CN206210350U - 一种tft阵列基板缺陷快速检测*** - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种TFT阵列基板缺陷快速检测***，其包括：TFT阵列基板；背光源和偏光片；测试仪，用于向阵列基板施加预定的电压；其中，所述TFT阵列基板包括阵列排布的多个像素电路、多条栅线和多条数据线，每一像素电路包括串联设置的多个TFT晶体管、像素电极、存储电容和公共电极；一条栅线分别控制相邻像素电路内的不同位置的TFT晶体管的栅极，一条数据线控制连接一排或一列像素电路内的第1个晶体管的源极；每一像素电路内的第N个晶体管的漏极连接像素电极。本TFT阵列基板缺陷快速检测***，其在绑定IC前，可快速检测出阵列基板的各种显示缺陷，进而避免IC的浪费，降低生产成本。
Description
技术领域
本实用新型涉及了一种TFT阵列基板缺陷快速检测***。
背景技术
在传统的TFT-LCD中，每个像素电路内对应一个TFT晶体管。TFT晶体管的功能是一个连接数据线和像素的开关，开和关时间由扫描线控制。传统单TFT晶体管控制显示的LCD中将数据线和扫描线按照一定规律连接到测试仪信号线上，通过检测特定画面可以快速查找到点缺陷、线缺陷及其它缺陷。而随着LCD技术的不断发展，为了进一步降低LCD功耗，一种新型的超低频率的液晶显示器得以出现，此种LCD为了降低TFT晶体管中漏电流的流失，提高存储电容维持显示的时间，将一个像素电路内设置多个TFT晶体管。而在生产过程中，传统的单TFT晶体管的检测***不能快速准确判断出面板的点缺陷和线缺陷等各种缺陷。故亟需开发一种应用于检测多个TFT晶体管控制显示的阵列基板的缺陷的快速检测***。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供了一种TFT阵列基板缺陷快速检测***，其在绑定IC前，可快速检测出阵列基板的各种显示缺陷，进而避免IC的浪费，降低生产成本。
本实用新型所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现：
一种TFT阵列基板缺陷快速检测***，其包括：
TFT阵列基板，其每一像素电路由多个串联的TFT晶体管控制；
背光源和偏光片，所述偏光片位于所述TFT阵列基板和背光源之间；
测试仪，用于向阵列基板施加预定的电压；其中，
所述TFT阵列基板包括阵列排布的多个像素电路、多条栅线和多条数据线，每一像素电路包括串联设置的多个TFT晶体管、像素电极、存储电容和公共电极；一条栅线分别控制相邻像素电路内的不同位置的TFT晶体管的栅极，一条数据线控制连接一排或一列像素电路内的第1个晶体管的源极；每一像素电路内的第N个晶体管的漏极连接像素电极；
所述测试仪的VGO端经第一栅线驱动器与所述TFT阵列基板上的偶数栅线连接以向所述偶数栅线输出电压；所述测试仪的VGE端经第二栅线驱动器与所述TFT阵列基板上的奇数栅线连接以向所述奇数栅线输出电压；所述测试仪的VDR端经第一数据线驱动器与所述TFT阵列基板上的偶数数据线连接以导通所述偶数数据线；所述测试仪的VDG端经第二数据线驱动器与所述TFT阵列基板上的奇数数据线连接以导通所述奇数数据线；所述测试仪的Vcom端与所述TFT阵列基板的公共电极连接以向所述公共电极输出电压。
作为本实用新型提供的TFT阵列基板缺陷快速检测***的一种改进，所述多个TFT晶体管为两个TFT晶体管。
作为本实用新型提供的TFT阵列基板缺陷快速检测***的一种改进，所述多个TFT晶体管为三个以上TFT晶体管。
作为本实用新型提供的TFT阵列基板缺陷快速检测***的一种改进，所述第一栅线驱动器、第二栅线驱动器、第一数据线驱动器和第二数据线驱动器均包括一探针和三极管开关，所述探针一端与测试仪连接，另一端经三极管开关与所述第一栅线驱动器、第二栅线驱动器、第一数据线驱动器或第二数据线驱动器连接。
本实用新型具有如下有益效果：利用该TFT阵列基板缺陷快速检测***，结构简单，操作方便，可在绑定IC前，快速检测出阵列基板的各种显示缺陷，进而避免IC的浪费，降低生产成本。
附图说明
图1为本实用新型快速检测***的连接原理图，其中每一像素电路具有两个串联的TFT晶体管，左右两端引出的是数据线，下端引出的是栅线；
图2为本实用新型快速检测***的连接原理图，其中每一像素电路具有三个串联的TFT晶体管，左右两端引出的是栅线，下端引出的是数据线。
具体实施方式
下面结合实施例对本实用新型进行详细的说明，实施例仅是本实用新型的优选实施方式，不是对本实用新型的限定。
实施例1
一种TFT阵列基板缺陷快速检测***，其包括：
TFT阵列基板，其每一像素电路110由两个串联的TFT晶体管111、112控制；
背光源和偏光片，所述偏光片位于所述TFT阵列基板和背光源之间；
