CN205384883U

CN205384883U - 含粒子的双面ito导电膜

Info

Publication number: CN205384883U
Application number: CN201620047214.9U
Authority: CN
Inventors: 胡文玮
Original assignee: OPTICAL AND ELECTRICAL FILMS BRANCH Co OF SHANTOU WANSHUN PACKAGE MATERIAL STOCK Co Ltd; SHANTOU WANSHUN PACKAGING MATERIALS CO Ltd
Current assignee: OPTICAL AND ELECTRICAL FILMS BRANCH Co OF SHANTOU WANSHUN PACKAGE MATERIAL STOCK Co Ltd; SHANTOU WANSHUN PACKAGING MATERIALS CO Ltd
Priority date: 2016-01-16
Filing date: 2016-01-16
Publication date: 2016-07-13
Anticipated expiration: 2026-01-16

Abstract

本实用新型提供一种含粒子的双面ITO导电膜，包括基材层，基材层两面依序为光学调整硬涂层、光学调整层、ITO导电层，其中，基材厚度介于23um至250um之间，光学调整硬涂层中添加有机或无机粒子，光学调整硬涂层的厚度为500nm至15um之间，光学调整硬涂层的折射率介于1.6至1.7之间，ITO导电层厚度小于40nm，双面光学调整层与双面ITO导电层的总厚度小于120nm。本实用新型所述的双面ITO导电膜其光学调整层薄，透光性好，不影响粒子凸起程度。

Description

含粒子的双面ITO导电膜

技术领域

本实用新型涉及导电膜技术领域，尤其涉及一种含粒子的双面ITO导电膜。

背景技术

触摸式屏幕在手机和平板电脑等有着越来越多的应用，触摸屏作为一种新型的输出设备已十分流行和普遍，因此作为触摸屏必不可少的透明导电膜需求量也越来也大。ITO导电膜透过率最高和导电性能最好，广泛地应用于移动通讯领域的触摸屏。ITO膜层的厚度不同，膜的导电性能和透光性能也不同。一般来说，在相同的工艺条件和性能相同的PET基底材料的情况下，ITO膜层越厚，PET-ITO膜的表面电阻越小，光透过率也相应的越小。现有含粒子的双面ITO导电膜，如图1所示，由两个单面的ITO导电膜21通过粘结层22结合成双面的ITO导电膜，每一单面ITO导电膜21包括基材层211、设置在基材层211上的光学调整层212以及设置在光学调整层上的ITO层213。该结构的双面ITO导电膜，由于层结构及层厚度的设计不合理，影响粒子的凸起程度，存在ITO层密著性差以及透过率低等问题。

实用新型内容

鉴于以上所述，本实用新型研发一种合理的层结构设计与厚度控制，使得粒子凸起不收影响，密著性佳且透光率理想。

一种含粒子的双面ITO导电膜，包括基材层，基材层两面依序为光学调整硬涂层、光学调整层、ITO导电层，其中，基材厚度介于23um至250um之间，光学调整硬涂层中添加有机或无机粒子，光学调整硬涂层的厚度为500nm至5um之间，光学调整硬涂层的折射率介于1.6至1.7之间，ITO导电层厚度小于40nm，双面光学调整层与双面ITO导电层的总厚度小于120nm。

进一步地，所述双面光学调整层与双面ITO导电层的总厚度小于100nm。

进一步地，在双面皆含有ITO导电层的情况下，色差b*值小于4.5。

进一步地，所述光学调整硬涂层的铅笔硬度为F以上。

进一步地，所述光学调整硬涂层与光学调整层间添加有密著层。

进一步地，所述光学调整硬涂层折射率优选为1.65-1.7,厚度优选为1-10um，光学调整层厚度优选为20-30nm，ITO导电层厚度优选为20-25nm。

更进一步地，所述光学调整硬涂层的厚度优选为1-5um。

进一步地，所述光学调整硬涂层折射率为1.65,厚度为1um，光学调整层厚度为20nm，ITO导电层厚度为20nm。

进一步地，所述粒子的直径为500nm至10um之间。

进一步地，所述粒子的直径优选为500nm至5um之间。

本实用新型的有益效果，本实用新型含粒子的双面ITO导电膜通过各层结构的合理设计及厚度控制，ITO导电层密著性佳，透光率高，光学调整硬涂层较薄，不会影响粒子凸起程度。

