CN205218689U - 微半环凹模阵列式研抛装置 - Google Patents
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Abstract
一种微半环凹模阵列式研抛装置，Z方向主进给机构安装在床身上，Z方向微动进给机构安装在Z方向主进给机构上，Z方向微动进给机构与微细超声振动装置连接，微细超声振动装置的控制端与可调微细超声波发生器连接，微细超声振动装置的动作端通过工具连接装置超精密研抛模连接，超精密研抛模的下方布置XY工作台，超精密研抛模与XY工作台之间为加工工位，加工工位上安装研抛液进给和循环***，研抛液进给和循环***底部安装传感器连接板，传感器连接板与力传感器连接。本实用新型高形状精度、低表面粗糙度、高表面质量、高效率。
Description
技术领域
本实用新型属于超精密加工领域，涉及一种微半环凹模阵列式研抛装置。
背景技术
半球谐振陀螺是一种新型惯性传感器，与机械陀螺相比具有诸多优点。宏观尺度的半球谐振陀螺精度已达到惯性级别，开始应用于航空、兵器和空间惯导***，但由于尺度大导致体积大、质量重、功耗高，且高度依赖于超精密加工技术，在很大程度上限制了其应用。MEMS陀螺具有尺寸小、重量轻、功耗低等优点，但现有的MEMS陀螺无法达到惯性级精度和更高的战术级精度，不能应用在精度要求高的场合，例如在GPS盲区为飞行器提供短程导航。MEMS陀螺精度不高的主要原因在于：现有的MEMS元件加工方法，如化学腐蚀、刻蚀、光刻转印等，绝大部分是2D或2.5D的结构，这些方法加工的元器件质量和材料分布不均，导致陀螺感应频率与驱动之间匹配性差，使得MEMS陀螺的精度受到极大限制。为了提升MEMS陀螺的精度，国内外学者开始致力于研究3D结构MEMS半球谐振陀螺，这种陀螺最关键的部件是沉积在晶体材料微半环凹模上的高精度微小半球薄膜壳，研究证明基于化学气相沉积(chemicalvapordeposition，CVD)的多晶金刚石薄膜谐振器品质因数远远高于同样结构的硅材料谐振器。然而，CVD微半球壳的精度依赖其“母体”微半环凹模的形状精度、表面粗糙度和表面质量。目前，单晶硅材料微半环凹模的加工方法有：从传统MEMS的2D和2.5D结构制造方法扩展而来的三维结构加工方法、微细EDM加工、微铣削加工、微细超声分层加工。至今，这些已见报道的加工方法还无法满足单晶硅硬脆微半环凹模加工精度和加工效率的要求，主要因为：(1)传统的MEMS微加工—湿法化学刻蚀和干法等离子刻蚀等方法，在从2D结构向3D结构延伸的过程中，都难以摆脱晶体方向和掩膜材料的选择性问题，无法加工出具有高度对称性和材料一致均匀的微半环凹模，此种方法加工微半环凹模精度差，且效率低。(2)微细电火花加工(μEDM)微半环凹模，由于放电空间小，要求加工设备的精度极高，难以制造出形状精度极高的电极，且工具电极在加工过程中磨损很快，加工出来的微半环凹模表面质量差，形状精度不高。(3)微铣削加工微半环凹模，在材料脆性去除时，由于铣削加工自身的弱点，导致微半环凹模顶部或者底部经常会出现崩裂、表面及亚表面损伤，难以满足加工要求，在采用塑性延展铣削加工时，加工效率和成品率极低。(4)利用超声和微细工具分层加工微半环凹模，由于微细工具的磨损难以准确预测和控制，因而分层进给路径难以合理规划，导致微半环凹模形状精度较差，且加工效率低。(5)其他的电加工微结构的方法，如电解加工，受到单晶硅材料导电性的限制，难以用于微半环凹模的加工。综上，由于无法加工出高质量的谐振陀螺单晶硅微半环凹模，至今尚未见报道研制出惯性级别精度的MEMS半球谐振陀螺。
发明内容
