CN205282058U - 像素驱动电路、显示面板和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种像素驱动电路、显示面板和显示装置。像素驱动电路包括驱动晶体管、存储电容、接通控制模块、写入控制模块和发光控制模块，接通控制模块在阈值补偿阶段和写入阶段控制驱动晶体管的栅极和驱动晶体管的第一极连接，使驱动晶体管的阈值电压写入所述存储电容；写入控制模块在写入阶段控制数据电压写入驱动晶体管的第二极。本实用新型通过接通控制模块和写入控制模块分步写入驱动晶体管的阈值电压和数据线上的数据电压至存储电容，控制驱动晶体管的驱动电流与驱动晶体管的阈值电压无关，本实用新型还通过写入控制模块在写入阶段将参考电压写入存储电容的第二端，控制发光保持阶段时驱动晶体管的驱动电流与发光元件的开启电压无关。
Description
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素驱动电路、显示面板和显示装置。
背景技术
AMOLED(ActiveMatrixOrganicLightEmittingDiode，有源矩阵有机发光二极管)能够发光是由驱动晶体管在饱和状态时产生的电流所驱动，因为输入相同的灰阶电压时，不同的临界电压会产生不同的驱动电流，造成电流的不一致性。LTPS(低温多晶硅)制程上Vth(驱动晶体管的阈值电压)的均匀性非常差，同时Vth也有漂移，因此传统的2T1C像素单元驱动电路亮度均匀性一直很差。并且采用现有的像素驱动电路也会存在驱动晶体管的驱动电流与OLED的开启电压有关，由于随着OLED的老化Voled会改变，从而使得驱动晶体管的驱动电流受到OLED的老化的影响。
实用新型内容
本实用新型的主要目的在于提供一种像素驱动电路、显示面板和显示装置，以解决现有技术无法同时控制驱动晶体管的驱动电流与驱动晶体管的阈值电压无关与控制驱动晶体管的驱动电流不受发光元件老化影响的问题。
为了达到上述目的，本实用新型提供了一种像素驱动电路，包括驱动晶体管、存储电容、接通控制模块、写入控制模块和发光控制模块，其中，
所述驱动晶体管，栅极通过所述接通控制模块与所述驱动晶体管的第一极连接，第一极通过所述发光控制模块接入第一电源电压，第二极通过所述发光控制模块与发光元件连接并通过所述写入控制模块与数据线连接；
所述存储电容，第一端与所述驱动晶体管的栅极连接，第二端通过所述发光控制模块与所述驱动晶体管的第二极连接并通过所述写入控制模块接入参考电压；
所述接通控制模块，接入接通控制信号，用于在每一显示周期的阈值补偿阶段和写入阶段，在所述接通控制信号的控制下控制所述驱动晶体管的栅极和所述驱动晶体管的第一极连接，以使得所述驱动晶体管为二极管连接，从而控制所述驱动晶体管的阈值电压写入所述存储电容；
所述写入控制模块，接入扫描信号，用于在每一显示周期的写入阶段在所述扫描信号的控制下控制所述数据线上的数据电压写入所述驱动晶体管的第二极，控制所述参考电压写入所述存储电容的第二端；
所述发光控制模块，接入发光控制信号，用于在每一显示周期的阈值补偿阶段和发光保持阶段在所述发光控制信号的控制下控制所述驱动晶体管的第一极接入所述第一电源电压，控制所述驱动晶体管的第二极与所述发光元件连接。
实施时，所述发光元件包括有机发光二极管；
所述有机发光二极管，阳极与所述存储电容的第二端连接，阴极接入第二电源电压；
在每一显示周期的写入阶段，所述参考电压小于或等于所述第二电源电压。
实施时，所述接通控制模块包括：接通控制晶体管，栅极接入接通控制信号，第一极与所述驱动晶体管的第一极连接，第二极与所述驱动晶体管的栅极连接。
实施时，所述写入控制模块包括：数据写入晶体管，栅极接入扫描信号，第一极与所述数据线连接，第二极与所述驱动晶体管的第二极连接；以及，
参考电压写入晶体管，栅极接入所述扫描信号，第一极与所述存储电容的第二端连接，第二极接入所述参考电压。