附图说明

上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了更清楚地说明本实用新型的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，描述中的附图仅仅是对应于本实用新型的具体实施例，对于本领域普通技术人员来说，在不付出创造性劳动的前提下，在需要的时候还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有双面ITO导电膜的层结构示意图；

图2为本实用新型的含粒子的双面ITO导电膜截面示意图；

图3为对比实施例一双面ITO导电膜的层结构示意图；

图4为对比实施例二双面ITO导电膜的层结构示意图；

图5为对比实施例三双面ITO导电膜的层结构示意图。

具体实施方式

为了详细阐述本实用新型为达成预定技术目的而所采取的技术方案，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的部分实施例，而不是全部的实施例，并且，在不付出创造性劳动的前提下，本实用新型的实施例中的技术手段或技术特征可以替换，下面将参考附图并结合实施例来详细说明本实用新型。

请参阅图2，一种含粒子的双面ITO导电膜，包括基材层10，基材层两面依序为光学调整硬涂层11、光学调整层12、ITO导电层13。双面ITO导电膜内分布有粒子14，粒子14添加于光学调整硬涂层11中，使得光学调整硬涂层11、光学调整层12、ITO导电层13在覆盖粒子14所在位置对应地形成为凸起，粒子的直径为500nm-10um。

光学调整硬涂层11的折射率为1.6-1.7，厚度为500nm-15um；光学调整层12的制程方式采用乾式镀膜，折射率为1.4-1.5，厚度在小于或等于40nm。ITO导电层厚度小于或等于40nm。具体的，本实用新型双面ITO导电膜选用如下较佳实施例，请参下表一。

表一

请参阅图3、图4、图5，选用与本实用新型实施例相比较的三种双面ITO导电膜结构，图3中，ITO导电膜包括基材层30以及在基材层30两面依序设置第一光学调整层31、第二光学调整层32、以及ITO导电层33。第一光学调整层31材料Nb₂O₅，厚度10nm；第二光学调整层32材料SiO₂，厚度40nm；ITO导电层33厚度20nm。图4中，ITO导电膜包括基材层40以及在基材层40两面依序设置光学调整硬涂层41、第一光学调整层42、第二光学调整层43、以及ITO导电层44。光学调整硬涂层41折射率1.54，厚度1um；第一光学调整层42材料Nb₂O₅，厚度10nm；第二光学调整层43材料SiO₂，厚度40nm；ITO导电层44厚度20nm。图5中，ITO导电膜包括基材层50以及在基材层50两面依序设置光学调整硬涂层51、光学调整层52、以及ITO导电层53，光学调整硬涂层51折射率1.54，厚度1um；光学调整层52材料SiO₂，厚度20nm；ITO导电层44厚度20nm。具体地，各比较例的参数请参下表二，

表二

将上述实施例与比较例测试结果如下表三，

表三

通过上述测试结果比较分析可知，比较例1：虽光学、电性、有无ITO时颜色差异皆可符合需求，但因缺乏硬涂层，导致表面铅笔硬度不足，容易导致膜面刮伤。且因双面乾式镀膜总厚度太厚，于第一面镀膜时累积过多热量于基材上，导致第二面镀膜时出现MD向皱折或不规则变形。比较例2：虽含有硬涂层，可改善膜铅笔硬度，但双面乾式镀膜总厚度仍过厚与比要例一相同，会产生第二面镀膜时MD向皱折或不规则变形的问题。比较例3：于硬涂层上溅镀单一光学调整层，虽可降低乾式镀膜总厚度，改善膜面皱折或变形的问题。但因一般硬涂层折射率较低，光学匹配性较差，导致b值过高、有无ITO时颜色差异明显而无法使用。