为了克服已有谐振陀螺单晶硅微半环凹模无法实现高形状精度、低表面粗糙度、高表面质量、高效率加工的不足,本实用新型提供了一种高形状精度、低表面粗糙度、高表面质量、高效率的微半环凹模阵列式研抛方法及装置。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：
一种微半环凹模阵列式研抛装置，包括床身、Z方向主进给机构、Z方向微动进给机构、微细超声振动装置、可调微细超声波发生器、工具连接装置、超精密研抛模、研抛液进给和循环***、传感器连接板、力传感器和XY工作台，所述Z方向主进给机构安装在床身上，所述Z方向微动进给机构安装在所述Z方向主进给机构上，所述Z方向微动进给机构与微细超声振动装置连接，所述微细超声振动装置的控制端与所述可调微细超声波发生器连接，所述微细超声振动装置的动作端通过工具连接装置所述超精密研抛模连接，所述超精密研抛模的下方布置XY工作台，所述超精密研抛模与XY工作台之间为加工工位，所述加工工位上安装所述研抛液进给和循环***，所述研抛液进给和循环***底部安装传感器连接板，所述传感器连接板与力传感器连接；
所述研抛模包括工具连杆、定位基板、精密球体，工具连杆的上端与微细超声发生器相连接，所述工具连杆的下端与定位基板连接，在定位基板上加工出阵列孔径，孔径大小小于精密球体直径，在孔径和精密球体之间充满粘结剂，球体的一部分嵌入孔内。
进一步，所述装置还包括工作平台、计算机控制***和配电***，所述床身安装在所述工作平台上，所述Z方向主进给机构、Z方向微动进给机构、可调微细超声波发生器、力传感器和XY工作台均与所述计算机控制***连接，所述可调微细超声波发生器与所述配电***连接。
再进一步，在定位基板上粘结了限位挡圈，每个阵列孔径的敞口处布置所述限位挡圈。
更进一步，所述定位基板的底面覆盖连接胶体。
本实用新型的有益效果主要表现在：高形状精度、低表面粗糙度、高表面质量、高效率。
附图说明
图1是微半环凹模阵列式研抛的原理图。
图2是阵列研抛模的结构图。
图3是研抛模装配的装配示意图。
图4是微半环凹模阵列式研抛装置的结构示意图。
图5是微半环凹模阵列式研抛装置的原理图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步描述。
参照图1～图5，一种微半环凹模阵列式研抛装置，包括床身1、Z方向主进给机构2、Z方向微动进给机构3、微细超声振动装置4、可调微细超声波发生器5、工具连接装置6、超精密研抛模7、研抛液进给和循环***8、传感器连接板11、力传感器12和XY工作台13，所述Z方向主进给机构安装在床身上，所述Z方向微动进给机构安装在所述Z方向主进给机构上，所述Z方向微动进给机构与微细超声振动装置连接，所述微细超声振动装置的控制端与所述可调微细超声波发生器连接，所述微细超声振动装置的动作端通过工具连接装置所述超精密研抛模连接，所述超精密研抛模的下方布置XY工作台，所述超精密研抛模与XY工作台之间为加工工位，所述加工工位上安装所述研抛液进给和循环***，所述研抛液进给和循环***底部安装传感器连接板，所述传感器连接板与力传感器连接；
所述研抛模包括工具连杆71、定位基板72、精密球体75，工具连杆71的上端与微细超声发生器相连接，所述工具连杆71的下端与定位基板72连接，在定位基板72上加工出阵列孔径，孔径大小小于精密球体直径，在孔径和精密球体75之间充满粘结剂，球体的一部分嵌入孔内；
进一步，所述装置还包括工作平台14、计算机控制***15和配电***16，所述床身1安装在所述工作平台14上，所述Z方向主进给机构2、Z方向微动进给机构3、可调微细超声波发生器5、力传感器12和XY工作台13均与所述计算机控制***15连接，所述可调微细超声波发生器5与所述配电***16连接。
再进一步，在定位基板72上粘结了限位挡圈74，每个阵列孔径的敞口处布置所述限位挡圈74。
