CN204445946U - 脉宽幅值可调的宽带高压窄脉冲*** - Google Patents
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Abstract
本实用新型属于高频高压脉冲技术领域,公开了脉宽幅值可调的宽带高压窄脉冲***,***包括控制信号调整模块、MOSFET驱动模块、P型MOSFET和N型MOSFET、脉冲幅值调整模块,控制信号调整模块接MOSFET驱动模块,MOSFET驱动模块接P型MOSFET和N型MOSFET,脉冲幅值调整模块接入P型MOSFET和N型MOSFET。本实用新型的脉宽幅值可调的宽带高压窄脉冲***产生的脉冲带宽、幅值易于调节和控制,并且其脉冲的频率非常高,可用于提高高频超声成像***的相应性能,也可满足不同频率的换能器测试和成像应用。
Description
技术领域
本发明属于高频高压脉冲技术领域,涉及高频高压脉冲***,特别是涉及脉宽幅值可调的宽带高压窄脉冲***。
背景技术
高压脉冲激发模块是超声设备中一个关键部件。在超声成像***中,换能器经高压脉冲激发产生超声波,然后换能器再接收组织反射回波信号成像。高压脉冲发射模块是脉冲回波法超声诊断设备的重要部分,对仪器的成像、信噪比等性能有很大影响。目前的超声换能器设备一般工作于20MHz以下,对应的激励脉冲频率容易达到。但是在血管内超声、眼科等领域中,为了得到良好的横向分辨率,换能器一般工作于20MHz以上,甚至达到60MHz,对应的,要求有更高频率的脉冲信号来进行换能器的激发。此外,高压脉冲发射模块不仅可以作为高频换能器的测试模块单独使用,也可以作为超高频超声应用仪器的一个子模块集成在***当中。
发明内容
要解决的技术问题:在常规的超声成像***中激发信号的带宽、幅值不易调节和控制,并且其脉冲的频率较低,不能较好的满足超声成像***中使用需要的问题。
技术方案:为了解决上述问题,本发明公开了脉宽幅值可调的宽带高压窄脉冲***,包括控制信号调整模块、MOSFET驱动模块、P型MOSFET和N型MOSFET、脉冲幅值调整模块,控制信号调整模块接MOSFET驱动模块,MOSFET驱动模块接P型MOSFET和N型MOSFET,脉冲幅值调整模块接入P型MOSFET和N型MOSFET。
所述的脉宽幅值可调的宽带高压窄脉冲***,所述的控制信号调整模块包括脉冲信号源、逻辑电平转换器件或逻辑电平转换电路、脉宽控制部分、P型MOSFET和N型MOSFET驱动脉冲时序调整部分。
所述的脉宽幅值可调的宽带高压窄脉冲***,所述的脉冲信号源为现场可编辑门阵列或微处理器MCU、通用交流信号源、晶振、DSP、ARM或CPLD输入。
所述的脉宽幅值可调的宽带高压窄脉冲***,脉宽控制部分包含延时器件和非门、与门。
所述的脉宽幅值可调的宽带高压窄脉冲***,所述的延时器件为单个延时器件DS1100U、多个DS1100U、或同轴线。
所述的脉宽幅值可调的宽带高压窄脉冲***,所述的延时器件包括时钟、计数器和延时网络。
所述的脉宽幅值可调的宽带高压窄脉冲***,脉冲幅值调整模块包含高压电源和高压输出调节部分。
所述的脉宽幅值可调的宽带高压窄脉冲***,所述的高压电源为高压正电源EMCO-CA02P与高压负电源EMCO-CA02N,数模转换器接高压正电源EMCO-CA02P与高压负电源EMCO-CA02N的电压输出调节端口。
所述的脉宽幅值可调的宽带高压窄脉冲***工作原理如图1所示。
有益效果:本发明的脉宽幅值可调的宽带高压窄脉冲***有下述优势:
1. 控制信号可以从信号发生器接入,通过逻辑门与延时器件或者电路的转换,从一个大脉宽频率很低的控制信号(可以是低频率的时钟信号)中得到脉宽很窄的控制信号。逻辑门使用非门和与门;控制信号也可以通过逻辑电平转换得到,比如利用各种逻辑转换器件,实现从可编程器件、CPLD、DSP、MCU等器件的LVPECL、LVDS、CMOS等电平转换为LVTLL、TTL等逻辑电平,然后在这些逻辑电平信号基础上,再次通过逻辑门、延时器件转换,得到窄脉宽的信号。如,可编程器件FPGA输出LVPECL逻辑信号,通过逻辑转换芯片SN65LVELT23DGK,将差分信号转换为LVTTL电平,从而实现远端控制信号到脉冲模块的连接传输。
2. 脉冲的脉宽的控制是通过延时器件(如DS1100U系列芯片)和与逻辑器件来实现的。延时器件包括并且不限于单个延时IC,可以是几个延时器件的串联达到具体的某个延时值。以实现5ns至几百ns延时值,更加精确、容易的控制脉冲信号宽度。
