CN204906191U - 待机功耗小的驱动mos管的数字芯片开关电源 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种待机功耗小的驱动MOS管的数字芯片开关电源，包括桥堆、变压器，其还包括：第一MOS管、第二MOS管、PWM芯片；其中PWM芯片型号为G5199；桥堆的输出端分别与第一电阻和第一电容的一端连接，第一电容的另一端接地；第一电阻的另一端通过第二电阻与第二MOS管的漏极连接，第二MOS管的源极与PWM芯片的VDD管脚连接，第二MOS管的栅极与PWM芯片的ASU管脚连接，变压器副边绕组的起始端与第一二极管的正端连接，第一二极管的负极与第二MOS管的源极、第二电容的一端分别连接，变压器副边绕组的结束端及第二电容的另一端分别接地。本实用新型的开关电源可以实现超低启动电流、高快速动态负载响应、待机功耗低的优点。
Description
[技术领域]
本实用新型涉及一种待机功耗小的驱动MOS管的数字芯片开关电源。
[背景技术]
现有技术中，开关电源大都使用模拟芯片，模拟芯片效率低、待机功耗高、电流精度低。为此，需要一种超低启动电流、高快速动态负载响应、待机功耗低的数字芯片开关电源。
[实用新型内容]
本实用新型提供了一种待机功耗小的驱动MOS管的数字芯片开关电源，其超低启动电流、高快速动态负载响应、待机功耗低。
本实用新型的技术方案是：
一种待机功耗小的驱动MOS管的数字芯片开关电源，包括桥堆、变压器，其还包括：第一MOS管、第二MOS管、PWM芯片；其中PWM芯片型号为G5199；
桥堆的输出端分别与第一电阻和第一电容的一端连接，第一电容的另一端接地；第一电阻的另一端通过第二电阻与第二MOS管的漏极连接，第二MOS管的源极与PWM芯片的VDD管脚连接，第二MOS管的栅极与PWM芯片的ASU管脚连接，变压器副边绕组的起始端与第一二极管的正端连接，第一二极管的负极与第二MOS管的源极、第二电容的一端分别连接，变压器副边绕组的结束端及第二电容的另一端分别接地；
PWM芯片的SD管脚通过热敏电阻接地，PWM芯片的Multi管脚通过第四电阻接地，PWM芯片的GND管脚接地，PWM芯片的DRV管脚与第一MOS管的栅极连接，第一MOS管的漏极与变压器原边的起始端连接，第一MOS管的源极通过第三电阻接地，变压器副边绕组的起始端依次通过第六电阻、第七电阻接地，第三电容连接在第七电阻的两端，PWM芯片的CS管脚连接在第一MOS管的源极和第三电阻之间，PWM芯片的VS管脚连接在第六电阻和第七电阻之间。
本实用新型的数字芯片开关电源，采用数字PWM芯片G5199，在没有负载或负载较小时，通过断开第二MOS管使得第一电阻和第二电阻的功耗为零，达到待机功耗低的优点；数字PWM芯片G5199通过第六电阻和第七电阻之间的分压值作为侦测值，来控制驱动第一MOS管，实现超低启动电流、高快速动态负载响应的优点。
[附图说明]
图1是本实用新型开关电源的电路原理图。
[具体实施方式]
为了使本实用新型的目的、技术方案以及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施方式，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施方式仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
下面结合附图对本实用新型的具体实施例做一详细的阐述。
请参照图1，本实用新型的一种待机功耗小的驱动MOS管的数字芯片开关电源，包括桥堆BD1、变压器T1，其还包括：第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、PWM芯片；其中PWM芯片型号为G5199，为市场上可以购买得到的芯片，具体生产厂家为环球半导体有限公司、英文名为GLOBALSEMICONDUCTORLIMITED；
桥堆BD1的输出端分别与第一电阻R1和第一电容C1的一端连接，第一电容C1的另一端接地；第一电阻R1的另一端通过第二电阻R2与第二MOS管Q2的漏极连接，第二MOS管Q2的源极与PWM芯片的VDD管脚连接，第二MOS管Q2的栅极与PWM芯片的ASU管脚连接，变压器T1副边绕组的起始端与第一二极管D1的正端连接，第一二极管D1的负极与第二MOS管Q2的源极、第二电容C2的一端分别连接，变压器T1副边绕组的结束端及第二电容C2的另一端分别接地；
PWM芯片的SD管脚通过热敏电阻R5接地，PWM芯片的Multi管脚通过第四电阻R4接地，PWM芯片的GND管脚接地，PWM芯片的DRV管脚与第一MOS管Q1的栅极连接，第一MOS管Q1的漏极与变压器T1原边的起始端连接，第一MOS管Q1的源极通过第三电阻R3接地，变压器T1副边绕组的起始端依次通过第六电阻R6、第七电阻R7接地，第三电容C3连接在第七电阻R7的两端，PWM芯片的CS管脚连接在第一MOS管Q1的源极和第三电阻R3之间，PWM芯片的VS管脚连接在第六电阻R6和第七电阻R7之间。
本实用新型的数字芯片开关电源，采用数字PWM芯片G5199，在没有负载或负载较小时，通过断开第二MOS管使得第一电阻和第二电阻的功耗为零，达到待机功耗低的优点；数字PWM芯片G5199通过第六电阻和第七电阻之间的分压值作为侦测值，来控制驱动第一MOS管，实现超低启动电流、高快速动态负载响应的优点。
以上所述的本实用新型实施方式，并不构成对本实用新型保护范围的限定。任何在本实用新型的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的权利要求保护范围之内。
Claims (1)
1.一种待机功耗小的驱动MOS管的数字芯片开关电源，包括桥堆、变压器，其特征在于，还包括：第一MOS管、第二MOS管、PWM芯片；其中PWM芯片型号为G5199；
桥堆的输出端分别与第一电阻和第一电容的一端连接，第一电容的另一端接地；第一电阻的另一端通过第二电阻与第二MOS管的漏极连接，第二MOS管的源极与PWM芯片的VDD管脚连接，第二MOS管的栅极与PWM芯片的ASU管脚连接，变压器副边绕组的起始端与第一二极管的正端连接，第一二极管的负极与第二MOS管的源极、第二电容的一端分别连接，变压器副边绕组的结束端及第二电容的另一端分别接地；
PWM芯片的SD管脚通过热敏电阻接地，PWM芯片的Multi管脚通过第四电阻接地，PWM芯片的GND管脚接地，PWM芯片的DRV管脚与第一MOS管的栅极连接，第一MOS管的漏极与变压器原边的起始端连接，第一MOS管的源极通过第三电阻接地，变压器副边绕组的起始端依次通过第六电阻、第七电阻接地，第三电容连接在第七电阻的两端，PWM芯片的CS管脚连接在第一MOS管的源极和第三电阻之间，PWM芯片的VS管脚连接在第六电阻和第七电阻之间。
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| CN201520743438.9U Expired - Fee Related CN204906191U (zh) | 2015-09-23 | 2015-09-23 | 待机功耗小的驱动mos管的数字芯片开关电源 |
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2015
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