更进一步，所述定位基板72的底面覆盖连接胶体73。
本实施例中，床身1固定于大理石平台上，大理石平台具有极佳的防振性能，可以隔离和减少外部环境的振动，Z方向进给机构为两级进给，主进给机构2安装在床身上，微动进给机构3安装于主进给机构之上，实际加工时实现两级进给，主进给机构的精度在微米级，微动进给机构的精度可达纳米级，微细超声振动装置4与微动进给机构3相联，调节可调微细超声波发生器5的参数可以调整微小超声振动装置4的振动频率和幅度，通过工具连接装置6，实现超精密研抛模7与微细超声振动装置4的连接，研抛液进给***和循环***8，使得研抛液均匀分布和循坏在研抛模7和工件10之间。加工时，Z方向两级进给的同时，实现研抛模的微细超声振动，这种振动使得磨粒以很高的速度冲击工件表面，加之超声空化、研抛模锤击、刮擦等因素的综合作用下实现材料快速去除，实现微半环凹模阵列式研抛加工。在加工的同时，可以采用示踪粒子对流场和磨粒场的分布以及运动状态进行分析和跟踪，当使用PIV观察磨粒场时，需要制造和待加工工件同样几何形状的亚克力透明板，可分别从上方和从工件下方分别观察示踪粒子的分布和运动状态，也可采用闪频摄像装置对流场和磨粒场进行观察分析。根据加工要求，利用实时显微***9观测微半环凹模的大致形状和超精密球体的磨损状态。传感器连接板11用于连接工件10和力传感器12，传感器12用来检测加工力的大小以及限位装置与工件是否接触，XY工作台13用来实现工件的平面移动，以满足加工不同形状、不同阵列排布、不同数量阵列的要求，传感器12固定于XY工作平台上方，计算机控制***用以控制加工装置的进给速度、研抛力大小、研抛液进给速度以及其他加工参数，配电***用于对整个机床***和微细超声波发生器进行供电。
本实施例中，微半环凹模阵列，在一定厚度的晶体材料(单晶硅、蓝宝石、红宝石、碳化硅)衬底片上，通过材料去除形成的微半环凹模，几何形状多为球冠，但不限于球冠，几何外形最大截面直径(或最大截面积上两点最大距离)范围为0.2mm至10mm，若凹模为球冠形结构，要求具有极佳的形状精度(球度)，凹模边缘位于衬底上表面，边缘半径变化量△R与边缘半径R之间的比值尽可能趋近于0，同一尺寸的不同凹模之间形状具有一致性。
为实现这种微半环凹模的阵列式研抛，其原理为：自制超精密高一致性研抛模与衬底片之间充满研抛液，研抛液所含磨粒的粒度尺寸为纳米级，研抛模在衬底片上方微小距离(一般为100微米以内)内做高频微细超声振动，超声振动激发研抛液内的磨粒高速冲击衬底片，根据材料去除的情况，研抛模在Z方向向下做一定速度的进给运动，在磨粒冲击、超声空化、研抛模锤击、研抛模刮擦等复合作用下，实现微半环凹模阵列的材料去除。由于研抛模为阵列式精密球体组成，精密球体具有高的形状精度和高几何形状一致性以及高表面粗糙度，因而可以实现微半环凹模阵列式材料去除，能够保证各个微半环凹模之间很高的形状一致性，其加工原理如图1所示。
超精密高一致性阵列研抛模结构及其装配方法如图2和图3所示。研抛模的结构主要包括：工具连杆71、定位基板72、连接胶体73、限位挡圈74、精密球体75，工具连杆71与微细超声发生器相连接。在定位基板72上加工出阵列孔径，孔径大小小于精密球体75直径，在孔径和精密球体75之间充满粘结剂，球体的一部分嵌入孔内，由于所有阵列孔径的大小相差极小且精密球体直径之间的大小亦相差很小，所以精密球嵌入孔后嵌入高度基本一致，具体等高装配方法在下面叙述。为防止Z向向下进给过度，在定位基板5上粘结了限位挡圈74，当限位挡圈74(柔性且具有一定刚度)，碰触工件平面，Z轴向下进给运动停止，根据材料去除情况以及后续抛光的预留量，限位挡圈的高度可以调整。所述定位基板72的底面覆盖连接胶体73。
