CN203950895U - 高频氮化铝陶瓷10瓦18dB衰减片 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种高频氮化铝陶瓷10瓦18dB衰减片，其包括一长5mm、宽2.5mm、厚度1mm的氮化铝陶瓷基板，所述氮化铝陶瓷基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及膜状电阻，所述导线连接所述电阻形成典型的π型衰减电路，所述衰减电路沿所述氮化铝基板的横向中心线对称，所述衰减电路的输出端、输入端分别与一焊盘连接，所述两个焊盘沿所述氮化铝基板的横向中心线对称。该衰减片在案设计上充分考虑了VSWR、衰减值、插损等各项性能指标，高频无感，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，能够满足目前3G网络的应用要求，同时为4G网络做好了准备，并且延伸了10瓦固定电阻式衰减片的系列产品线。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种陶瓷衰减片,特别涉及一种高频氮化铝陶瓷10瓦11dB衰减片。
背景技术
目前集成了多个膜状电阻为一体，通过电阻及线路不同设计的衰减片广泛应用于航空、航天、雷达、电台、广播通讯等设备领域。使用负载片只能单纯地消耗吸收多余的功率，而使用衰减片在吸收反向输入的功率同时还能抽取需要的信号进行分析，并在高频电路上调整功率电平,去耦,对相关设备起到了保护作用。
在国外，特别是欧美国家，对衰减片和负载片研发生产都要比国内起步早很多，无论在产品的丰富性还是产品微波特性上都处于比较优势地位。同时国内市场上现有的衰减片系列少，衰减精度低，且能使用的频段相对较窄。我们希望的衰减器是一个功率消耗元件，不能对两端电路有影响，也就是说，与两端电路都是匹配的。当衰减精度或VSWR达不到要求时，输出端得到的信号不符合实际要求。
发明内容
针对上述现有技术的不足，本实用新型要解决的技术问题是提供一种阻值满足51.6Ω±3％，在3G频段以内衰减精度为18±0.8dB,驻波要求输入、输出端在1.15以内，能够满足目前3G网络的应用要求的高频氮化铝陶瓷10瓦18dB衰减片，取代国外同类产品，并在特性上填补国内产品的空白。
为解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案：
一种氮化铝陶瓷高频10瓦18dB衰减片，其特征在于：包括一长5mm、宽2.5mm、厚度1mm的氮化铝陶瓷基板，所述氮化铝陶瓷基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及膜状电阻，所述导线连接所述电阻形成典型的π型衰减电路，所述衰减电路沿所述氮化铝基板的横向中心线对称，所述衰减电路的输出端、输入端分别与一焊盘连接，所述两个焊盘沿所述氮化铝基板的横向中心线对称。
优选的，所述衰减电镀沿所述氮化铝陶瓷基板中心线对称。
优选的，所述电路基板采用高导热氮化铝陶瓷作为基板。
上述技术方案具有如下有益效果：该高频氮化铝陶瓷基板10瓦18dB衰减片让衰减电路处于一个完全对称的状态，使得电路的稳定性得到提升，同时客户在使用时不需要刻意的区分输入端和输出端，极大的方便了客户，也减少了客户在生产中因为输入输出端焊接错误导致不良品的产生体现了人性化防呆设计,并兼顾了固定电阻式衰减片的各项指标,增加了功率容量，扩大了产品线的范围，也打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于2G-3G的网络,填补了国内的空白。同时不同衰减值的系列产品线扩大了使用范围，给市场多种的选择。
上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本实用新型的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本实用新型的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。
附图说明
图1为本实用新型实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的优选实施例进行详细介绍。
如图1所示，该高频氮化铝陶瓷基板10瓦18dB衰减片包括一长5.0mm、宽2.5mm、厚度1.0mm的陶瓷基板1，氮化铝基板1的背面印刷有背导层，氮化铝基板1的正面印刷有导线2及电阻R1、R2、R3、R4、R5，电阻R1、R2、R3、R4、R5通过导线连接形成衰减电路，衰减电路通过银浆与背导层电连接，从而使衰减电路接地导通。电阻R1、R2、R3、R4、R5上印刷有玻璃保护膜3，导线2及玻璃保护膜3的上表面还印刷有一层黑色保护膜4，这样可对导线2及电阻R1、R2、R3、R4、R5形成保护。
该高频氮化铝陶瓷基板10瓦18dB衰减片要求输入端和接地的阻值为51.6Ω±3％，输出端和接地端的阻值为51.6Ω±3％。信号输入端进入衰减片，经过膜状电阻R1、R2、R5、R3、R4对功率的逐步吸收，从输出端输出实际所需要的信号。
该高频氮化铝陶瓷基板10瓦18dB衰减片让衰减电路处于一个完全对称的状态，使得电路的稳定性得到提升，同时客户在使用时不需要刻意的区分输入端和输出端，极大的方便了客户，也减少了客户在生产中因为输入输出端焊接错误导致不良品的产生体现了人性化防呆设计,并兼顾了固定电阻式衰减片的各项指标,增加了功率容量，扩大了产品线的范围，也打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于2G-3G的网络,填补了国内的空白。同时不同衰减值的系列产品线扩大了使用范围，给市场多种的选择。
以上对本实用新型实施例所提供的一种高频氮化铝陶瓷基板10瓦18dB衰减片进行了详细介绍，对于本领域的一般技术人员，依据本实用新型实施例的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制，凡依本实用新型设计思想所做的任何改变都在本实用新型的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种高频氮化铝陶瓷10瓦18dB衰减片，其特征在于：包括一长5mm、宽2.5mm、厚度1mm的氮化铝陶瓷基板，所述氮化铝陶瓷基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及膜状电阻，所述导线连接所述电阻形成典型的π型衰减电路，所述衰减电路沿所述氮化铝基板的横向中心线对称，所述衰减电路的输出端、输入端分别与一焊盘连接，所述两个焊盘沿所述氮化铝基板的横向中心线对称。
2.根据权利要求1所述的高频氮化铝陶瓷10瓦18dB衰减片，其特征在于：所述衰减电镀沿所述氮化铝陶瓷基板中心线对称。
3.根据权利要求1所述的高频氮化铝陶瓷10瓦18dB衰减片，其特征在于：所述电路基板采用高导热氮化铝陶瓷作为基板。
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