CN205160405U - 驱动控制电路及具有该电路的压电喷射阀 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种驱动控制电路及具有该电路的压电喷射阀，属于点胶技术领域，所述驱动控制电路包括电源模块、控制模块、第一和第二功率器件，所述第一和第二功率器件的输出端分别用于驱动连接压电喷射阀上成对设置的压电陶瓷片，所述控制模块的一个输出端同时连接所述第一和第二功率器件的输入端，所述控制模块的输出端和第一功率器件的输入端之间设置有第一光耦合器，所述控制模块的输出端和第二功率器件的输入端之间设置有第二光耦合器，所述第一光耦合器和第二光耦合器分别在高、低电平下工作。与现有技术相比，本实用新型具有速度快、精度高的特点。

Description

驱动控制电路及具有该电路的压电喷射阀

技术领域

本实用新型涉及点胶技术，特别是指一种驱动控制电路及具有该电路的压电喷射阀。

背景技术

流体点胶技术是微电子封装等领域中的一项关键技术，这项技术正逐渐从传统的接触式点胶方式转化为能高度自动化操作的无接触式点胶方式。典型的无接触式点胶技术采用的装置包括机械喷射阀和压电喷射阀，其中，机械喷射阀是基于电气动的原理研制的，结构复杂，而压电喷射阀则是利用压电材料的逆压电效应设计的流体点胶装置，其具有结构简单、喷射频率高的特点，而且压电喷射阀喷射的胶点能够小至um级，在喷胶过程中能够达到非常高的精度，因此，压电喷射阀的在点胶领域中得到了广泛的应用。

目前，现有技术的压电喷射阀的驱动中，为了驱动压电喷射阀点胶阀，控制方式采用控制模块产生两路反相脉冲驱动信号控制两路功率器件(通常采用MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，金属-氧化物半导体场效应晶体管))交替为压电喷射阀上成对设置的压电陶瓷片供电，来实现点胶控制。在这种点胶方式中，由于电路元器件的延迟和干扰等因素，控制模块产生的两路反相脉冲驱动信号在同步时容易出现交叉控制，因此，常加入死区时间来避免这一现象，但是，在高速点胶时，加入死区时间带来的延迟会使点胶速度、精度降低，影响点胶效果。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种速度快、精度高的驱动控制电路及具有该电路的压电喷射阀。

为解决上述技术问题，本实用新型提供技术方案如下：

一种驱动控制电路，包括电源模块、控制模块、第一和第二功率器件，所述第一和第二功率器件的输出端分别用于驱动连接压电喷射阀上成对设置的压电陶瓷片，所述控制模块的一个输出端同时连接所述第一和第二功率器件的输入端，所述控制模块的输出端和第一功率器件的输入端之间设置有第一光耦合器，所述控制模块的输出端和第二功率器件的输入端之间设置有第二光耦合器，所述第一光耦合器和第二光耦合器分别在高、低电平下工作。

进一步的，所述第一光耦合器的内部发光二极管的正极连接所述控制模块的输出端，所述第一光耦合器的内部发光二极管的负极接地；

所述第二光耦合器的内部发光二极管的正极接电源正极，所述第二光耦合器的内部发光二极管的负极连接所述控制模块的输出端。

进一步的，所述第一光耦合器的内部发光二极管的正极和所述控制模块的输出端之间设置有第一稳压二极管；

所述第二光耦合器的内部发光二极管的负极和所述控制模块的输出端之间设置有第二稳压二极管。

进一步的，所述第一功率器件和第二功率器件分别为第一MOSFET和第二MOSFET，其中：

所述第一MOSFET的栅极连接所述第一光耦合器的输出端，所述第一MOSFET的漏极接电源正极，所述第一MOSFET的源极和栅极分别经电阻后连接所述第二MOSFET的漏极，所述第一MOSFET的漏极和所述第二MOSFET的漏极分别用于驱动连接压电喷射阀上成对设置的压电陶瓷片中的一个压电陶瓷片的两端；

所述第二MOSFET的栅极连接所述第二光耦合器的输出端，所述第二MOSFET的源极和栅极分别经电阻后接地，所述第二MOSFET的漏极和所述第二MOSFET的地分别用于驱动连接压电喷射阀上成对设置的压电陶瓷片中的另一个压电陶瓷片的两端。