测试仪，用于向阵列基板施加预定的电压。
具体地，所述TFT阵列基板左右两端引出的是数据线120，下端引出的是栅线120；所述TFT阵列基板包括阵列排布的多个像素电路110、多条栅线120和多条数据线130，每一像素电路110包括串联设置的两个TFT晶体管、像素电极113和公共电极114，第1个TFT晶体管111的漏极D与第2个TFT晶体管112的源极S连接，第1个TFT晶体管111的源极S与所述数据线130连接，第2个TFT晶体管112的漏极D连接所述像素电极113，所述公共电极114形成在所述像素电极113的上方，使像素电极113与公共电极114形成存储电容Cs在公共电极114上的结构形式；其中，每一条栅线120在进入像素电路110之前，分成两条栅走线分别引入相邻的两列像素电路110中，分别控制相邻像素电路110内的不同位置的TFT晶体管的栅极G，即一条栅走线控制连接一像素电路110内的第1个晶体管，另一条栅走线控制连接相邻的另一像素电路110内的第2个晶体管。
所述测试仪的VGO端经Gate-EVEN探针和三极管开关与所述TFT阵列基板上的偶数栅线120连接以向所述偶数栅线120输出电压；所述测试仪的VGE端经Gate-ODD探针和三极管开关与所述TFT阵列基板上的奇数栅线120连接以向所述奇数栅线120输出电压；所述测试仪的VDR端经Source-EVEN探针和三极管开关与所述TFT阵列基板上左右两端的偶数数据线130连接以导通所述偶数数据线130；所述测试仪的VDG端经Source-ODD探针和三极管开关与所述TFT阵列基板上左右两端的奇数数据线130连接以导通所述奇数数据线130；所述测试仪的Vcom端与所述TFT阵列基板的公共电极114连接以向所述公共电极114输出电压。
检测时，当给其中一个Gate-EVEN探针或Gate-ODD探针加电，连通Source-ODD探针和Source-EVEN探针的三极管开关即数据线130导通时，像素不会点亮，若点亮，说明相对应走线有短路。同样，Gate-EVEN探针和Gate-ODD探针同时加电，连通Source-ODD探针和Source-EVEN探针的三极管开关即数据线130导通时，所有像素会点亮，若有暗线，说明相对应走线有断路。当所有测试点都加电，即Gate-EVEN探针和Gate-ODD探针加电、导通Source-ODD探针和Source-EVEN探针时，检测画面为白色时，有暗点的位置就是缺陷位置，同理，当不给Source-ODD探针和Source-EVEN探针加电时，检测画面为黑色时，亮点位置即为缺陷位置。
实施例2
一种TFT阵列基板缺陷快速检测***，其包括：
TFT阵列基板，其每一像素电路210由三个串联的TFT晶体管211、212、213控制；
背光源和偏光片，所述偏光片位于所述TFT阵列基板和背光源之间；
测试仪，用于向阵列基板施加预定的电压。
具体地，所述TFT阵列基板左右两端引出的是栅线220，下端引出的是数据线230；所述TFT阵列基板包括阵列排布的多个像素电路210、多条栅线220和多条数据线230，每一像素电路210包括串联设置的三个TFT晶体管、像素电极214、存储电容Cs和公共电极215，第1个TFT晶体管211的漏极D与第2个TFT晶体管212的源极S连接，第1个TFT晶体管211的源极S与所述数据线230连接，第2个TFT晶体管212的漏极D与第3个TFT晶体管213的源极S连接，第3个TFT晶体管213的漏极D连接所述像素电极214，所述公共电极215形成在所述像素电极214的上方，使像素电极214与公共电极215形成存储电容Cs在公共电极215上的结构形式；其中，每一条栅线220在进入像素电路210之前，分成两条栅走线分别引入相邻的两列像素电路210中，分别控制相邻像素电路210内的不同位置的TFT晶体管的栅极G，即一条栅走线控制连接一像素电路210内的第1个晶体管和第3个晶体管，另一条栅走线控制连接相邻的另一像素电路210内的第2个晶体管。
所述测试仪的VGO端经Gate-EVEN探针和三极管开关与所述TFT阵列基板上左右两端的偶数栅线220连接以向所述偶数栅线220输出电压；所述测试仪的VGE端经Gate-ODD探针和三极管开关与所述TFT阵列基板上左右两端的奇数栅线220连接以向所述奇数栅线220输出电压；所述测试仪的VDR端经Source-EVEN探针和三极管开关与所述TFT阵列基板上的偶数数据线230连接以导通所述偶数数据线230；所述测试仪的VDG端经Source-ODD探针和三极管开关与所述TFT阵列基板上的奇数数据线230连接以导通所述奇数数据线230；所述测试仪的Vcom端与所述TFT阵列基板的公共电极215连接以向所述公共电极215输出电压。
