CN204334332U - 具有辅助绕组切换电路的电源供应装置 - Google Patents

具有辅助绕组切换电路的电源供应装置 Download PDF

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Abstract

一种具有辅助绕组切换电路的电源供应装置,包含一主转换器、一辅助绕组切换电路及一脉波宽度调变控制器;该主转换器包含一变压器;该变压器包含一初级侧绕组、一次级侧绕组及一辅助绕组;该辅助绕组包含一第一绕组及一第二绕组。依据一次级侧电压,该第一绕组感应以产生一第一电压,该第二绕组感应以产生一第二电压;该第一电压大于该第二电压;当该第一电压不大于一预设电压时,该辅助绕组切换电路传送该第一电压至该脉波宽度调变控制器;当该第一电压大于该预设电压时,该辅助绕组切换电路传送该第二电压至该脉波宽度调变控制器。

Description

具有辅助绕组切换电路的电源供应装置
技术领域
本实用新型涉及一种电源供应装置,特别涉及一种具有辅助绕组切换电路的电源供应装置。
背景技术
电源供应装置提供电源给电子装置,藉以驱动电子装置。如果电源供应装置是利用通用串行总线接口传送电源,则电子装置会通知电源供应装置需求的电压(例如5伏特或是19.5伏特)。
电源供应装置包含变压器及脉波宽度调变控制器,变压器包含初级侧绕组、辅助绕组及次级侧绕组;当电子装置通知电源供应装置需求的电压时,脉波宽度调变控制器会改变初级侧绕组的电压,次级侧绕组会感应初级侧绕组的电压而产生电压以传送至电子装置;同时,辅助绕组会感应次级侧绕组的电压而产生电压以传送至脉波宽度调变控制器以供电予脉波宽度调变控制器。
当需求的电压为5伏特时,辅助绕组感应的电压尚不会太大,脉波宽度调变控制器可直接利用辅助绕组感应的电压;当需求的电压为19.5伏特时,辅助绕组感应的电压即会太大,脉波宽度调变控制器不可直接利用辅助绕组感应的电压。在一具体实施例,当需求的电压为5伏特时,辅助绕组感应的电压为20伏特;当需求的电压为19.5伏特时,辅助绕组感应的电压为78伏特。
当辅助绕组感应的电压太大时,一稳压电路即被设置以降低辅助绕组感应的电压以保护脉波宽度调变控制器;然而,辅助绕组感应的电压被稳压电路降低时,电源供应装置的能量耗损即增加了。
实用新型内容
为改善上述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种具有辅助绕组切换电路的电源供应装置。
为达上述目的,本实用新型提供一种具有辅助绕组切换电路的电源供应装置,其包含:
一主转换器;
一辅助绕组切换电路,该辅助绕组切换电路电性连接至该主转换器;及
一脉波宽度调变控制器,该脉波宽度调变控制器电性连接至该主转换器及该辅助绕组切换电路,
其中该主转换器包含一变压器;该变压器包含一初级侧绕组、一次级侧绕组及一辅助绕组,该辅助绕组电性连接至该辅助绕组切换电路;该辅助绕组包含一第一绕组及一第二绕组,该第一绕组电性连接至该辅助绕组切换电路,该第二绕组电性连接至该辅助绕组切换电路及该第一绕组;
其中该脉波宽度调变控制器改变该初级侧绕组的一初级侧电压;依据该初级侧电压,该次级侧绕组感应以产生一次级侧电压;依据该次级侧电压,该第一绕组感应以产生一第一电压;依据该次级侧电压,该第二绕组感应以产生一第二电压;该第一绕组的一匝数大于该第二绕组的一匝数,因此该第一电压大于该第二电压;
其中当该第一电压不大于一预设电压时,该辅助绕组切换电路传送该第一电压至该脉波宽度调变控制器,藉以驱动该脉波宽度调变控制器;当该第一电压大于该预设电压时,该辅助绕组切换电路传送该第二电压至该脉波宽度调变控制器,藉以驱动该脉波宽度调变控制器。
上述的具有辅助绕组切换电路的电源供应装置,其中该辅助绕组切换电路包含:
一金属氧化物半导体场效应晶体管,该金属氧化物半导体场效应晶体管电性连接至该脉波宽度调变控制器;及
一齐纳二极管,该齐纳二极管电性连接至该金属氧化物半导体场效应晶体管。
上述的具有辅助绕组切换电路的电源供应装置,其中该辅助绕组切换电路更包含:
一第一电阻,该第一电阻电性连接至该金属氧化物半导体场效应晶体管;
一第一电容,该第一电容电性连接至该金属氧化物半导体场效应晶体管;及
一第二电阻,该第二电阻电性连接至该第一电容。
上述的具有辅助绕组切换电路的电源供应装置,其中该辅助绕组切换电路更包含:
一第二电容,该第二电容电性连接至该金属氧化物半导体场效应晶体管;
一第一二极管,该第一二极管电性连接至该金属氧化物半导体场效应晶体管及该第一绕组;及
