CN205509491U - 一种直流电源防反接保护电路 - Google Patents

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冯严
林远楠
唐斌
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Abstract

本实用新型公开并提供了一种直流电源防反接保护电路，它包括端子Ⅰ（VIN+）、端子Ⅱ（VIN‑）、端子Ⅲ（VOUT+）、端子Ⅳ（VOUT‑）、电阻（R1）、电容（C1）、二极管（D1）、稳压管（VZ1）及NMOS管（Q10），所述端子Ⅰ（VIN+）连接直流电源的输出正极端，所述端子Ⅱ（VIN‑）连接直流电源的输出负极端，所述端子Ⅲ（VOUT+）连接负载的正极输入端，所述端子Ⅳ（VOUT‑）连接负载的负极输入端。本实用新型在直流电源与负载间起到了防反接保护作用，所述NMOS管在导通时压降及功耗极小，解决了现有技术中的直流电源防反接保护电路存在功耗大的缺陷。

Description

一种直流 电源防反接保护电路
技术领域
本实用新型涉及保护电路，尤其涉及一种直流电源防反接保护电路。
背景技术
众所周知，直流电源是有极性的电源，它所输出的电源一端为正极，另一端为负极，使用直流电源的负载的电源输入端须与之对应连接，如果接反就不能正常工作，轻则电路不能形成回路，重则对电源和负载设备造成损坏，甚至烧毁，所以在接入直流电源时一定要正确接入。为了防止错接，人们采用了防反接保护电路。通常情况下，做直流电源输入防反接保护电路是利用二极管的单向导电特性来实现防反接保护，这种方法虽然成本低廉但是缺点也很明显，就是功耗太大。例如，如果输入电流额定值达到2A，而二极管的压降为0.7V，那么功耗至少也有1.4W了，这样发热量太大，效率太低。还有一种就是二极管桥也是常被用来做防反接的，但是这个保护电路的功耗在选择同种二极管的情况下功耗更是上一种的两倍。
综上所述，现有技术中的直流电源防反接保护电路存在着功耗大的缺陷。
实用新型内容
本实用新型所要解决的问题是克服现有技术的不足，提供一种功耗小的直流电源防反接保护电路。
本实用新型的技术方案是：本实用新型它包括端子Ⅰ、端子Ⅱ、端子Ⅲ、端子Ⅳ、电阻、电容、二极管、稳压管及NMOS管，所述端子Ⅰ与所述端子Ⅲ相连接并连接所述二极管的正极，所述二极管的负极连接所述电阻的一端，所述电阻的另一端连接所述NMOS管的栅极和所述稳压管的负极，所述稳压管的正极连接所述NMOS管的漏极、所述电容的一端及所述端子Ⅳ，所述NMOS管的源极连接所述电容的另一端和所述端子Ⅲ，所述端子Ⅰ连接直流电源的输出正极端，所述端子Ⅱ连接直流电源的输出负极端，所述端子Ⅲ连接负载的正极输入端，所述端子Ⅳ连接负载的负极输入端。
本实用新型的有益效果是：由于本实用新型它包括端子Ⅰ、端子Ⅱ、端子Ⅲ、端子Ⅳ、电阻、电容、二极管、稳压管及NMOS管，所述端子Ⅰ与所述端子Ⅲ相连接并连接所述二极管的正极，所述二极管的负极连接所述电阻的一端，所述电阻的另一端连接所述NMOS管的栅极和所述稳压管的负极，所述稳压管的正极连接所述NMOS管的漏极、所述电容的一端及所述端子Ⅳ，所述NMOS管的源极连接所述电容的另一端和所述端子Ⅲ，所述端子Ⅰ连接直流电源的输出正极端，所述端子Ⅱ连接直流电源的输出负极端，所述端子Ⅲ连接负载的正极输入端，所述端子Ⅳ连接负载的负极输入端。所以本实用新型在直流电源与负载间起到了防反接保护作用，所述NMOS在导通时压降及功耗极小，解决了现有技术中的直流电源防反接保护电路存在功耗大的缺陷。
附图说明
图1是本实用新型的电路原理示意图。
具体实施方式
如图1所示，本实用新型它包括端子ⅠVIN+、端子ⅡVIN-、端子ⅢVOUT+、端子ⅣVOUT-、电阻R1、电容C1、二极管D1、稳压管VZ1及NMOS管Q10，所述端子ⅠVIN+与所述端子ⅢVOUT+相连接并连接所述二极管D1的正极，所述二极管D1的负极连接所述电阻R1的一端，所述电阻R1的另一端连接所述NMOS管Q10的栅极和所述稳压管VZ1的负极，所述稳压管VZ1的正极连接所述NMOS管Q10的漏极、所述电容C1的一端及所述端子ⅣVOUT-，所述NMOS管Q10的源极连接所述电容C1的另一端和所述端子ⅢVOUT+，所述端子ⅠVIN+连接直流电源的输出正极端，所述端子ⅡVIN-连接直流电源的输出负极端，所述端子ⅢVOUT+连接负载的正极输入端，所述端子ⅣVOUT-连接负载的负极输入端。
本实施例中所设计的是一种NMOS管防反接保护电，它的原理：NMOS管正接时，D1防反接二极管导通，电路提供Vgs电压，NMOS管饱和导通；NMOS管反接时，NMOS管不能导通，所以起到防反接的作用。
本实施例技术要点：NMOS管接在电源的负极，栅极高电平导通；VZ1稳压二极管的作用是为了防止栅源电压过高击穿NMOS管；C1电容的作用是为了消除导通时产生的尖峰；D1二极管的作用是为了防止二次损害（可不接）IRF3205的Rds（ON）只有8mΩ，2A电流下，功耗只有0.032W。所以本实用新型在直流电源与负载间起到了防反接保护作用，所述NMOS管在导通时压降及功耗极小，解决了现有技术中的直流电源防反接保护电路存在功耗大的缺陷。本实用新型可广泛应用于直流电源防反接保护领域中。

Claims (1)

1.一种直流电源防反接保护电路，其特征在于：它包括端子Ⅰ（VIN+）、端子Ⅱ（VIN-）、端子Ⅲ（VOUT+）、端子Ⅳ（VOUT-）、电阻（R1）、电容（C1）、二极管（D1）、稳压管（VZ1）及NMOS管（Q10），所述端子Ⅰ（VIN+）与所述端子Ⅲ（VOUT+）相连接并连接所述二极管（D1）的正极，所述二极管（D1）的负极连接所述电阻（R1）的一端，所述电阻（R1）的另一端连接所述NMOS管（Q10）的栅极和所述稳压管（VZ1）的负极，所述稳压管（VZ1）的正极连接所述NMOS管（Q10）的漏极、所述电容（C1）的一端及所述端子Ⅳ（VOUT-），所述NMOS管（Q10）的源极连接所述电容（C1）的另一端和所述端子Ⅲ（VOUT+），所述端子Ⅰ（VIN+）连接直流电源的输出正极端，所述端子Ⅱ（VIN-）连接直流电源的输出负极端，所述端子Ⅲ（VOUT+）连接负载的正极输入端，所述端子Ⅳ（VOUT-）连接负载的负极输入端。
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