CN203871318U - 双层导线架结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种双层导线架结构，双层导线架由一植晶层及一焊接层所组成，双层导线架以两个以上的单体排列所形成矩形数组，各单体和各单体间设有单体间隙，各单体设有植晶部及焊接部，植晶部及焊接部分别设有两个以上的第一、二导脚，各第一导脚间和各第二导脚间分别设有一绝缘间隙，而各第一、二导脚分别设有两个以上的第一、二通孔，各绝缘间隙、各第一、二通孔及单体间隙则通过绝缘材填充，使得植晶部及焊接部的第一、二导脚、绝缘间隙及第一、二通孔能相互对应紧密结合，且植晶部的绝缘间隙宽度可最小化，以满足微型覆晶封装技术需求。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种LED导线架结构，更详而言之，特别指一种以覆晶封装制程为主的双层导线架结构，其效益为热导性佳、机械耐久力高、成本低，又能适用于高功率LED。
背景技术
公知高功率LED覆晶封装以陶瓷基板为主，陶瓷基板在具有导电通孔的陶瓷基材表面覆上铜金属后，以高温(1065~1085℃)加热，使得铜金属和陶瓷基材黏合，再以蚀刻方式备制线路，其中，陶瓷基材为氮化铝或三氧化二铝，以高温(850~900℃)烧结成型。
而如图1所示，陶瓷基板2的主要结构分为承载LED chip3的植晶部21、陶瓷基材20及焊接部22，其中，陶瓷基材20设置有导电通孔200，陶瓷基材20的制作以高温烧结而成，又陶瓷基板2制作以高温加热将铜金属和陶瓷基材20黏合，故陶瓷基板2的制作成本比导线架高，又陶瓷基材20为氮化铝或三氧化二铝，并和玻璃材料及黏结剂混合均匀成为泥状的浆料后再形成片状，故造成陶瓷基板2容易折损、碎裂及耐久力低，又陶瓷基板2的散热以陶瓷基材20为主，其中，以氮化铝制成的陶瓷基材20其热传导数约在170~230 W/mK，以三氧化二铝制成的陶瓷基材20热传导数约在20~24 W/mK，反观导线架的铜材热传导数约在398 W/mK，故陶瓷基材20的导热效率远低于导线架。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种双层导线架结构，其热导性佳、机械耐久力高及制造成本低。
为了达到上述目的，本实用新型提供一种双层导线架结构，其中由植晶层及焊接层组合而成，又双层导线架结构以两个以上的单体排列所形成矩形数组，各单体和各单体间设有单体间隙，各单体设有植晶部及焊接部，其中：
所述植晶部设有两个以上的第一导脚，各第一导脚和各第一导脚间设有一绝缘间隙，又植晶部的第一导脚设有两个以上的第一通孔；焊接部设有两个以上的第二导脚，各第二导脚和各第二导脚间设有一绝缘间隙，又焊接部的导脚设有两个以上的第二通孔；又以绝缘材填充植晶部及焊接部的第一、二通孔、绝缘间隙及单体间隙，使得植晶部的第一导脚和焊接部的第二导脚，以及植晶部的绝缘间隙和焊接部绝缘间隙对应紧密结合。
所述植晶部和焊接部的绝缘间隙及第一、二通孔由冲压或蚀刻形成。
所述植晶部和焊接部的绝缘间隙及第一、二通孔呈T型或倒T型的形态。
所述绝缘材为热固性材料或热塑性材料。
所述双层导线架为铜材、铁材或铝材制成。
所述植晶部的第一导脚上表面以及焊接部的第二导脚下表面设有金属层。
所述金属层的材料为银、金、镍、钯、锡。
所述植晶部的厚度小于、大于或等于焊接部，使得植晶部的绝缘间隙的最小宽度小于、大于或等于焊接部的绝缘间隙的最小宽度。
