构，记为第一梳齿结构。

在所述振膜组件相对的两侧分别设置有至少一组第二可动梳齿7，参考图1，所述第二可动梳齿7可以采用多晶硅或者单晶硅材料，其可设置在振膜组件的框架3上，并且第二可动梳齿7设置在振膜组件相对的两侧。在所述衬底1上对应第二可动梳齿7的位置设置有第二固定梳齿8，该第二固定梳齿8可以采用与第二可动梳齿7相同的材料，其可设置在衬底1容腔的内壁上，并与振膜组件上的第二可动梳齿7交叉配合在一起，形成梳齿结构，记为第二梳齿结构。

其中，在由所述第一可动梳齿5与第一固定梳齿6构成的第一梳齿结构，以及由第二可动梳齿7与第二固定梳齿8构成的第二梳齿结构中，其中一组梳齿结构的可动梳齿高于固定梳齿，另一组梳齿结构中的可动梳齿低于固定梳齿。例如所述第一可动梳齿5高于第一固定梳齿6，所述第二可动梳齿7低于第二固定梳齿8。当然，也可以是所述第一可动梳齿5低于第一固定梳齿6，所述第二可动梳齿7高于第二固定梳齿8。使得所述两组梳齿结构可被配置为：在各自的静电力作用下分别为振膜组件整体在两个相反方向上的位移提供驱动力。

现以第一可动梳齿5低于第一固定梳齿6，第二可动梳齿7高于第二固定梳齿8为例，对本实用新型的声换能器进行详尽的描述。

图2是沿图1中两组第一可动梳齿5、第一固定梳齿6方向的剖面图，第一固定梳齿6连接在衬底1容腔的内壁上，当衬底1采用单晶硅，第一固定梳齿6采用单晶硅或者多晶硅材料时，为了保证衬底1与第一固定梳齿6之间的绝缘，在所述衬底1与第一固定梳齿6之间设置有绝缘层10，该绝缘层10可以采用MEMS工艺中所熟知的氧化硅材料等，而且该绝缘层10可以作为后续的蚀刻停止层使用，这均属于本领域技术人员的公知常识，在此不再具体说明。

第一可动梳齿5连接在振膜组件的框架3上，所述第一可动梳齿5与第一固定梳齿6交叉配合在一起，且二者部分重叠在一起，参考图2中示出的重叠区域50。所述第一可动梳齿5的下端低于所述第一固定梳齿6的下端，所述第一可动梳齿5的上端低于所述第一固定梳齿6的上端，使得第一可动梳齿5与第一固定梳齿6没有完全重叠在一起。

这就使得在给第一可动梳齿5、第一固定梳齿6之间形成电压差时，例如给第一可动梳齿5通入0V的直流电，给第一固定梳齿6通入5V的直流电时，在静电力的作用下，可使第一可动梳齿5相对于第一固定梳齿6发生向上的位移。通过振膜组件相对两侧的第一可动梳齿5，从而带动整个振膜组件向上发生位移，直到第一可动梳齿5、第一固定梳齿6的正投影重叠在一起，该位移记为S1。该位移S1的最大值取决于第一可动梳齿5与第一固定梳齿6之间的高度差。

图3是沿图1中两组第二可动梳齿7、第二固定梳齿8方向的剖面图，第二固定梳齿8连接在衬底1容腔的内壁上，当衬底1采用单晶硅，第二固定梳齿8采用单晶硅或者多晶硅材料时，为了保证衬底1与第二固定梳齿8之间的绝缘，在所述衬底1与第二固定梳齿8之间设置有绝缘层10，该绝缘层10可以采用MEMS工艺中所熟知的氧化硅材料等，而且该绝缘层10可以作为蚀刻停止层使用，这均属于本领域技术人员的公知常识，在此不再具体说明。

第二可动梳齿7连接在振膜组件的框架3上，所述第二可动梳齿7与第二固定梳齿8交叉配合在一起，且二者部分重叠在一起，参考图3中示出的重叠区域70。所述第二可动梳齿7的下端高于所述第二固定梳齿8的下端，所述第二可动梳齿7的上端高于所述第二固定梳齿8的上端，使得第二可动梳齿7与第二固定梳齿8没有完全重叠在一起。

这就使得在给第二可动梳齿7、第二固定梳齿8之间形成电压差时，例如给第二可动梳齿7通入0V的直流电，给第二固定梳齿8通入5V的直流电时，在静电力的作用下，可使第二可动梳齿7相对于第二固定梳齿8发生向下的位移。通过振膜组件相对两侧的第二可动梳齿7，从而带动整个振膜组件向下发生位移，直到第二可动梳齿7、第二固定梳齿8的正投影重叠在一起，该位移记为S2。该位移S2的最大值取决于第二可动梳齿7与第二固定梳齿8之间的高度差。