实施时，所述发光控制模块包括：第一发光控制晶体管，栅极接入发光控制信号，第一极接入所述第一电源电压，第二极与所述驱动晶体管的第一极连接；以及，
第二发光控制晶体管，栅极接入所述发光控制信号，第一极与所述驱动晶体管的第二极连接，第二极与所述发光元件连接。
实施时，所述驱动晶体管、所述接通控制晶体管、所述数据写入晶体管、所述参考电压写入晶体管、所述第一发光控制晶体管和所述第二发光控制晶体管都为n型晶体管。
实施时，所述发光控制信号为所述扫描信号；所述发光控制模块包括：第一发光控制晶体管，栅极接入所述扫描信号，第一极与所述驱动晶体管的第一极连接，第二极接入所述第一电源电压；以及，
第二发光控制晶体管，栅极接入所述扫描信号，第一极与所述发光元件连接，第二极与所述驱动晶体管的第二极连接。
实施时，所述驱动晶体管、所述接通控制晶体管、所述数据写入晶体管和所述参考电压写入晶体管都为n型晶体管，所述第一发光控制晶体管和所述第二发光控制晶体管都为p型晶体管。
本实用新型还提供了一种显示面板，包括上述的像素驱动电路。
本实用新型还提供了一种显示装置，包括上述的显示面板。
与现有技术相比，本实用新型所述的像素驱动电路、显示面板和显示装置通过接通控制模块和写入控制模块分步写入驱动晶体管的阈值电压Vth和数据线上的数据电压Vdata至存储电容，从而使得驱动晶体管的栅源电压包含Vdata+Vth，从而控制发光保持阶段时驱动晶体管的驱动电流与驱动晶体管的阈值电压Vth无关，达到显示均匀的目的，本实用新型还通过写入控制模块在写入阶段将参考电压写入存储电容的第二端，从而可以控制发光保持阶段时驱动晶体管的驱动电流与发光元件的开启电压无关，以使得发光保持阶段时驱动晶体管的驱动电流不受发光元件的老化的影响。
附图说明
图1是本实用新型实施例所述的像素驱动电路的结构图；
图2A是本实用新型另一实施例所述的像素驱动电路的结构图；
图2B是本实用新型又一实施例所述的像素驱动电路的结构图；
图2C是本实用新型再一实施例所述的像素驱动电路的结构图；
图2D是本实用新型另一实施例所述的像素驱动电路的结构图；
图2E是本实用新型又一实施例所述的像素驱动电路的结构图；
图3是本实用新型所述的像素驱动电路的第一具体实施例的电路图；
图4是本实用新型所述的像素驱动电路的第一具体实施例的工作时序图；
图5A是本实用新型所述的像素驱动电路的第一具体实施例在阈值补偿阶段t1的等效电路图；
图5B是本实用新型所述的像素驱动电路的第一具体实施例在写入阶段t2的等效电路图；
图5C是本实用新型所述的像素驱动电路的第一具体实施例在发光保持阶段t3的等效电路图；
图6是本实用新型所述的像素驱动电路的第二具体实施例的电路图；
图7是本实用新型所述的像素驱动电路的第二具体实施例的工作时序图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
如图1所示，本实用新型实施例所述的像素驱动电路包括驱动晶体管DTFT、存储电容C1、接通控制模块11、写入控制模块12和发光控制模块13，其中，
所述驱动晶体管DTFT，栅极通过所述接通控制模块11与所述驱动晶体管DTFT的第一极连接，第一极通过所述发光控制模块13接入第一电源电压V1，第二极通过所述发光控制模块12与发光元件LE连接并通过所述写入控制模块12与数据线Data连接；
所述存储电容C1，第一端A与所述驱动晶体管DTFT的栅极连接，第二端B通过所述发光控制模块12与所述驱动晶体管DTFT的第二极连接并通过所述写入控制模块12接入参考电压Vref；
所述接通控制模块11，接入接通控制信号CR，用于在每一显示周期的阈值补偿阶段和写入阶段，在所述接通控制信号CR的控制下控制所述驱动晶体管DTFT的栅极和所述驱动晶体管DTFT的第一极连接，以使得所述驱动晶体管DTFT为二极管连接，从而控制所述驱动晶体管DTFT的阈值电压Vth写入所述存储电容C1；