一种双层导线架结构，其中由植晶层、黏接层及焊接层组合而成，又双层导线架结构以两个以上的单体排列所形成矩形数组，各单体和各单体间设有单体间隙，各单体设有植晶部、黏接部及焊接部，其中：
所述植晶部设有两个以上的第一导脚，各第一导脚和各第一导脚间设有一绝缘间隙；焊接部设有两个以上的第二导脚，各第二导脚和各第二导脚间设有一绝缘间隙；又以绝缘材填充植晶部及焊接部的绝缘间隙及单体间隙，黏接部设于植晶部及焊接部之间，使得植晶部的第一导脚和焊接部的第二导脚，以及植晶部的绝缘间隙和焊接部的绝缘间隙对应结合而成。
各所述单体的植晶部的第一导脚设有两个以上的第一通孔及焊接部的第二导脚设有两个以上的第二通孔，且各第一、二通孔以绝缘材填充。
所述植晶部和焊接部的绝缘间隙及第一、二通孔由冲压或蚀刻形成。
所述植晶部和焊接部的绝缘间隙及第一、二通孔呈T型或倒T型的形态。
所述绝缘材为热固性材料或热塑性材料。
所述双层导线架为铜材、铁材或铝材。
所述植晶部的第一导脚上表面以及焊接部的第二导脚下表面设有金属层。
所述金属层的材料为银、金、镍、钯、锡。
所述植晶部的厚度小于、大于或等于焊接部，使得植晶部的绝缘间隙的最小宽度小于、大于或等于焊接部的绝缘间隙的最小宽度。
所述黏接部为一导电胶。
所述黏接部设为上黏接部及下黏接部，又该上黏接部位于植晶部的第一导脚下方，及该下黏接部位于焊接部的第二导脚上方，又该黏接部以上黏接部及下黏接部共晶结合而成；所述上黏接部及下黏接部为金、银或锡材料。
采用上述方案后，本实用新型通过植晶部的绝缘间隙宽度可最小化，从而满足微型覆晶封装技术需求，同时以适当薄度的铜材、铁材或铝材制作成植晶层的导线架，又以适当薄度的铜材、铁材或铝材制作成焊接层的导线架组合成双层导线架结构，提升机械耐久力。
附图说明
图1为公知的陶瓷基板示意图；
图2为本实用新型双层导线架结构的实施例一主视图；
图3为图2的A-A向剖视图；
图4为本实用新型双层导线架结构的实施例二主视图；
图5为图4的B-B向剖视图；
图6为本实用新型双层导线架结构的实施例三主视图；
图7为图6的C-C向剖视图。
具体实施方式
为期许本实用新型要解决的技术问题、效果、特征及结构能够有更为详尽的了解，兹举较佳实施例并配合图式说明如下。
首先，请参阅图2和图3，由图2和图3可知，本实用新型的双层导线架1的材质为铜材、铁材或铝材，双层导线架1由一植晶层10及一焊接层11组合而成，又双层导线架1结构以两个以上的单体12排列所形成矩形数组，各单体12和各单体12间设有单体间隙127，各单体12设有植晶部120及焊接部121。
植晶部120设有两个以上的第一导脚122，各第一导脚122和各第一导脚122间设有一第一绝缘间隙D1、一第二绝缘间隙D1’， 焊接部121设有两个以上的第二导脚122’，各第二导脚122’和各第二导脚122’间设有一第三绝缘间隙D2、一第四绝缘间隙D2’，而各第一导脚122设有两个以上的第一通孔124，各第二导脚122’设有两个以上的第二通孔124’，而植晶部120的第一绝缘间隙D1、第二绝缘间隙D1’、焊接部121的第三绝缘间隙D2、第四绝缘间隙D2’、以及植晶部120的第一通孔124、焊接部121的第二通孔124’、和单体间隙127以热固性材料或热塑性材料的绝缘材13填充，使得植晶部120的第一导脚122和焊接部121的第二导脚122’、植晶部120的第二绝缘间隙D1’和第一通孔