图4的左侧示出的是沿第二可动梳齿、第二固定梳齿部分的剖面图，右侧示意的是沿第一可动梳齿、第一固定梳齿部分的剖面图。本实用新型的振膜组件在第一可动梳齿5、第一固定梳齿6的驱动下可以发生向上的位移S1，在第二可动梳齿7、第二固定梳齿8的驱动下可以发生向下的位移S2，这两组梳齿结构通过各自的控制，可以实现振膜组件整体发生总量为S1+S2的位移。这在声换能器尺寸受限的条件下，大大提高了振膜组件的位移区间，可大大提高振膜组件在低频的发音效果；而振膜组件本身可以输出高频的音频讯号，二者的驱动接口可以独立规划，并整合于一单体中可同时输出高低频讯号，从而可以提供准确的声音讯号。

优选的是，所述振膜组件整体呈矩形时，所述第一可动梳齿5设置在振膜组件其中一对相对的侧壁上，所述第二可动梳齿7设置在振膜组件其中另一对相对的侧壁上。当所述振膜组件整体呈圆形时，所述第一可动梳齿5、第二可动梳齿7均匀分布在振膜组件的圆周方向上。从而可以通过第一可动梳齿5、第二可动梳齿7的单独控制实现振膜组件向上或者向下的平稳运动。

优选的是，由于振膜组件在第一可动梳齿5、第二可动梳齿7的控制下可以发生总量为S1+S2的位移区间，因此，本实用新型弹性梁4的材料优选采用液态金属薄膜或者高分子薄膜，从而可以满足振膜组件较大的位移区间。

本实用新型的声换能器可以作为扬声器使用，也就是说振膜组件本身以及梳齿结构分别作为扬声器的高频、低频结构。在本实用新型另一个具体的实施方式中，本实用新型的声换能器还可以作为降噪发声装置使用。

具体地，所述振膜组件依然作为接受音频信号并输出声音的发声振膜，其与梳齿结构配合在一起，实现扬声器的发声。本实用新型的声换能器，还包括用于与所述振膜2构成平板电容结构的背极板(视图未给出)；所述振膜2与背极板构成了用于表征周围噪声信号的麦克风结构。振膜2与背极板这种平板电容式的麦克风结构属于本领域技术人员的公知常识。麦克风结构与扬声器结构独立控制，也就是说，振膜组件同时可以输出声音，也可以接受并反馈外界的噪声信号，从而可以为声音源的音讯信号提供修正的基础，实现了声换能器的抗噪特点。

本实用新型还提供了一种MEMS声换能器的制造方法,其包括以下步骤：

a)提供衬底1，在所述衬底1上刻蚀出不同高度且呈梳状结构的第一沟槽1a、第二沟槽1b，参考图5；

本实用新型的衬底1可以选用单晶硅材料，可使用深离子刻蚀机台，在衬底1上刻蚀出不同高度差的第一沟槽1a、第二沟槽1b；为了便于操作，衬底上的所有第一沟槽1a的深度可以相同，所有第二沟槽1b的深度可以相同；

b)在衬底1上沉积导电层14，所述导电层14填充在第一沟槽1a、第二沟槽1b内，参考图6；

本实用新型的导电层14可以采用单晶硅或者多晶硅，所述导电层14填充在不同高度的第一沟槽1a以及第二沟槽1b中；在此需要注意的是，由于衬底1采用了单晶硅材料，为了保证绝缘，需要首先在衬底1上以及第一沟槽1a、第二沟槽1b中生产一层绝缘层(图5至图10未示出)，该绝缘层可以采用氧化硅材料，这不但实现了衬底1与导电层14之间的绝缘，该绝缘层还可以作为后续的蚀刻停止层；

c)刻蚀所述导电层14，在所述第一沟槽1a、第二沟槽1b内形成第一可动梳齿5、第二可动梳齿7、第一固定梳齿6、第二固定梳齿8，参考图7；

在图7示出的结构中，由于第二沟槽1b的深度大于第一沟槽1a的深度，因此，可对第二沟槽1b内的导电层进行刻蚀，从而形成具有高度落差的梳齿；在此需要注意的是，需要形成位于相对两侧的第一可动梳齿5以及与第一可动梳齿5配合的第一固定梳齿6，以及位于相对两侧的第二可动梳齿7以及与第二可动梳齿7配合的第二固定梳齿8；且使第一可动梳齿5、第一固定梳齿6、第二可动梳齿7、第二固定梳齿8满足上述描述的配合结构；

d)在衬底1的上端面沉积并刻蚀形成振膜组件的框架3以及弹性梁，参考图8；

本实用新型的框架3以及弹性梁优选采用相同的材质，例如可在衬底上沉积液态金属，从而形成上述的框架3，以及连接在框架3与衬底1之间的弹性梁；在此需要注意的是，在沉积液态金属的时候，需要在衬底1上设置掩膜，从而防止液体金属沉积到不需要的区域；

