CN204131089U - 一种电子***的过热保护电路和电子*** - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种电子***的过热保护电路和电子***,该电子***包括:***工作电源、与***工作电源的使能端连接的微控制单元MCU以及与MCU连接的温度感应器,MCU在温度感应器检测到的温度等于或大于第一阀值时通过使能端关闭***工作电源,该过热保护电路包括:温度监测电路和控制电路;控制电路与温度监测电路连接,还与***工作电源的使能端连接;控制电路在温度监测电路监测到温度值等于或大于第二阀值时通过使能端关闭所述***工作电源;其中,第二阀值大于第一阀值。本实用新型这种电子***的过热保护电路,在MCU不能控制断开电子***的工作电源时,启动保护关掉工作电源,达到高安全度的过热保护,防止安规事件的发生。
Description
技术领域
本实用新型涉及电子***过热保护领域,具体涉及一种电子***的过热保护电路和电子***。
背景技术
电子***日益成为生活中的一部分,随着电子***的越来越复杂,其处理的数据量也越来越大,这就导致了包括处理器在内的各种电子器件所产生的热量也越来越大。如果电子***的散热***出现异常或者没有达到理想效果,电子***会被烧毁,甚至造成安规事件。因而现有技术中基本上都会对电子***附加过热保护的方案。图1示出了现有技术的过热保护电路,参见图1,现有的过热保护方案,基本上都是在电子***的微控制单元MCU接上I2C接口的数字温度感应器。数字温度感应器放置在高温点,MCU随时通过I2C读取数字温度感应器的温度,当温度达到MCU设置的保护点时,MCU关掉处理器等运行芯片的电源使能信号,从而使处理器以及其他功能芯片不工作,减小甚至关闭了热源。
现有技术的弊端是,当温度或者其他外部原因导致MCU发生异常(例如死机)时,MCU不能根据温度感应器的温度去关掉电源,进而导致无法关掉热源,处理器继续工作,温度继续升高,具有极大的发生安规事件风险。
实用新型内容
本实用新型提供了一种电子***的过热保护电路和电子***,以解决电子***温度过高的情况下,MCU不能正常关闭***工作电源从而具有极大的发生安规事件风险的问题。
为达到上述目的,本实用新型的技术方案是这样实现的:
根据本实用新型的一个方面,提供了一种电子***的过热保护电路,该电子***包括:***工作电源、与***工作电源的使能端连接的微控制单元MCU以及与MCU连接的温度感应器,MCU在温度感应器检测到的温度等于或大于第一阀值时通过使能端关闭***工作电源,该过热保护电路包括:温度监测电路和控制电路;
控制电路与温度监测电路连接,还与***工作电源的使能端连接;
控制电路在温度监测电路监测到温度值等于或大于第二阀值时通过使能端关闭***工作电源;
其中,第二阀值大于第一阀值。
可选地,控制电路还与MCU的重置端连接,当温度监测电路监测到的温度等于或大于第二阀值时通过重置端重置MCU。
可选地,温度监测电路包括:用于感应温度的过热保护芯片和第一电阻;
过热保护芯片的输出端与控制电路连接;
第一电阻的一端与过热保护芯片连接,另一端接地。
可选地,***工作电源包括N个电源,N为大于等于1的正整数;
控制电路包括:N+1个二极管;
N个二极管中的每个二极管的负极分别连接过热保护芯片的输出端,N个二极管中的每个二极管的正极分别连接N个电源中每个电源的使能端;
一个二极管的负极连接过热保护芯片的输出端,一个二极管的正极接MCU的重置引脚。
可选地,***工作电源包括N个电源,N为大于等于1的正整数;
控制电路包括:N+1个MOS管以及N+1个上拉电阻;
N个MOS管中的每个MOS管的源极分别连接过热保护芯片的输出端,N个MOS管中的每个MOS管的漏极分别连接N个电源中每个电源的使能端,N个MOS管中的每个MOS管的栅极经与该MOS管并联的上拉电阻分别接入N个电源中每个电源的使能端;