所述写入控制模块12，接入扫描信号Scan，用于在每一显示周期的写入阶段在所述扫描信号Scan的控制下控制所述数据线Data上的数据电压Vdata写入所述驱动晶体管DTFT的第二极，控制所述参考电压Vref写入所述存储电容C1的第二端B；
所述发光控制模块13，接入发光控制信号Em，用于在每一显示周期的阈值补偿阶段和发光保持阶段在所述发光控制信号Em的控制下控制所述驱动晶体管DTFT的第一极接入所述第一电源电压V1，控制所述驱动晶体管DTFT的第二极与所述发光元件LE连接。
本实用新型实施例所述的像素驱动电路通过接通控制模块和写入控制模块分步写入驱动晶体管的阈值电压Vth和数据线上的数据电压Vdata至存储电容，从而使得驱动晶体管的栅源电压包含Vdata+Vth，从而控制发光保持阶段时驱动晶体管的驱动电流与驱动晶体管的阈值电压Vth无关，达到显示均匀的目的，本实用新型实施例所述的像素驱动电路还通过写入控制模块在写入阶段将参考电压写入存储电容的第二端，从而可以控制发光保持阶段时驱动晶体管的驱动电流与发光元件的开启电压无关，以使得发光保持阶段时驱动晶体管的驱动电流不受发光元件的老化的影响。
具体的，在图1中，驱动晶体管DTFT为n型晶体管，此时，DTFT的第一极为DTFT的漏极，DTFT的第二极为DTFT的源极；然而在实际操作时，驱动晶体管DTFT也可以为p型晶体管。
本实用新型如图1所示的像素驱动电路在工作时，
在每一显示周期的阈值补偿阶段：发光控制模块13控制V1写入DTFT的漏极，控制DTFT的源极与发光元件LE连接；接通控制模块11控制所述驱动晶体管DTFT的栅极和DTFT的漏极连接，即DTFT为二极管连接，DTFT进入饱和状态，DTFT的栅源电压为Vth，此时A点电压为V1，B点电压为V1-Vth，C1的第一端A和C1的第二端B之间的电压差为Vth，从而控制驱动晶体管的阈值电压Vth写入C1；
在每一显示周期的写入阶段：发光控制模块13控制断开DTFT的漏极与输出V1的第一电源电压线的连接，并控制断开DTFT的源极与发光元件LE的连接；接通控制模块11持续控制所述驱动晶体管DTFT的栅极和DTFT的漏极连接，DTFT保持二极管连接；写入控制模块12控制Vdata写入DTFT的源极，故A点电压为Vdata+Vth，写入控制模块12控制B点电压被下拉至Vref，C1的第一端A和C2的第二端B之间的电压差为Vdata+Vth-Vref，驱动晶体管的阈值电压Vth和数据电压Vdata写入C1，此时Vref可以清除上一帧与DTFT的源极连接的发光元件LE的端子的电压；
在每一显示周期的发光保持阶段：发光控制模块13控制DTFT的漏极接入V1并控制DTFT的源极分别与发光元件LE和存储电容C1的第二端B连接，接通控制模块11控制断开DTFT的栅极与DTFT的漏极之间的连接，写入控制模块12控制C1的第二端B停止接入Vref并控制断开DTFT的源极与Data之间的连接，从而DTFT的栅源电压Vgs即为C1的第一端A和C1的第二端B之间的电压差，由于C1两端的电压差不能突变，因此此时C1的第一端A和C1的第二端B之间的电压差仍为Vdata+Vth-Vref，从而控制DTFT的驱动电流与DTFT的阈值电压Vth无关；
并且由于在所述写入阶段Vref写入DTFT的源极，从而避免DTFT的源极电压为发光元件LE的开启电压而导致的在所述发光保持阶段时DTFT的栅源电压与LE的开启电压有关的情况，从而使得在所述发光保持阶段DTFT的驱动电流与发光元件LE的开启电压无关，以使得该驱动电流不受发光元件的老化的影响。
具体的，如果在写入阶段不采用Vref写入DTFT的源极，而是C1的第二端B直接与发光元件LE连接的话，则在写入阶段C1的第二端B的电压VB为LE的开启电压Vle，C1的第一端A和C1的第二端B之间的电压差即为Vdata+Vth-Vle，由于C1两端的电压差不能突变，则在发光保持阶段C1的第一端A和C1的第二端B之间的电压差维持为Vdata+Vth-Vle，这样的话驱动晶体管驱动发光元件发光的驱动电流就会与发光元件的开启电压有关，所述驱动电流会受到发光元件老化的影响。
