CN206564266U - 一种大功率GaN基LED芯片的结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提出了一种大功率GaN基LED芯片的结构，包括衬底、在所述的衬底上依次设置的N型电极、电流层、P型电极，所述的P型电极倾斜置于电流层中。实施本实用新型的技术方案的一种大功率GaN基LED芯片的结构，工艺结构简单，制造成本较低，提高了LED芯片发光效率，也延长了LED芯片的使用寿命。
Description
技术领域
本实用新型涉及LED芯片技术领域，特别涉及一种大功率GaN基LED芯片的结构。
背景技术
发光二极管(即LED)是一种能够将电能转化成光能的一种半导体器件，是新一代光源。LED具有体积小、耗电量低、使用寿命长、发光效率高、发热量低、环保节能、坚固耐用等诸多优点，应用领域十分广阔。目前，LED已在背光源、交通灯、在屏幕显示、汽车、装饰照明等领域得到了广泛的应用，并随着技术的不断的发展与成熟，LED将有望成为***照明光源。而氮化镓(GaN)及其化合物是继锗(Ge)、硅(Si)和砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)之后重要的第三代半导体材料，基于GaN基的LED的发展目前被公认为是光电子科学技术领域的重大成就，是发展固态照明、实现人类照明革命性的光源，具有十分广阔的应用前景。
目前,GaN基LED芯片是电光转换效率还需要进一步提高，如何***地设计一个性能良好的大功率LED芯片是一个很有价值的研究课题。
实用新型内容
为了解决以上的问题，本实用新型提供一种大功率GaN基LED芯片的结构。
本实用新型公开了一种大功率GaN基LED芯片的结构，包括衬底，在衬底上依次设置的N型电极、电流层、P型电极，P型电极倾斜置于电流层中。
进一步地，所述的衬底包括蓝宝石Al2O3层，所述的蓝宝石Al2O3层向上依次设置N型GaN层、量子阱层、P型GaN层。
进一步地，所述的电流层为电流扩散层。
实施本实用新型的一种大功率GaN基LED芯片的结构，具有以下有益的技术效果：
实施本实用新型的技术方案的一种大功率GaN基LED芯片的结构，其工艺结构简单，制造成本较低，提高了LED芯片发光效率，也延长了LED芯片的使用寿命。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型的实施例一种大功率GaN基LED芯片的结构的俯视图；
图2为本实用新型的实施例一种大功率GaN基LED芯片的结构的剖面图；
图3为现有技术的一种大功率GaN基LED芯片的结构的俯视图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1及图2，本实用新型的实施例，一种大功率GaN基LED芯片的结构10，包括衬底，在衬底上依次设置的N型电极1、电流层3、P型电极2，P型电极2倾斜置于电流层3中。
衬底，包括蓝宝石Al2O3层7，蓝宝石Al2O3层7向上依次设置的N型GaN层6、量子阱层5、P型GaN层4。
电流层3为电流扩散层。
GaN基大功率LED的芯片设计，主要分为两个部分，一是芯片结构的设计以提高取光效率，二是芯片电极的设计以获得良好的电流注入和电流密度分布。
下面进一步说明如下：
现有技术的大功率GaN基的半导体发光芯片，如图3所示，P型电极2由N型电极1半包围设置，电极在半导体晶体表面占掉大量的发光面积，同时制作工艺复杂，因为有尖角，容易导致尖端放电现象，造成芯片表面被击穿。
本实用新型实实例的结构设计，发光区域的面积比传统设计要大6％，且***完全被N型电极所包围，电流可直接从中间扩展到四周，形成完全的散流状态，从而使整个发光表面电流密度几乎完全一致，达到最大的电和光的激发效果。这样的设计后，整体的发光效率提升达到10％，相比原来。同时由于电流能均匀分布在晶体表面，没有尖端放电现象，真个芯片的寿命也有5％左右的提升。
经实践证实，本实用新型优点在于：
发光区域的面积比传统设计要大6％，且***完全被N型电极所包围，电流可直接从中间扩展到四周，形成完全的散流状态，从而使整个发光表面电流密度几乎完全一致，达到最大的电和光的激发效果。这样的设计后，整体的发光效率提升达到10％，相比原来。同时由于电流能均匀分布在晶体表面，没有尖端放电现象，真个芯片的寿命也有5％左右的提升。总之提高了LED芯片发光效率，也延长了LED芯片的使用寿命。
实施本实用新型的一种大功率GaN基LED芯片的结构，具有以下有益的技术效果：
实施本实用新型的技术方案的一种大功率GaN基LED芯片的结构，工艺结构简单，制造成本较低，提高了LED芯片发光效率，也延长了LED芯片的使用寿命。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种大功率GaN基LED芯片的结构，包括衬底、在所述的衬底上依次设置的N型电极、电流层、P型电极，其特征在于，所述的P型电极倾斜置于电流层中。
2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述的衬底包括蓝宝石Al2O3层，所述的蓝宝石Al2O3层向上依次设置的N型GaN层、量子阱层、P型GaN层。
3.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述的电流层为电流扩散层。
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