一个MOS管的源极连接过热保护芯片的输出端,一个MOS管的漏极接MCU的重置引脚,一个MOS管的栅极经与该MOS管并联的上拉电阻接入MCU的重置引脚;
或者
控制电路包括:N+1个三极管以及N+1个上拉电阻;
N个三极管中的每个三极管的发射极分别连接过热保护芯片的输出端,N个三极管中的每个三极管的集电极分别连接N个电源中每个电源的使能端,N个三极管中的每个三极管的基极经与该三极管并联的上拉电阻分别接入N个电源中每个电源的使能端;
一个三极管的发射极连接所述过热保护芯片的输出端,一个三极管的集电极接MCU的重置引脚,一个三极管的基极经与该三极管并联的上拉电阻接入MCU的重置引脚。
可选地,温度监测电路还包括与***工作电源独立的独立电源;
过热保护芯片的一个引脚连接独立电源,过热保护芯片的一个引脚接地。
可选地,第二阀值比第一阀值高3~5度。
可选地,N+1个MOS管均为NMOS管,N+1个三极管均为NPN型三极管。
可选地,过热保护电路还包括延时电路,控制电路通过延时电路与电子***MCU的重置端连接。。
根据本实用新型的另一个方面,提供了一种电子***,该电子***包括如本实用新型一个方面的过热保护电路。
本实用新型的这种电子***过热保护电路,能够在***温度过高而MCU发生异常不能控制电子***进行过热保护的情况下,启动保护,从而关掉第一电源以及处理器CPU的电源,达到高安全度的过热保护,最大程度的防止安规事件发生的目的。
附图说明
图1是现有技术的过热保护电路的电路图;
图2是本实用新型一个实施例的一种电子***过热保护电路的框图;
图3是本实用新型一个实施例的一种电子***过热保护电路的电路图;
图4是本实用新型一个实施例的一种电子***过热保护电路的电路图;
图5是本实用新型一个实施例的一种电子***过热保护电路的电路图;
图6是本实用新型一个实施例的一种电子***过热保护电路的电路图;
图7是本实用新型一个实施例的一种电子***过热保护电路的电路图;
图8是本实用新型一个实施例的一种电子***的框图。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本实用新型实施方式作进一步地详细描述。
为了更好的理解本实用新型这种电子***的过热保护电路,以下结合图1先对现有技术中的过热保护的方案进行说明。参见图1,CPU和其他芯片是产生热量的热源,MCU通过使能端打开或关闭***工作电源,第一电源和CPU电源都是***工作电源,CPU电源主要是为***CPU供电,第一电源主要是为除CPU以外的芯片器件供电的,两个电源均由MCU来控制打开和关闭。MCU是一个具有I2C(Inter-Integrated Circuit)接口和GPIO(GeneralPurpose Input Output,通用输入/输出)引脚的处理控制芯片(例如是电源管理芯片),通过I2C总线连接到数字温度感应器;数字温度感应器设在***的热源附近能够实时侦测电子***的温度并且转换成数字信号,存入I2C总线的寄存器里,MCU通过读取寄存器中的温度从而得知***当前的温度。MCU中设置温度触发点(第一阀值),数字温度感应器侦测所在位置的温度并且通过I2C总线传输给MCU,当MCU读取到的温度等于或者大于第一阀值时,MCU将***工作电源的使能端拉低,关闭CPU电源和第一电源,从而使得CPU和其他芯片不工作,消除了热源。
随着电子***处理的数据量增大,***的温度会随之升高,正常情况下,MCU会侦测到***当前的温度达到其预设的第一阀值,此时,MCU会通过使能端切断电子***的工作电源,以保护电子***,避免安规事件的发生。然而,如果MCU发生了异常,例如MCU当机的情况下,电子***的温度继续升高,会带来严重的后果。