具体的，如图2A所示，所述发光元件可以包括有机发光二极管OLED；
所述有机发光二极管OLED，阳极与所述存储电容C1的第二端连接，阴极接入第二电源电压V2；
优选的，在每一显示周期的写入阶段，所述参考电压Vref小于或等于所述第二电源电压V2，从而控制在所述写入阶段有机发光二极管OLED不发光，以延长OLED的寿命。
优选的，所述阈值补偿阶段持续的时间小于预定时间；
由于在所述阈值补偿阶段发光元件是由处于饱和状态的驱动晶体管驱动而发光的，为了减小显示效果的影响，需尽量减少阈值补偿阶段持续的时间。
具体的，如图2B所示，所述接通控制模块包括：接通控制晶体管T1，栅极接入接通控制信号CR，第一极与所述驱动晶体管DTFT的第一极连接，第二极与所述驱动晶体管DTFT的栅极连接；
在图2B中，所述接通控制晶体管T1为n型晶体管。
具体的，如图2C所示，所述写入控制模块包括：数据写入晶体管T2，栅极接入扫描信号Scan，第一极与所述数据线Data连接，第二极与所述驱动晶体管DTFT的第二极连接；以及，
参考电压写入晶体管T3，栅极接入所述扫描信号Scan，第一极与所述存储电容Cs的第二端连接，第二极接入所述参考电压Vref；
在图2C中，所述数据写入晶体管T2和所述参考电压写入晶体管T3都为n型晶体管。
具体的，如图2D所示，所述发光控制模块可以包括：
第一发光控制晶体管T4，栅极接入发光控制信号Em，第一极接入所述第一电源电压V1，第二极与所述驱动晶体管DTFT的第一极连接；以及，
第二发光控制晶体管T5，栅极接入所述发光控制信号Em，第一极与所述驱动晶体管DTFT的第二极连接，第二极与所述有机发光二极管OLED的阳极连接；
在图2D中，所述第一发光控制晶体管T4和所述第二发光控制晶体管T5都为n型晶体管。
具体的，如图2E所示，所述发光控制信号Em为扫描信号Scan；
所述发光控制模块包括：第一发光控制晶体管T4，栅极接入所述扫描信号Scan，第一极与所述驱动晶体管DTFT的第一极连接，第二极接入所述第一电源电压V1；以及，
第二发光控制晶体管T5，栅极接入所述扫描信号Scan，第一极与所述有机发光二极管OLED的阳极连接，第二极与所述驱动晶体管DTFT的第二极连接。
具体的，在图2E中，所述第一发光控制晶体管和所述第二发光控制晶体管都为p型晶体管。
本实用新型所有实施例中采用的晶体管均可以为薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件。在本实用新型实施例中，为将晶体管除栅极之外的两极称为第一极和第二极，其中，第一极和第二极可以随着电流流向的改变而互换，也即第一极为源极，第二极为漏极，或者，第一极为漏极，第二极为源极。此外，按照晶体管的特性本实用新型实施例中采用的晶体管可以为n型晶体管或p型晶体管。
下面根据两个具体实施例来说明本实用新型所述的像素驱动电路。
如图3所示，本实用新型所述的像素驱动电路的第一具体实施例包括驱动晶体管DTFT、存储电容C1、接通控制模块、写入控制模块和发光控制模块；
所述存储电容的第一端A与所述驱动晶体管DTFT的栅极连接；
所述接通控制模块包括：接通控制晶体管T1，栅极接入接通控制信号CR，漏极与所述驱动晶体管DTFT的漏极连接，源极与所述驱动晶体管DTFT的栅极连接；
所述写入控制模块包括：数据写入晶体管T2，栅极接入扫描信号Scan，漏极与输出数据电压Vdata的数据线Data连接，源极与所述驱动晶体管DTFT的源极连接；以及，
参考电压写入晶体管T3，栅极接入所述扫描信号Scan，第一极与所述存储电容C1的第二端B连接，第二极接入参考电压Vref；
所述发光控制模块包括：第一发光控制晶体管T4，栅极接入发光控制信号Em，第一极接入高电平VDD，第二极与所述驱动晶体管DTFT的漏极连接；以及，
