CN206099902U - 晶体管振荡器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了晶体管振荡器，其特征在于，包括晶体管Q1、第一电阻R1,第二电阻R2、第三电阻R3、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、电感器L1、电源端、信号输出端、地端；所述晶体管Q1的集电极接电源端，所述晶体管Q1的集电极还通过第四电容C4接地端；所述晶体管Q1的基极通过第一电阻R1接地端，所述晶体管Q1的基极还通过第二电阻R2接电源端，所述晶体管Q1的基极还通过电感器L1和第一电容C1接地端，所述晶体管Q1的基极还通过第二电容C2连接到所述晶体管Q1的发射极。本实用新型无需晶振，采用晶体管作为振荡器的核心元器件，使得产生的正弦波信号稳定；无需倍频电路，后续维护方便，出现错误的时候容易查找原因。
Description
技术领域
本实用新型涉及信号源领域，具体地讲，是涉及无晶振的信号源。
背景技术
现代电子电路中，信号源是必不可少的电路之一。信号源提供给电路必须的参考信号，以达到符合信号处理的要求的信号。现在的信号源往往会用到晶振，用以产生所需的频率的信号，但是，晶振频率固定，且由于物理原因，不能随便更改震荡频率，因此，在使用中受到很大的限制。并且，晶振产生的频率往往不是所需频率，需要各种倍频或者其他变频工作电路处理后，才能送给信号处理电路，增加了电路的复杂性。
实用新型内容
为克服现有技术中的上述问题，本实用新型提供一种设计巧妙、结构简单的晶体管振荡器。
为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案如下：
晶体管振荡器，包括晶体管Q1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、电感器L1、电源端、信号输出端、地端；所述晶体管Q1的集电极接电源端，所述晶体管Q1的集电极还通过第四电容C4接地端；所述晶体管Q1的基极通过第一电阻R1接地端，所述晶体管Q1的基极还通过第二电阻R2接电源端，所述晶体管Q1的基极还通过电感器L1和第一电容C1接地端，所述晶体管Q1的基极还通过第二电容C2连接到所述晶体管Q1的发射极；所述晶体管Q1的发射极通过并联的第三电容C3、第三电阻R3连接到地端，所述晶体管Q1的发射极还通过第五电容C5连接到输出端。
具体地，所述晶体管Q1为NPN管。
具体的，所述第一电阻R1的阻值为10千欧姆，所述第二电阻R2的阻值为 2千欧姆，所述第三电阻R3的阻值为4.7千欧姆；所述第一电容C1的容值为100pF，所述第二电容C2的容值为100pF，所述第三电容C3的容值为100pF，所述第四电容C4的容值为10uF，所述第五电容C5的容值为470pF。
具体的，所述第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5均为电解电容。
具体的，所述电源端的供电电压为正9伏；所述输出端的输出为频率100KHz的正弦波。
与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：
本实用新型采用晶体管作为振荡器的核心部件，不使用晶振。所得到的信号为100KHz的正弦信号。由于该电路没有晶振，所以无需倍频电路，使得该振荡器构成元件少，便于维护。
附图说明
图1为本实用新型的连接示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明，本实用新型的实施方式包括但不限于下列实施例。
实施例
如图1所示，晶体管振荡器，包括晶体管Q1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、电感器L1、电源端、信号输出端、地端；所述晶体管Q1的集电极接电源端，所述晶体管Q1的集电极还通过第四电容C4接地端；所述晶体管Q1的基极通过第一电阻R1接地端，所述晶体管Q1的基极还通过第二电阻R2接电源端，所述晶体管Q1的基极还通过电感器L1和第一电容C1接地端，所述晶体管Q1的基极还通过第二电容C2连接到所述晶体管Q1的发射极；所述晶体管Q1的发射极通过并联的第三电容C3、第三电阻R3连接到地端，所述晶体管Q1的发射极还通过第五电容C5连接到输出端。所述晶体管Q1为NPN 管。所述第一电阻R1的阻值为10千欧姆，所述第二电阻R2的阻值为2千欧姆，所述第三电阻R3的阻值为4.7千欧姆；所述第一电容C1的容值为100pF，所述第二电容C2的容值为100pF，所述第三电容C3的容值为100pF，所述第四电容C4的容值为10uF，所述第五电容C5的容值为470pF。所述第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5均为电解电容。所述电源端的供电电压为正9伏；所述晶体管振荡器产生正弦波信号，所述正弦波信号振荡频率为100KHz。
上述实施例仅为本实用新型的优选实施例，并非对本实用新型保护范围的限制，但凡采用本实用新型的设计原理，以及在此基础上进行非创造性劳动而作出的变化，均应属于本实用新型的保护范围之内。
Claims (5)
1.晶体管振荡器，其特征在于，包括晶体管Q1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、电感器L1、电源端、信号输出端、地端；
所述晶体管Q1的集电极接电源端，所述晶体管Q1的集电极还通过第四电容C4接地端；
所述晶体管Q1的基极通过第一电阻R1接地端，所述晶体管Q1的基极还通过第二电阻R2接电源端，所述晶体管Q1的基极还通过电感器L1和第一电容C1接地端，所述晶体管Q1的基极还通过第二电容C2连接到所述晶体管Q1的发射极；
所述晶体管Q1的发射极通过并联的第三电容C3、第三电阻R3连接到地端，所述晶体管Q1的发射极还通过第五电容C5连接到输出端。
2.根据权利要求1所述的晶体管振荡器，其特征在于，所述晶体管Q1为NPN管。
3.根据权利要求2所述的晶体管振荡器，其特征在于，所述第一电阻R1的阻值为10千欧姆，所述第二电阻R2的阻值为2千欧姆，所述第三电阻R3的阻值为4.7千欧姆；所述第一电容C1的容值为100pF，所述第二电容C2的容值为100pF，所述第三电容C3的容值为100pF，所述第四电容C4的容值为10uF，所述第五电容C5的容值为470pF。
4.根据权利要求1～3任一项所述的晶体管振荡器，其特征在于，所述第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5均为电解电容。
5.根据权利要求1～3任一项所述的晶体管振荡器，其特征在于，所述电源端的供电电压为正9伏；所述输出端输出为频率100KHz的正弦波。
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| CN201620963368.2U CN206099902U (zh) | 2016-08-29 | 2016-08-29 | 晶体管振荡器 |
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| CN206099902U true CN206099902U (zh) | 2017-04-12 |
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| CN (1) | CN206099902U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110759439A (zh) * | 2019-10-14 | 2020-02-07 | 北京航天国环技术有限公司 | 一种降解含氮化合物废物的装置 |
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2016
- 2016-08-29 CN CN201620963368.2U patent/CN206099902U/zh not_active Expired - Fee Related
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