本实用新型的核心思想是针对现有技术中电子***温度过高而MCU又不能控制进行过热保护的问题,利用纯硬件的过热保护芯片,附加在数字温度感应器的旁边,来弥补数字温度感应器的不足,同时加上相应的逻辑器件以确保过热保护芯片的有效安全利用和检查数字温度***的有效性。纯硬件过热保护芯片可以侦测温度,并且通过设置电阻的阻值设定电子***的过热保护点。过热保护芯片通过逻辑器件侦测MCU如果没有正常工作的情况下,启动保护关掉MCU电源以及处理器电源等电源,从而达到高安全度的过热保护,减少发生安规事件风险的目的。
图2是本实用新型一个实施例的一种电子***过热保护电路的框图;参见图2,该电子***包括:***工作电源201、与***工作电源201的使能端连接的微控制单元MCU202以及与MCU202连接的温度感应器203,MCU202在温度感应器203监测到的温度大于或等于第一阀值时通过使能端关闭***工作电源201,该电子***的过热保护电路200包括:温度监测电路204和控制电路205;
控制电路205与温度监测电路204连接,还与***工作电源201的使能端连接;
控制电路205在温度监测电路204监测到温度值等于或大于第二阀值时通过使能端关闭***工作电源201;
其中,第二阀值大于第一阀值。
本实用新型的这种电子***的过热保护电路,在电子***中设置温度监测电路和控制电路,通过温度监测电路和控制电路,实时监测电子***当前的温度值,在监测到的温度达到预设的第二阀值时,控制电路通过使能端控制***工作电源关闭,从而防止电子***温度过高导致安规事件等严重后果的发生。
在本实用新型的一个实施例中,控制电路还与MCU的重置端连接,当温度监测电路监测到的温度等于或大于第二阀值时通过重置端重置MCU。图3是本实用新型一个实施例的一种电子***过热保护电路的电路图;参见图3,***工作电源的个数N=2,即电子***包括两个电源分别为:第一电源和CPU电源;控制电路包括:3个二极管,分别为:二极管D1、二极管D2和二极管D3;温度监测电路包括:用于感应温度的过热保护芯片和第一电阻;
第一电阻的一端与过热保护芯片连接,另一端接地。
二极管D1的负极连接过热保护芯片的输出端,二极管D1的正极连接第一电源的使能端;
二极管D2的负极连接过热保护芯片的输出端,二极管D2的正极连接CPU电源的使能端;
二极管D3的负极连接过热保护芯片的输出端,二极管D3的正极接MCU的重置引脚。
在本实施例的这种过热保护电路中,利用二极管D1,D2,D3的单向导通特性,防止***正常工作状态下,过热保护芯片的状态影响到***工作电源的使能端以及MCU的重置引脚。
在本实施例中,通过改变第一电阻的值可以设置不同的第二阀值,第一电阻可以是定值电阻,在电路布设之初就设置好固定的第二阀值;也可以是滑动变阻器或者变阻箱,实现人工设置第二阀值;还可以是由电子开关和定值电阻组成的多个电阻并联支路,通过导通或者断开不同的电阻支路,获得不同的阻值,实现第二阀值设置。电子***温度的变化会引起过热保护芯片中的热敏电阻阻值的变化,过热保护芯片可以感应温度,通过热敏电阻阻值或者分压进而得知电子***当前的温度值是否达到第二阀值,当电子***当前温度达到第二阀值时将输出端设为低电平。
本实施例的这种过热保护电路还包括独立于电子***工作电源的独立电源,独立电源与过热保护芯片连接以对其进行供电,独立电源电压为5V。
参见图3,本实用新型的这种过热保护电路的具体工作过程为:
本实用新型的这种过热保护电路主要是在MCU不能起作用的情况下使用,所以本电路中温度保护点(即第二阀值)的设置要合理大于数字温度感应器的温度保护点(即第一阀值),优选的,第二阀值比第一阀值高3~5度。