第二发光控制晶体管T5，栅极接入所述发光控制信号Em，第一极与所述驱动晶体管DTFT的源极连接，第二极与有机发光二极管OLED的阳极连接；
所述有机发光二极管OLED的阴极接入低电平VSS；
所述驱动晶体管DTFT、所述接通控制晶体管T1、所述数据写入晶体管T2、所述参考电压写入晶体管T3、所述第一发光控制晶体管T4和所述第二发光控制晶体管T5都为n型晶体管。
如图4所示，本实用新型如图3所示的像素驱动电路的第一具体实施例在工作时，
在阈值补偿阶段t1，CR和Em都为高电平，Scan为低电平，T1、T4和T5都开启，T2和T3都关闭，如图5A所示，驱动晶体管DTFT为二极管连接，DTFT进入饱和状态，DTFT的栅源电压Vgs为DTFT的阈值电压Vth，A点电压为VDD，B点电压为VDD-Vth，C1的第一端A和C1的第二端B之间的电压差为Vth，驱动晶体管DTFT的阈值电压Vth写入存储电容C1；
在写入阶段t2，CR和Scan都为高电平，Em为低电平，T1、T2和T3都开启，T4和T5都关闭，如图5B所示，驱动晶体管DTFT保持二极管连接，DTFT的栅源电压Vgs为Vth，DTFT的源极接入数据电压Vdata，故A点电压为Vdata+Vth，B点电压被下拉至Vref，因此C1的第一端A和C2的第二端B之间的电压差为Vdata+Vth-Vref，驱动晶体管DTFT的阈值电压Vth和数据电压Vdata写入存储电容C1，此时Vref可以清除上一帧OLED的阳极电压；
在发光保持阶段t3，CR和Scan都为低电平，Em为高电平，T1、T3和T3都关闭，T4和T5都开启，如图5C所示，存储电容C1的第一端A的电压驱动DTFT，使OLED开始发光，存储电容C1的第二端B的电压VB为OLED的开启电压Voled，由于C1两端的电压差不能突变，因此存储电容C1的第一端A的电压VA＝Vdata+Vth-Vref+Voled；
DTFT的栅源电压Vgs＝VA-VB＝＝Vdata+Vth-Vref；
则流过OLED的电流(即DTFT的驱动电流)I如下：
I＝K×(Vgs-Vth)2＝＝K×(Vdata-Vref)2；
OLED保持发光状态，并在发光保持阶段t3流过OLED的电流与Vth无关，这样就可以改善电流的均匀性，从而达到显示亮度的均匀。
并且，如果如图3所示的本实用新型所述的像素驱动电路的第一具体实施例不包括T3，即在写入阶段t2不控制参考电压Vref写入C1的第二端B，则C1的第二端的电压则为OLED的开启电压Voled，这样的话在发光保持阶段t3驱动晶体管DTFT的栅源电压就会与OLED的开启电压Voled有关系，由于随着OLED的老化Voled会改变，这样流过OLED的电流则会受到OLED的老化的影响，而本实用新型实施例所述的像素驱动电流由于采用了写入控制模块在写入阶段控制参考电压Vref写入C1的第二端(在图3中采用了T3)，则可以避免以上情况的发生。
具体的，如果在写入阶段t2不采用Vref写入DTFT的源极，而是C1的第二端B直接与OLED的阳极连接的话，则在写入阶段C1的第二端B的电压VB为OLED的开启电压Voled，C1的第一端A和C1的第二端B之间的电压差即为Vdata++Vth-Voled，由于C1两端的电压差不能突变，则在发光保持阶段C1的第一端A和C1的第二端B之间的电压差维持为Vdata++Vth-Voled，这样的话驱动晶体管驱动OLED发光的驱动电流就会与OLED的开启电压Voled有关，所述驱动电流会受到OLED老化的影响。
如图6所示，本实用新型所述的像素驱动电路的第二具体实施例包括驱动晶体管DTFT、存储电容C1、接通控制模块、写入控制模块和发光控制模块；
所述存储电容的第一端A与所述驱动晶体管DTFT的栅极连接；
所述接通控制模块包括：接通控制晶体管T1，栅极接入接通控制信号CR，漏极与所述驱动晶体管DTFT的漏极连接，源极与所述驱动晶体管DTFT的栅极连接；
