CN205940475U - 一种磁控溅射平面靶刻蚀深度测量装置 - Google Patents
一种磁控溅射平面靶刻蚀深度测量装置 Download PDFInfo
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Abstract
一种磁控溅射平面靶刻蚀深度测量装置，包括置于靶材上且相互平行的两根支撑轨道，所述支撑轨道上各设有一根垂直支撑杆，两根垂直支撑杆的上端经支撑横杆连接，其中一根垂直支撑杆上设有Ⅰ号电机，所述支撑横杆中间部位设有Ⅱ号电机，Ⅱ号电机上端经通讯电缆连接外接电脑，Ⅱ号电机下端经中间支杆连接有光敏感应标尺，所述光敏感应标尺内侧设有脉冲激光光源，脉冲激光光源外侧设有可伸缩测量探头。本实用新型可以准确的测出靶材表面已刻蚀的深度，从而计算出剩余靶材的厚度，进而得出剩余靶材的使用寿命，并进一步提高靶材的利用率，降低生产成本，提高产品在市场上的竞争优势。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种磁控溅射平面靶刻蚀深度测量装置。
背景技术
薄膜太阳能电池生产中要用到磁控溅射设备，磁控溅射设备采用的靶材主要有旋转靶材和平面靶材，旋转靶材整体溅射均匀，而平面靶材溅射后会形成环形的刻蚀槽。当平面靶材消耗到一定程度时，需对靶材的剩余厚度进行测量，以评估靶材的剩余寿命，最大程度的利用靶材以降低生产成本。目前采用的方法主要有两种：一种是利用外卡规进行测量，另一种是利用板厚千分尺进行测量。
目前采用的这两种测量方式都是利用测量工具直接测量剩余靶材的厚度，要靠人工对齐和肉眼观察，所以其测量的精确性不足，测量结果只能仅供参考，无法给出精确的剩余靶材厚度，也无法计算出剩余靶材的使用寿命，为了靶材的安全，必然会浪费一部分靶材。
实用新型内容
本实用新型其目的就在于提供一种磁控溅射平面靶刻蚀深度测量装置，解决了目前测量剩余靶材厚度，要靠人工对齐和肉眼观察，其测量的精确性不足，无法给出精确的剩余靶材厚度，也无法计算出剩余靶材的使用寿命，且材料浪费大的问题。
实现上述目的而采取的技术方案，包括置于靶材上且相互平行的两根支撑轨道，所述支撑轨道上各设有一根垂直支撑杆，两根垂直支撑杆的上端经支撑横杆连接，其中一根垂直支撑杆上设有Ⅰ号电机，所述支撑横杆中间部位设有Ⅱ号电机，Ⅱ号电机上端经通讯电缆连接外接电脑，Ⅱ号电机下端经中间支杆连接有光敏感应标尺，所述光敏感应标尺内侧设有脉冲激光光源，脉冲激光光源外侧设有可伸缩测量探头。
有益效果
与现有技术相比本实用新型具有以下优点。
本实用新型可以精确的测量得出剩余靶材的使用寿命，指导工艺优化方向，提高靶材的利用率，降低生产成本，提高产品在市场上的竞争优势。
附图说明
下面结合附图对本实用新型作进一步详述。
图1为本实用新型的结构示意图；
图2为本实用新型中靶材结构示意图；
图3为本实用新型中靶材截面图；
图4为本实用新型中光敏感应标尺工作示意图。
具体实施方式
本装置包括置于靶材12上且相互平行的两根支撑轨道1，如图1、图2、图3、图4所示，所述支撑轨道1上各设有一根垂直支撑杆2，两根垂直支撑杆2的上端经支撑横杆4连接，其中一根垂直支撑杆2上设有Ⅰ号电机11，所述支撑横杆4中间部位设有Ⅱ号电机3，Ⅱ号电机3上端经通讯电缆5连接外接电脑6，Ⅱ号电机3下端经中间支杆7连接有光敏感应标尺8，所述光敏感应标尺8内侧设有脉冲激光光源9，脉冲激光光源9外侧设有可伸缩测量探头10。
所述垂直支撑杆2由Ⅰ号电机11控制，可在支撑轨道1上横向移动。
所述中间支杆7由Ⅱ号电机3控制，可在支撑横杆4上纵向移动。
工作原理
本实用新型采用类似于“瞎子爬山”数学优化方法的测量方式，先探索出下一步要测量的位置，逐步测量出平面靶材12表面的刻蚀深度及刻蚀轨迹，将测量装置通过支撑轨道1放置到平面靶材12上，通过控制Ⅰ号电机11和Ⅱ号电机3移动垂直支撑杆2和中间支杆7，使可伸缩测量探头10到达要测量的目标点位，***开始工作，脉冲激光光源9每隔1ms发出一束激光，激光打到靶材12表面上后反射，被半径为1mm的环形光敏感应标尺8感应到，把光敏感应标尺8最迟感应到光的点位列为目标点位，并把相应的光信号通过通讯电缆5传输给外接电脑6，外接电脑6通过计算得出垂直支撑杆2及中间支杆7需要运行的位移，控制Ⅰ号电机11和Ⅱ号电机3开始工作，使可伸缩测量探头10到达目标点位，可伸缩测量探头10工作测量目标点位的刻蚀槽13刻蚀深度。***如此循环工作，即可测量出整个平面靶表面的刻蚀槽13刻蚀轨迹及刻蚀轨迹各个点的刻蚀深度。
Claims (3)
