CN205839105U - 气相多元强化处理装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种气相多元强化处理装置。本实用新型包括底座，设置于底座上方的托盘，将底座与托盘相连的支承柱，以及贯穿托盘并与底座固定相连的起吊耳；所述托盘上设有若干个通孔，所述底座上设有若干个气流孔。本实用新型能够均匀对物体进行加热，而且本实用新型能够在500～670℃进行α‑Fe的高温段表面改性强化处理，提高了低温表面强化处理的深层，实现了微变形或不变性热处理，解决了表面耐磨性、防腐、表面发黑的问题。
Description
技术领域
本实用新型属于热处理领域，特别涉及一种气相多元强化处理装置。
背景技术
目前低温化学热处理，所采用的气相多元强化处理装置，其加热温度一般在500～590℃，温度范围较窄，无法很好的实现元素的渗入。
实用新型内容
为了改善上述问题，本实用新型提供了一种气相多元强化处理装置。
为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案如下：
气相多元强化处理装置，包括底座，设置于底座上方的托盘，将底座与托盘相连的支承柱，以及贯穿托盘并与底座固定相连的起吊耳；所述托盘上设有若干个通孔，所述底座上设有若干个气流孔。
进一步地，所述托盘为两个以上，且相互平行，所述支承柱将所有托盘和底座相互固定，所述起吊耳贯穿所有托盘后固定于底座上。
再进一步地，所述起吊耳为倒“U”型结构。
更进一步地，所述托盘正中心设有一个通孔，且以该通孔为圆心在托盘上由内至外设有四层通孔，第一层和第三层的通孔为大通孔，第二层和第四层的通孔为小通孔；所述托盘正中心的通孔半径与大通孔的半径相等。
另外，所述第一层设有两个大通孔，第二层设有四个小通孔，第三层设有八个大通孔，第四层设有八个小通孔。
此外，所述托盘正中心的通孔的圆心到第一层的大通孔的圆心距离为10～11m，所述托盘正中心的通孔的圆心到第二层的小通孔的圆心距离为17～18m， 所述托盘正中心的通孔的圆心到第三层的大通孔的圆心距离为25～26m，所述托盘正中心的通孔的圆心到第四层的小通孔的圆心距离为28～29m；每层之间的通孔交错设置。
进一步地，所述托盘与底座之间由六根支承柱相连，且六根支承柱均匀分布于底座的外边缘。
再进一步地，所述托盘为六个，且由上至下依次平行设置。
更进一步地，所述大通孔的半径为3～4m，所述小通孔的半径为1～2m。
本实用新型与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：
本实用新型能够均匀对物体进行加热，而且本实用新型能够在500～670℃进行α-Fe的高温段表面改性强化处理，提高了低温表面强化处理的深层，实现了微变形或不变性热处理，解决了表面耐磨性、防腐、表面发黑的问题。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图2为图1的俯视图。
其中，附图中标记对应的零部件名称为：1-底座，2-托盘，3-支承柱，4-起吊耳，5-通孔。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明，本实用新型的实施方式包括但不限于下列实施例。
实施例
如图1、2所示，气相多元强化处理装置，包括底座1，设置于底座上方的托盘2，将底座与托盘相连的支承柱3，以及贯穿托盘并与底座固定相连的起吊 耳4；所述托盘上设有若干个通孔5，所述底座上设有若干个气流孔。
通过上述设置，将待处理的物体放置于托盘上，然后将本实用新型放入加热炉中进行升温，由于在托盘上设有通孔，且在底座上设有气流孔，这样就能够改变气相的运动轨迹，气相从本实用新型装置的底部向上运动时，会通过气流孔，然后再通过通孔，从而使气相均匀的通过本装置，对托盘上的物体进行均匀的加热，而且通过改变气相能够提高物质受热面积，从而提高了加热温度。
具体地，所述托盘为两个以上，且相互平行，所述支承柱将所有托盘和底座相互固定，所述起吊耳贯穿所有托盘后固定于底座上。通过设置两个以上托盘能够更好的进行扰乱气相运行轨迹，而且每个托盘上的通孔并未对齐，是交错的，故而上方的托盘必然会对经过下方的托盘的气相进行阻挡，使其会有一定的停留时间，这样就大大地提高了物体受热时间，也能够进一步地提高温度。作为一种优选，所述托盘为六个，且由上至下依次平行设置。通过设置六个托盘，能够在每个托盘上均放置待处理物体，这样就能够一次性处理多个待处理物，大大地提高了处理效率，减少了成本。
