CN204028740U - 一种应用于ldo的过流保护电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种应用于LDO的过流保护电路,它包括LDO芯片,MOS管M1-M9、MP1、MP2,保险电阻R1、R2、RF1、RF2,其中,所述的LDO芯片输出端分别连接MP1、M1、M2、M3、M4的栅极和MP2的漏极,M1的漏极连接M2的源极,M2的漏极连接M3的源极,M3的漏极连接M4的源极,M4的漏极连接M5的源极,M5的栅极、M8的栅极、M8的漏极、M7的漏极相连接,RF1的另一端连接RF2和LDO芯片的反馈输入负极。本实用新型的有益效果是:当功率调整管电流增大到某一定值时,与LDO输出端相连的MOS管打开,抽取输出端电流,防止反馈支路电流过大,达到了过流保护的目的。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种应用于LDO的过流保护电路,属于电子技术领域。
背景技术
随着半导体工艺技术的提高以和便携式电子产品的迅猛发展,电源IC(集成电路)有了长足的进展。电源IC产品主要包括线性稳压器(LDO)、开关电源、AC/DC稳压器(交流/直流稳压器)以及功率因数校正(PFC)预稳器等。而其中线性稳压器是最常用的电源管理芯片,由于线性稳压器使用方便、体积小、性能良好和可靠性高等优点,所以在电源管理市场中占有很大比重。由于LDO芯片工作时所消耗的功耗取决于输入电压、负载等外部条件,在某些异常情况下,芯片内部的功耗会变得很大,导致短路大电流会使功率调整管被烧坏。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种应用于LDO的过流保护电路,克服现有技术的不足,起到过流保护的作用。
本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的:一种应用于LDO的过流保护电路,它包括LDO芯片,MOS管M1-M9、MP1、MP2,保险电阻R1、R2、RF1、RF2,其中,所述的LDO芯片输出端分别连接MP1、M1、M2、M3、M4的栅极和MP2的漏极,MP1、M1、MP2的源极和R2相连为电路的电压输入点,MP1的漏极连接RF1和R1为电路的输出点,M1的漏极连接M2的源极,M2的漏极连接M3的源极,M3的漏极连接M4的源极,M4的漏极连接M5的源极,M5的栅极、M8的栅极、M8的漏极、M7的漏极相连接,M8的源极连接R1的另一端,M5的漏极、M6的漏极、M6的栅极、M7的栅极、M9的栅极相连接,M9、M6、M7的源极接地,RF1的另一端连接RF2和LDO芯片的反馈输入负极,LDO芯片的正极输入基准电压,RF2的另一端接地,M9的漏极连接R2的另一端和MP2的栅极。
所述的MOS管M1-M4的尺寸相同。
本实用新型的有益效果在于:当功率调整管电流增大到某一定值时,与LDO输出端相连的MOS管打开,抽取输出端电流,防止反馈支路电流过大,达到了过流保护的目的。
附图说明
图1为本实用新型的电路图。
具体实施方式
下面结合附图进一步描述本实用新型的技术方案,但要求保护的范围并不局限于所述。
如图1,一种应用于LDO的过流保护电路,它包括LDO芯片,MOS管M1-M9、MP1、MP2,保险电阻R1、R2、RF1、RF2,其中,所述的LDO芯片输出端分别连接MP1、M1、M2、M3、M4的栅极和MP2的漏极,MP1、M1、MP2的源极和R2相连为电路的电压输入点,MP1的漏极连接RF1和R1为电路的输出点,M1的漏极连接M2的源极,M2的漏极连接M3的源极,M3的漏极连接M4的源极,M4的漏极连接M5的源极,M5的栅极、M8的栅极、M8的漏极、M7的漏极相连接,M8的源极连接R1的另一端,M5的漏极、M6的漏极、M6的栅极、M7的栅极、M9的栅极相连接,M9、M6、M7的源极接地,RF1的另一端连接RF2和LDO芯片的反馈输入负极,LDO芯片的正极输入基准电压,RF2的另一端接地,M9的漏极连接R2的另一端和MP2的栅极。
所述的MOS管M1-M4的尺寸相同。
其中,M4和M5之间设置有一个参考电压点Q,M5、M8的作用是箝位Q点电压与输出电压VOUT,功率调整管接入输出电压VOUT,从而使得M1-M4的VDS电压与功率调整管接近,保证镜像精度,使之能够更准确的感应功率调整管的电流。M1-M4管是4个串联在一起的尺寸相同管子,串联的目的是为了减少静态电流,而且与功率调整管尺寸相匹配,用来感应功率调整管的电流,当功率调整管电流增大到一定程度时,M5的电流也增大,M6的栅极电压增大,从输出端抽取电流,使得反馈支路电流不至于过大,同时由于M6的栅极电压增大使得M9导通,同时MP1导通,给MP1栅极的VG点注入电流从而MP1栅极的VG点电压升高,此时功率调整管电流减少,防止了功率调整管因为大电流而被烧坏,从而实现了功率调整管过流保护的作用。
Claims (2)
1.一种应用于LDO的过流保护电路,其特征在于:它包括LDO芯片,MOS管M1-M9、MP1、MP2,保险电阻R1、R2、RF1、RF2,其中,所述的LDO芯片输出端分别连接MP1、M1、M2、M3、M4的栅极和MP2的漏极,MP1、M1、MP2的源极和R2相连并作为电路的电压输入点,MP1的漏极连接RF1和R1为电路的输出点,M1的漏极连接M2的源极,M2的漏极连接M3的源极,M3的漏极连接M4的源极,M4的漏极连接M5的源极,M5的栅极、M8的栅极、M8的漏极、M7的漏极相连接,M8的源极连接R1的另一端,M5的漏极、M6的漏极、M6的栅极、M7的栅极、M9的栅极相连接,M9、M6、M7的源极接地,RF1的另一端连接RF2和LDO芯片的反馈输入负极,LDO芯片的正极输入基准电压,RF2的另一端接地,M9的漏极连接R2的另一端和MP2的栅极。
2.根据权利要求1所述的应用于LDO的过流保护电路,其特征在于:所述的MOS管M1-M4的尺寸相同。
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