3. 不同的控制脉宽对应于不同的输出脉冲的脉宽值,改变控制脉冲宽度,对应改变输出高压脉冲的中心频率和截止频率。
4. 可以由可编程器件调节高压输出,灵活方便调节高压脉冲幅值。
5. 采用峰值电流大于10A的MOSFET驱动(如集成驱动器件、分立双极性晶体管或者场效应管推挽结构组成的驱动电路),这样就可以尽可能增加MOSFET开关速度,得到上升下降沿很小的脉冲。
6. 调整正负高压电源连接,灵活得到正极、负极、双极性高压脉冲。
附图说明
图1为脉宽幅值可调的宽带高压窄脉冲***脉冲产生原理图;
图2为脉宽幅值可调的宽带高压窄脉冲***结构图。
图3、图4为实施例1单个双极性脉冲图。
图5、图6为实施例2单个双极性脉冲图。
具体实施方式
实施例1
现场可编辑门阵列输出控制信号(逻辑电平为LVPECL),接SN65LVELT23DGK将LVPECL电平转换为LVTTL电平,该信号分两路,一路一路经过非门SN74LVC1G04反相,再接延时器件DS1100U-35+延时7ns然后与另外一路接入与门SN74AHCT1G08输入端,与门输出信号分为两路,一路经过DS1100U延时后接P型MOSFET的驱动器件EL7158,另一路接DS1100U延时后接N型MOSFET驱动器件EL7158,两片EL7158分别控制P型MOSFET和N型MOSFET打开关闭,高压电源EMCO-CA02P输出端(pin 1)接P型MOSFET源极输出控制端(pin 2)接数模转换器输出,数模转换器输入端接现场可编辑门阵列,由现场可编辑门阵列控制脉冲的输出,N型MOSFET源极接地。单个正脉冲如图3和图4。
实施例2
交流信号源Agilent 81150A输出的脉冲信号作为输入信号,脉冲频率1KHz,幅值4V,脉冲上升时间10ns,下降时间10ns,脉宽100ns。该信号分两路,一路经过非门SN74LVC1G04反相,再接延时器件DS1100U延时,然后与另外一路输入信号接入与门SN74AHCT1G08输入端,与门输出信号分为两路,一路DS1100U延时控制P型MOSFET驱动EL7158,从而另一路DS1100U延时后控制N型MOSFET驱动EL7158,两片EL7158分别控制P型MOSFET和N型MOSFET打开关闭,高压电源EMCO-CA02P输出端(pin 1)接P型MOSFET源极,输出控制端(pin 2)接数模转换器输出端,高压电源EMCO-CA02N输出端(pin 1)接N型MOSFET源极,输出控制端(pin 2)接数模转换器输出端,数模转换器输入端接现场可编辑门阵列,由现场可编辑门阵列控制脉冲的输出。单个双极性脉冲如图5和图6。
Claims (8)
1. 脉宽幅值可调的宽带高压窄脉冲***,其特征在于:包括控制信号调整模块、MOSFET驱动模块、P型MOSFET和N型MOSFET、脉冲幅值调整模块,控制信号调整模块接MOSFET驱动模块,MOSFET驱动模块接P型MOSFET和N型MOSFET,脉冲幅值调整模块接入P型MOSFET和N型MOSFET。
2. 根据权利要求 1 所述的脉宽幅值可调的宽带高压窄脉冲***,其特征在于:所述的控制信号调整模块包括脉冲信号源、逻辑电平转换器件或逻辑电平转换电路、脉宽控制部分、P型MOSFET和N型MOSFET驱动脉冲时序调整部分。
3. 根据权利要求 2 所述的脉宽幅值可调的宽带高压窄脉冲***,其特征在于:所述的脉冲信号源为现场可编辑门阵列、微处理器MCU、通用交流信号源、晶振、DSP、ARM或CPLD输入。
4. 根据权利要求 2 所述的脉宽幅值可调的宽带高压窄脉冲***,其特征在于:脉宽控制部分包含延时器件和非门、与门。
5. 根据权利要求 4 所述的脉宽幅值可调的宽带高压窄脉冲***,其特征在于:所述的延时器件为单个延时器件DS1100U、多个DS1100U或同轴线。
6. 根据权利要求 4所述的脉宽幅值可调的宽带高压窄脉冲***,其特征在于:所述的延时器件包括时钟、计数器和延时网络。
7. 根据权利要求 1 所述的脉宽幅值可调的宽带高压窄脉冲***,其特征在于:脉冲幅值调整模块包含高压电源和高压输出调节部分。
8. 根据权利要求 7 所述的脉宽幅值可调的宽带高压窄脉冲***,其特征在于:所述的高压电源为高压正电源EMCO-CA02P与高压负电源EMCO-CA02N,数模转换器接高压正电源EMCO-CA02P与高压负电源EMCO-CA02N的电压输出调节端口。
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