124以及焊接部121的第三绝缘间隙D2、第二通孔124’、各第一通孔124、第二通孔124’能对应结合，其中，植晶部120的第一绝缘间隙D1、第二绝缘间隙D1’和焊接部121的第三绝缘间隙D2、第四绝缘间隙D2’及各第一通孔124、第二通孔124’由冲压或蚀刻形成T型或倒T型的形态，且植晶部120的第一导脚122上表面及焊接部121的第二导脚122’下表面设有金属层125，金属层125的材料可以为银、金、镍、钯、锡，而植晶部120的厚度小于、大于或等于焊接部121，使得植晶部120的第一绝缘间隙D1、第二绝缘间隙D1’的最小宽度小于、大于或等于焊接部121的第三绝缘间隙D2、第四绝缘间隙D2’的最小宽度，其中，又以植晶部120的厚度小于焊接部121，且植晶部120的第一绝缘间隙D1小于焊接部121的第二绝缘间隙D2的宽度，使得植晶部120的第一绝缘间隙D1可最小化，以满足微型覆晶封装技术需求。
续，请参照图4和图5，由图4和图5可知，双层导线架1由一植晶层10及一焊接层11组合而成，又双层导线架1结构以两个以上的单体12排列所形成矩形数组，各单体12和各单体12间设有单体间隙127；植晶层10及焊接层11之间设置一黏接层14，使得各单体12由一植晶部120、一黏接部126及一焊接部121所组合而成，植晶部120设有两个以上的第一导脚122，各第一导脚122和各第一导脚122间设有一第一绝缘间隙D1、一第二绝缘间隙D1’，焊接部121设有两个以上的第二导脚122’，各第二导脚122’和各第二导脚122’间设有一第三绝缘间隙D2、第四绝缘间隙D2’，又以热固性材料或热塑性材料的绝缘材13填充植晶部120的第一绝缘间隙D1、第二绝缘间隙D1’、焊接部121的第三绝缘间隙D2、第四绝缘间隙D2’及单体间隙127，黏接部126可以为导电胶，将植晶部120的第一导脚122和焊接部121的导脚122’以及植晶部120的第二绝缘间隙D1’和焊接部121的第三绝缘间隙D2对应结合而成，其中，植晶部120的第一绝缘间隙D1、第二绝缘间隙D1’和焊接部121的第三绝缘间隙D2、第四绝缘间隙D2’由冲压或蚀刻形成T型或倒T型的形态，且植晶部120的第一导脚122上表面及焊接部121的第二导脚122’下表面设有金属层125，金属层125的材料可以为银、金、镍、钯、锡；又植晶部120的第一导脚122也可设有两个以上的第一通孔124，焊接部121的第二导脚122’也可设有两个以上的第二通孔124’，且各第一通孔124、第二通孔124’也以热固性材料或热塑性材料的绝缘材13填充，使得植晶部120及焊接部121更紧密结合。
末请参阅图6和图7，由图6和图7可知，黏接部126也可分为上黏接部1260及下黏接部1261，上黏接部1260可为金、银或锡材料，下黏接部1261可为金、银或锡材料，通过上黏接部1260及下黏接部1261将植晶部120的第一导脚122和焊接部121的第二导脚122’对应共晶结合。
以上所述实施例仅是为充分说明本实用新型而所举的较佳的实施例，本实用新型的保护范围不限于此。本技术领域的技术人员在本实用新型基础上所做的等同替代或变换，均在本实用新型的保护范围之内。本实用新型的保护范围以权利要求书为准。
Claims (17)
1.一种双层导线架结构，其特征在于：由植晶层及焊接层组合而成，又双层导线架结构以两个以上的单体排列所形成矩形数组，各单体和各单体间设有单体间隙，各单体设有植晶部及焊接部，其中：
