CN204179213U - 双寄生lte天线 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种双寄生LTE天线，一种双寄生LTE天线，它包括第一辐射单元、第二辐射单元、第三辐射单元、第四辐射单元、第五辐射单元、第一寄生单元及第二寄生单元；所述第二辐射单元呈两级台阶形，其较矮的一级台阶的端部连接第一辐射单元，另一级台阶端部连接第三辐射单元。本实用新型的有益效果在于：将天线设计为上述结构，可将天线支持3G通讯频段基础上拓宽至4G频段，从而实现低频824～960MHz，高频1710～2620MHz的通讯需求。

Description

双寄生LTE天线

技术领域

本实用新型涉及一种通讯天线，尤其是指一种双寄生LTE天线。

背景技术

现有的天线产品的结构设计上带宽较窄，一般只能满足3G产品需求。而随着技术的发展，人们对无线通讯的速率也提出了更高要求。4G应运而生，时下的4G即LTE Advanced。LTE是应用于手机及数据卡终端的高速无线通讯标准，其有能力提供300Mbit/s的下载速率和75Mbit/s的上传速率。在E-UTRA环境下可借助QOS技术实现低于5ms的延迟。LTE可提供高速移动中的通信需求，支持多播和广播流。LTE频段扩展度好，支持1.4MHZ至20MHZ的时分多址和码分多址频段。全IP基础网络结构，也被称作核心分组网演进，将替代原先的GPRS核心分组网，可向原先较旧的网络如GSM、UMTS和CDMA2000提供语音数据的无缝切换。而为了实现LTE的通讯，对应的新天线结构设计也成为业内竞争的焦点。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是：提供一种可拓展支持4G频段的双寄生LTE天线。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为：一种双寄生LTE天线，它包括第一辐射单元、第二辐射单元、第三辐射单元、第四辐射单元、第五辐射单元、第一寄生单元及第二寄生单元；所述第二辐射单元呈两级台阶形，其较矮的一级台阶的端部连接第一辐射单元，另一级台阶端部连接第三辐射单元；

所述第一辐射单元的一端与第二辐射单元相连，另一端间隔于较矮的一级台阶沿第二辐射单元另一级台阶方向延伸形成有第一水平段、第一水平段端部向上延伸形成有第一竖直段、第一竖直段端部沿第二辐射单元另一级台阶方向延伸形成有第二水平段；

所述第三辐射单元包括第三竖直部，第三竖直部左部与第二辐射单元相连、右部连接第四辐射单元、上部沿第一辐射单元方向延伸形成第三水平段、下部连接第五辐射单元；

所述第五辐射单元呈条状，其端部设有信号馈电；

于第五辐射单元两侧间隔设有第一寄生单元及第二寄生单元；于第一寄生单元端部设有第一接地馈电；于第二寄生单元端部设有第二接地馈电；

上述结构中，所述第一辐射单元的第一水平段与第二辐射单元较矮的一级台阶间隔0.5-1.2mm；

上述结构中，所述第一寄生单元与第五辐射单元间隔0.5-0.8mm；

上述结构中，所述第二寄生单元与第五辐射单元间隔0.5-0.8mm；

上述结构中，所述第二辐射单元的两级台阶宽1.2-1.8mm；

上述结构中，所述第三辐射单元的第三水平段与第二辐射单元的另一级台阶间隔8-10mm。

本实用新型的有益效果在于：将天线设计为上述结构，可将天线支持3G通讯频段基础上拓宽至4G频段，从而实现低频824～960MHZ，高频1710～2620MHZ的通讯需求。

附图说明

下面结合附图详述本实用新型的具体结构

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型的应用结构示意图；

图3为本实用新型具体示例的VSWR自由空间测试图；

图4为本实用新型具体示例的RL自由空间测试图。

1-第一辐射单元；2-第二辐射单元；3-第三辐射单元；4-第四辐射单元；5-第五辐射单元；6-第一寄生单元；7-第二寄生单元；8-第一接地馈电；9-信号馈电；10-第二接地馈电；A第一间隙；B-第二间隙；C-第三间隙；D-第四间隙；100-基板。

具体实施方式

为详细说明本实用新型的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。

请参阅图1、2，一种双寄生LTE天线，它包括第一辐射单元1、第二辐射单元2、第三辐射单元3、第四辐射单元4、第五辐射单元5、第一寄生单元6及第二寄生单元7。所述第二辐射单元2呈两级台阶形，其较矮的一级台阶的端部连接第一辐射单元1，另一级台阶端部连接第三辐射单元3。

所述第一辐射单元1一端与第二辐射单元2相连，另一端间隔于较矮的一级台阶沿第二辐射单元2另一级台阶方向延伸形成有第一水平段、第一水平段端部向上延伸形成有第一竖直段、第一竖直段端部沿第二辐射单元2另一级台阶方向延伸形成有第二水平段。

