CN204793606U - 一种晶体长度可调的微片激光器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种晶体长度可调的微片激光器，涉及激光技术领域，旨在提供一种晶体长度可调并且可以采用光胶、深化光胶粘结成一体的微片激光器。它包括半导体激光器、聚焦透镜、楔形激光晶体、楔形调Q晶体；半导体激光器输出光束方向自左向右依次是所述的聚焦透镜、前腔膜层、楔形激光晶体、楔形调Q晶体、后腔膜层。所述的激光晶体和调Q晶体具有相同的楔角。激光晶体的入射面和调Q晶体的出射面分别镀有前腔膜层和后腔膜层。通过移动泵浦光的横向位置可使激光晶体长度与调Q晶体长度的连续改变，还可通过改变激光晶体和调Q晶体楔角面的横向位置来实现腔长的改变。
Description
技术领域
本实用新型涉及激光器件领域，尤其涉及一种晶体长度可调的微片激光器。
背景技术
微片激光器具有体积小、结构紧凑、稳定、寿命长、全固态化、转换效率高且廉价易批量生产等优点。微片激光器的腔长较短，容易实现光束质量好，光强亮度大的单纵模单频激光输出，使其在激光雷达、激光测距、激光传感、激光医疗及光存储、非线性光学等领域有着重要的价值。
但目前微片激光器所使用的激光晶体一般都是固定长度的，由于微片的理论设计和实际输出之间存在差别，针对于此的试验验证较为繁琐，故提出本专利。其试验的可操作性强，可以非常便捷的连续改变微片的尺寸，达到微片的性能最优化。
发明内容
本专利克服了现有技术的不足，提供了一种晶体长度可调并且可以采用光胶、深化光胶、胶合方法粘结成一体的微片激光器。
为了实现上述目的，本专利采用如下技术方案：
一种晶体长度可调的微片激光器，包括半导体激光器、聚焦透镜、楔形激光晶体、楔形调Q晶体；半导体激光器输出光束方向自左向右依次是所述的聚焦透镜、前腔膜层、楔形激光晶体、楔形调Q晶体、后腔膜层，所述的激光晶体和调Q晶体具有相同的楔角。
所述的楔形激光晶体的入射面上镀有半导体激光器输出波长的增透膜和激光晶体输出激光波长的高反膜，作为谐振腔的前腔膜层。楔形调Q晶体的出射面上镀有半导体激光器输出波长的高反膜和调Q晶体输出激光波长的增透膜，作为谐振腔的后腔膜层。所述的楔形激光晶体和楔形调Q晶体之间采用光胶、深化光胶粘结成一体。
通过移动泵浦光的横向位置可使激光晶体长度与调Q晶体长度的连续改变，还可通过改变激光晶体和调Q晶体楔角面的横向位置来实现腔长的改变。
本实用新型的有效益果是此种微片激光器的试验可操作性强，可以非常便捷的连续改变微片的尺寸，使微片的性能最优化。且大大降低了材料加工和试验的时间成本，只要一次加工就可以小范围确定一类产品的性能，也可以指导产品的优化方向。
附图说明
图1为本实用新型的整体结构示意图；
图2为本实用新型的实施例一所用微片结构示意图；
图3为本实用新型的实施例一所用微片镀膜后的结构示意图；
图4为本实用新型的实施例二所用微片结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步的说明，
实施例一：整体装置如图1所示，101为半导体激光器，102为聚焦透镜，103为激光晶体，104为调Q晶体或倍频晶体。其中激光晶体与调Q晶体之间的角度相同，且两者通过光胶、深化光胶胶合。根据介质的折射率的情况，将晶体的楔角设计成任意角度（0°<θ<90°），也可以设计成布儒斯特角，实现线偏振输出。
激光晶体入射端镀有半导体激光器输出波长的增透膜和激光晶体输出激光波长的高反膜，作为谐振腔的前腔膜层，调Q晶体出射面上镀有半导体激光器输出波长的高反膜和调Q晶体输出激光波长的增透膜，作为谐振腔的后腔膜层。通过移动泵浦光的横向位置可连续改变激光晶体长度和调Q晶体长度，实现微片性能最优化，所用微片结构如图2所示。也可以在激光晶体与调Q晶体的光胶面镀上相应膜系以提高效率，如图3所示。
实施例二：除了实施例一中所提到的通过移动泵浦光的横向位置做到激光晶体长度与调Q晶体长度的连续改变，还可通过改变激光晶体和调Q晶体楔角面的横向位置来实现腔长的改变，所用微片结构如图4所示。
尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本实用新型，但所属领域的技术人员应该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本实用新型的精神和范围内，在形式上和细节上可以对本专利做出各种变化，均为本实用新型的保护范围。
Claims (5)
1.一种晶体长度可调的微片激光器，包括半导体激光器（101）、聚焦透镜（102）、楔形激光晶体（103）、楔形调Q晶体（104），其特征在于：半导体激光器（101）输出光束方向自左向右依次是所述的聚焦透镜（102）、前腔膜层、楔形激光晶体（103）、楔形调Q晶体（104）、后腔膜层。
2.根据权利要求1所述的一种晶体长度可调的微片激光器，其特征在于：所述的楔形激光晶体（103）和楔形调Q晶体（104）具有相同的楔角。
3.根据权利要求1所述的一种晶体长度可调的微片激光器，其特征在于：楔形激光晶体（103）的入射面上镀有半导体激光器（101）输出波长的增透膜和激光晶体（103）输出激光波长的高反膜，作为谐振腔的前腔膜层。
4.根据权利要求1所述的一种晶体长度可调的微片激光器，其特征在于：楔形调Q晶体（104）的出射面上镀有半导体激光器（101）输出波长的高反膜和调Q晶体（104）输出激光波长的增透膜，作为谐振腔的后腔膜层。
5.根据权利要求1所述的一种晶体长度可调的微片激光器，其特征在于：所述的楔形激光晶体（103）和楔形调Q晶体（104）之间采用光胶、深化光胶粘结成一体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201520556964.4U CN204793606U (zh) | 2015-07-29 | 2015-07-29 | 一种晶体长度可调的微片激光器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201520556964.4U CN204793606U (zh) | 2015-07-29 | 2015-07-29 | 一种晶体长度可调的微片激光器 |
Publications (1)
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| CN204793606U true CN204793606U (zh) | 2015-11-18 |
Family
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Family Applications (1)
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| CN201520556964.4U Active CN204793606U (zh) | 2015-07-29 | 2015-07-29 | 一种晶体长度可调的微片激光器 |
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| CN (1) | CN204793606U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108574196A (zh) * | 2018-03-20 | 2018-09-25 | 苏州十方生物科技有限公司 | 一种优化准三能级固体激光器转换效率的方法 |
| CN111384659A (zh) * | 2020-03-13 | 2020-07-07 | 中国电子科技集团公司第十一研究所 | 激光器的谐振组件、激光器以及谐振组件的调试方法 |
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2015
- 2015-07-29 CN CN201520556964.4U patent/CN204793606U/zh active Active
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| CN111384659B (zh) * | 2020-03-13 | 2022-03-11 | 中国电子科技集团公司第十一研究所 | 激光器的谐振组件、激光器以及谐振组件的调试方法 |
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