进一步的，所述驱动控制电路还包括第一恒流源放电回路和/或第二恒流源放电回路，所述第一恒流源放电回路包括第一滑动变阻器、第一运算放大器和第三MOSFET，所述第二恒流源放电回路包括第二滑动变阻器、第二运算放大器和第四MOSFET，其中：

所述第一滑动变阻器的两端分别连接电源正极和地，所述第一滑动变阻器的滑动端经电阻后连接所述第一运算放大器的同相输入端，所述第一运算放大器的输出端连接所述第三MOSFET的栅极，所述第一运算放大器的反相输入端经电阻后连接所述第三MOSFET的源极，所述第一运算放大器的同相输入端与输出端之间连接有电容，所述第三MOSFET的源极经电阻后接地，所述第三MOSFET的漏极和源极分别用于连接压电喷射阀上成对设置的压电陶瓷片中的一个压电陶瓷片的两端；

所述第二滑动变阻器的两端分别连接电源正极和地，所述第二滑动变阻器的滑动端经电阻后连接所述第二运算放大器的同相输入端，所述第二运算放大器的输出端连接所述第四MOSFET的栅极，所述第二运算放大器的反相输入端经电阻后连接所述第四MOSFET的源极，所述第二运算放大器的同相输入端与输出端之间连接有电容，所述第四MOSFET的源极经电阻后接地，所述第四MOSFET的漏极和源极分别用于连接压电喷射阀上成对设置的压电陶瓷片中的另一个压电陶瓷片的两端。

进一步的，所述驱动控制电路还包括第一输出保护模块和/或第二输出保护模块，所述第一输出保护模块包括第一光耦隔离器和第一运算比较器，所述第二输出保护模块包括第二光耦隔离器和第二运算比较器，其中：

所述第一光耦隔离器的两个输入端分别连接所述第一MOSFET的源极和所述第二MOSFET的漏极，所述第一光耦隔离器的正极输出端接电源正极，负极输出端连接所述第一运算比较器的反相输入端，所述第一运算比较器的同相输入端连接有第一参考电压，所述第一运算比较器的输出端连接所述第一MOSFET的栅极；

所述第二光耦隔离器的两个输入端分别连接所述第二MOSFET的源极和所述第二MOSFET的地，所述第二光耦隔离器的正极输出端接电源正极，负极输出端连接所述第二运算比较器的反相输入端，所述第二运算比较器的同相输入端连接有第二参考电压，所述第二运算比较器的输出端连接所述第二MOSFET的栅极。

进一步的，所述控制模块还连接有控制按键和液晶显示器。

进一步的，所述电源模块包括D/A转换器、集成脉宽调制芯片、两个推挽三极管、DC-DC变压器、整流电路和滤波电路，其中：

所述D/A转换器的输入端连接所述控制模块的输出端，所述D/A转换器的输出端连接所述集成脉宽调制芯片的输入端；

所述集成脉宽调制芯片的输出端分别连接所述两个推挽三极管的基极上；

所述两个推挽三极管的发射极相连后接地；

所述DC-DC变压器为三输入两输出变压器，所述两个推挽三极管的集电极分别连接所述DC-DC变压器的两端的输入端，所述DC-DC变压器的中间输入端接电源正极同时经电容后接地，所述DC-DC变压器的输出端经所述整流电路和滤波电路后输出升压后的直流电压。

一种压电喷射阀，包括上述的驱动控制电路。

进一步的，所述压电喷射阀还包括流体加热控制模块，所述流体加热控制模块包括温度采集模块和用于对流体进行加热的加热开关电路，其中：

所述温度采集模块的输出端与所述控制模块的输入端连接；

所述加热开关电路的输入端与所述控制模块的输出端连接，所述加热开关电路的输出端用于连接直流加热棒。

本实用新型具有以下有益效果：

本实用新型的驱动控制电路，采用控制模块的一个输出端同时连接所述第一和第二功率器件的输入端，避免了现有技术中，采用控制模块的两个输出端分别驱动第一和第二功率器件，而需要加入死区的情况，使本实用新型不会产生由于加入死区时间带来的时间延迟，因此，提高了本实用新型的驱动速度和控制精度。本实用新型中的第一光耦合器和第二光耦合器采用反向输出高、低电平的结构设计，即当第一光耦合器输出高电平时，第二光耦合器只能输出低电平，当第二光耦合器输出高电平时，第一光耦合器只能输出低电平，使本实用新型的第一和第二功率器件不会出现同时导通的情况，保证了本实用新型的运行稳定性，另外，光耦合器的开关速率较快，进一步提高了本实用新型的驱动速度。与现有技术相比，本实用新型具有速度快、精度高的特点。