e)在框架3上沉积形成振膜2，参考图9；

本实用新型的振膜2材料可以选用PZT压电陶瓷材料，对不需要沉积的区域设置掩膜结构，从而将振膜2仅沉积在框架3上；

f)刻蚀衬底1，将振膜2、框架3、第一可动梳齿5、第二可动梳齿7、第一固定梳齿6、第二固定梳齿8、弹性梁释放出来，参考图10。

可使用深离子蚀刻机台，移除振膜2、框架3、第一可动梳齿5、第二可动梳齿7、第一固定梳齿6、第二固定梳齿8、弹性梁下方的单晶硅衬底材料，从而将上述结构释放出来。在此需要注意的是，由于上述步骤中设置了绝缘层，该绝缘层可以作为深离子刻蚀的停止层，从而防止在深离子刻蚀硅衬底的时候，将声换能器的各功能结构层蚀刻掉；后续需要使用例如氟化氢来将绝缘层移除，这属于本领域技术人员的公知常识，在此不再具体说明。

虽然已经通过例子对本实用新型的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本实用新型的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本实用新型的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本实用新型的范围由所附权利要求来限定。

Claims (14)

1.一种MEMS声换能器,其特征在于：包括衬底(1)以及振膜组件，所述振膜组件通过弹性梁(4)与衬底(1)连接在一起；其中，在所述振膜组件相对的两侧分别设置有至少一组第一可动梳齿(5)，在所述振膜组件另外相对的两侧分别设置有至少一组第二可动梳齿(7)；所述衬底(1)上设置有用于与第一可动梳齿(5)配合在一起的第一固定梳齿(6)，以及用于与第二可动梳齿(7)配合在一起的第二固定梳齿(8)；

其中，在由所述第一可动梳齿(5)与第一固定梳齿(6)构成，以及由第二可动梳齿(7)与第二固定梳齿(8)构成的两组梳齿结构中，其中一组梳齿结构的可动梳齿高于固定梳齿，另一组梳齿结构中的可动梳齿低于固定梳齿；

所述振膜组件被配置为提供声换能器的振动状态；

所述两组梳齿结构被配置为：在各自的静电力作用下分别为振膜组件整体在两个相反方向上的位移提供驱动力。

2.根据权利要求1所述的MEMS声换能器,其特征在于：所述第一可动梳齿(5)高于第一固定梳齿(6)，所述第二可动梳齿(7)低于第二固定梳齿(8)。

3.根据权利要求1所述的MEMS声换能器,其特征在于：所述第一可动梳齿(5)低于第一固定梳齿(6)，所述第二可动梳齿(7)高于第二固定梳齿(8)。

4.根据权利要求1所述的MEMS声换能器,其特征在于：所述振膜组件整体呈矩形，所述第一可动梳齿(5)设置在振膜组件其中一对相对的侧壁上，所述第二可动梳齿(7)设置在振膜组件另一对相对的侧壁上。

5.根据权利要求4所述的MEMS声换能器,其特征在于：所述弹性梁(4)设置有四条，分别连接的振膜组件的四个角。

6.根据权利要求1所述的MEMS声换能器,其特征在于：所述振膜组件整体呈圆形，所述第一可动梳齿(5)、第二可动梳齿(7)均匀分布在振膜组件的圆周方向上。

7.根据权利要求1所述的MEMS声换能器,其特征在于：所述衬底(1)设置有容腔，所述振膜组件设置在衬底(1)的容腔内，所述第一固定梳齿(6)、第二固定梳齿(8)设置在衬底(1)容腔的内壁上。

8.根据权利要求1所述的MEMS声换能器,其特征在于：所述弹性梁(4)的材料选用液态金属薄膜或者高分子薄膜。

9.根据权利要求1所述的MEMS声换能器,其特征在于：所述振膜组件包括位于外侧的框架(3)，以及位于框架(3)内的振膜(2)。

10.根据权利要求9所述的MEMS声换能器,其特征在于：所述框架(3)与弹性梁(4)是一体的，采用相同的材质。

11.根据权利要求9所述的MEMS声换能器,其特征在于：所述振膜(2)为发声装置的发声振膜，所述振膜(2)选用压电陶瓷材料。

12.根据权利要求9所述的MEMS声换能器,其特征在于：所述振膜(2)为发声装置的发声振膜，还包括用于与振膜(2)配合以使所述振膜振动的配合部。

13.根据权利要求9所述的MEMS声换能器,其特征在于：所述振膜(2)为输出音频信号的发声振膜；还包括用于与所述振膜(2)构成平板电容结构的背极板；所述振膜(2)与背极板构成了用于输入表征周围噪声信号的麦克风。

14.根据权利要求1所述的MEMS声换能器,其特征在于：所述第一可动梳齿(5)、第二可动梳齿(7)、第一固定梳齿(6)、第二固定梳齿(8)采用单晶硅或者多晶硅。