CN204809410U - 天线装置、卡式器件及电子设备 - Google Patents

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Abstract

一种天线装置、卡式器件及电子设备，所述的天线装置将形成有导体图案的多个绝缘体进行层叠，在层叠体上构成由所述导体图案构成的多匝的天线线圈，从绝缘体的层叠方向观察时，天线线圈的每一匝由形成第1边的第1导体图案、形成第2边的第2导体图案、形成第3边的第3导体图案、以及形成第4边的第4导体图案构成，第1导体图案形成在第1层上，第2导体图案形成在不同于第1层的第2层上，第3导体图案及第4导体图案从第1层形成到第2层，将第1～第4导体图案按照如下的方式配置在各绝缘体上，即，使针对每一匝将由1匝的导体图案形成的卷绕形状的重心相连接的线的方向相对于绝缘体的层叠方向倾斜。

Description

天线装置、卡式器件及电子设备
技术领域
本实用新型涉及在RFID(RadioFrequencyIdentification：射频识别)***、近距离无线通信(NFC：NearFieldCommunication：近场通信)***等中使用的天线装置、具备该天线装置的卡式器件及电子设备。
背景技术
例如，在专利文献1中示出了装载在应用于RFID***等的无线通信设备中的天线装置。专利文献1通过将磁性体***到形成在柔性基板的同一平面上的天线线圈的开口部中来控制天线的方向性。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特许第4883136号公报
实用新型内容
实用新型所要解决的技术问题
然而，在专利文献1中存在以下问题，即，在增加匝数的情况下，若朝卷绕的内侧(卷绕中心)增加匝数，则线圈开口部的面积会变得狭窄，因此，通过线圈开口部的磁通受到限制，通信特性变差。另一方面，若在维持线圈开口部的面积的状态下朝卷绕的外侧增加匝数，则天线线圈的外形会增大。
因此，本实用新型的目的在于提供一种能抑制外形尺寸的增大、即使增加天线线圈的匝数也能维持线圈开口部的大小的结构的天线装置、具备该天线装置的卡式器件及电子设备。
解决技术问题所采用的技术方案
本实用新型的天线装置将形成有导体图案的多个绝缘体进行层叠，在层叠体上构成由所述导体图案构成的多匝的天线线圈，其特征在于，
从所述绝缘体的层叠方向观察时，所述天线线圈的每一匝由形成第1边的第1导体图案、形成第2边的第2导体图案、形成第3边的第3导体图案、以及形成第4边的第4导体图案构成，
第1导体图案形成在第1层上，第2导体图案形成在不同于第1层的第2层上，第3导体图案及第4导体图案从第1层形成到第2层，
所述第1～第4导体图案按照如下的方式配置在各绝缘体上，即，使将由1匝的导体图案形成的卷绕形状的重心针对每一匝相连接的线的方向相对于所述绝缘体的层叠方向倾斜。
通过上述结构，能抑制天线线圈的外形尺寸的增大，在不使实质上的线圈开口变窄的情况下增加匝数。
优选为所述1匝的导体图案的大小及形状实质上相同。由此，能增大单位占有面积的作为天线线圈的有效区域。
此外，优选为所述第3导体图案及所述第4导体图案在每一卷绕中形成在不同的层上，并在所述绝缘体的层叠方向上观察时相重合。由此，能抑制俯视时第3导体图案及第4导体图案的占有面积的增大，并且能在确保线圈开口的情况下增加天线线圈的匝数。
在所述绝缘体的层叠方向观察时，多个所述第1导体图案的形成范围也可以与多个所述第2导体图案的形成范围局部重合。由此，能缩小天线线圈的单位匝数的占有面积。
优选为在所述绝缘体的层叠方向观察时，所述第1导体图案与所述第2导体图案平行。由此，导体图案变得单纯，能在有限的面积形成规定匝数的天线线圈。