附图说明

图1为本实用新型的驱动控制电路的结构示意图一；

图2为本实用新型的驱动控制电路的结构示意图二；

图3为本实用新型的驱动控制电路的结构示意图三；

图4为本实用新型的驱动控制电路的结构示意图四；

图5a-5b为本实用新型的驱动控制电路的第一和第二恒流源放电回路的结构示意图；

图6a-6b为本实用新型的驱动控制电路的第一和第二输出保护模块的结构示意图；

图7为本实用新型的驱动控制电路的电源模块的结构示意图；

图8为本实用新型的压电喷射阀的流体加热控制模块的结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。

一方面，本实用新型提供一种驱动控制电路，如图1所示，包括电源模块、控制模块1、第一功率器件21和第二功率器件22，第一功率器件21和第二功率器件22的输出端分别用于驱动连接压电喷射阀上成对设置的压电陶瓷片，控制模块1的一个输出端同时连接第一功率器件21和第二功率器件22的输入端，控制模块1的输出端和第一功率器件21的输入端之间设置有第一光耦合器31，控制模块1的输出端和第二功率器件22的输入端之间设置有第二光耦合器32，第一光耦合器31和第二光耦合器32分别在高、低电平下工作。

本实用新型的驱动控制电路，采用控制模块1的一个输出端同时连接第一功率器件21和第二功率器件22的输入端，避免了现有技术中，采用控制模块1的两个输出端分别驱动第一功率器件21和第二功率器件22，而需要加入死区的情况，使本实用新型不会产生由于加入死区时间带来的时间延迟，因此，提高了本实用新型的驱动速度和控制精度。本实用新型中的第一光耦合器31和第二光耦合器32采用反向输出高、低电平的结构设计，即当第一光耦合器31输出高电平时，第二光耦合器32只能输出低电平，当第二光耦合器32输出高电平时，第一光耦合器31只能输出低电平，使本实用新型的第一功率器件21和第二功率器件22不会出现同时导通的情况，保证了本实用新型的运行稳定性，另外，光耦合器的开关速率较快，进一步提高了本实用新型的驱动速度。与现有技术相比，本实用新型具有速度快、精度高的特点。

作为本实用新型的一种改进，如图2所示，第一光耦合器31的内部发光二极管的正极连接控制模块1的输出端，第一光耦合器31的内部发光二极管的负极接地；

第二光耦合器32的内部发光二极管的正极接电源正极，第二光耦合器32的内部发光二极管的负极连接控制模块1的输出端。

本实用新型中，当控制模块1的输出端输出高电平时，第一光耦合器31的内部发光二极管的正极与负极之间产生电势差，使第一光耦合器31的内部发光二极管有电流流过，则第一光耦合器31导通，此时，第二光耦合器32的内部发光二极管的正极负极之间的电势差为0或不足以使第二光耦合器32的内部发光二极管导通，则第二光耦合器32关断；当控制模块1的输出端输出低电平时，第一光耦合器31的内部发光二极管的正极与负极之间的电势差为0或不足以使第一光耦合器31的内部发光二极管导通，则第一光耦合器31关断，此时，第二光耦合器32的内部发光二极管的正极与负极之间的产生电势差，使第二光耦合器32的内部发光二极管有电流流过，则第二光耦合器32导通。本实用新型中，不论控制模块1的输出端输出的是高电平还是低电平，第一光耦合器31与第二光耦合器32都是交替导通的，与现有技术相比，本实用新型不涉及加入死区时间的情况，因此，使本实用新型的驱动速度得到明显提高。