本实用新型的实施例中，实施例1：以湿式涂布方式制作光学调整硬涂层，可同时达到改善铅笔硬度，与避免膜面皱折或变形的问题。在光学匹配性方面也可达到对应的要求。实施例1-3：光学调整硬涂层厚度若为300nm时，则铅笔硬度达不到F的要求，所以其厚度需在500nm以上。实施例1，4，5：光学调整硬涂层折射率需在1.6-1.7之间，若过低则会产生与比较例3相同的问题。实施例1，6，7，8：当SiO₂厚度达到40nm时，加上20nm的ITO厚度，其双乾式镀膜总厚度达到120nm，因厚度过后，发生与比较例1一样的膜面MD向皱折或不规则变形的问题。实施例1，9，10：ITO厚度过后时，虽可达到更低之电阻，但也伴随发生光学、膜面变形之问题，因此ITO厚度小于40nm为佳。

因此，本实用新型含粒子的双面ITO导电膜，在基材两面依序为光学调整硬涂层、光学调整层、ITO导电层。光学调整硬涂层采用湿式涂布制程，光学调整层与ITO导电层采用乾式制程。光学调整硬涂层的厚度在500nm以上。光学调整硬涂层之折射率介于1.6以上1.7以下。双面乾式制程总厚度(双面光学调整层+双面ITO导电层)小于120nm为佳。较佳地双面乾式制程总厚度100nm以下更佳。ITO导电层厚度小于40nm为佳。基材厚度介于23um以上250um以下，基材材质选用PET、PEN、COC、COP为佳。相对两面的光学调整硬涂层、光学调整层、ITO导电层之折射率、厚度不需完全相同，可自由搭配，但须满足前述相关限定。单面或双面的光学调整硬涂层中可添加有机或无机粒子，用以增加基材的雾度与表面粗造度。在双面皆含有ITO导电层的情况下，b*值小于4.5为佳。双面皆含有ITO导电层之情况下，b*值3.5以下更佳。光学调整硬涂层的铅笔硬度F以上为佳。本实用新型含粒子的双面ITO导电膜光学调整层薄，不影响粒子凸起程度，结合正反面合计两次涂布制程，效率高，乾式镀膜可同时溅镀多层材料，可与ITO一次性完成，并且ITO层密著性佳。双面ITO导电膜透过率高。

可以理解，在光学调整硬涂层与光学调整层间可添加密著层。

以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本实用新型，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本实用新型技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容做出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本实用新型技术方案内容，依据本实用新型的技术实质，在本实用新型的精神和原则之内，对以上实施例所作的任何简单的修改、等同替换与改进等，均仍属于本实用新型技术方案的保护范围之内。

Claims

1.一种含粒子的双面ITO导电膜，包括基材层，其特征在于：基材层两面依序为光学调整硬涂层、光学调整层、ITO导电层，其中，基材厚度介于23um至250um之间，光学调整硬涂层中添加有机或无机粒子，光学调整硬涂层的厚度为500nm至15um之间，光学调整硬涂层的折射率介于1.6至1.7之间，ITO导电层厚度小于40nm，双面光学调整层与双面ITO导电层的总厚度小于120nm。

2.根据权利要求1所述的含粒子的双面ITO导电膜，其特征在于：所述双面光学调整层与双面ITO导电层的总厚度小于100nm。

3.根据权利要求1所述的含粒子的双面ITO导电膜，其特征在于：在双面皆含有ITO导电层的情况下，色差b*值小于4.5。

4.根据权利要求1所述的含粒子的双面ITO导电膜，其特征在于：所述光学调整硬涂层的铅笔硬度为F以上。

5.根据权利要求1所述的含粒子的双面ITO导电膜，其特征在于：所述光学调整硬涂层与光学调整层间添加有密著层。

6.根据权利要求1所述的含粒子的双面ITO导电膜，其特征在于：所述光学调整硬涂层折射率优选为1.65-1.7,厚度优选为1-10um，光学调整层厚度优选为20-30nm，ITO导电层厚度优选为20-25nm。

7.根据权利要求6所述的含粒子的双面ITO导电膜，其特征在于：所述光学调整硬涂层厚度优选为1-5um。

8.根据权利要求1所述的含粒子的双面ITO导电膜，其特征在于：所述光学调整硬涂层折射率为1.65,厚度为1um，光学调整层厚度为20nm，ITO导电层厚度为20nm。

9.根据权利要求1所述的含粒子的双面ITO导电膜，其特征在于：所述粒子的直径为500nm至10um之间。

10.根据权利要求9所述的含粒子的双面ITO导电膜，其特征在于：所述粒子的直径为500nm至5um之间。