具体地，所述起吊耳为倒“U”型结构。通过设置成上述形状，能够方便将本实用新型从加热炉中取出和放入其中，只需通过其他外界部件钩住或抓住起吊耳的顶部弧形部位，即可轻松的实现取出和放入，操作十分简单。
具体地，所述托盘正中心设有一个通孔，且以该通孔为圆心在托盘上由内至外设有四层通孔，第一层和第三层的通孔为大通孔，第二层和第四层的通孔为小通孔；所述托盘正中心的通孔半径与大通孔的半径相等。通过上述大小通孔的布局，能够进一步地的扰乱气相的运动轨迹，从而进一步实现对待处理物质的加热。
具体地，所述第一层设有两个大通孔，第二层设有四个小通孔，第三层设 有八个大通孔，第四层设有八个小通孔。值得说明的是，每层上的通孔均是均匀分布的，也就是呈放射性布局于托盘上。通过控制每一层的通孔数量，能够准确的限定气相的运行轨迹，确保加热的效率。
具体地，所述托盘正中心的通孔的圆心到第一层的大通孔的圆心距离为10～11m，所述托盘正中心的通孔的圆心到第二层的小通孔的圆心距离为17～18m，所述托盘正中心的通孔的圆心到第三层的大通孔的圆心距离为25～26m，所述托盘正中心的通孔的圆心到第四层的小通孔的圆心距离为28～29m；每层之间的通孔交错设置。通过上述尺寸的限定，能够进一步的限定气相的运行轨迹，能够最大限度利用气相所携带的热能，从而更好的实现均匀加热和提高受热温度。
作为一种优选，所述大通孔的半径为3～4m，所述小通孔的半径为1～2m。通过限定大通孔和小通孔的半径，能够控制气相通过通孔的流量，从而更好的实现加热效果。
为了进一步保证本实用新型的稳定性，所述托盘与底座之间由六根支承柱相连，且六根支承柱均匀分布于底座的外边缘。通过均匀设置六根支承柱，不仅能够确保装置的稳定性，还能间接对气相运动轨迹进行限位，同时也不会阻碍待处理物质的加热。
按照上述实施例，便可很好地实现本实用新型。值得说明的是，基于上述结构设计的前提下，为解决同样的技术问题，即使在本实用新型上做出的一些无实质性的改动或润色，所采用的技术方案的实质仍然与本实用新型一样，故其也应当在本实用新型的保护范围内。
Claims (9)
1.一种气相多元强化处理装置，其特征在于，包括底座（1），设置于底座上方的托盘（2），将底座与托盘相连的支承柱（3），以及贯穿托盘并与底座固定相连的起吊耳（4）；所述托盘上设有若干个通孔（5），所述底座上设有若干个气流孔。
2.根据权利要求1所述的气相多元强化处理装置，其特征在于，所述托盘为两个以上，且相互平行，所述支承柱将所有托盘和底座相互固定，所述起吊耳贯穿所有托盘后固定于底座上。
3.根据权利要求1所述的气相多元强化处理装置，其特征在于，所述起吊耳为倒“U”型结构。
4.根据权利要求1所述的气相多元强化处理装置，其特征在于，所述托盘正中心设有一个通孔，且以该通孔为圆心在托盘上由内至外设有四层通孔，第一层和第三层的通孔为大通孔，第二层和第四层的通孔为小通孔；所述托盘正中心的通孔半径与大通孔的半径相等。
5.根据权利要求4所述的气相多元强化处理装置，其特征在于，所述第一层设有两个大通孔，第二层设有四个小通孔，第三层设有八个大通孔，第四层设有八个小通孔。
6.根据权利要求5所述的气相多元强化处理装置，其特征在于，所述托盘正中心的通孔的圆心到第一层的大通孔的圆心距离为10～11m，所述托盘正中心的通孔的圆心到第二层的小通孔的圆心距离为17～18m，所述托盘正中心的通孔的圆心到第三层的大通孔的圆心距离为25～26m，所述托盘正中心的通孔的圆心到第四层的小通孔的圆心距离为28～29m；每层之间的通孔交错设置。
7.根据权利要求1所述的气相多元强化处理装置，其特征在于，所述托盘与底座之间由六根支承柱相连，且六根支承柱均匀分布于底座的外边缘。
8.根据权利要求2所述的气相多元强化处理装置，其特征在于，所述托盘为六个，且由上至下依次平行设置。
9.根据权利要求4所述的气相多元强化处理装置，其特征在于，所述大通孔的半径为3～4m，所述小通孔的半径为1～2m。
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