作为本实用新型的进一步改进，如图3所示，第一光耦合器31的内部发光二极管的正极和控制模块1的输出端之间设置有第一稳压二极管41；

第二光耦合器32的内部发光二极管的负极和控制模块1的输出端之间设置有第二稳压二极管42。

本实用新型中，可以根据控制模块1的输出电压，以及第一光耦合器31和第二光耦合器32的正向压降，对第一稳压二极管41和第二稳压二极管42的型号进行选择，从而使第一光耦合器31和第二光耦合器32可以工作在正常的工作状态，以免损坏第一光耦合器31和/或第二光耦合器32。

本实用新型中，为了实现对控制模块1的保护，控制模块1的输出端可以先经过一个光耦再与第一光耦合器31和第二光耦合器32的输入端连接，这样就能够使控制模块1与后面的驱动电路隔离开，当驱动电路短路，或功率元件被击穿时，不会导致控制模块1的损坏。本实用新型中，优选的，控制模块1采用型号为MSP320F149的单片机，第一光耦合器31和第二光耦合器32均采用TLP250，光耦采用TLP251。

本实用新型中，如图4所示，由于MOSFET具有速度快、体积小等优点，在中小功率驱动电路中应用最为广泛，而且性能最好，因此本实用新型的第一功率器件21和第二功率器件22分别采用第一MOSFET和第二MOSFET，其中：

第一MOSFET的栅极连接第一光耦合器31的输出端，第一MOSFET的漏极接电源正极，第一MOSFET的源极和栅极分别经电阻后连接第二MOSFET的漏极，第一MOSFET的漏极和第二MOSFET的漏极分别用于驱动连接压电喷射阀上成对设置的压电陶瓷片中的一个压电陶瓷片的两端；

第二MOSFET的栅极连接第二光耦合器32的输出端，第二MOSFET的源极和栅极分别经电阻后接地，第二MOSFET的漏极和第二MOSFET的地分别用于驱动连接压电喷射阀上成对设置的压电陶瓷片中的另一个压电陶瓷片的两端。

本实用新型中，采用第一MOSFET和第二MOSFET构成推挽电路，优选的，第一MOSFET和第二MOSFET均为10N60C，在工作时，两只MOSFET每次只有一个导通，使本实用新型的导通损耗小、工作效率高。

作为本实用新型的进一步改进，如图5a-5b所示，驱动控制电路还包括第一恒流源放电回路51和/或第二恒流源放电回路52，第一恒流源放电回路51包括第一滑动变阻器、第一运算放大器和第三MOSFET，第二恒流源放电回路52包括第二滑动变阻器、第二运算放大器和第四MOSFET，其中：

第一滑动变阻器的两端分别连接电源正极和地，第一滑动变阻器的滑动端经电阻后连接第一运算放大器的同相输入端，第一运算放大器的输出端连接第三MOSFET的栅极，第一运算放大器的反相输入端经电阻后连接第三MOSFET的源极，第一运算放大器的同相输入端与输出端之间连接有电容，第三MOSFET的源极经电阻后接地，第三MOSFET的漏极和源极分别用于连接压电喷射阀上成对设置的压电陶瓷片中的一个压电陶瓷片的两端；

第二滑动变阻器的两端分别连接电源正极和地，第二滑动变阻器的滑动端经电阻后连接第二运算放大器的同相输入端，第二运算放大器的输出端连接第四MOSFET的栅极，第二运算放大器的反相输入端经电阻后连接第四MOSFET的源极，第二运算放大器的同相输入端与输出端之间连接有电容，第四MOSFET的源极经电阻后接地，第四MOSFET的漏极和源极分别用于连接压电喷射阀上成对设置的压电陶瓷片中的另一个压电陶瓷片的两端。

本实用新型采用的恒流源放电回路，主要目的是帮助容性负载的压电陶瓷片快速泄放电荷，使压电陶瓷片的驱动波形有快速下降速率，使本实用新型能够工作在正常的工作状态。

作为本实用新型的另一种改进，如图6a-6b所示，驱动控制电路还包括第一输出保护模块61和/或第二输出保护模块62，第一输出保护模块61包括第一光耦隔离器和第一运算比较器，第二输出保护模块62包括第二光耦隔离器和第二运算比较器，其中：

第一光耦隔离器的两个输入端分别连接第一MOSFET的源极和第二MOSFET的漏极，第一光耦隔离器的正极输出端接电源正极，负极输出端连接第一运算比较器的反相输入端，第一运算比较器的同相输入端连接有第一参考电压，第一运算比较器的输出端连接第一MOSFET的栅极；