电子***过热时,如果MCU当机或者发生其他异常的情况不能控制第一电源和CPU电源的使能端并进而关闭第一电源和CPU电源的情况下,***的温度会继续升高,过热保护芯片通过第一电阻的阻值判断电子***当前的温度值达到了预设的第二阀值,此时,过热保护芯片将输出端设为低电平,通过二极管D1、D2拉低第一电源的使能端和CPU电源的使能端从而关掉CPU和其他工作器件,消除热源,避免严重后果的发生,保护了电子***。同时,通过二极管D3初始化MCU,使得MCU恢复正常工作状态。
本实施例中,第一电阻使用高精度的电阻,例如精度为0.5%的电阻或者更高精度的电阻。过热保护芯片采用纯硬件电路和结构来实现的芯片,例如是G709T1UF型号的过热保护芯片,不需要借助软件编程,本实用新型中温度监测和过热保护控制消除电子***的热源功能的实现是利用了现有技术中的这种G709T1UF型号芯片内部的硬件电路和结构,不涉及对方法的改进。虽然现有技术中存在实现温度监测功能的芯片,但是现有技术中不存在将该芯片应用于本实用新型的这种过热保护电路解决电子***过热,MCU不工作情况下的电子***过热进而导致的安全问题。
图4是本实用新型一个实施例的一种电子***过热保护电路的电路图;参见图4,***工作电源的个数N=2,即电子***包括两个电源分别为:第一电源和CPU电源;控制电路包括:3个MOS管分别为:MOS管Q1、Q2、Q3;以及与3个MOS管分别并联的上拉电阻R2、R3和R4;温度监测电路包括:用于感应温度的过热保护芯片和第一电阻;
MOS管Q1的源极连接过热保护芯片的输出端,MOS管Q1的漏极连接第一电源的使能端,MOS管Q1的栅极经上拉电阻R2接入第一电源的使能端;MOS管Q2的源极连接过热保护芯片的输出端,MOS管Q2的漏极连接CPU电源的使能端,MOS管Q2的栅极经上拉电阻R3接入CPU电源的使能端;MOS管Q3的源极连接过热保护芯片的输出端,MOS管Q3的漏极接MCU的重置引脚,MOS管Q3的栅极经上拉电阻R4接入MCU的重置引脚。
参见图4,本实用新型的这种过热保护电路的具体工作过程为:
若电子***的温度值小于过热保护芯片设定的温度保护点(即第二阀值),过热保护芯片的输出端为高电平,MOS管Q1,Q2,Q3处于截止状态,电子***正常工作或者由MCU来控制进行过热保护。
当电子***的温度继续升高到等于或者大于过热保护芯片设定的温度保护点(即第二阀值)时,过热保护芯片的输出端为低电平,MOS管Q1、Q2和Q3导通,拉低第一电源的使能端和CPU电源的使能端,以关闭第一电源和CPU电源,同时MCU的重置端被拉低。
在本实施例中,MOS管Q1、Q2和Q3均为N沟道MOSFET。
图5是本实用新型一个实施例的一种电子***过热保护电路的电路图;参考图5,在本实用新型的其他实施例中,MOS管Q1、Q2和Q3还可以替换为NPN型三极管,三个三极管中的每个三极管的发射极分别连接过热保护芯片的输出端,集电极分别连接两个电源中每个电源的使能端,基极经与该三极管并联的上拉电阻分别接入两个电源中每个电源的使能端;
一个三极管的发射极连接过热保护芯片的输出端,集电极接MCU的重置引脚,基极经与该三极管并联的上拉电阻接入MCU的重置引脚。本实施例的过热保护电路的具体工作过程图4的过热保护电路的工作过程类似,在此不再赘述。
图6是本实用新型一个实施例的一种电子***过热保护电路的框图;参见图6,该电子***包括:***工作电源201、与***工作电源201的使能端连接的微控制单元MCU202以及与MCU202连接的温度感应器203,MCU202在温度感应器203监测到的温度大于或等于第一阀值时通过使能端关闭***工作电源201,该电子***的过热保护电路200包括:温度监测电路204、控制电路205和延时电路206;