所述植晶部设有两个以上的第一导脚，各第一导脚和各第一导脚间设有一绝缘间隙，又植晶部的第一导脚设有两个以上的第一通孔；焊接部设有两个以上的第二导脚，各第二导脚和各第二导脚间设有一绝缘间隙，又焊接部的导脚设有两个以上的第二通孔；又以绝缘材填充植晶部及焊接部的第一、二通孔、绝缘间隙及单体间隙，使得植晶部的第一导脚和焊接部的第二导脚，以及植晶部的绝缘间隙和焊接部绝缘间隙对应紧密结合。
2.如权利要求1所述的双层导线架结构，其特征在于：所述植晶部和焊接部的绝缘间隙及第一、二通孔由冲压或蚀刻形成。
3.如权利要求2所述的双层导线架结构，其特征在于：所述植晶部和焊接部的绝缘间隙及第一、二通孔以蚀刻形成时，呈T型或倒T型的形态。
4.如权利要求1所述的双层导线架结构，其特征在于：所述绝缘材为热固性材料或热塑性材料。
5.如权利要求1所述的双层导线架结构，其特征在于：所述植晶层及焊接层为铜材、铁材或铝材制成。
6.如权利要求1所述的双层导线架结构，其特征在于：所述植晶部的第一导脚上表面以及焊接部的第二导脚下表面设有金属层。
7.如权利要求1所述的双层导线架结构，其特征在于：所述植晶部的厚度小于、大于或等于焊接部，使得植晶部的绝缘间隙的最小宽度小于、大于或等于焊接部的绝缘间隙的最小宽度。
8.一种双层导线架结构，其特征在于：由植晶层、黏接层及焊接层组合而成，又双层导线架结构以两个以上的单体排列所形成矩形数组，各单体和各单体间设有单体间隙，各单体设有植晶部、黏接部及焊接部，其中：
所述植晶部设有两个以上的第一导脚，各第一导脚和各第一导脚间设有一绝缘间隙；焊接部设有两个以上的第二导脚，各第二导脚和各第二导脚间设有一绝缘间隙；又以绝缘材填充植晶部及焊接部的绝缘间隙及单体间隙，黏接部设于植晶部及焊接部之间，使得植晶部的第一导脚和焊接部的第二导脚，以及植晶部的绝缘间隙和焊接部的绝缘间隙对应结合而成。
9.如权利要求8所述的双层导线架结构，其特征在于：各所述单体的植晶部的第一导脚设有两个以上的第一通孔及焊接部的第二导脚设有两个以上的第二通孔，且各第一、二通孔以绝缘材填充。
10.如权利要求9所述的双层导线架结构，其特征在于：所述植晶部和焊接部的绝缘间隙及第一、二通孔由冲压或蚀刻形成。
11.如权利要求10所述的双层导线架结构，其特征在于：所述植晶部和焊接部的绝缘间隙及第一、二通孔以蚀刻形成时，呈T型或倒T型的形态。
12.如权利要求8所述的双层导线架结构，其特征在于：所述绝缘材为热固性材料或热塑性材料。
13.如权利要求8所述的双层导线架结构，其特征在于：所述植晶层及焊接层为铜材、铁材或铝材。
14.如权利要求8所述的双层导线架结构，其特征在于：所述植晶部的第一导脚上表面以及焊接部的第二导脚下表面设有金属层。
15.如权利要求8所述的双层导线架结构，其特征在于：所述植晶部的厚度小于、大于或等于焊接部，使得植晶部的绝缘间隙的最小宽度小于、大于或等于焊接部的绝缘间隙的最小宽度。
16.如权利要求8所述的双层导线架结构，其特征在于：所述黏接部为一导电胶。
17.如权利要求8所述的双层导线架结构，其特征在于：所述黏接部设为上黏接部及下黏接部，又该上黏接部位于植晶部的第一导脚下方，及该下黏接部位于焊接部的第二导脚上方，又该黏接部以上黏接部及下黏接部共晶结合而成；所述上黏接部及下黏接部为金、银或锡材料。
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