第二光耦隔离器的两个输入端分别连接第二MOSFET的源极和第二MOSFET的地，第二光耦隔离器的正极输出端接电源正极，负极输出端连接第二运算比较器的反相输入端，第二运算比较器的同相输入端连接有第二参考电压，第二运算比较器的输出端连接第二MOSFET的栅极。

本实用新型中，采用第一输出保护模块61和第二输出保护模块62是用于对驱动控制电路进行保护。在高压的情况下，由于某种原因负载短路，若不加输出保护模块，容易造成功率器件的损坏，进而危及驱动控制电路的安全。本实用新型中采用的第一输出保护模块61与第二输出保护模块62的电路结构相同，均采用光耦隔离器和运算比较器组合构成。对于第一输出保护模块61，第一光耦隔离器内部的发光二极管的正极和负极分别连接在第一MOSFET的源极和第二MOSFET的漏极上，当由于某种原因负载短路时，第一MOSFET的源极和第二MOSFET的漏极之间的电阻就会产生一个较大的压降，此时，第一光耦隔离器导通，导致负极输出端输出一个电压值，当电压值大于第一参考电压时，第一运算比较器的输出端输出低电平，则会把第一MOSFET的栅极拉低，使第一MOSFET截止，从而实现了对第一MOSFET的保护作用，进而保护了整体电路的安全。第二输出保护模块62与第一输出保护模块61的作用相同，可以实现对第二MOSFET的保护。

本实用新型中，控制模块1还连接有控制按键和液晶显示器。

本实用新型中，通过控制按键调整输出参数保存到控制模块1的ROM中，控制模块1可以根据控制按键输入的数据，来控制输出方波脉冲的脉宽和周期数，从而实现驱动控制电路的输出可控，本实用新型中采用的液晶显示器可以对控制模块1输出的脉宽时间、周期时间、输出模式等信息进行显示，有效的实现了人机互动。

作为本实用新型的进一步改进，如图7所示，电源模块包括D/A转换器71、集成脉宽调制芯片72、两个推挽三极管73、DC-DC变压器74、整流电路75和滤波电路76，其中：

D/A转换器71的输入端连接控制模块的输出端，D/A转换器71的输出端连接集成脉宽调制芯片72的输入端；

集成脉宽调制芯片72的输出端分别连接两个推挽三极管73的基极上；

两个推挽三极管73的发射极相连后接地；

DC-DC变压器74为三输入两输出变压器，两个推挽三极管73的集电极分别连接DC-DC变压器74的两端的输入端，DC-DC变压器74的中间输入端接电源正极同时经电容后接地，DC-DC变压器74的输出端经整流电路75和滤波电路76后输出升压后的直流电压。

本实用新型中，以集成脉宽调制芯片72作为高频功率转换电路，优选采用SG3524，来驱动两个推挽三极管73，把外界24V直流电转换成大于20KHz的脉冲电压，最后经过高频变压器升压，再经过整流和滤波，把大于20KHz的脉冲电压转换成稳定的直流输出。而现有技术中，常采用220V交流直接供电，经变压器后整流、滤波得到直流电压，采用这种方式获得的直流电压纹波较大，在一定体积下，输出功率较小，带载能力弱，并且现有技术中采用的变压器属于普通的线性变压器，体积庞大，过度占用空间。与现有技术相比，本实用新型采用的电源模块的输出电压的纹波小，在一定体积下，输出功率大，同时，本实用新型中采用的高频变压器体积小。另外，本实用新型中的电源模块为了满足其他模块的供电需求，还采用电压转换芯片将24V直流电压转换成15V直流、5V直流、3.3V直流工作电压，如采用AMS1117芯片实现24V到3.3V的电压转换，采用LM7815芯片实现24V到15V的电压转换等。