一第二二极管,该第二二极管电性连接至该金属氧化物半导体场效应晶体管、该脉波宽度调变控制器及该第二绕组。
上述的具有辅助绕组切换电路的电源供应装置,其中更包含:
一初级侧滤波电路,该初级侧滤波电路电性连接至该初级侧绕组;及
一初级侧整流电路,该初级侧整流电路电性连接至该初级侧滤波电路。
上述的具有辅助绕组切换电路的电源供应装置,其中更包含:
一次级侧整流电路,该次级侧整流电路电性连接至该次级侧绕组;及
一次级侧滤波电路,该次级侧滤波电路电性连接至该次级侧整流电路。
上述的具有辅助绕组切换电路的电源供应装置,应用于一交流电源供应装置及一电子装置,其中该具有辅助绕组切换电路的电源供应装置更包含:
一电磁干扰滤波器,该电磁干扰滤波器电性连接至该初级侧整流电路及该交流电源供应装置。
上述的具有辅助绕组切换电路的电源供应装置,其中更包含:
一通用串行总线接口,该通用串行总线接口电性连接至该次级侧滤波电路及该电子装置。
上述的具有辅助绕组切换电路的电源供应装置,其中更包含:
一交换电路,该交换电路电性连接至该通用串行总线接口。
上述的具有辅助绕组切换电路的电源供应装置,其中更包含:
一反馈电路,该反馈电路电性连接至该交换电路、该次级侧滤波电路、该通用串行总线接口及该脉波宽度调变控制器。
本实用新型的功效在于,降低电源供应装置的能量耗损并保护脉波宽度调变控制器。
以下结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细描述,但不作为对本实用新型的限定。
附图说明
图1为本实用新型的具有辅助绕组切换电路的电源供应装置方框图;
图2为本实用新型的辅助绕组切换电路的一实施例电路图。
其中,附图标记
具有辅助绕组切换电路的电源供应装置  10
交流电源供应装置  20
电子装置  30
主转换器  102
辅助绕组切换电路  104
脉波宽度调变控制器  106
变压器  108
初级侧绕组  110
辅助绕组  112
第一绕组  114
第二绕组  116
次级侧绕组  118
初级侧滤波电路  120
初级侧整流电路  122
次级侧整流电路  124
次级侧滤波电路  126
电磁干扰滤波器  128
通用串行总线接口  130
交换电路  132
反馈电路  134
金属氧化物半导体场效应晶体管  10402
齐纳二极管  10404
第一电阻  10406
第一电容  10408
第二电阻  10410
第二电容  10412
第一二极管  10414
第二二极管  10416
源极  10418
栅极  10420
漏极  10422
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的结构原理和工作原理作具体的描述:
请参考图1,其为本实用新型的具有辅助绕组切换电路的电源供应装置方框图。一具有辅助绕组切换电路的电源供应装置10是应用于一交流电源供应装置20及一电子装置30。
该具有辅助绕组切换电路的电源供应装置10包含一主转换器102、一辅助绕组切换电路104、一脉波宽度调变控制器106、一初级侧滤波电路120、一初级侧整流电路122、一次级侧整流电路124、一次级侧滤波电路126、一电磁干扰滤波器128、一通用串行总线接口130、一交换电路(Handshake Circuit)132及一反馈电路134。
该主转换器102包含一变压器108;该变压器108包含一初级侧绕组110、一辅助绕组112及一次级侧绕组118。该辅助绕组112包含一第一绕组114及一第二绕组116。
该辅助绕组切换电路104电性连接至该主转换器102;该脉波宽度调变控制器106电性连接至该主转换器102及该辅助绕组切换电路104;该辅助绕组112电性连接至该辅助绕组切换电路104;该第一绕组114电性连接至该辅助绕组切换电路104;该第二绕组116电性连接至该辅助绕组切换电路104及该第一绕组114。
该初级侧滤波电路120电性连接至该初级侧绕组110;该初级侧整流电路122电性连接至该初级侧滤波电路120;该次级侧整流电路124电性连接至该次级侧绕组118;该次级侧滤波电路126电性连接至该次级侧整流电路124;该电磁干扰滤波器128电性连接至该初级侧整流电路122及该交流电源供应装置20;该通用串行总线接口130电性连接至该次级侧滤波电路126及该电子装置30;该交换电路132电性连接至该通用串行总线接口130;该反馈电路134电性连接至该交换电路132、该次级侧滤波电路126、该通用串行总线接口130及该脉波宽度调变控制器106。