在所述绝缘体的层叠方向观察时，所述第1导体图案也可以与所述第2导体图案不平行。由此，能使线圈开口的形状多样化。
优选为所述第1导体图案及所述第2导体图案的线宽大于所述第3导体图案及所述第4导体图案的线宽(或者，第3导体图案及第4导体图案的线宽小于第1导体图案及第2导体图案的线宽)。由此，能抑制导体图案的直流电阻分量，确保线圈开口的面积，且能抑制导体图案间的寄生电容。
本实用新型的卡式器件的特征在于，在卡式封装体内设有上述任一结构的天线装置。
本实用新型的电子设备的特征在于，在壳体内具备电路基板，在该电路基板上安装有上述任一结构的天线装置。
实用新型的效果
根据本实用新型，无需使实质上的线圈开口变窄就能增加匝数。因此，能获得一种尽管小型但具有规定的电感和高增益的天线装置、具备该天线装置的卡式器件及电子设备。
附图说明
图1是实施方式1所涉及的天线装置101的立体图。
图2是天线装置101的分解立体图。
图3(A)是图1中的A-A部分的剖视图，图3(B)是图1中的B-B部分的剖视图。
图4(A)是表示在由第1导体图案、第2导体图案、第3导体图案及第4导体图案构成的天线线圈中通过的磁通及线圈卷绕轴的剖视图，图4(B)是表示该天线线圈的线圈卷绕轴的俯视图。
图5是表示天线装置101的天线线圈的各部分所产生的寄生电容的图。
图6(A)是本实施方式的天线装置101的立体图，图6(B)是比较例1的天线装置的立体图，图6(C)是比较例2的天线装置的立体图。
图7是表示天线装置101与读写器侧天线200的位置关系的图。
图8是表示图6所示的各天线装置的相对于偏置的耦合系数的变化的图。
图9(A)是天线装置102A的俯视图，图9(B)是其剖视图。
图10(A)是天线装置102B的俯视图，图10(B)是其剖视图。
图11是天线装置103A的俯视图。
图12是天线装置103B的俯视图。
图13(A)是实施方式4的天线装置104的俯视图，图13(B)是比较例的天线装置的俯视图。
图14是层叠体上的、形成有导体图案10、20、30、40的绝缘体的俯视图。
图15是实施方式6的天线装置106的立体图。
图16是实施方式7的电子设备301的主要部分的剖视图。
图17是在金属插口(metalsocket)410内***了实施方式8的卡式器件401的状态下的俯视图。
图18是具备金属插口410的电子设备的主要部分的剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图列举几个具体的示例来表示用于实施本实用新型的多个实施方式。在各图中，对同一部位标注相同的标号。当然，各实施方式是例示，可以将不同的实施方式中所示出的结构进行局部的置换或组合。
《实施方式1》
图1是实施方式1所涉及的天线装置101的立体图。该天线装置101是将形成有导体图案的多个绝缘体进行层叠、并在层叠体90内构成有由第1导体图案10、第2导体图案20、第3导体图案30、第4导体图案40构成的多匝的天线线圈而成的。图1是透视层叠体的内部的图。
图2是天线装置101的分解立体图。图1所示的层叠体90是将多个绝缘体S1～S10进行层叠而成的。在层叠体90的内部形成有第1导体图案10(11、12、13、14、15)、第2导体图案20(21、22、23、24、25)、第3导体图案30(31、32、33、34、35、31V、32Va、32Vb、33Va、33Vb、34Va、34Vb、35V)、及第4导体图案40(41、42、43、44、41V、42Va、42Vb、43Va、43Vb、44V、45V)。
