CN206401032U - 一种flash电源异常掉电监测的保护电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种FLASH电源异常掉电监测的保护电路，包括电压监测模块、比较模块及FLASH组合模块，电压监测模块的输出端连接比较模块的输入端，比较模块的输出端连接FLASH组合模块的输入端，电压监测模块包括电压监测芯片U1、电阻R1及电容C1，电压监测芯片U1的RESET脚连接电阻R1的一端，电压监测芯片U1的VCC脚分别连接电源VDD及电容C1的一端，电压监测芯片U1的GND脚接地，电容C1的另一端接地。当电源异常掉电时，监测电路能在供电电压低于FLASH正常工作电压之前直接将FLASH写保护，从而大大减少了控制器通过软件处理的通讯时间，能够有效地防止FLASH在读写时掉电被造成损坏。
Description
技术领域
本实用新型属于电源保护（监测）、数据存储技术领域，尤其涉及一种FLASH电源异常掉电监测的保护电路。
背景技术
嵌入式操作***的应用，使数据的读写通过文件的方式完成。用文件读写的方式操作数据，在程序运行中一般将数据存储在易失性的存储设备中，如NOR FLASH、NANDFLASH等，当***异常掉电时，这些存储的数据就会丢失，更严重的情况下会损坏FLASH，因而，在电路设计中增加掉电保护电路是很有必要的。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种FLASH电源异常掉电监测的保护电路，旨在解决当FLASH电源异常掉电时出现的FLASH损坏的技术问题。
本实用新型是这样实现的，一种FLASH电源异常掉电监测的保护电路，所述保护电路包括电压监测模块、比较模块及FLASH组合模块，所述电压监测模块的输出端连接所述比较模块的输入端，所述比较模块的输出端连接所述FLASH组合模块的输入端，所述电压监测模块包括电压监测芯片U1、电阻R1及电容C1，所述电压监测芯片U1的RESET脚连接所述电阻R1的一端，所述电压监测芯片U1的VCC脚分别连接电源VDD及电容C1的一端，所述电压监测芯片U1的GND脚接地，所述电容C1的另一端接地。
本实用新型的进一步技术方案是：所述比较模块包括比较器U2及电容C2，所述比较器U2的负输入连接所述电阻R1的另一端，所述比较器U2的VCC脚分别连接所述电容C2的一端及电源VDD，所述比较器U2的GND脚接地，所述电容C2的另一端接地。
本实用新型的进一步技术方案是：所述FLASH组合模块包括FLASH 芯片U3及电阻R2，所述FLASH 芯片U3的WP脚分别连接所述电阻R2的一端及所述比较器U2的输出端，所述FLASH 芯片U3的VDD脚连接电源VDD，所述电阻R2的另一端接地。
本实用新型的进一步技术方案是：所述比较器U2采用的是与门电路。
本实用新型的进一步技术方案是：所述电容C1及电容C2的容值均为100nF的法拉电容。
本实用新型的进一步技术方案是：所述电阻R1的阻值为0R，所述电阻R2的阻值为4.7K。
本实用新型的有益效果是：当电源异常掉电时，监测电路能直接将FLASH写保护，从而减少了微处理器通过软件控制的通讯时间，能够有效地防止FLASH在读写时掉电被造成损坏。
附图说明
图1是本实用新型实施例提供的FLASH电源异常掉电监测保护电路的原理图。
具体实施方式
图1示出了本实用新型提供的FLASH电源异常掉电监测的保护电路，所述保护电路包括电压监测模块、比较模块及FLASH组合模块，所述电压监测模块的输出端连接所述比较模块的输入端，所述比较模块的输出端连接所述FLASH组合模块的输入端，所述电压监测模块包括电压监测芯片U1、电阻R1及电容C1，所述电压监测芯片U1的RESET脚连接所述电阻R1的一端，所述电压监测芯片U1的VCC脚分别连接电源VDD及电容C1的一端，所述电压监测芯片U1的GND脚接地，所述电容C1的另一端接地。
所述比较模块包括比较器U2及电容C2，所述比较器U2的负输入连接所述电阻R1的另一端，所述比较器U2的VCC脚分别连接所述电容C2的一端及电源VDD，所述比较器U2的GND脚接地，所述电容C2的另一端接地。
所述FLASH组合模块包括FLASH 芯片U3及电阻R2，所述FLASH 芯片U3的WP脚分别连接所述电阻R2的一端及所述比较器U2的输出端，所述FLASH 芯片U3的VDD脚连接电源VDD，所述电阻R2的另一端接地。
所述比较器U2采用的是与门电路。
所述电容C1及电容C2的容值均为100nF的法拉电容。
所述电阻R1的阻值为0R，所述电阻R2的阻值为4.7K。
该保护电路主要由电压监测模块、比较模块和FLASH组合模块而成，所述电压监测模块与所述比较模块的一端连接，所述比较模块的输出端与所述FLASH组合模块的写保护端连接。
