CN206099902U - 晶体管振荡器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了晶体管振荡器,其特征在于,包括晶体管Q1、第一电阻R1,第二电阻R2、第三电阻R3、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、电感器L1、电源端、信号输出端、地端;所述晶体管Q1的集电极接电源端,所述晶体管Q1的集电极还通过第四电容C4接地端;所述晶体管Q1的基极通过第一电阻R1接地端,所述晶体管Q1的基极还通过第二电阻R2接电源端,所述晶体管Q1的基极还通过电感器L1和第一电容C1接地端,所述晶体管Q1的基极还通过第二电容C2连接到所述晶体管Q1的发射极。本实用新型无需晶振,采用晶体管作为振荡器的核心元器件,使得产生的正弦波信号稳定;无需倍频电路,后续维护方便,出现错误的时候容易查找原因。
Description
技术领域
本实用新型涉及信号源领域,具体地讲,是涉及无晶振的信号源。
背景技术
现代电子电路中,信号源是必不可少的电路之一。信号源提供给电路必须的参考信号,以达到符合信号处理的要求的信号。现在的信号源往往会用到晶振,用以产生所需的频率的信号,但是,晶振频率固定,且由于物理原因,不能随便更改震荡频率,因此,在使用中受到很大的限制。并且,晶振产生的频率往往不是所需频率,需要各种倍频或者其他变频工作电路处理后,才能送给信号处理电路,增加了电路的复杂性。
实用新型内容
为克服现有技术中的上述问题,本实用新型提供一种设计巧妙、结构简单的晶体管振荡器。
为了实现上述目的,本实用新型采用的技术方案如下:
晶体管振荡器,包括晶体管Q1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、电感器L1、电源端、信号输出端、地端;所述晶体管Q1的集电极接电源端,所述晶体管Q1的集电极还通过第四电容C4接地端;所述晶体管Q1的基极通过第一电阻R1接地端,所述晶体管Q1的基极还通过第二电阻R2接电源端,所述晶体管Q1的基极还通过电感器L1和第一电容C1接地端,所述晶体管Q1的基极还通过第二电容C2连接到所述晶体管Q1的发射极;所述晶体管Q1的发射极通过并联的第三电容C3、第三电阻R3连接到地端,所述晶体管Q1的发射极还通过第五电容C5连接到输出端。
具体地,所述晶体管Q1为NPN管。
具体的,所述第一电阻R1的阻值为10千欧姆,所述第二电阻R2的阻值为 2千欧姆,所述第三电阻R3的阻值为4.7千欧姆;所述第一电容C1的容值为100pF,所述第二电容C2的容值为100pF,所述第三电容C3的容值为100pF,所述第四电容C4的容值为10uF,所述第五电容C5的容值为470pF。
具体的,所述第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5均为电解电容。
具体的,所述电源端的供电电压为正9伏;所述输出端的输出为频率100KHz的正弦波。
与现有技术相比,本实用新型具有以下有益效果:
本实用新型采用晶体管作为振荡器的核心部件,不使用晶振。所得到的信号为100KHz的正弦信号。由于该电路没有晶振,所以无需倍频电路,使得该振荡器构成元件少,便于维护。
附图说明
图1为本实用新型的连接示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明,本实用新型的实施方式包括但不限于下列实施例。
实施例
如图1所示,晶体管振荡器,包括晶体管Q1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、电感器L1、电源端、信号输出端、地端;所述晶体管Q1的集电极接电源端,所述晶体管Q1的集电极还通过第四电容C4接地端;所述晶体管Q1的基极通过第一电阻R1接地端,所述晶体管Q1的基极还通过第二电阻R2接电源端,所述晶体管Q1的基极还通过电感器L1和第一电容C1接地端,所述晶体管Q1的基极还通过第二电容C2连接到所述晶体管Q1的发射极;所述晶体管Q1的发射极通过并联的第三电容C3、第三电阻R3连接到地端,所述晶体管Q1的发射极还通过第五电容C5连接到输出端。所述晶体管Q1为NPN 管。所述第一电阻R1的阻值为10千欧姆,所述第二电阻R2的阻值为2千欧姆,所述第三电阻R3的阻值为4.7千欧姆;所述第一电容C1的容值为100pF,所述第二电容C2的容值为100pF,所述第三电容C3的容值为100pF,所述第四电容C4的容值为10uF,所述第五电容C5的容值为470pF。所述第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5均为电解电容。所述电源端的供电电压为正9伏;所述晶体管振荡器产生正弦波信号,所述正弦波信号振荡频率为100KHz。
上述实施例仅为本实用新型的优选实施例,并非对本实用新型保护范围的限制,但凡采用本实用新型的设计原理,以及在此基础上进行非创造性劳动而作出的变化,均应属于本实用新型的保护范围之内。
Claims (5)
1.晶体管振荡器,其特征在于,包括晶体管Q1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、电感器L1、电源端、信号输出端、地端;
所述晶体管Q1的集电极接电源端,所述晶体管Q1的集电极还通过第四电容C4接地端;
所述晶体管Q1的基极通过第一电阻R1接地端,所述晶体管Q1的基极还通过第二电阻R2接电源端,所述晶体管Q1的基极还通过电感器L1和第一电容C1接地端,所述晶体管Q1的基极还通过第二电容C2连接到所述晶体管Q1的发射极;
所述晶体管Q1的发射极通过并联的第三电容C3、第三电阻R3连接到地端,所述晶体管Q1的发射极还通过第五电容C5连接到输出端。
2.根据权利要求1所述的晶体管振荡器,其特征在于,所述晶体管Q1为NPN管。
3.根据权利要求2所述的晶体管振荡器,其特征在于,所述第一电阻R1的阻值为10千欧姆,所述第二电阻R2的阻值为2千欧姆,所述第三电阻R3的阻值为4.7千欧姆;所述第一电容C1的容值为100pF,所述第二电容C2的容值为100pF,所述第三电容C3的容值为100pF,所述第四电容C4的容值为10uF,所述第五电容C5的容值为470pF。
4.根据权利要求1~3任一项所述的晶体管振荡器,其特征在于,所述第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5均为电解电容。
5.根据权利要求1~3任一项所述的晶体管振荡器,其特征在于,所述电源端的供电电压为正9伏;所述输出端输出为频率100KHz的正弦波。
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CN201620963368.2U CN206099902U (zh) | 2016-08-29 | 2016-08-29 | 晶体管振荡器 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110759439A (zh) * | 2019-10-14 | 2020-02-07 | 北京航天国环技术有限公司 | 一种降解含氮化合物废物的装置 |
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2016
- 2016-08-29 CN CN201620963368.2U patent/CN206099902U/zh not_active Expired - Fee Related
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