所述写入控制模块包括：
数据写入晶体管T2，栅极接入扫描信号Scan，漏极与输出数据电压Vdata的数据线Data连接，源极与所述驱动晶体管DTFT的源极连接；以及，
参考电压写入晶体管T3，栅极接入所述扫描信号Scan，第一极与所述存储电容C1的第二端B连接，第二极接入参考电压Vref；
所述发光控制模块包括：
第一发光控制晶体管T4，栅极接入所述扫描信号Scan，源极与所述驱动晶体管DTFT的漏极连接，漏极接入高电平VDD；以及，
第二发光控制晶体管T5，栅极接入所述扫描信号Scan，源极与有机发光二极管OLED的阳极连接，漏极与所述驱动晶体管DTFT的源极连接；
所述驱动晶体管DTFT、所述接通控制晶体管T1、所述数据写入晶体管T2和所述参考电压写入晶体管T3都为n型晶体管，所述第一发光控制晶体管T4和所述第二发光控制晶体管T5都为p型晶体管。
如图7所示，本实用新型如图6所示的像素驱动电路的第二具体实施例在工作时，
在阈值补偿阶段t1，CR为高电平，Scan为低电平，T1、T4和T5都开启，T2和T3都关闭，驱动晶体管DTFT为二极管连接，DTFT进入饱和状态，DTFT的栅源电压Vgs为DTFT的阈值电压Vth，A点电压为VDD，B点电压为VDD-Vth，C1的第一端A和C1的第二端B之间的电压差为Vth，驱动晶体管DTFT的阈值电压Vth写入存储电容C1；
在写入阶段t2，CR和Scan都为高电平，T1、T2和T3都开启，T4和T5都关闭，如图5B所示，驱动晶体管DTFT保持二极管连接，DTFT的栅源电压Vgs为Vth，DTFT的源极接入数据电压Vdata，故A点电压为Vdata+Vth，B点电压被下拉至Vref，因此C1的第一端A和C2的第二端B之间的电压差为Vdata+Vth-Vref，驱动晶体管DTFT的阈值电压Vth和数据电压Vdata写入存储电容C1，此时Vref可以清除上一帧OLED的阳极电压；
在发光保持阶段t3，CR和Scan都为低电平，T1、T3和T3都关闭，T4和T5都开启，如图5C所示，存储电容C1的第一端A的电压驱动DTFT，使OLED开始发光，存储电容C1的第二端B的电压VB为OLED的开启电压Voled，由于C1两端的电压差不能突变，因此存储电容C1的第一端A的电压VA＝Vdata+Vth-Vref+Voled；
DTFT的栅源电压Vgs＝VA-VB＝＝Vdata+Vth-Vref；
则流过OLED的电流(即DTFT的驱动电流)I如下：
I＝K×(Vgs-Vth)2＝＝K×(Vdata-Vref)2；
OLED保持发光状态，并在发光保持阶段t3流过OLED的电流与Vth无关，这样就可以改善电流的均匀性，从而达到显示亮度的均匀。
并且，如果如图6所示的本实用新型所述的像素驱动电路的第二具体实施例不包括T3，即在写入阶段t2不控制参考电压Vref写入C1的第二端B，则C1的第二端的电压则为OLED的开启电压Voled，这样的话在发光保持阶段t3驱动晶体管DTFT的栅源电压就会与OLED的开启电压Voled有关系，由于随着OLED的老化Voled会改变，这样流过OLED的电流则会受到OLED的老化的影响，而本实用新型实施例所述的像素驱动电流由于采用了写入控制模块在写入阶段控制参考电压Vref写入C1的第二端(在图6中采用了T3)，则可以避免以上情况的发生。
本实用新型实施例所述的显示面板包括上述的像素驱动电路。
本实用新型实施例所述的显示装置包括上述的显示面板。
所述显示装置例如可以为：电子纸、OLED(OrganicLight-EmittingDiode，有机发光二极管)显示装置、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码向框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件