控制电路205与温度监测电路204连接,还与***工作电源201的使能端连接,在温度监测电路204监测到温度值等于或大于第二阀值时,控制电路205通过使能端关闭***工作电源201,其中,第二阀值大于第一阀值。同时控制电路205还通过延时电路206与MCU的重置端连接,当温度监测电路监测到的温度等于或大于第二阀值时,控制电路205通过延时电路延时一定时间后重置MCU,从而使得当温度过高且MCU异常时,能够控制***工作电源关闭,并在***温度下降一段时间后(在延时时间内***温度会下降)重启MCU,进一步保护MCU、CPU及其他芯片器件,防止电子***温度过高导致安规事件等严重后果的发生,延长电子***使用寿命。
参考图7,本实施例的延时电路由电阻R5、电容C和二极管D4组成。其中,电阻R5与二极管D4两端并联,一端连接过热保护芯片的输出端,另一端连接控制电路控制MCU重置端的输入端(图7中Q3的发射极)。当过热保护芯片起作用时(即当电子***的温度继续升高到等于或者大于过热保护芯片设定的温度保护点——第二阀值时,过热保护芯片的输出端为低电平),通过二极管D4拉低,用电阻R5、电容C延时,从而经过一定时间后重置MCU;当过热保护芯片为高时(即电子***的温度值小于过热保护芯片设定的温度保护点——第二阀值,过热保护芯片的输出端为高电平),由于电阻R5、电容C延时,二极管D4不会直接为高而导通,从而不会重置MCU。由此可见,本实施例的这种电子***的过热保护电路,在电子***中设置温度监测电路、控制电路和延时电路,通过温度监测电路和控制电路,实时监测电子***当前的温度值,在监测到的温度达到预设的第二阀值时,控制电路通过使能端关闭***电源,同时,延时一段时间后拉低MCU的重置端进行MCU重置;当温度降到过热保护芯片的温度保护点以下时,过热保护芯片恢复高电平,MCU工作并根据数字温度感应器监测电子***的温度,进行***电源的通断控制。
综上,本实用新型的这种电子***的过热保护电路,利用纯硬件的过热保护芯片,来弥补利用数字温度感应器和MCU实现的过热保护方案的不足,另外利用相应的逻辑器件以确保过热保护芯片的有效安全利用和检查数字温度***的有效性。该电路能够在MCU如果没有正常工作的情况下,启动保护,关掉处理器CPU电源和***的其他工作电源,从而达到高安全度的过热保护,最大程度上防止安规事件的发生。
图8是本实用新型一个实施例的一种电子***的框图,参考图8,本实用新型还提供了一种电子***,该电子***800包括:本实用新型提供的这种电子***的过热保护电路200。
该电子***由于集成了电子***的过热保护电路200,减少内部器件温度过高烧坏电子***的风险,因而具有更高的安全度。
需要说明的是,本实用新型的这种电子***的过热保护电路是对现有的过热保护电路构造进行的改进,通过对二极管、电阻、过热保护芯片或MOS管电子元器件进行结构性安排,以解决现有的过热保护方案在MCU发生异常而不能控制断开***工作电源以保护电子***的问题。其中,本实用新型采用的过热保护芯片是一种纯硬件实现的芯片不需要依赖计算机程序等软件编程方法。总之,本实用新型提供的这种电子***的过热保护电路和电子***的技术方案不包含任何对方法的改进。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并非用于限定本实用新型的保护范围。凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进等,均包含在本实用新型的保护范围内。
Claims (10)
1.一种电子***的过热保护电路,所述电子***包括:***工作电源、与所述***工作电源的使能端连接的微控制单元MCU以及与所述MCU连接的温度感应器,所述MCU在所述温度感应器检测到的温度等于或大于第一阀值时通过所述使能端关闭所述***工作电源,其特征在于,所述过热保护电路包括:温度监测电路和控制电路;