请参考图2,其为本实用新型的辅助绕组切换电路的一实施例电路图。该辅助绕组切换电路104包含一金属氧化物半导体场效应晶体管10402、一齐纳二极管10404、一第一电阻10406、一第一电容10408、一第二电阻10410、一第二电容10412、一第一二极管10414及一第二二极管10416。
该金属氧化物半导体场效应晶体管10402电性连接至该脉波宽度调变控制器106;该齐纳二极管10404电性连接至该金属氧化物半导体场效应晶体管10402;该第一电阻10406电性连接至该金属氧化物半导体场效应晶体管10402;该第一电容10408电性连接至该金属氧化物半导体场效应晶体管10402;该第二电阻10410电性连接至该第一电容10408;该第二电容10412电性连接至该金属氧化物半导体场效应晶体管10402;该第一二极管10414电性连接至该金属氧化物半导体场效应晶体管10402及该第一绕组114;该第二二极管10416电性连接至该金属氧化物半导体场效应晶体管10402、该脉波宽度调变控制器106及该第二绕组116。
换句话说,该金属氧化物半导体场效应晶体管10402包含一源极10418、一栅极10420及一漏极10422;该源极10418连接至该脉波宽度调变控制器106;该齐纳二极管10404的阴极连接至该栅极10420,该齐纳二极管10404的阳极连接至地;该第一电阻10406的一端连接至该漏极10422,该第一电阻10406的另一端连接至该栅极10420;该第一电容10408的一端连接至该漏极10422。
该第二电阻10410的一端连接至该第一电容10408的另一端,该第二电阻10410的另一端连接至该栅极10420;该第二电容10412的一端连接至该漏极10422,该第二电容10412的另一端连接至地;该第一二极管10414的阴极连接至该漏极10422,该第一二极管10414的阳极连接至该第一绕组114的一端;该第二二极管10416的阴极连接至该源极10418,该第二二极管10416的阳极连接该第一绕组114的另一端及该第二绕组116的一端;该第二绕组116的另一端连接至地。
请同时参考图1及图2。该电子装置30通过该通用串行总线接口130、该交换电路132及该反馈电路134通知该脉波宽度调变控制器106一需求的电压(例如5伏特或是19.5伏特);因此,该脉波宽度调变控制器106改变该初级侧绕组110的一初级侧电压;其中,该主转换器102是为一返驰式转换器,该脉波宽度调变控制器106改变该初级侧绕组110的该初级侧电压是为一现有技术,为简洁因素,故于此不再赘述。
依据该初级侧电压,该次级侧绕组118感应以产生一次级侧电压;依据该次级侧电压,该第一绕组114感应以产生一第一电压;依据该次级侧电压,该第二绕组116感应以产生一第二电压;该第一绕组114的一匝数大于该第二绕组116的一匝数,因此该第一电压大于该第二电压。
当该第一电压不大于一预设电压时,该辅助绕组切换电路104传送该第一电压至该脉波宽度调变控制器106,藉以驱动该脉波宽度调变控制器106;当该第一电压大于该预设电压时,该辅助绕组切换电路104传送该第二电压至该脉波宽度调变控制器106,藉以驱动该脉波宽度调变控制器106。
其中,该齐纳二极管10404的一崩溃电压(例如18伏特)为小于该预设电压(例如20伏特);当该栅极10420的电压大于该源极10418的电压时,该金属氧化物半导体场效应晶体管10402会导通;该第一绕组114的该匝数是该第二绕组116的该匝数的3倍。
在一具体实施例,若该需求的电压为5伏特,则该第一电压为15伏特,该第二电压为5伏特;该第一电压(15伏特)不大于该预设电压(20伏特),因此该辅助绕组切换电路104传送该第一电压至该脉波宽度调变控制器106,藉以驱动该脉波宽度调变控制器106。
其中,该第二电压(5伏特)被传送至该源极10418,该第一电压(15伏特)被传送至该漏极10422,该金属氧化物半导体场效应晶体管10402会导通,因此该辅助绕组切换电路104传送该第一电压(15伏特)至该脉波宽度调变控制器106。
在另一具体实施例,若该需求的电压为19.5伏特,则该第一电压为58.5伏特,该第二电压为19.5伏特;该第一电压(58.5伏特)大于该预设电压(20伏特),因此该辅助绕组切换电路104传送该第二电压(19.5伏特)至该脉波宽度调变控制器106,藉以驱动该脉波宽度调变控制器106。
其中,该第二电压(19.5伏特)被传送至该源极10418,该第一电压(58.5伏特)被传送至该漏极10422,该栅极10420的电压被限制为该齐纳二极管10404的该崩溃电压(例如18伏特),该栅极10420的电压(18伏特)不大于该源极10418的电压(19.5伏特),因此该金属氧化物半导体场效应晶体管10402不会导通,因此该辅助绕组切换电路104传送该第二电压(19.5伏特)至该脉波宽度调变控制器106。
