CN205960972U - 低热阻h桥 - Google Patents
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Abstract
低热阻H桥。属于功率半导体产品领域，尤其涉及对H桥结构的改进。提供了一种散热性能好，产品可靠性更高的低热阻H桥。所述覆铜陶瓷板包括陶瓷板本体、设于所述本体顶面的铜构造层和设于所述本体底面的覆铜层；所述铜构造层在所述陶瓷板顶面上设有四块相互绝缘区域，在四块相互绝缘区域上分别设有四个芯片安置位，使得四个芯片安置位处于陶瓷板的四个边的中部位置。所述覆铜层的边缘轮廓小于所述陶瓷板的边缘轮廓。本实用新型增加了焊锡与跳线之间的结合面积，提高了焊接连接的可靠性。
Description
技术领域
本实用新型属于功率半导体产品领域，尤其涉及对H桥结构的改进。
背景技术
目前市场上主流的35A/50A，1600V的H桥整流产品，其内部不同厂家有不同的做法，外部结构主要采用环氧封装的结构形式。随着电力电子技术的发展，许多电子应用行业中对该产品的性能及可靠性的要求越来越高，既要求产品体积越小，又要求产品具有较强的散热性，特别是在一些产品大小受到限制时，对热阻的要求更高。在研发该产品过程中，我们发现造成该产品性能不稳定、可靠性不高的主要原因是热阻高，造成芯片在长期使用中出现性能降低，甚至失效。
实用新型内容
本实用新型针对以上问题，提供了一种散热性能好，产品可靠性更高的低热阻H桥。
本实用新型的技术方案是：包括铜基板、覆铜陶瓷板、四粒芯片以及四只跳线，所述覆铜陶瓷板包括陶瓷板本体、设于所述本体顶面的铜构造层和设于所述本体底面的覆铜层；所述铜构造层在所述陶瓷板顶面上设有四块相互绝缘区域，在四块相互绝缘区域上分别设有四个芯片安置位，使得四个芯片安置位处于陶瓷板的四个边的中部位置。
所述覆铜层的边缘轮廓小于所述陶瓷板的边缘轮廓。
所述铜构造层的边缘轮廓小于所述陶瓷板的边缘轮廓。
在所述跳线和芯片之间还设有钼片。
所述跳线的两个端头分别设U型口。
本实用新型的技术效果是：本实用新型改变了现有技术中将四粒芯片安置在四角的结构模式，改为设置在四边的中间部位；其优势是在工作时，按芯片实际工作的顺序，优化芯片的位置，使整体散热的均匀性更好，避免了原先对设置芯片的理解，即越远离越好的理念。然后，对陶瓷板上、下面的铜层的面积设置采取了“收缩”，其优点是：增大通电铜层与散热铜层间的间距，防止了在高压工作时出现电弧越过绝缘陶瓷层发生击穿的可能性。最后，为进一步提高长期工作中的焊接可靠性，本案对跳线的结构进行了改变，在跳线上增加导通孔可以引导焊锡从焊接面爬上跳线上表面，最终实现从“面焊接”到“体焊接”的转变，增加了焊锡与跳线之间的结合面积，提高了焊接连接的可靠性。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图，
图2是本实用新型的层面结构示意图，
图3是本实用新型的立体图。
图中1是铜基板，2是陶瓷板，21是覆铜层，22是铜构造层，3是芯片，4是钼片，5是跳线。
具体实施方式
如图1-3所示，本实用新型包括铜基板1、以及设在铜基板1上的覆铜陶瓷板、四粒芯片3以及四只跳线5，所述覆铜陶瓷板包括陶瓷板2本体、设于所述本体顶面的铜构造层22和设于所述本体底面的覆铜层21，所述覆铜陶瓷板具有高导热率，加之延伸到产品封装体外的高纯度铜基板1的高热容量和高热扩散能力，与同类产品相比具有更强的散热性能。
所述铜构造层22在所述陶瓷板2顶面上设有四块相互绝缘区域，在四块相互绝缘区域上分别设有四个芯片安置位，使得四个芯片3安置位处于陶瓷板2的四个边的中部位置，其优点是在工作时，按芯片实际工作的顺序，优化芯片的位置，使整体散热性更好，即热阻更低。
所述覆铜层21的边缘轮廓小于所述陶瓷板2的边缘轮廓，其作用是：增加覆铜层21与铜构造层22之间的爬电距离，以免高压工作时打火击穿。
所述铜构造层22的边缘轮廓小于所述陶瓷板2的边缘轮廓，其作用是：增加铜构造层22与覆铜层21之间的爬电距离，以免高压工作时打火击穿。
在所述跳线5和芯片3之间还设有钼片4，钼材质的膨胀系数与芯片3材质硅更接近，在规格钼材质间增加钼片4后可以降低芯片3工作中的应力，增强了产品的可靠性。
所述跳线5的两个端头分别设U型口，其作用是约束焊锡，增加液化后焊锡与跳线5的结合面积，增加焊接可靠性。
所述芯片3周围设有阻焊油墨，其作用是对芯片3进行定位，防止焊接过程中焊锡流淌造成芯片3偏移。
本实用新型热阻低，散热好，使产品在使用过程中性能更加稳定。
Claims (5)
1.低热阻H桥，包括铜基板、覆铜陶瓷板、四粒芯片以及四只跳线，其特征在于，所述覆铜陶瓷板包括陶瓷板本体、设于所述本体顶面的铜构造层和设于所述本体底面的覆铜层；所述铜构造层在所述陶瓷板顶面上设有四块相互绝缘区域，在四块相互绝缘区域上分别设有四个芯片安置位，使得四个芯片安置位处于陶瓷板的四个边的中部位置。
2.根据权利要求1所述的低热阻H桥，其特征在于，所述覆铜层的边缘轮廓小于所述陶瓷板的边缘轮廓。
3.根据权利要求1所述的低热阻H桥，其特征在于，所述铜构造层的边缘轮廓小于所述陶瓷板的边缘轮廓。
4.根据权利要求1所述的低热阻H桥，其特征在于，在所述跳线和芯片之间还设有钼片。
5.根据权利要求1所述的低热阻H桥，其特征在于，所述跳线的两个端头分别设U型口。
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| CN201620961815.0U CN205960972U (zh) | 2016-08-26 | 2016-08-26 | 低热阻h桥 |
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| CN (1) | CN205960972U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110858574A (zh) * | 2018-08-22 | 2020-03-03 | 珠海格力电器股份有限公司 | 一种超薄芯片的封装结构 |
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2016
- 2016-08-26 CN CN201620961815.0U patent/CN205960972U/zh not_active Expired - Fee Related
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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| GR01 | Patent grant | ||
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