所述控制电路与所述温度监测电路连接,还与所述***工作电源的使能端连接;
所述控制电路在所述温度监测电路监测到温度值等于或大于第二阀值时通过所述使能端关闭所述***工作电源;
其中,所述第二阀值大于所述第一阀值。
2.如权利要求1所述的过热保护电路,其特征在于,所述控制电路还与所述MCU的重置端连接,当所述温度监测电路监测到的温度等于或大于第二阀值时通过所述重置端重置所述MCU。
3.如权利要求2所述的过热保护电路,其特征在于,所述温度监测电路包括:用于感应温度的过热保护芯片和第一电阻;
所述过热保护芯片的输出端与所述控制电路连接;
所述第一电阻的一端与所述过热保护芯片连接,另一端接地。
4.如权利要求3所述的过热保护电路,其特征在于,所述***工作电源包括N个电源,N为大于等于1的正整数;
所述控制电路包括:N+1个二极管;
所述N个二极管中的每个二极管的负极分别连接所述过热保护芯片的输出端,所述N个二极管中的每个二极管的正极分别连接所述N个电源中每个电源的使能端;
所述一个二极管的负极连接所述过热保护芯片的输出端,所述一个二极 管的正极接所述MCU的重置引脚。
5.如权利要求3所述的过热保护电路,其特征在于,所述***工作电源包括N个电源,N为大于等于1的正整数;
所述控制电路包括:N+1个MOS管以及N+1个上拉电阻;
所述N个MOS管中的每个MOS管的源极分别连接所述过热保护芯片的输出端,所述N个MOS管中的每个MOS管的漏极分别连接所述N个电源中每个电源的使能端,所述N个MOS管中的每个MOS管的栅极经与该MOS管并联的上拉电阻分别接入所述N个电源中每个电源的使能端;
所述一个MOS管的源极连接所述过热保护芯片的输出端,所述一个MOS管的漏极接所述MCU的重置引脚,所述一个MOS管的栅极经与该MOS管并联的所述上拉电阻接入所述MCU的重置引脚;或者
所述控制电路包括:N+1个三极管以及N+1个上拉电阻;
所述N个三极管中的每个三极管的发射极分别连接所述过热保护芯片的输出端,所述N个三极管中的每个三极管的集电极分别连接所述N个电源中每个电源的使能端,所述N个三极管中的每个三极管的基极经与该三极管并联的上拉电阻分别接入所述N个电源中每个电源的使能端;
所述一个三极管的发射极连接所述过热保护芯片的输出端,所述一个三极管的集电极接所述MCU的重置引脚,所述一个三极管的基极经与该三极管并联的所述上拉电阻接入所述MCU的重置引脚。
6.如权利要求3所述的过热保护电路,其特征在于,
所述温度监测电路还包括与所述***工作电源独立的独立电源;
所述过热保护芯片的一个引脚连接所述独立电源,所述过热保护芯片的一个引脚接地。
7.如权利要求5所述的过热保护电路,其特征在于,所述N+1个MOS管均为NMOS管,或者所述N+1个三极管均为NPN型三极管。
8.如权利要求5所述的过热保护电路,其特征在于,所述第二阀值比所述第一阀值高3~5度。
9.如权利要求2至7中任一项所述的过热保护电路,其特征在于,
所述过热保护电路还包括延时电路,所述控制电路通过所述延时电路与所述电子***MCU的重置端连接。
10.一种电子***,其特征在于,所述电子***包括权利要求1至9中任一项所述的过热保护电路。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
AV01 | Patent right actively abandoned |
Granted publication date: 20150128 Effective date of abandoning: 20170524 |
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AV01 | Patent right actively abandoned |