在绝缘体S1～S10中的规定的绝缘体的下表面形成有第1导体图案、第2导体图案、第3导体图案的线状导体及第4导体图案的线状导体。这些线状导体在下面简称为导体图案。此外，在绝缘体S1～S10的规定部位分别形成有第3导体图案的通孔导体31V、32Va、32Vb、33Va、33Vb、34Va、34Vb、35V、及第4导体图案的通孔导体41V、42Va、42Vb、43Va、43Vb、44V、45V。
在绝缘体S1的下表面形成有输入输出端子51、52及安装用端子53、54。在绝缘体S2上形成有导体图案11、12、13、14、15、35、44。在绝缘体S4上形成有导体图案34。在绝缘体S5上形成有导体图案43。在绝缘体S6上形成有导体图案33。在绝缘体S7上形成有导体图案42。在绝缘体S8上形成有导体图案32。在绝缘体S10上形成有导体图案21、22、23、24、25、31、41。
上述第1导体图案11、12、13、14、15形成每一匝的第1边。同样，第2导体图案21、22、23、24、25形成每一匝的第2边。此外，第3导体图案31、32、33、34、35、31V、32Va、32Vb、33Va、33Vb、34Va、34Vb、35V形成每一匝的第3边。而且，第4导体图案41、42、43、44、41V、42Va、42Vb、43Va、43Vb、44V、45V形成每一匝的第4边。
此处，若仅用标号来表现，则由51→51V→11→31V→31→21→41→41V的路径来构成1匝的线圈。同样，
由12→32Va→32→32Vb→22→42Va→42→42Vb的路径来构成1匝的线圈，
由13→33Va→33→33Vb→23→43Va→43→43Vb的路径来构成1匝的线圈，
由14→34Va→34→34Vb→24→44V→44的路径来构成1匝的线圈。
此外，由15→35→35V→25→45V→52的路径来构成3/4匝的线圈。
由上述第1导体图案、第2导体图案、第3导体图案及第4导体图案构成大致5匝的天线线圈。每一匝的导体图案大小基本相同、形状也基本相同。
绝缘体S2～S9为磁性体层，绝缘体S1、S10为非磁性体层。因此，上述天线线圈配置成环绕磁性体的周围。
另外，为了提高机械强度，也可以进一步在绝缘体S1、S10的上部层叠非磁性体层。
在图2中，绝缘体S1～S10的厚度如下。
S1：25μm
S2：50μm
S3：25μm
S4：25μm
S5：50μm
S6：50μm
S7：25μm
S8：25μm
S9：50μm
S10：25μm
因此，导体图案31、32、33、34、35的层方向的间距为恒定的75μm。此外，导体图案41、42、43、44的层方向的间距分别为恒定的100μm。
图3(A)是图1中的A-A部分的剖视图，图3(B)是图1中的B-B部分的剖视图。对于第4导体图案的线状导体41～44，在每一卷绕中形成在不同的层上，并在绝缘体的层叠方向上观察时相重合。对于第3导体图案的线状导体31～35也相同，在每一卷绕中形成在不同的层上，并在绝缘体的层叠方向上观察时相重合。
图4(A)是表示在由第1导体图案、第2导体图案、第3导体图案及第4导体图案构成的天线线圈中通过的磁通及线圈卷绕轴的剖视图，图4(B)是表示该天线线圈的线圈卷绕轴的俯视图。其中，为了使图变得清晰，对于图4(B)，改变纵横比来进行绘制，以扩大图中的横向。图4(A)是在图3(B)所示的剖视图中记入了磁通φ及线圈卷绕轴等的图。在图4(A)中，虚线表示天线线圈的第3导体图案及第4导体图案的大致形状。对于由第1导体图案、第2导体图案、第3导体图案及第4导体图案构成的天线线圈，1匝的导体图案的形状基本相同，大小也基本相同。然后，若将相邻的每一匝的导体图案形成的卷绕形状的重心(用线段将1匝的导体图案的起点和终点相连接而封闭来形成的图形的重心)相连接，则该线直线状延伸。该线的方向相对于绝缘体的层叠方向倾斜。该线可以称为天线线圈的卷绕轴。