以上所述是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
Claims (10)
1.一种像素驱动电路，其特征在于，包括驱动晶体管、存储电容、接通控制模块、写入控制模块和发光控制模块，其中，
所述驱动晶体管，栅极通过所述接通控制模块与所述驱动晶体管的第一极连接，第一极通过所述发光控制模块接入第一电源电压，第二极通过所述发光控制模块与发光元件连接并通过所述写入控制模块与数据线连接；
所述存储电容，第一端与所述驱动晶体管的栅极连接，第二端通过所述发光控制模块与所述驱动晶体管的第二极连接并通过所述写入控制模块接入参考电压；
所述接通控制模块，接入接通控制信号，用于在每一显示周期的阈值补偿阶段和写入阶段，在所述接通控制信号的控制下控制所述驱动晶体管的栅极和所述驱动晶体管的第一极连接，以使得所述驱动晶体管为二极管连接，从而控制所述驱动晶体管的阈值电压写入所述存储电容；
所述写入控制模块，接入扫描信号，用于在每一显示周期的写入阶段在所述扫描信号的控制下控制所述数据线上的数据电压写入所述驱动晶体管的第二极，控制所述参考电压写入所述存储电容的第二端；
所述发光控制模块，接入发光控制信号，用于在每一显示周期的阈值补偿阶段和发光保持阶段在所述发光控制信号的控制下控制所述驱动晶体管的第一极接入所述第一电源电压，控制所述驱动晶体管的第二极与所述发光元件连接。
2.如权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，所述发光元件包括有机发光二极管；
所述有机发光二极管，阳极与所述存储电容的第二端连接，阴极接入第二电源电压；
在每一显示周期的写入阶段，所述参考电压小于或等于所述第二电源电压。
3.如权利要求1或2所述的像素驱动电路，其特征在于，所述接通控制模块包括：接通控制晶体管，栅极接入接通控制信号，第一极与所述驱动晶体管的第一极连接，第二极与所述驱动晶体管的栅极连接。
4.如权利要求3所述的像素驱动电路，其特征在于，所述写入控制模块包括：数据写入晶体管，栅极接入扫描信号，第一极与所述数据线连接，第二极与所述驱动晶体管的第二极连接；以及，
参考电压写入晶体管，栅极接入所述扫描信号，第一极与所述存储电容的第二端连接，第二极接入所述参考电压。
5.如权利要求4所述的像素驱动电路，其特征在于，所述发光控制模块包括：第一发光控制晶体管，栅极接入发光控制信号，第一极接入所述第一电源电压，第二极与所述驱动晶体管的第一极连接；以及，
第二发光控制晶体管，栅极接入所述发光控制信号，第一极与所述驱动晶体管的第二极连接，第二极与所述发光元件连接。
6.如权利要求5所述的像素驱动电路，其特征在于，所述驱动晶体管、所述接通控制晶体管、所述数据写入晶体管、所述参考电压写入晶体管、所述第一发光控制晶体管和所述第二发光控制晶体管都为n型晶体管。
7.如权利要求4所述的像素驱动电路，其特征在于，所述发光控制信号为所述扫描信号；所述发光控制模块包括：第一发光控制晶体管，栅极接入所述扫描信号，第一极与所述驱动晶体管的第一极连接，第二极接入所述第一电源电压；以及，
第二发光控制晶体管，栅极接入所述扫描信号，第一极与所述发光元件连接，第二极与所述驱动晶体管的第二极连接。
8.如权利要求7所述的像素驱动电路，其特征在于，所述驱动晶体管、所述接通控制晶体管、所述数据写入晶体管和所述参考电压写入晶体管都为n型晶体管，所述第一发光控制晶体管和所述第二发光控制晶体管都为p型晶体管。
9.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至8中任一权利要求所述的像素驱动电路。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的显示面板。
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