所述第三辐射单元3包括第三竖直部，第三竖直部左部与第二辐射单元2相连、右部连接第四辐射单元4、上部沿第一辐射单元1方向延伸形成第三水平段、下部连接第五辐射单元5。

所述第五辐射单元5呈条状，其端部设有信号馈电9。于第五辐射单元5两侧间隔设有第一寄生单元6及第二寄生单元7；于第一寄生单元6端部设有第一接地馈电8；于第二寄生单元7端部设有第二接地馈电10。这里的第一寄生单元6与第二寄生单元7主要是用于与第五辐射单元5耦合产生LTE频段谐振。

从上述描述可知，本实用新型的有益效果在于：将天线设计为上述结构，可将天线支持3G通讯频段基础上拓宽至4G频段，从而实现低频824～960MHZ，高频1710～2620MHZ的通讯需求。

实施例1：

上述结构中，所述第一辐射单元1的第一水平段与第二辐射单元2较矮的一级台阶间隔的第一间隙A的大小将影响低频带宽，经结合大量实验得出，该第一间隙A在0.5-1.2mm最佳。

实施例2：

上述结构中，所述第一寄生单元6与第五辐射单元5间隔的第三间隙C的大小将会影响高频带宽，经结合大量实验得出，该第三间隙C在0.5-0.8mm最佳。

实施例3：

上述结构中，所述第二寄生单元7与第五辐射单元5间隔的第四间隙D的大小将会影响高频带宽，经结合大量实验得出，该第四间隙D在0.5-0.8mm最佳。

实施例4：

上述结构中，所述第二辐射单元2的两级台阶宽将影响低频阻抗，结合大量实验得出该台阶宽在1.2～1.8mm最佳，且该尺寸的变化低频阻抗影响较为敏感。

实施例5：

上述结构中，所述第三辐射单元3的第三水平段与第二辐射单元2的另一级台阶间隔的第二间隙B影响高频带宽，结合大量实验得出该第二间隙B在8-10mm最佳。

具体示例：

作为一种应用，本专利双寄生LTE天线的第一辐射单元1的长度可用于调整低频工作频率，其线宽影响低频带宽，其实际尺寸根据所要支持的低频需求调整即可。而上述的第三辐射单元3可作为DCS/TD谐振生成单元，其线宽影响高频带宽，线长决定工作频率，实际尺寸根据使用需求调整即可。而第四辐射单元4的尺寸则是直接影响高频工作频率，其实际尺寸根据高频需求调整。最后，第五辐射单元5则是作为高低频共用段，其线宽对高低频均产生较大影响，因此其尺寸的调整应当同时兼顾高低频的需要。

参见图3、4为基于本专利结构设计的双寄生LTE天线的VSWR及RL测试图，从图示效果可以看出，此天线低频可覆盖824～960MHz，高频可覆盖1710～2700MHz，完全可以满足目前所需的2G、3G、4G天线通讯需求。

以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (6)

1.一种双寄生LTE天线，其特征在于：它包括第一辐射单元、第二辐射单元、第三辐射单元、第四辐射单元、第五辐射单元、第一寄生单元及第二寄生单元；所述第二辐射单元呈两级台阶形，其较矮的一级台阶的端部连接第一辐射单元，另一级台阶端部连接第三辐射单元；

所述第一辐射单元的一端与第二辐射单元相连，另一端间隔于较矮的一级台阶沿第二辐射单元另一级台阶方向延伸形成有第一水平段、第一水平段端部向上延伸形成有第一竖直段，第一竖直段端部沿第二辐射单元另一级台阶方向延伸形成有第二水平段；

所述第三辐射单元包括第三竖直部，第三竖直部左部与第二辐射单元相连、右部连接第四辐射单元、上部沿第一辐射单元方向延伸形成第三水平段、下部连接第五辐射单元；

所述第五辐射单元呈条状，其端部设有信号馈电；

于第五辐射单元两侧间隔设有第一寄生单元及第二寄生单元；于第一寄生单元端部设有第一接地馈电；于第二寄生单元端部设有第二接地馈电。

2.如权利要求1所述的双寄生LTE天线，其特征在于：所述第一辐射单元的第一水平段与第二辐射单元较矮的一级台阶间隔0.5-1.2mm。

3.如权利要求1所述的双寄生LTE天线，其特征在于：所述第一寄生单元与第五辐射单元间隔0.5-0.8mm。

4.如权利要求1所述的双寄生LTE天线，其特征在于：所述第二寄生单元与第五辐射单元间隔0.5-0.8mm。

5.如权利要求1所述的双寄生LTE天线，其特征在于：所述第二辐射单元的两级台阶宽1.2-1.8mm。

6.如权利要求1所述的双寄生LTE天线，其特征在于：所述第三辐射单元的第三水平段与第二辐射单元的另一级台阶间隔8-10mm。