如图4(A)所示的那样，若针对相邻的每一匝将用虚线表示的线段的中点相连接，则该线直线状地延伸。能将该线称为截面上的天线线圈的卷绕轴。
在图4(B)中，点C1是包含第1导体图案11及第2导体图案21的1匝的导体图案的重心。同样，点C2是包含第1导体图案12及第2导体图案22的1匝的导体图案的重心，点C3是包含第1导体图案13及第2导体图案23的1匝的导体图案的重心，点C4是包含第1导体图案14及第2导体图案24的1匝的导体图案的重心，点C5是包含第1导体图案15及第2导体图案25的1匝的导体图案的重心。连接这些重心C1～C5的线直线状延伸。能将该线称为俯视状态下天线线圈的卷绕轴。
此外，从绝缘体的层叠方向观察时，多个匝(第1匝、第2匝、第3匝…)的中心在规定方向(沿着卷绕轴的方向)上依次偏移。换言之，从绝缘体的层叠方向观察时，将多匝的第1导体图案(11、12、13、14、15)及第2导体图案(21、22、23、24、25)在沿着卷绕轴的方向上以规定的间隔依次偏移地进行配置。若从与绝缘体的层叠方向正交的方向观察时，则如图4所示，多匝的第1导体图案(11、12、13、14、15)及第2导体图案(21、22、23、24、25)在与绝缘体的层叠方向正交的方向上依次相邻地进行配置。即，在绝缘体的层叠方向观察时，将第2匝的第1导体图案12及第2导体图案22相对于第1匝的第1导体图案11及第2导体图案21在沿着卷绕轴的方向上隔开规定间隔地进行配置，在绝缘体的层叠方向观察时，将第3匝的第1导体图案13及第2导体图案23相对于第2匝的第1导体图案12及第2导体图案22在沿着卷绕轴的方向上隔开规定间隔地进行配置。
通过天线线圈的线圈开口的磁通朝卷绕轴的倾斜方向倾斜，并与天线线圈交链。不过，由于磁通通过多个线圈开口相重合的区域，因此，根据磁场中的天线装置的方向的不同，磁通所通过的主要的方向未必与沿着上述卷绕轴的方向相一致。
图5是表示天线装置101的天线线圈的各部分所产生的寄生电容的图。第1导体图案11、12、13、14的线间隔相等，而且，第2导体图案22、23、24、25的线间隔相等。这样，通过使导体图案的线间隔均等，能防止这些导体图案的面内方向的线间电容极端增大的部分的形成。已基于图2所叙述的那样，第4导体图案41、42、43、44的层间距离为均等的100μm。图2所示的第3导体图案的线状导体31、32、33、34、35的层间间距为均等的75μm。这样，通过使导体图案的层间隔均等，能防止这些导体图案的层方向的线间电容极端增大的部分的形成。
此外，由于第1导体图案及第2导体图案分别形成在同一面上(同一层上)，因此，即使在导体图案的宽度***的情况下，寄生电容也不易增大。
另外，对于用于层叠体90的绝缘体的层，既可以使用磁性体或非磁性体的烧结体，也可以使用分散有磁性体铁氧体充填物的聚酰亚胺(PI)、液晶聚合物(LCP)等树脂片材。
在烧结体的情况下，材料的Q值较高，磁性体损耗较小。其结果是，能构成天线Q值较高的天线。此外，在树脂片材的情况下，由于不需要高温烧制，因此，能使用Cu等导体损耗较低的电极材料。其结果是，能构成天线Q值较高的天线。
接下来，比较两个现有类型的天线装置来表示本实施方式的天线装置101的方向性。
图6(A)是本实施方式的天线装置101的立体图，图6(B)是比较例1的天线装置的立体图，图6(C)是比较例2的天线装置的立体图。比较例1的天线装置具备线圈卷绕轴朝着Y轴方向的矩形螺旋状的天线线圈。比较例2的天线装置具备线圈卷绕轴朝着Z轴方向的矩形螺旋状的天线线圈。