另一方面，本实用新型还提供一种压电喷射阀，包括上述的驱动控制电路。

本实用新型的压电喷射阀中，包括了上述的驱动控制电路。因此，与现有技术相比，本实用新型具有速度快、精度高的特点。

本实用新型的压电喷射阀中，如图8所示，压电喷射阀还包括流体加热控制模块，流体加热控制模块包括温度采集模块81和用于对流体进行加热的加热开关电路82，其中：

温度采集模块81的输出端与控制模块1的输入端连接；

加热开关电路82的输入端与控制模块1的输出端连接，加热开关电路82的输出端用于连接直流加热棒。

本实用新型中，温度采集模块81包括热电偶Pt100，热电偶输出端经过用于信号放大的Pt100温度采集电路连接控制模块1的AD模块；加热开关电路82包括三极管、光耦和MOSFET，其中：三极管的基极与控制模块1连接，三极管的集电极和发射极分别连接电源正极和地，三极管的集电极还连接光耦的输入端，光耦的输出端连接MOSFET的栅极，MOSFET的源极接地，MOSFET的漏极通过24V加热棒与电源正极连接。

本实用新型中采用的流体加热控制模块1用于对阀体内的流体通道进行加热控制，本实用新型主要由用于进行温度采集的热电偶Pt100和用于进行温度加热的24V加热棒组成。在工作中，控制模块1设定预加热温度，阀体实际温度由Pt100经过运算放大器输入控制器的模数转换通道输入给控制模块1，控制模块1通过内部程序计算出阀体的实际温度值，并与预加热温度值比较，当实际温度小于预加热温度时，控制模块1输出驱动信号通过加热开关电路82使24V直流加热棒开始工作，当实际温度大于等于预加热温度时，加热棒停止工作。

本实用新型还具有以下有益效果：

1.本实用新型能够实现压电喷射阀在1Hz–1KH点胶频率下正常工作，大幅提高点胶速度，足以适用工业现场应用；

2.本实用新型主要是与点胶三维平台配合使用，同时，还能够单独进行点胶工作；

3.本实用新型的工作方式主要有打点(Trigger)、划线(Lasting)、清洗(Purge)三种模式。主要通过调节驱动电压波形的脉冲宽度时间、周期时间来改变胶滴大小，也可以通过改变同一位置的点胶次数来改变胶滴大小；

4.本实用新型中，在使用高粘度胶体时，可在温度允许范围内，通过加热模块对流体通道加热而降低胶体粘度，从而使压电喷射阀正常工作。若不需要加热，加热模块可以拆解。

5.本实用新型的电源断电后，电源能够使压电喷射阀维持关闭状态约30分钟，防止胶体泄漏。

以上所述是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。

Claims (10)

1.一种驱动控制电路，包括电源模块、控制模块、第一和第二功率器件，所述第一和第二功率器件的输出端分别用于驱动连接压电喷射阀上成对设置的压电陶瓷片，其特征在于，所述控制模块的一个输出端同时连接所述第一和第二功率器件的输入端，所述控制模块的输出端和第一功率器件的输入端之间设置有第一光耦合器，所述控制模块的输出端和第二功率器件的输入端之间设置有第二光耦合器，所述第一光耦合器和第二光耦合器分别在高、低电平下工作。

2.根据权利要求1所述的驱动控制电路，其特征在于，所述第一光耦合器的内部发光二极管的正极连接所述控制模块的输出端，所述第一光耦合器的内部发光二极管的负极接地；

所述第二光耦合器的内部发光二极管的正极接电源正极，所述第二光耦合器的内部发光二极管的负极连接所述控制模块的输出端。

3.根据权利要求2所述的驱动控制电路，其特征在于，所述第一光耦合器的内部发光二极管的正极和所述控制模块的输出端之间设置有第一稳压二极管；

所述第二光耦合器的内部发光二极管的负极和所述控制模块的输出端之间设置有第二稳压二极管。

4.根据权利要求3所述的驱动控制电路，其特征在于，所述第一功率器件和第二功率器件分别为第一MOSFET和第二MOSFET，其中：

所述第一MOSFET的栅极连接所述第一光耦合器的输出端，所述第一MOSFET的漏极接电源正极，所述第一MOSFET的源极和栅极分别经电阻后连接所述第二MOSFET的漏极，所述第一MOSFET的漏极和所述第二MOSFET的漏极分别用于驱动连接压电喷射阀上成对设置的压电陶瓷片中的一个压电陶瓷片的两端；