1.一种磁控溅射平面靶刻蚀深度测量装置，包括置于靶材（12）上且相互平行的两根支撑轨道（1），其特征在于，所述支撑轨道（1）上各设有一根垂直支撑杆（2），两根垂直支撑杆（2）的上端经支撑横杆（4）连接，其中一根垂直支撑杆（2）上设有Ⅰ号电机（11），所述支撑横杆（4）中间部位设有Ⅱ号电机（3），Ⅱ号电机（3）上端经通讯电缆（5）连接外接电脑（6），Ⅱ号电机（3）下端经中间支杆（7）连接有光敏感应标尺（8），所述光敏感应标尺（8）内侧设有脉冲激光光源（9），脉冲激光光源（9）外侧设有可伸缩测量探头（10）。
2.根据权利要求1所述的一种磁控溅射平面靶刻蚀深度测量装置，其特征在于，所述垂直支撑杆（2）由Ⅰ号电机（11）控制，可在支撑轨道（1）上横向移动。
3.根据权利要求1所述的一种磁控溅射平面靶刻蚀深度测量装置，其特征在于，所述中间支杆（7）由Ⅱ号电机（3）控制，可在支撑横杆（4）上纵向移动。
Priority Applications (1)
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| CN201620754921.1U CN205940475U (zh) | 2016-07-19 | 2016-07-19 | 一种磁控溅射平面靶刻蚀深度测量装置 |
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| CN201620754921.1U CN205940475U (zh) | 2016-07-19 | 2016-07-19 | 一种磁控溅射平面靶刻蚀深度测量装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN205940475U true CN205940475U (zh) | 2017-02-08 |
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Family Applications (1)
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| CN201620754921.1U Active CN205940475U (zh) | 2016-07-19 | 2016-07-19 | 一种磁控溅射平面靶刻蚀深度测量装置 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN205940475U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111172507A (zh) * | 2020-03-05 | 2020-05-19 | 东莞南玻工程玻璃有限公司 | 平面靶材烧穿报警*** |
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2016
- 2016-07-19 CN CN201620754921.1U patent/CN205940475U/zh active Active
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| CN111172507A (zh) * | 2020-03-05 | 2020-05-19 | 东莞南玻工程玻璃有限公司 | 平面靶材烧穿报警*** |
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| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20190314 Address after: Room 107, Building 2, Olympic Village Street Comprehensive Office District, Chaoyang District, Beijing Patentee after: Han energy mobile Energy Holding Group Co., Ltd. Address before: Room 103, Building 2, Office District, Olympic Village, Chaoyang District, Beijing Patentee before: HANNENG PHOTOVOLTAIC TECHNOLOGY CO., LTD. |
|
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Effective date of registration: 20210918 Granted publication date: 20170208 |
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| PP01 | Preservation of patent right |