图7是表示天线装置101与读写器侧天线200的位置关系的图。读写器侧天线200是半径30mm的多匝的环状天线。将天线装置101等放置在自该读写器侧天线200的中心在Z轴上离开一定距离的位置上，测定了从该位置起在Y轴方向移动dy时的耦合系数。图8是其测定结果。在图6(B)所示的比较例1的天线装置中，dy＝0时耦合系数为0，增益消失(变为0)。在图6(C)所示的比较例2的天线装置中，dy＝0时耦合系数为最大，但随着dy的增大，耦合系数急剧下降。在本实施方式的天线装置101中，以dy＝20为中心，在较宽的范围内耦合系数较大。在dy＝-20时耦合系数为最低，但不会变为0。
另外，上面所示的天线装置具备磁性体层和非磁性体层的层叠体，但既可以是仅非磁性体层的层叠体，也可以是仅磁性体层的层叠体。此外，对于上面所示的天线装置，在图1～图7中，使第1导体图案及第2导体图案形成为使电流沿着各绝缘层的长边方向流动，使第3导体图案及第4导体图案形成为使电流沿着各绝缘层的短边方向流动，但并不局限于此。也可以使第1导体图案及第2导体图案形成为使电流沿着各绝缘层的短边方向流动，使第3导体图案及第4导体图案形成为使电流沿着各绝缘层的长边方向流动。
《实施方式2》
在实施方式2中示出了层叠体上的第1导体图案及第2导体图案的另外的配置。图9、图10是表示实施方式2的两个天线装置的天线线圈的形状的图。图9(A)是天线装置102A的俯视图，图9(B)是其剖视图。图10(A)是天线装置102B的俯视图，图10(B)是其剖视图。层叠体上的第1导体图案10及第2导体图案20的形成结构基本上与实施方式1中示出的结构相同，但在图9、图10中进行了示意性的表示。
在绝缘体的层叠方向观察时(俯视时)，天线装置102A、102B均与第1导体图案10与第2导体图案20一部分重合。具体而言，在图9所示的结构中，在维持上述实施方式1的天线装置101的匝数的状态下，将第1导体图案10的形成范围和第2导体图案20的形成范围以一部分重合的方式进行配置。在图10所示的结构中，通过相对于上述实施方式1的天线装置101增加匝数，从而使第1导体图案10的形成范围与第2导体图案20的形成范围一部分重合。
这样，在绝缘体的层叠方向观察时，也可以使多个第1导体图案10的形成范围与多个第2导体图案20的形成范围局部重合。由此，能缩小天线线圈的单位匝数的占有面积。此外，通过调节第1导体图案10的形成范围与第2导体图案20的形成范围的重合程度，能容易地改变卷绕轴延伸的方向，因此，能容易地改变磁通所通过的方向。
《实施方式3》
在实施方式3中示出了层叠体上的第1导体图案及第2导体图案的另外的形状。图11、图12是表示实施方式3的两个天线装置的天线线圈的形状的图。图11是天线装置103A的俯视图，图12是天线装置103B的俯视图。在绝缘体的层叠方向观察时(俯视时)，天线装置103A的第1导体图案10与第2导体图案20不平行。在绝缘体的层叠方向观察时(俯视时)，天线装置103B的第1导体图案10不是呈直线状。具体而言，天线装置103B的第1导体图案10具有与第2导体图案20不平行的部分，也就是进行弯折。第1导体图案10基本上在用直线的虚线(用直线连接两个端部的虚线)所示的方向上延伸，因此，对于该天线装置103B，在绝缘体的层叠方向观察时，第1导体图案10与第2导体图案20也是不平行的。
这样，在绝缘体的层叠方向观察时，第1导体图案10与第2导体图案20也可以是不平行的。由此，如图11及图12中用曲线箭头标记所表示的那样，磁通所通过的路径(卷绕轴的延伸方向)发生弯曲，因此，能使线圈开口的形状多样化。此外，如图11及图12所示，在天线装置103A、103B的附近存在周边元器件的情况下，通过将第1导体图案10和第2导体图案20以彼此不平行的状态进行配置，能设计成使磁通所通过的通路发生弯曲，磁通以不接近这些周边元器件的路径通过。由此，能抑制与周边元器件的不需要的耦合。此外，能相对于有限体积的层叠体形成有效尺寸较大的天线线圈。