为了便于连接和操作方便，栅线220由两边引出时，可以将左端引出的所有偶数栅线220和奇数栅线220分别连接至Gate-L-EVEN探针和Gate-L-ODD探针；将右端引出的所有偶数栅线220和奇数栅线220分别连接至Gate-R-EVEN探针和Gate-R-ODD探针；Gate-L-EVEN探针和Gate-L-EVEN探针再单独通过信号线连接至所述测试仪的VGE端，Gate-R-ODD探针和Gate-R-ODD探针再单独通过信号线连接至所述测试仪的VGO端。
检测时，当给其中一个Gate-EVEN探针或Gate-ODD探针加电，连通Source-ODD探针和Source-EVEN探针的三极管开关即数据线230导通时，应只显示单像素宽度的亮线或暗线，若亮线或暗线宽度比其它的宽，说明相邻走线有短路。同样，Gate-EVEN探针和Gate-ODD探针同时加电，连通Source-ODD探针和Source-EVEN探针的三极管开关即数据线230导通时，所有像素会点亮，若有暗线，说明相对应走线有断路。当所有测试点都加电，即Gate-EVEN探针和Gate-ODD探针加电、导通Source-ODD探针和Source-EVEN探针时，检测画面为白色时，有暗点的位置就是缺陷位置，同理，当不给Source-EVEN探针和Source-ODD探针加电时，检测画面为黑色时，亮点位置即为缺陷位置。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制，但凡采用等同替换或等效变换的形式所获得的技术方案，均应落在本实用新型的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种TFT阵列基板缺陷快速检测***，其特征在于，包括：
TFT阵列基板，其每一像素电路由多个串联的TFT晶体管控制；
背光源和偏光片，所述偏光片位于所述TFT阵列基板和背光源之间；
测试仪，用于向阵列基板施加预定的电压；其中，
所述TFT阵列基板包括阵列排布的多个像素电路、多条栅线和多条数据线，每一像素电路包括串联设置的多个TFT晶体管、像素电极、存储电容和公共电极；一条栅线分别控制相邻像素电路内的不同位置的TFT晶体管的栅极，一条数据线控制连接一排或一列像素电路内的第1个晶体管的源极；每一像素电路内的第N个晶体管的漏极连接像素电极；
所述测试仪的VGO端经第一栅线驱动器与所述TFT阵列基板上的偶数栅线连接以向所述偶数栅线输出电压；所述测试仪的VGE端经第二栅线驱动器与所述TFT阵列基板上的奇数栅线连接以向所述奇数栅线输出电压；所述测试仪的VDR端经第一数据线驱动器与所述TFT阵列基板上的偶数数据线连接以导通所述偶数数据线；所述测试仪的VDG端经第二数据线驱动器与所述TFT阵列基板上的奇数数据线连接以导通所述奇数数据线；所述测试仪的Vcom端与所述TFT阵列基板的公共电极连接以向所述公共电极输出电压。
2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板缺陷快速检测***，其特征在于，所述多个TFT晶体管为两个TFT晶体管。
3.根据权利要求1所述的TFT阵列基板缺陷快速检测***，其特征在于，所述多个TFT晶体管为三个以上TFT晶体管。
4.根据权利要求1所述的TFT阵列基板缺陷快速检测***，其特征在于，所述第一栅线驱动器、第二栅线驱动器、第一数据线驱动器和第二数据线驱动器均包括一探针和三极管开关，所述探针一端与测试仪连接，另一端经三极管开关与所述第一栅线驱动器、第二栅线驱动器、第一数据线驱动器或第二数据线驱动器连接。
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|---|---|---|---|---|
| CN107507549A (zh) * | 2017-09-26 | 2017-12-22 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板的测试方法及测试*** |
| CN108877618A (zh) * | 2018-06-05 | 2018-11-23 | 信利半导体有限公司 | 一种新型低功耗tft显示器 |
| CN110007494A (zh) * | 2019-05-16 | 2019-07-12 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | 双边走线显示面板的测试***及方法 |
| US10989972B2 (en) * | 2018-03-29 | 2021-04-27 | Panasonic Liquid Crystal Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
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