研抛模的装配方法为：将阵列孔内均匀涂抹防水性粘结剂，如图3所示将研抛模倒置，采用平面度极佳的精密压板76垂直下压精密球体，由于精密球体75和孔径之间充满防水性粘结剂，垂直压力可以调节防水性粘结剂膜的厚度，进而达到球体上端最高点位于同一平面的目的。对于限位挡圈74采用类似的装配方式，采用带有阵列孔(阵列孔径大小大于球直径)的精密压板，垂直下压限位挡圈74，使得限位挡圈上圆环截面在一个平面内，完成限位挡圈的装配。
为解决加工过程中研抛模的高精密球体的磨损问题，所采用的技术方案包括：第一种方案，采用传统的塑性球体，材料为合金钢和特种刚，实验研究表明，采用合金钢作为高精密球体，在单晶硅硅片上进行凹模阵列加工时，适当调整进给速度和超声频率等价格等加工参数，可以保证球体的磨损量小于5％。第二种方案，本实用新型专利提出采用硬度更高的陶瓷球体作为精密研抛球，其硬度顺序为：MOHS精密球>MOHS磨粒>MOHS工件，从莫氏硬度的排序上很容易理解在对工件进行有效加工的同时，精密球的磨损量将减小。
本实用新型实现阵列式微小凹模的高表面粗糙度，方法为：采用极低浓度的HNA溶液，保证HNA溶液在常温条件下对工件材料的腐蚀速度低于2-3μm/min,利用蘸有HNA溶液的微小弹性研抛模具(模具尺寸小于凹模尺寸)，抛光模形状精度不需要特殊的要求，对上一步加工创成的微半环凹模阵列中的每一个微半环凹模进行短暂抛光，可以迅速提高凹模表面粗糙度。
本实施例在自制超精密阵列研抛模、两级Z方向进给、微细超声振动的协同下，综合流场和磨粒场分析，实现微小凹模阵列式高效超精密研抛。
Claims (4)
1.一种微半环凹模阵列式研抛装置，其特征在于：包括床身、Z方向主进给机构、Z方向微动进给机构、微细超声振动装置、可调微细超声波发生器、工具连接装置、超精密研抛模、研抛液进给和循环***、传感器连接板、力传感器和XY工作台，所述Z方向主进给机构安装在床身上，所述Z方向微动进给机构安装在所述Z方向主进给机构上，所述Z方向微动进给机构与微细超声振动装置连接，所述微细超声振动装置的控制端与所述可调微细超声波发生器连接，所述微细超声振动装置的动作端通过工具连接装置所述超精密研抛模连接，所述超精密研抛模的下方布置XY工作台，所述超精密研抛模与XY工作台之间为加工工位，所述加工工位上安装所述研抛液进给和循环***，所述研抛液进给和循环***底部安装传感器连接板，所述传感器连接板与力传感器连接；
所述研抛模包括工具连杆、定位基板、精密球体，工具连杆的上端与微细超声发生器相连接，所述工具连杆的下端与定位基板连接，在定位基板上加工出阵列孔径，孔径大小小于精密球体直径，在孔径和精密球体之间充满粘结剂，球体的一部分嵌入孔内。
2.如权利要求1所述的微半环凹模阵列式研抛装置，其特征在于：所述装置还包括工作平台、计算机控制***和配电***，所述床身安装在所述工作平台上，所述Z方向主进给机构、Z方向微动进给机构、可调微细超声波发生器、力传感器和XY工作台均与所述计算机控制***连接，所述可调微细超声波发生器与所述配电***连接。
3.如权利要求1或2所述的微半环凹模阵列式研抛装置，其特征在于：在定位基板上粘结了限位挡圈，每个阵列孔径的敞口处布置所述限位挡圈。
4.如权利要求3所述的微半环凹模阵列式研抛装置，其特征在于：所述定位基板的底面覆盖连接胶体。
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| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20160511 Termination date: 20181119 |
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