另外，上面所示的天线装置是若针对相邻的每一匝将由1匝的导体图案形成的卷绕形状的重心相连接、则该线直线状延伸的示例，但也可以针对相邻的每一匝将各导体图案形成为在将由1匝的导体图案形成的卷绕形状的重心相连接时该线呈沿着曲线的形状。
《[0051]实施方式4》
在实施方式4中示出了第3导体图案及第4导体图案的线宽。
图13(A)是实施方式4的天线装置104的俯视图，图13(B)是比较例的天线装置的俯视图。该比较例的天线装置与实施方式1中示出的天线装置101相同。在实施方式4的天线装置104中，第1导体图案10及第2导体图案20的线宽大于第3导体图案30及第4导体图案40的线宽(第3导体图案30及第4导体图案40的线宽小于第1导体图案10及第2导体图案20的线宽)。
根据该结构，线圈开口的宽度W变宽，因此，在抑制导体图案的直流电阻分量DCR的同时，能确保线圈开口的面积。尤其是，若第3导体图案30及第4导体图案40的线长比第1导体图案10及第2导体图案20的线长要短，则能抑制因使第3导体图案30及第4导体图案40变细而引起的直流电阻分量DCR的增大。此外，由于能抑制第3导体图案30与第4导体图案40的相对面积，因此，能抑制寄生电容。
《实施方式5》
在实施方式5中示出了第1导体图案及第2导体图案的线宽互不相同的示例。
图14是层叠体上的、形成有导体图案10、20、30、40的绝缘体的俯视图。第2导体图案20与第1导体图案10相比线宽较大、线间的间隙较为狭窄。因此，与第2导体图案的形成范围相比，磁通容易穿过第1导体图案的形成范围的线间。因此，不仅通过天线线圈的卷绕轴的倾斜，而且通过磁通穿过第1导体图案10和第2导体图案20的形成范围的容易程度也能控制方向性。另外，不仅根据线间的间隙，也可以根据线宽来确定形成范围，从而确定磁通穿过第1导体图案10和第2导体图案20的形成范围的容易程度，以此来控制方向性。
《实施方式6》
图15是实施方式6的天线装置106的立体图。在该天线装置106中，层叠体90的基本结构如实施方式1中的图1及图2所示。不过，在层叠体90的下表面形成有输入输出端子51、52、安装用端子53～60。此外，在层叠体90的上表面进一步层叠有绝缘体(非磁性体层)，在绝缘体的表面转印形成有电极61～70。电极61～70的形状与输入输出端子51、52及安装用端子53～60的形状相同，并形成于在层叠方向上彼此相对的位置。
这样，在下表面除了输入输出端子51、52以外，还分散配置许多安装用端子53～60，能确保较高的安装强度。此外，端子电极61～70形成于与输入输出端子51、52及安装用端子53～60相对的位置，因此，层叠体的层叠结构上的上下对称性较好。因此，能抑制层叠体形成时及安装到电路基板上时因加热引起的、各层的收缩率的不同所造成的翘曲，确保了层叠体的下表面的平面性。由此，能提高表面安装性。
《实施方式7》
图16是实施方式7的电子设备301的主要部分的剖视图。该电子设备301例如是移动平板PC等，图16是在短轴方向上剖切电子设备301所得到的剖视图。天线装置101是实施方式1中示出的天线装置。该天线装置101安装在电路基板110的长边的边缘附近。电路基板110设置在壳体120内。通过天线装置101的磁通通过读写器侧天线200，从而两者进行磁耦合。
《实施方式8》
在实施方式8中示出了卡式器件。
图17是在金属插口410中***了实施方式8的卡式器件401的状态下的俯视图。该卡式器件例如是SD卡等存储卡、SIM卡等认证卡。在卡式器件401的内部内置有天线装置101。天线装置101是实施方式1中示出的天线装置。天线装置101配置在卡式器件401的长边的边缘附近(沿着一条短边)，以使在卡式器件401***金属插口410内的状态下，天线装置101的天线线圈的大致一半(第1导体图案或第2导体图案)伸出至金属插口的外部。