所述第二MOSFET的栅极连接所述第二光耦合器的输出端，所述第二MOSFET的源极和栅极分别经电阻后接地，所述第二MOSFET的漏极和所述第二MOSFET的地分别用于驱动连接压电喷射阀上成对设置的压电陶瓷片中的另一个压电陶瓷片的两端。

5.根据权利要求4所述的驱动控制电路，其特征在于，所述驱动控制电路还包括第一恒流源放电回路和/或第二恒流源放电回路，所述第一恒流源放电回路包括第一滑动变阻器、第一运算放大器和第三MOSFET，所述第二恒流源放电回路包括第二滑动变阻器、第二运算放大器和第四MOSFET，其中：

所述第一滑动变阻器的两端分别连接电源正极和地，所述第一滑动变阻器的滑动端经电阻后连接所述第一运算放大器的同相输入端，所述第一运算放大器的输出端连接所述第三MOSFET的栅极，所述第一运算放大器的反相输入端经电阻后连接所述第三MOSFET的源极，所述第一运算放大器的同相输入端与输出端之间连接有电容，所述第三MOSFET的源极经电阻后接地，所述第三MOSFET的漏极和源极分别用于连接压电喷射阀上成对设置的压电陶瓷片中的一个压电陶瓷片的两端；

所述第二滑动变阻器的两端分别连接电源正极和地，所述第二滑动变阻器的滑动端经电阻后连接所述第二运算放大器的同相输入端，所述第二运算放大器的输出端连接所述第四MOSFET的栅极，所述第二运算放大器的反相输入端经电阻后连接所述第四MOSFET的源极，所述第二运算放大器的同相输入端与输出端之间连接有电容，所述第四MOSFET的源极经电阻后接地，所述第四MOSFET的漏极和源极分别用于连接压电喷射阀上成对设置的压电陶瓷片中的另一个压电陶瓷片的两端。

6.根据权利要求4所述的驱动控制电路，其特征在于，所述驱动控制电路还包括第一输出保护模块和/或第二输出保护模块，所述第一输出保护模块包括第一光耦隔离器和第一运算比较器，所述第二输出保护模块包括第二光耦隔离器和第二运算比较器，其中：

所述第一光耦隔离器的两个输入端分别连接所述第一MOSFET的源极和所述第二MOSFET的漏极，所述第一光耦隔离器的正极输出端接电源正极，负极输出端连接所述第一运算比较器的反相输入端，所述第一运算比较器的同相输入端连接有第一参考电压，所述第一运算比较器的输出端连接所述第一MOSFET的栅极；

所述第二光耦隔离器的两个输入端分别连接所述第二MOSFET的源极和所述第二MOSFET的地，所述第二光耦隔离器的正极输出端接电源正极，负极输出端连接所述第二运算比较器的反相输入端，所述第二运算比较器的同相输入端连接有第二参考电压，所述第二运算比较器的输出端连接所述第二MOSFET的栅极。

7.根据权利要求3所述的驱动控制电路，其特征在于，所述控制模块还连接有控制按键和液晶显示器。

8.根据权利要求1-7中任一所述的驱动控制电路，其特征在于，所述电源模块包括D/A转换器、集成脉宽调制芯片、两个推挽三极管、DC-DC变压器、整流电路和滤波电路，其中：

所述D/A转换器的输入端连接所述控制模块的输出端，所述D/A转换器的输出端连接所述集成脉宽调制芯片的输入端；

所述集成脉宽调制芯片的输出端分别连接所述两个推挽三极管的基极上；

所述两个推挽三极管的发射极相连后接地；

所述DC-DC变压器为三输入两输出变压器，所述两个推挽三极管的集电极分别连接所述DC-DC变压器的两端的输入端，所述DC-DC变压器的中间输入端接电源正极同时经电容后接地，所述DC-DC变压器的输出端经所述整流电路和滤波电路后输出升压后的直流电压。

9.一种压电喷射阀，其特征在于，包括权利要求1-8中任一所述的驱动控制电路。

10.根据权利要求9所述的压电喷射阀，其特征在于，所述压电喷射阀还包括流体加热控制模块，所述流体加热控制模块包括温度采集模块和用于对流体进行加热的加热开关电路，其中：

所述温度采集模块的输出端与所述控制模块的输入端连接；

所述加热开关电路的输入端与所述控制模块的输出端连接，所述加热开关电路的输出端用于连接直流加热棒。