再者,上述该金属氧化物半导体场效应晶体管10402亦可以一双极性接面晶体管取代,以达到开关(导通或不导通)的功能。
本实用新型的功效在于降低电源供应装置的能量耗损并保护脉波宽度调变控制器。本实用新型的电源供应装置(包含该辅助绕组切换电路104)的能量耗损比现有的电源供应装置(包含稳压电路)的能量耗损为低。
当然,本实用新型还可有其它多种实施例,在不背离本实用新型精神及其实质的情况下,熟悉本领域的技术人员当可根据本实用新型作出各种相应的改变和变形,但这些相应的改变和变形都应属于本实用新型所附的权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种具有辅助绕组切换电路的电源供应装置,其特征在于,包含:
一主转换器;
一辅助绕组切换电路,该辅助绕组切换电路电性连接至该主转换器;及
一脉波宽度调变控制器,该脉波宽度调变控制器电性连接至该主转换器及该辅助绕组切换电路,
其中该主转换器包含一变压器;该变压器包含一初级侧绕组、一次级侧绕组及一辅助绕组,该辅助绕组电性连接至该辅助绕组切换电路;该辅助绕组包含一第一绕组及一第二绕组,该第一绕组电性连接至该辅助绕组切换电路,该第二绕组电性连接至该辅助绕组切换电路及该第一绕组;
其中该脉波宽度调变控制器改变该初级侧绕组的一初级侧电压;依据该初级侧电压,该次级侧绕组感应以产生一次级侧电压;依据该次级侧电压,该第一绕组感应以产生一第一电压;依据该次级侧电压,该第二绕组感应以产生一第二电压;该第一绕组的一匝数大于该第二绕组的一匝数,因此该第一电压大于该第二电压;
其中当该第一电压不大于一预设电压时,该辅助绕组切换电路传送该第一电压至该脉波宽度调变控制器,藉以驱动该脉波宽度调变控制器;当该第一电压大于该预设电压时,该辅助绕组切换电路传送该第二电压至该脉波宽度调变控制器,藉以驱动该脉波宽度调变控制器。
2.根据权利要求1所述的具有辅助绕组切换电路的电源供应装置,其特征在于,该辅助绕组切换电路包含:
一金属氧化物半导体场效应晶体管,该金属氧化物半导体场效应晶体管电性连接至该脉波宽度调变控制器;及
一齐纳二极管,该齐纳二极管电性连接至该金属氧化物半导体场效应晶体管。
3.根据权利要求2所述的具有辅助绕组切换电路的电源供应装置,其特征在于,该辅助绕组切换电路更包含:
一第一电阻,该第一电阻电性连接至该金属氧化物半导体场效应晶体管;
一第一电容,该第一电容电性连接至该金属氧化物半导体场效应晶体管; 及
一第二电阻,该第二电阻电性连接至该第一电容。
4.根据权利要求3所述的具有辅助绕组切换电路的电源供应装置,其特征在于,该辅助绕组切换电路更包含:
一第二电容,该第二电容电性连接至该金属氧化物半导体场效应晶体管;
一第一二极管,该第一二极管电性连接至该金属氧化物半导体场效应晶体管及该第一绕组;及
一第二二极管,该第二二极管电性连接至该金属氧化物半导体场效应晶体管、该脉波宽度调变控制器及该第二绕组。
5.根据权利要求4所述的具有辅助绕组切换电路的电源供应装置,其特征在于,更包含:
一初级侧滤波电路,该初级侧滤波电路电性连接至该初级侧绕组;及
一初级侧整流电路,该初级侧整流电路电性连接至该初级侧滤波电路。
6.根据权利要求5所述的具有辅助绕组切换电路的电源供应装置,其特征在于,更包含:
一次级侧整流电路,该次级侧整流电路电性连接至该次级侧绕组;及
一次级侧滤波电路,该次级侧滤波电路电性连接至该次级侧整流电路。
7.根据权利要求6所述的具有辅助绕组切换电路的电源供应装置,其特征在于,该具有辅助绕组切换电路的电源供应装置更包含:
一电磁干扰滤波器,该电磁干扰滤波器电性连接至该初级侧整流电路及一交流电源供应装置。
8.根据权利要求7所述的具有辅助绕组切换电路的电源供应装置,其特征在于,更包含:
一通用串行总线接口,该通用串行总线接口电性连接至该次级侧滤波电路及该电子装置。
9.根据权利要求8所述的具有辅助绕组切换电路的电源供应装置,其特征在于,更包含:
一交换电路,该交换电路电性连接至该通用串行总线接口。
10.根据权利要求9所述的具有辅助绕组切换电路的电源供应装置,其特征在于,更包含:
一反馈电路,该反馈电路电性连接至该交换电路、该次级侧滤波电路、该通用串行总线接口及该脉波宽度调变控制器。
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