图18是具备上述金属插口410的电子设备的主要部分的剖视图。如图18所示地确定卡式器件401内的天线装置101的第1导体图案及第2导体图案的位置，从而有磁通φ通过。
若内置于卡式器件的天线线圈为图6(C)所示的形状(线圈卷绕轴朝着Z轴方向的矩形螺旋状)，则在将该卡式器件***卡插槽内的状态下，在与外部装置进行通信时，磁通被金属插口410遮挡而无法通信。此外，若内置于卡式器件的天线线圈为图6(B)所示的形状(线圈卷绕轴朝着Y轴方向的矩形螺旋状)，则在金属插口410的主面的法线方向上不进行辐射，因此，使用不方便。与之不同的是，如果使用图17所示的内置有天线装置101的卡式器件401，则能减轻金属插口410的屏蔽的影响，对于金属插口410的主面的法线方向也能确保方向性。
标号说明
S1～S10…绝缘体
10(11、12、13、14、15)…第1导体图案
20(21、22、23、24、25)…第2导体图案
30…第3导体图案
31、32、33、34、35…第3导体图案的线状导体
31V、32Va、32Vb、33Va、33Vb、34Va、34Vb、35V…第3导体图案的通孔导体
40…第4导体图案
41、42、43、44…第4导体图案的线状导体
41V、42Va、42Vb、43Va、43Vb、44V、45V…第4导体图案的通孔导体
51V…通孔导体
51、52…输入输出端子
53～60…安装用端子
61～70…电极
90…层叠体
101、104、106…天线装置
102A、102B、103A、103B…天线装置
110…电路基板
120…壳体
200…读写器侧天线
301…电子设备
401…卡式器件
410…金属插口

Claims (9)

1.一种天线装置，该天线装置将形成有导体图案的多个绝缘体进行层叠，在层叠体上构成由所述导体图案形成的多匝的天线线圈，其特征在于，
从所述绝缘体的层叠方向观察时，所述天线线圈的每一匝由形成第1边的第1导体图案、形成第2边的第2导体图案、形成第3边的第3导体图案、以及形成第4边的第4导体图案构成，
第1导体图案形成在第1层上，第2导体图案形成在不同于第1层的第2层上，第3导体图案及第4导体图案从第1层形成到第2层，
所述第1～第4导体图案按照如下的方式配置在各绝缘体上，即，使针对每一匝将由1匝的导体图案形成的卷绕形状的重心相连接的线的方向相对于所述绝缘体的层叠方向倾斜。
2.如权利要求1所述的天线装置，其特征在于，所述1匝的导体图案的大小及形状实质上相同。
3.如权利要求1或2所述的天线装置，其特征在于，所述第3导体图案及所述第4导体图案在每一卷绕中形成在不同的层上，并在所述绝缘体的层叠方向上观察时相重合。
4.如权利要求1或2所述的天线装置，其特征在于，在所述绝缘体的层叠方向观察时，多个所述第1导体图案的形成范围与多个所述第2导体图案的形成范围局部重合。
5.如权利要求1或2所述的天线装置，其特征在于，在所述绝缘体的层叠方向观察时，所述第1导体图案与所述第2导体图案平行。
6.如权利要求1或2所述的天线装置，其特征在于，在所述绝缘体的层叠方向观察时，所述第1导体图案与所述第2导体图案不平行。
7.如权利要求1或2所述的天线装置，其特征在于，所述第1导体图案及所述第2导体图案的线宽大于所述第3导体图案及所述第4导体图案的线宽。
8.一种卡式器件，其特征在于，在卡式封装体内设有权利要求1～7中任一项所述的天线装置。
9.一种电子设备，该电子设备在壳体内具备电路基板，其特征在于，在所述电路基板上安装有权利要求1～7中任一项所述的天线装置。
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