所述电压监测芯片U1的输出端通过电阻R1与所述比较器U2的一个输入端连接，所述比较器的另一个输入端与所述微处理器的GPIO输出口连接。
所述电压监测芯片U1的电源端与所述FLASH 芯片U3共用同一电源，所述电压监测芯片U1的电源端也通过电容C1与地连接。
所述比较器U2的电源端与FLASH共用同一电源，所述比较器U2的电源端也通过电容C2与地连接。
所述电容C1、C2选用容值为100nF的法拉电容。
所述比较器U2的输出端与FLASH的写保护端\WP连接。
所述FLASH芯片 U3的写保护端\WP通过电阻R2与地连接。
所述电阻R1、R2的阻值分别为0R、4.7K。
所述比较器U2为与门电路。
图1示出了本实用新型提供的一种FLASH电源异常掉电监测保护电路，所述保护电路主要由电压监测芯片、比较器和FLASH芯片组合而成，由一个输出接口来控制FLASH的写保护端\WP。所述电压监测芯片U1的电源端连接FLASH的电源VDD,所述电压监测芯片U1的电源端也通过100nF电容C1连接到地，所述监控芯片U1的输出端连接0R电阻R1，所述比较器U2的一个输入端与微处理器的GPIO口连接，所述比较器U2的另一个输入端与0R电阻R1的另一端连接，所述比较器U2的电源端与FLASH的电源VDD连接，所述比较器U2的电源端也通过100nF的电容C2与地连接，所述比较器U2的输出端与FLASH的写保护端\WP连接，FLASH的写保护端也通过4.7K的电阻R2与地连接。其工作原理为：1、当VDD正常工作，FLASH进行写操作时， WP与所述电压监测芯片的输出均为高电平，因而所述比较器的输出为高电平，FLASH的写保护端关闭，允许FLASH进行写操作；2、当VDD正常工作，FLASH不进行写操作时，WP输出低电平，电压监测芯片的输出为高电平，因而所述比较器的输出为低电平并与电阻R2一起拉低FLASH的写保护端，FLASH处于写保护状态，不允许写操作；3、当FLASH电源VDD异常掉电时，所述电压监测芯片检测到电压下降，并在电压下降到FLASH正常工作电压之前立即输出低电平（此时微处理器通过软件还未来得及通过WP端口做出写保护命令，可能还在对FLASH进行写操作），进而使所述比较器输出低电平强制开启FLASH的写保护端\WP，停止对FLASH的写操作，与软件相比，这样大大减少开启FLASH的写保护的反应时间，从而避免了FLASH在进行写操作时因异常掉电被损坏。
上述实施例仅为实现本实用新型的一种方式，在设计以及实现过程中，可以根据选用不同的芯片适当变化，比如上述所述监控芯片掉电时的输出电平的变化。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种FLASH电源异常掉电监测的保护电路，其特征在于：所述保护电路包括电压监测模块、比较模块及FLASH组合模块，所述电压监测模块的输出端连接所述比较模块的输入端，所述比较模块的输出端连接所述FLASH组合模块的输入端，所述电压监测模块包括电压监测芯片U1、电阻R1及电容C1，所述电压监测芯片U1的RESET脚连接所述电阻R1的一端，所述电压监测芯片U1的VCC脚分别连接电源VDD及电容C1的一端，所述电压监测芯片U1的GND脚接地，所述电容C1的另一端接地。
2.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述比较模块包括比较器U2及电容C2，所述比较器U2的负输入连接所述电阻R1的另一端，所述比较器U2的VCC脚分别连接所述电容C2的一端及电源VDD，所述比较器U2的GND脚接地，所述电容C2的另一端接地。
3.根据权利要求2所述的保护电路，其特征在于，所述FLASH组合模块包括FLASH 芯片U3及电阻R2，所述FLASH 芯片U3的WP脚分别连接所述电阻R2的一端及所述比较器U2的输出端，所述FLASH 芯片U3的VDD脚连接电源VDD，所述电阻R2的另一端接地。
4.根据权利要求3所述的保护电路，其特征在于，所述比较器U2采用的是与门电路。
5.根据权利要求4所述的保护电路，其特征在于，所述电容C1及电容C2的容值均为100nF的法拉电容。
6.根据权利要求5所述的保护电路，其特征在于，所述电阻R1的阻值为0R，所述电阻R2的阻值为4.7K。
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| CN201621460369.1U CN206401032U (zh) | 2016-12-28 | 2016-12-28 | 一种flash电源异常掉电监测的保护电路 |
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